JPH0412508A - Soft magnetic alloy film - Google Patents

Soft magnetic alloy film

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JPH0412508A
JPH0412508A JP2116256A JP11625690A JPH0412508A JP H0412508 A JPH0412508 A JP H0412508A JP 2116256 A JP2116256 A JP 2116256A JP 11625690 A JP11625690 A JP 11625690A JP H0412508 A JPH0412508 A JP H0412508A
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Abstract

PURPOSE:To obtain a soft magnetic alloy film having high permeability, thermally stable characteristics and satisfactory corrosion resistance by composing it of a film represented by a composition formula of FeaXcMeCf. CONSTITUTION:A composition formula is represented by FeaXcMeCf, where X is at least one of elements of Al, Si or mixture thereof, M is at least one of T, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W or mixture thereof, composition ratios (a), (c), (e), (f) are by atomic % 50<=a<=95, 0.2<=c<=25, 2<=e<=25, 0.5<=f<=25, a+c+e+f=100 to be satisfied. The composition is fundamentally formed of fine crystalline grains of 0.08mum of average crystal grain size, and the crystal phase of carbide of M is partly included. Thus, satisfactory soft magnetic properties are obtained, and a soft magnetic alloy film which has durability against heat hysteresis in a process of magnetic head of a complicated structure, permeability in high frequency, excellent corrosion resistance, prevention of deterioration of soft magnetic properties is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、磁気ヘッド等に適した軟磁性合金膜に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a soft magnetic alloy film suitable for magnetic heads and the like.

「従来の技術」 磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために磁
気テープ等の記録媒体の高保磁力化か推進されているが
、それに対応する磁気ヘッド用の軟磁性薄膜材料として
飽和磁束密度(B s)の高いものが要求されている。
``Prior Art'' In the field of magnetic recording, efforts are being made to increase the coercive force of recording media such as magnetic tapes in order to increase the recording density. A high (Bs) is required.

従来の軟磁性材料(膜)としては、N1−Fe(パーマ
ロイ)及びCo基の非晶質膜等がある。
Conventional soft magnetic materials (films) include N1-Fe (permalloy) and Co-based amorphous films.

また最近、Feを主成分とする微細結晶よりなる合金膜
(Fe−N、Fe−C等)において、Feの結晶磁気異
方性の軟磁性に対する悪影響を結晶を微細化することに
より軽減して、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。
In addition, recently, in alloy films (Fe-N, Fe-C, etc.) consisting of fine crystals containing Fe as the main component, the negative effects of Fe's magnetocrystalline anisotropy on soft magnetism have been reduced by making the crystals finer. There is an example in which a film with high saturation magnetic flux density and excellent soft magnetic properties was obtained.

「発明が解決しようとする課題」 ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽量
化する傾向があり、移動に伴う振動にさらされたり、悪
環境のもとて使用されたりすることが多くなっている。
``Problem to be solved by the invention'' Incidentally, devices incorporating magnetic heads tend to be smaller and lighter, and are often exposed to vibrations caused by movement or used in adverse environments. It has become.

そこで、磁気ヘッドには、磁気特性がf!!秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることはもちろ
ん、湿度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環
境性や、耐振動性等が高いことが要求されている。その
ため、ギヤツブ形成やケースへの組み込み等をガラス溶
着て行うことが必要となり、磁気ヘットの素材はヘット
の製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐えうる熱
安定性も合わせて要求されてきている。
Therefore, the magnetic head has a magnetic property of f! ! In addition to being excellent in abrasion resistance against magnetic tape, it is also required to have high durability in humid and corrosive atmospheres, that is, high environmental resistance and vibration resistance. Therefore, it is necessary to form the gear and incorporate it into the case by glass welding, and the material for the magnetic head is also required to have thermal stability that can withstand the high temperatures of the glass welding process in the manufacturing process of the head.

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、N 
i −F e膜からなるものは、ガラス溶着工程での高
温では、軟磁気特性が劣化してしまうとともに、電気抵
抗が低いという欠点がある。
However, in the conventional soft magnetic alloy film, N
A film made of an i-Fe film has the disadvantage that its soft magnetic properties deteriorate and its electrical resistance is low at high temperatures during the glass welding process.

