JPH04128665A - 半導体装置の開放・接触検出装置 - Google Patents
半導体装置の開放・接触検出装置Info
- Publication number
- JPH04128665A JPH04128665A JP2249188A JP24918890A JPH04128665A JP H04128665 A JPH04128665 A JP H04128665A JP 2249188 A JP2249188 A JP 2249188A JP 24918890 A JP24918890 A JP 24918890A JP H04128665 A JPH04128665 A JP H04128665A
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- pulse signal
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 101000766332 Homo sapiens Tribbles homolog 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100026387 Tribbles homolog 1 Human genes 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のパッケージ内部のワイヤと電極
間、外部端子間等の接触が完全か否かを検出する半導体
装置の開放・接触検出装置に関する。
間、外部端子間等の接触が完全か否かを検出する半導体
装置の開放・接触検出装置に関する。
第２図は従来の半導体装置の開放・接触検出装置の動作
を説明するための半導体装置における電圧対電流波形の
一例を示す図である。
を説明するための半導体装置における電圧対電流波形の
一例を示す図である。
従来、この種の半導体装置の開放・接触検出装置は、カ
ーブトレーサ等で代用されていた。すなわち、カーブト
レーサで被試験用の半導体装置の外部端子間に電圧、電
流を印加し、半導体装置内部の半導体チップ、電極間ワ
イヤ等を加熱により完全ではない接触部分が接触したり
離れたりするのを繰り返す状態を作り、カーブトレーサ
のＸ。
ーブトレーサ等で代用されていた。すなわち、カーブト
レーサで被試験用の半導体装置の外部端子間に電圧、電
流を印加し、半導体装置内部の半導体チップ、電極間ワ
イヤ等を加熱により完全ではない接触部分が接触したり
離れたりするのを繰り返す状態を作り、カーブトレーサ
のＸ。
Ｙ軸に現れる第２図に示すような電圧対電流波形を目視
で読み取り、開放、接触を有無を確認していた。
で読み取り、開放、接触を有無を確認していた。
この開放、接触現象は、例えば、半導体チ・／ブの電極
とワイヤ間に完全ではない接触があり、外部端子から電
圧、電流を印加したとき、その電流によりワイヤ及び半
導体チップ等が発熱し、完全ではない接触部分が離れた
り、接触したりする繰り返すことである。このことは、
電極とワイヤ間隔が弱電界で絶縁破壊を起すほど狭くな
っており、交流やパルス電圧を印加したとき、離間及び
接触が瞬間的または繰り返して発生するからである。
とワイヤ間に完全ではない接触があり、外部端子から電
圧、電流を印加したとき、その電流によりワイヤ及び半
導体チップ等が発熱し、完全ではない接触部分が離れた
り、接触したりする繰り返すことである。このことは、
電極とワイヤ間隔が弱電界で絶縁破壊を起すほど狭くな
っており、交流やパルス電圧を印加したとき、離間及び
接触が瞬間的または繰り返して発生するからである。
上述した従来の半導体装置の開放・接触検出装置の一つ
であるカーブトレーサでは、アナログ的な電圧・電流波
形を観察し、開放、接触の有無を判断しているので、見
誤りを起したり、判定に時間がかかり、作業性が悪く処
理能力が低いという欠点がある。
であるカーブトレーサでは、アナログ的な電圧・電流波
形を観察し、開放、接触の有無を判断しているので、見
誤りを起したり、判定に時間がかかり、作業性が悪く処
理能力が低いという欠点がある。
本発明の目的は、作業性が向上し、処理能力が高い半導
体装置の開放・接触検出装置を提供することにある。
体装置の開放・接触検出装置を提供することにある。
本発明の半導体装置の開放接触検出装置は、予め設定さ
れたレベル、パルス幅及び周期のパルス信号を発生する
パルス信号発生部と、前記パルス信号が半導体装置の第
１の外部端子に印加された後に半導体装置の第２の外部
端子から出力される信号を検出する抵抗と、この抵抗と
前記第２の外部端子との接続点からのパルス信号の数と
前記パルス信号発生部からのパルス信号の数とを比較し
これらパルス信号の数が一致しないとき不一致信号を出
力するパルス数差検出部とを有している。
れたレベル、パルス幅及び周期のパルス信号を発生する
パルス信号発生部と、前記パルス信号が半導体装置の第
１の外部端子に印加された後に半導体装置の第２の外部
端子から出力される信号を検出する抵抗と、この抵抗と
前記第２の外部端子との接続点からのパルス信号の数と
前記パルス信号発生部からのパルス信号の数とを比較し
これらパルス信号の数が一致しないとき不一致信号を出