また、Co基の非晶質膜では、13000G以上の高い
飽和磁束密度のものも得られているが、従来のアモルフ
ァス合金の飽和磁束密度を高くしようとすると、アモル
ファス形成元素であるTi。
Furthermore, in Co-based amorphous films, high saturation magnetic flux densities of 13,000 G or more have been obtained, but when trying to increase the saturation magnetic flux density of conventional amorphous alloys, Ti, an amorphous forming element, is used.

Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、W等の添加量を少なく
する必要があるが、添加量を少なくすると、アモルファ
ス構造の安定性が低下し、ガラス溶着に必要な温度(約
500℃以上)には耐ええない問題がある。
It is necessary to reduce the amount of Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W, etc. added, but if the amount added is reduced, the stability of the amorphous structure will decrease, and the temperature required for glass welding (approximately 500°C or higher) will decrease. has an unbearable problem.

飽和磁束密度を約9000G以下に抑えれば、低融点ガ
ラスによる溶着は可能であるが、600℃以上での溶着
は困難であり、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使
用できない。
If the saturation magnetic flux density is suppressed to about 9000 G or less, welding with low melting point glass is possible, but welding at temperatures above 600° C. is difficult, and medium to high melting point glasses with excellent environmental resistance cannot be used.

さらに、上述したFeを主成分とする微細結晶からなる
合金膜(Fe−N、Fe−C等)は、高温では結晶成長
を起こして軟磁性が劣化する(Fe−Cの場合で400
℃が最高)ため、やはりガラス溶着に適したものとはい
いがたい。
Furthermore, the above-mentioned alloy films (Fe-N, Fe-C, etc.) consisting of fine crystals mainly composed of Fe undergo crystal growth at high temperatures, resulting in deterioration of soft magnetism (in the case of Fe-C, the
℃), so it is difficult to say that it is suitable for glass welding.

このような背景から本願発明者らは、特願平12782
20号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合金
膜を特許出願している。また、平成2年3月14日付で
行った特許出願において前記の問題を解決した軟磁性合
金膜の特許出願をしている。
Against this background, the inventors of the present application have proposed the patent application No. 12782
No. 20, etc., a patent application has been filed for a soft magnetic alloy film that solves the above problem. Furthermore, in a patent application filed on March 14, 1990, a patent application has been filed for a soft magnetic alloy film that solves the above problem.

特願平1−278220号明細書において特許出願して
いる軟磁性合金膜の1つは、組成式が、FeaMcCd
で示され、組成比aは原子%て50〜96、Cは2〜3
0、dは0.5〜25、a+c+d= 100なる関係
を満足するものであった。
One of the soft magnetic alloy films for which a patent application has been filed in Japanese Patent Application No. 1-278220 has a composition formula of FeaMcCd.
The composition ratio a is 50 to 96 atomic %, and C is 2 to 3.
0 and d satisfied the relationship of 0.5 to 25 and a+c+d=100.

また、他の1つは、組成式かFeaTbMcCdで示さ
れ、組成比aは原子%で5θ〜96、bは0.1−1o
、Cは2〜30、dは0.5〜25、a+b+c+d=
 100なる関係を満足するものであった。
The other one is represented by the composition formula FeaTbMcCd, where the composition ratio a is 5θ~96 in atomic %, and b is 0.1-1o.
, C is 2-30, d is 0.5-25, a+b+c+d=
This satisfied the relationship 100.

さらに、平成2年3月14日付けで特許出願している軟
磁性合金膜の1つは、組成式か、FeaCrcMdCe
で示され、組成比aは原子%で50〜95、Cは0.5
〜20、dは2〜25、eは0.5〜25、a+c+d
十e= 100なる関係を満足するものであった。
Furthermore, one of the soft magnetic alloy films for which a patent application was filed on March 14, 1990 has a composition formula of FeaCrcMdCe.
The composition ratio a is 50 to 95 in atomic %, and C is 0.5.
~20, d is 2-25, e is 0.5-25, a+c+d
This satisfied the relationship: 10e=100.

さらにまた、他の1つは、組成式が、FeaTbCrc
MdCeで示され、組成比aは原子%で5θ〜95、b
は0.1〜10、Cは0.5〜20、dは2〜25、e
は0.5〜25、a+b+C+d十e=100なる関係
を満足するものであった。
Furthermore, the other one has a compositional formula of FeaTbCrc
It is represented by MdCe, the composition ratio a is 5θ~95 in atomic %, and b
is 0.1-10, C is 0.5-20, d is 2-25, e
was 0.5 to 25, and satisfied the following relationship: a+b+C+d+e=100.

これらの特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組酸
のものは15000G以上の高い飽和磁束密度を有し、
従来の各種材料に比較すると高い熱安定性を備え、通常
の使用環境下では十分な耐食性と耐環境性を有している
か、可能な熱処理温度は700℃程度が上限であり、こ
れ以上の温度では軟磁性か劣化してくる。通常の磁気ヘ
ッドであれば700℃以下でガラス溶着は可能であるが
、複雑な構造のヘット、例えば、消去ヘッドと録再ヘッ
ドが一体化した構造のヘッドでは、消去ヘットと録再ヘ
ッド各々のギャップ形成をガラス溶着で行い、引き続き
両者のヘッドの合体(組み合わせ)をギャップ接合ガラ
スが溶融しない温度でガラス溶着する必要があり、ギャ
ップ接合ガラスに高融点のものを使用する必要がある。
The soft magnetic alloy films provided in these patent applications have a high saturation magnetic flux density of 15,000 G or more in the case of partial acid.
It has high thermal stability compared to various conventional materials, and has sufficient corrosion resistance and environmental resistance under normal usage environments. Then, the soft magnetism will deteriorate. For ordinary magnetic heads, glass welding is possible at temperatures below 700°C, but for heads with complex structures, for example, heads with an integrated erase head and recording/playback head, It is necessary to form the gap by glass welding, and then to combine (combine) both heads with glass welding at a temperature at which the gap bonding glass does not melt, and it is necessary to use a gap bonding glass with a high melting point.

このため、最初のギャップ形成を700℃以上の高温で
行うことが望ましい。従って、さらに耐熱性の高い軟磁
性薄膜が要求されている。
For this reason, it is desirable to form the initial gap at a high temperature of 700° C. or higher. Therefore, a soft magnetic thin film with even higher heat resistance is required.

また、前記特願平1−278220号において出願され
ている軟磁性合金膜においては、電気抵抗が従来の非晶
質膜の半分程度と低く、これにより、高周波での透磁率
が渦電流損失により、低下させられるという問題があっ
た。さらにまた、Feを主成分とするために、悪環境下
で使用された場合に変色あるいは発錆を招くおそれかあ
った。
In addition, the soft magnetic alloy film filed in the above-mentioned Japanese Patent Application No. 1-278220 has a low electrical resistance, about half that of a conventional amorphous film. , there was a problem that it was lowered. Furthermore, since Fe is the main component, there is a risk of discoloration or rusting when used in adverse environments.

本発明は前記課題を解決するためになされたもので、透
磁率が高く、その特性か熱的に安定であるとともに、良
好な耐食性を有する軟磁性合金膜を提供することをこと
を目的とするものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a soft magnetic alloy film that has high magnetic permeability, is thermally stable, and has good corrosion resistance. It is something.

「課題を解決するための手段」 請求項1に記載した本発明は前記課題を解決するために
、組成式かFeaXcMeCfで示され、XはA l、
S iのうち、少なくとも一種からなる元素またはその
混合物であり、MはTi、ZrHf、V 、Nb、T 
a、Mo、Wのうち少なくとも一種からなる金属元素ま
たはその混合物であり、組成比a、c、e、fは原子%
で、50≦a≦95.0.2≦c≦25.2≦e≦25
.0.5≦f≦25、a+C+e+f=100なる関係
を満足させるとともに、その組織が基本的に平均結晶粒
径が0.08μ友以下の微細な結晶粒からなり、その一
部に元素Mの炭化物の結晶相を含むものである。
"Means for Solving the Problems" In order to solve the problems, the present invention described in claim 1 is represented by a compositional formula or FeaXcMeCf, where X is Al,
Si is an element consisting of at least one kind or a mixture thereof, and M is Ti, ZrHf, V, Nb, T
It is a metal element consisting of at least one of a, Mo, and W, or a mixture thereof, and the composition ratios a, c, e, and f are atomic %.
So, 50≦a≦95.0.2≦c≦25.2≦e≦25
.. It satisfies the following relationships: 0.5≦f≦25, a+C+e+f=100, and its structure basically consists of fine crystal grains with an average grain size of 0.08 μm or less, and some of them contain carbides of element M. It contains a crystalline phase of