力するパルス数差検出部とを有している。
次に、本発明の実施例について図面の簡単な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の開放・接
触検出装置の回路図である。
触検出装置の回路図である。
この半導体装置の開放・接触検出装置は、同図に示すよ
うに、予め設定されたレベル、パルス幅及び周期をもつ
パルス信号Ｐ、を発生するパルス信号発生部１と、パル
ス信号Ｐ、が半導体装置１０の第１の外部端子Ｔ、に入
力されて第２の外部端子Ｔ２から出力されるパルス信号
Ｐ２を検出する抵抗Ｒと、この抵抗と第２の外部端子Ｔ
２との接続点からのパルス信号Ｐ２の数とパルス信号Ｐ
、の数と比較し、数が一致しないときに不一致信号Ｐ３
を発生するパルス数差検出部２と、この不一致信号Ｐ３
を表示する表示部３とで構成されている。
うに、予め設定されたレベル、パルス幅及び周期をもつ
パルス信号Ｐ、を発生するパルス信号発生部１と、パル
ス信号Ｐ、が半導体装置１０の第１の外部端子Ｔ、に入
力されて第２の外部端子Ｔ２から出力されるパルス信号
Ｐ２を検出する抵抗Ｒと、この抵抗と第２の外部端子Ｔ
２との接続点からのパルス信号Ｐ２の数とパルス信号Ｐ
、の数と比較し、数が一致しないときに不一致信号Ｐ３
を発生するパルス数差検出部２と、この不一致信号Ｐ３
を表示する表示部３とで構成されている。
また、パルス数差検出部２は、ゲート回路ＧＩＧ２で構
成され、スイッチＳを経て入力されるパルス信号発生部
１からのパルス信号Ｐ１と、外部端子Ｔ２と抵抗Ｒの接
続点からのパルス信号Ｐ２とを比較し、これらパルス信
号Ｐ、、ｐ２の数が一致しないとき不一致信号Ｐ、を出
力する。
成され、スイッチＳを経て入力されるパルス信号発生部
１からのパルス信号Ｐ１と、外部端子Ｔ２と抵抗Ｒの接
続点からのパルス信号Ｐ２とを比較し、これらパルス信
号Ｐ、、ｐ２の数が一致しないとき不一致信号Ｐ、を出
力する。
この不一致信号Ｐ９は表示部３に表示され、半導体装置
１０の外部端子Ｔ’ｔ 、 ７２間に開放、接触がある
かどうかが直ちに確認できる。
１０の外部端子Ｔ’ｔ 、 ７２間に開放、接触がある
かどうかが直ちに確認できる。
次に、この実施例の動作について説明する。まず、外部
端子Ｔ、、’ｒ２間に印加されたパルス信号Ｐ１は、半
導体装置の内部において、半導体チエツブとワイヤ間、
外部端子とワイヤ間等に完全でない接触があると、パル
ス信号Ｐ１の電流により発熱し、接触したり離れたりま
た接触したままとなったりする。離れた状態では、外部
端子Ｔ２が抵抗Ｒを介して接地されているので、外部端
子Ｔ２に現れるパルス電圧はほぼ０■となり、パルス数
差検出部２にはパルス信号Ｐ２は入力されない 次に、パルス信号の能動状態を高レベルとすると、ゲー
ト回路Ｇ、の出力端は高レベルとなり、またゲート回路
Ｇ２の出力端も高レベルとなり、パルス信号Ｐ１．Ｐ２
の数が一致しないことを示す高レベルの不一致信号Ｐ３
が出力される。−方、完全な接触であれば常に高レベル
のパルス信号Ｐ２が入力され、ゲート回路Ｇ、の出力端
は常に低レベルとなり、従って不一致信号Ｐ３は出力さ
れない、なお、パルス信号発生部１がら出力されるパル
ス信号Ｐ、は、そのレベル（電圧。
端子Ｔ、、’ｒ２間に印加されたパルス信号Ｐ１は、半
導体装置の内部において、半導体チエツブとワイヤ間、
外部端子とワイヤ間等に完全でない接触があると、パル
ス信号Ｐ１の電流により発熱し、接触したり離れたりま
た接触したままとなったりする。離れた状態では、外部
端子Ｔ２が抵抗Ｒを介して接地されているので、外部端
子Ｔ２に現れるパルス電圧はほぼ０■となり、パルス数
差検出部２にはパルス信号Ｐ２は入力されない 次に、パルス信号の能動状態を高レベルとすると、ゲー
ト回路Ｇ、の出力端は高レベルとなり、またゲート回路
Ｇ２の出力端も高レベルとなり、パルス信号Ｐ１．Ｐ２
の数が一致しないことを示す高レベルの不一致信号Ｐ３
が出力される。−方、完全な接触であれば常に高レベル
のパルス信号Ｐ２が入力され、ゲート回路Ｇ、の出力端
は常に低レベルとなり、従って不一致信号Ｐ３は出力さ
れない、なお、パルス信号発生部１がら出力されるパル
ス信号Ｐ、は、そのレベル（電圧。
電流）が固定であっても、また、所定の割合で経時変化
してもよいし、パルス幅及び周期等も固定であっても経
時変化するものであってもよい。また、パルス信号数の
差の程度、経時変化させたときのパルス信号数の差の状
況等から、開放、接触の差の程度を知ることがてきる。
してもよいし、パルス幅及び周期等も固定であっても経
時変化するものであってもよい。また、パルス信号数の
差の程度、経時変化させたときのパルス信号数の差の状
況等から、開放、接触の差の程度を知ることがてきる。
以上説明したように本発明は、パルス信号を半導体装置
の外部端子間に印加し、他の外部端子と抵抗との接続点
からのパルス信号の数とパルス信号発生部からのパルス
信号の数とが一致しないとき不一致信号を出力し開放、
接触を検出する回路を設けることにより、従来のように
アナログ的な電圧対電流波形を観察して開放、接触を判
断しなくても済むので、作業性が向上し、しかも短時間