請求項2に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がPea X c CrdM e Cfで示され
、XはAl,Siのうち、少なくとも一種からなる元素
またはその混合物であり、Mは Ti。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 2 has the following features:
The compositional formula is Pea

Zr、Hf、V 、Nb、Ta、Mo、Wのうち少なく
ともで種からなる金属元素またはその混合物であり、組
成比a、c、d、e、fは原子%で、50≦a≦95.
02≦c≦25.0.1≦d≦2012≦e≦25.0
5≦f≦25、B+c+d+e+、f= l 00なる
関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平均結
晶粒径が0.08μm以下の微細な結晶粒がらなり、そ
の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むものである。
It is a metal element or a mixture thereof consisting of at least one of Zr, Hf, V 2 , Nb, Ta, Mo, and W, and the composition ratios a, c, d, e, and f are in atomic % and are 50≦a≦95.
02≦c≦25.0.1≦d≦2012≦e≦25.0
It satisfies the following relationships: 5≦f≦25, B+c+d+e+, f=l 00, and its structure basically consists of fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less, and some of them contain carbides of element M. It contains a crystalline phase of

請求項3に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がFeaT bX cM eCfで示され、Tは
Co、Niのうち、少なくとも一種からなる金属元素ま
たはその混合物であり、XはAl、Siのうち、少なく
とも一種からなる元素またはその混合物であり、MはT
i、Zr、Hf、V、Nb。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 3 has the following features:
The compositional formula is FeaT bX cM eCf, T is a metal element consisting of at least one of Co and Ni, or a mixture thereof, and X is an element consisting of at least one of Al and Si, or a mixture thereof, M is T
i, Zr, Hf, V, Nb.

Ta、Mo、Wのうち少なくとも一種からなる金属元素
またはその混合物であり、組成比a、b c、e、fは
原子%で、50≦a≦95.0.1≦b≦1O102≦
c≦25、2 ≦e≦ 25、0.5≦f≦25、a+
1)−i−c+e+f= 100なる関係を満足させる
とともに、その組織が基本的に平均結晶粒径が008μ
次以下の微細な結晶粒からなり、その一部に元素Mの炭
化物の結晶相を含むものである。
It is a metal element or a mixture thereof consisting of at least one of Ta, Mo, and W, and the composition ratios a, b, c, e, and f are atomic %, and 50≦a≦95.0.1≦b≦1O102≦
c≦25, 2≦e≦25, 0.5≦f≦25, a+
1) Satisfy the relationship -i-c+e+f=100, and the structure basically has an average grain size of 0.08μ
It is made up of fine crystal grains of the following size and includes a crystal phase of carbide of element M in a part thereof.

請求項4に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がpeaT bX c CrdM eCfで示さ
れ、TはCo、Niのうち、少なくとも一種からなる金
属元素またはその混合物であり、XはAl、Siのうち
、少なくとも一種からなる元素またはその混合物であり
、MはTi、Zr、 HfV 、Nb、Ta、Mo、W
のうち少なくとも一種からなる金属元素またはその混合
物であり、組成比a、b。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 4 has the following features:
The compositional formula is peaT bX c CrdM eCf, T is a metal element consisting of at least one of Co and Ni, or a mixture thereof, and X is an element consisting of at least one of Al and Si, or a mixture thereof. , M is Ti, Zr, HfV, Nb, Ta, Mo, W
A metal element consisting of at least one of the following, or a mixture thereof, and has a composition ratio of a and b.