に検出できる処理能力を高い半導体装置の開放・接触検
出装置が得られるという効果がある。
の外部端子間に印加し、他の外部端子と抵抗との接続点
からのパルス信号の数とパルス信号発生部からのパルス
信号の数とが一致しないとき不一致信号を出力し開放、
接触を検出する回路を設けることにより、従来のように
アナログ的な電圧対電流波形を観察して開放、接触を判
断しなくても済むので、作業性が向上し、しかも短時間
に検出できる処理能力を高い半導体装置の開放・接触検
出装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の開放・接
触検出装置の回路図、第２図は従来の半導体装置の開放
接触検出装置の動作を説明するための半導体装置におけ
る電圧対電流波形の一例を示す図である。 １・・・パルス信号発生部、２・・・パルス数差検出部
、 ３・・・表示部、 Ｏ・・ 半導体装置、 Ｇ。 ・・・ゲート回路、 Ｒ・・・抵抗、 Ｓ・・・スイッチ、 Ｔ’＋ Ｔ。 ・・・外部端子。
触検出装置の回路図、第２図は従来の半導体装置の開放
接触検出装置の動作を説明するための半導体装置におけ
る電圧対電流波形の一例を示す図である。 １・・・パルス信号発生部、２・・・パルス数差検出部
、 ３・・・表示部、 Ｏ・・ 半導体装置、 Ｇ。 ・・・ゲート回路、 Ｒ・・・抵抗、 Ｓ・・・スイッチ、 Ｔ’＋ Ｔ。 ・・・外部端子。
Claims (1)
- 予め設定されたレベル及びパルス幅並びに周期をもつパ
ルス信号を発生するパルス信号発生部と、前記パルス信
号が半導体装置の第１の外部端子に印加された後に半導
体装置の第２の外部端子から出力される信号を検出する
抵抗と、この抵抗と前記第２の外部端子との接続点から
のパルス信号の数と前記パルス信号発生部からのパルス
信号の数とを比較し、これらパルス信号の数が一致しな
いとき不一致信号を出力するパルス数差検出部とを有す
ることを特徴とする半導体装置の開放・接触検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249188A JPH04128665A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の開放・接触検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249188A JPH04128665A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の開放・接触検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04128665A true JPH04128665A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17189210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2249188A Pending JPH04128665A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 半導体装置の開放・接触検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04128665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008256632A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Yokogawa Electric Corp | 半導体集積回路の試験方法及びｉｃテスタ |
| CN103869210A (zh) * | 2014-03-21 | 2014-06-18 | 国家电网公司 | 未通电状态下的电能计量装置的接线正误检测仪 |
| JP2014172405A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 回転コネクタ装置の断線検知回路 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2249188A patent/JPH04128665A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008256632A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Yokogawa Electric Corp | 半導体集積回路の試験方法及びｉｃテスタ |
| JP2014172405A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 回転コネクタ装置の断線検知回路 |
| CN103869210A (zh) * | 2014-03-21 | 2014-06-18 | 国家电网公司 | 未通电状态下的电能计量装置的接线正误检测仪 |
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