c、d、e、fは原子%で、50≦a≦95、o、i≦
b≦l010.2≦c≦25、Ol≦d≦20.2≦e
≦25.0.5≦f≦25、a+b+ c+d+e+f
=100なる関係を満足させるとともに、その組織が基
本的に平均結晶粒径が008μm以下の微細な結晶粒か
らなり、その一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むもの
である。
c, d, e, f are atomic %, 50≦a≦95, o, i≦
b≦l010.2≦c≦25, Ol≦d≦20.2≦e
≦25.0.5≦f≦25, a+b+ c+d+e+f
= 100, and its structure basically consists of fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less, and a portion thereof includes a crystal phase of carbide of element M.

請求項5に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項蓋ないし4に記載の組織が平均結晶粒径0.08
μm以下の微細な結晶粒と非晶質との混在した組織であ
って、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶相を含
むものである。
In order to solve the above problem, the invention described in claim 5 has the following features:
The structure according to claims 1 to 4 has an average crystal grain size of 0.08.
It is a structure in which fine crystal grains of μm or less and amorphous are mixed, and a part of the fine crystal grains contains a crystal phase of carbide of element M.

以下に本発明を更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.

前記合金膜の生成方法としては、合金膜をスパッタ、蒸
着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装置とし
ては、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネトロン
スパッタ、3極スパツタ、イオンビームスパッタ、対向
ターゲット式スパッタ、等の既存のものを使用すること
ができる。
As a method for producing the alloy film, the alloy film is produced using a thin film forming apparatus such as sputtering or vapor deposition. As the sputtering apparatus, existing ones such as RF two-pole sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, three-pole sputtering, ion beam sputtering, and facing target sputtering can be used.

また、Cを膜中に添加する方法としては、ターゲツト板
上にグラファイトのベレットを配置して複合ターゲット
とし、これをスパッタする方法、あるいは、Cを含まな
いターゲット(Fe−X−M系、Fe−X−Cr−M系
、Fe−T−X−M系あるいはFe −T −X −C
r−M系)を用い、Ar等の不活性ガス中にメタン(C
H,)等の炭化水素ガスを混合したガス雰囲気中でスパ
ッタする反応性スパッタ法等を用いることができ、特に
反応性スパッタ法では膜中のCa度の制御か容易である
のて所望のC濃度の優れた膜を得ることかできる。
In addition, as a method of adding C into the film, a graphite pellet is placed on a target plate to form a composite target, and this is sputtered, or a target that does not contain C (Fe-X-M system, Fe -X-Cr-M system, Fe-T-X-M system or Fe-T-X-C
methane (C) in an inert gas such as Ar.
A reactive sputtering method in which sputtering is performed in a gas atmosphere containing a mixture of hydrocarbon gases such as H, ), etc. can be used. In particular, the reactive sputtering method allows easy control of the Ca content in the film, so that the desired carbon content can be achieved. It is possible to obtain a film with excellent concentration.

このようにして作製したままの膜は非晶質相をかなりの
割合て含んたものであり、飽和磁束密度が低く、軟磁気
特性も不十分であるので、400℃以上の熱処理を施す
ことにより微結晶を析出させる。この熱処理は無磁場中
で行っても良好な軟磁気特性が得られるが、静磁場中あ
るいは回転磁場中で行うことにより、優れた磁気特性か
得られる。また、この熱処理は磁気ヘットの製造工程に
おけるガラス溶着工程と兼ねて行うことができる。
The film as produced in this way contains a considerable proportion of amorphous phase, has a low saturation magnetic flux density, and has insufficient soft magnetic properties. Precipitate microcrystals. Good soft magnetic properties can be obtained even if this heat treatment is performed in the absence of a magnetic field, but excellent magnetic properties can be obtained by performing this heat treatment in a static or rotating magnetic field. Further, this heat treatment can be performed concurrently with the glass welding step in the manufacturing process of the magnetic head.

なお、前記微結晶の析出工程は、完全に行なわれる必要
はなく、微結晶か相当数(好ましくは50%以上)析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。
It should be noted that the step of precipitating the microcrystals does not need to be performed completely; it is sufficient that a considerable number of microcrystals (preferably 50% or more) are precipitated, so there is no problem even if some amorphous components remain. , the remaining amorphous components do not impede the improvement of properties.

以下、前記のように成分を限定した理由について述へる
The reasons for limiting the components as described above will be described below.

Feは主成分であり、磁性を担う元素である。Fe is the main component and is an element responsible for magnetism.

少なくともフェライト(Bs  5000G)以上の飽
和磁束密度を得るためには、a≧50at%が必要であ
る。また、良好な軟磁気特性を得るためには、a≦95
at%でなければならない。
In order to obtain a saturation magnetic flux density of at least ferrite (Bs 5000G) or higher, a≧50 at% is required. In addition, in order to obtain good soft magnetic properties, a≦95
Must be at%.

元素T(即ちCo、Ni)は、磁歪の調整の目的で添加
する元素である。元素Tの添加がない膜では、熱処理温
度が低い場合、もしくは、Siの添加量が少ない場合に
は磁歪が正の値となり、逆に熱処理温度が高い場合、も
しくは、Siの添加量が多い場合には磁歪が負の値とな
る。磁歪が零になる熱処理温度は元素MやCの濃度にも
依存する。しかし、Siの添加量を多くして、熱処理温
度を高くする必要(ガラス溶着温度)がある場合には、
磁歪が負になるので、磁歪を正にする効果のある元素T
(即ちco、Ni)を添加することにより、磁歪を零に
調節することができる。なお、熱処理温度やSiの添加
量が適当な場合には、元素Tの添加は特に必要ではない
。ただし、元素Tの添加量は正の磁歪が+1O−5台以
上まで大きくならないようにb≦l0at%としなくて
はならない。
Element T (ie, Co, Ni) is an element added for the purpose of adjusting magnetostriction. In a film without the addition of element T, the magnetostriction takes a positive value when the heat treatment temperature is low or when the amount of Si added is small, and conversely, when the heat treatment temperature is high or the amount of Si added is large. The magnetostriction takes a negative value. The heat treatment temperature at which the magnetostriction becomes zero also depends on the concentrations of elements M and C. However, if it is necessary to increase the amount of Si added and raise the heat treatment temperature (glass welding temperature),
Magnetostriction becomes negative, so element T has the effect of making magnetostriction positive.
(ie, co, Ni), the magnetostriction can be adjusted to zero. Note that, if the heat treatment temperature and the amount of Si added are appropriate, addition of element T is not particularly necessary. However, the amount of element T added must be such that b≦l0at% so that the positive magnetostriction does not increase to more than +1O−5.

元素M(即ちT i、 Z r、Hf、V 、N b、
T a、W)は軟磁気特性を良好にするために必要であ
り、また、Cと結合して炭化物の微細結晶を形成する。
Element M (i.e. Ti, Zr, Hf, V, Nb,
Ta, W) is necessary to improve soft magnetic properties, and also combines with C to form fine crystals of carbide.

この炭化物の微粒子がFeを主成分とする結晶の成長を
妨げるはたらきをして、高い耐熱性が得られる。
These fine particles of carbide serve to prevent the growth of crystals containing Fe as a main component, resulting in high heat resistance.

良好な軟磁気特性を維持するためには、e≧2at%と
する必要がある。しかしながら、多すぎると飽和磁束密
度が低下し、また軟磁気特性の低下を招くので、e≦2
5at%とする必要がある。
In order to maintain good soft magnetic properties, it is necessary that e≧2at%. However, if it is too large, the saturation magnetic flux density will decrease and the soft magnetic properties will deteriorate, so e≦2
It is necessary to set it to 5 at%.

Cは軟磁気特性を良好にするために、及び、耐熱性を向
上させるために必要であり、また、Cは元素Mと結合し
て炭化物の微細結晶を形成する。
C is necessary to improve soft magnetic properties and improve heat resistance, and C combines with element M to form fine crystals of carbide.

良好な軟磁気特性、及び、熱安定性を維持するためには
、f≧0.5at%とする必要がある。しかしながら、
多すぎると飽和磁束密度の低下、及び、軟磁気特性の低
下を招くので、f≦25at%とする必要がある。
In order to maintain good soft magnetic properties and thermal stability, it is necessary that f≧0.5 at%. however,
If it is too large, the saturation magnetic flux density and soft magnetic properties will be lowered, so it is necessary that f≦25 at%.

以上説明のFeと元素Tと元素MとCの成分限定理由は
特願平1−278220号の場合とほぼ同様である。
The reasons for limiting the components of Fe, element T, element M, and C described above are almost the same as in the case of Japanese Patent Application No. 1-278220.

元素X(即ちAl,Si)はFeを主成分とする微細結
晶かもつ結晶磁気異方性エネルギーを低下させて、結晶
の大きさがある程度成長しても軟磁気特性を保つはたら
きをするため、耐熱性を向上させることかできる。
Element X (i.e., Al, Si) functions to lower the crystal magnetic anisotropy energy of fine crystals mainly composed of Fe and maintain soft magnetic properties even if the crystal size grows to a certain extent. It is possible to improve heat resistance.

さらに、電気抵抗を高くして、渦電流損失による高周波
透磁率の低下を改善するはたらきもある。
Furthermore, it has the function of increasing electrical resistance and improving the decrease in high frequency magnetic permeability caused by eddy current loss.

上記の効果を発揮するためには、少なくともC20,2
at%とする必要がある。しかしながら、元素Xの含有
量を多くしすぎると飽和磁束密度が低下するので、C≦
25at%とする必要がある。
In order to exhibit the above effects, at least C20,2
It is necessary to set it to at%. However, if the content of element X is too high, the saturation magnetic flux density will decrease, so C≦
It needs to be 25 at%.

Crは耐食性、耐環境性を改善するために添加する元素
である。Crの添加なしでも実用上は十分な耐食性、耐
環境性を得られるが、より厳しい環境下での使用のため
にもCrの添加により耐食性や耐環境性を改善すること
ができる。Crの含有量は耐食性や耐環境性を向上さ仕
るためは、d≧0.1at%としなければならない。し
かしながら、Crの含有量か多すぎると、飽和磁束密度
が低くなりすぎる(フェライト以下になる)ので、d≦
20at%とする必要かある。
Cr is an element added to improve corrosion resistance and environmental resistance. Although sufficient corrosion resistance and environmental resistance can be obtained for practical use without the addition of Cr, the corrosion resistance and environmental resistance can be improved by adding Cr for use in more severe environments. In order to improve corrosion resistance and environmental resistance, the Cr content must be d≧0.1 at%. However, if the Cr content is too high, the saturation magnetic flux density becomes too low (below ferrite), so d≦
Is it necessary to set it to 20at%?

元素Mの炭化物の微細結晶は膜中に均一に分散させるこ
とにより、Feの微結晶が熱処理により成長し、粗大化
して軟磁性を損なうことを防止するはたらきがある。つ
まり、Feの結晶粒が成長して大きくなると結晶磁気異
方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性が悪化するが、
元素Mの炭化物の微結晶がFeの粒成長の障壁としては
たらくことにより軟磁気特性の悪化を防止する。
By uniformly dispersing the carbide microcrystals of element M in the film, they have the function of preventing Fe microcrystals from growing and coarsening due to heat treatment and impairing soft magnetism. In other words, as Fe crystal grains grow and become larger, the negative effect of magnetocrystalline anisotropy becomes greater and the soft magnetic properties deteriorate.
The carbide microcrystals of element M act as a barrier to grain growth of Fe, thereby preventing deterioration of soft magnetic properties.

本発明では、元素X(即ちA 1. S i)の添加に
より、Feを主成分とする結晶側々の結晶磁気異方性エ
ネルギーが低下しており、高温の熱処理によって、ある
程度結晶が大きくなっても軟磁気特性が維持できるとい
う特徴を有する。
In the present invention, the addition of element It has the characteristic that soft magnetic properties can be maintained even when

さらに、金属組織が基本的に0.08μm以下の微結晶
からなっているために、非晶質に比べて熱的安定性に優
れており、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高く
することができる。
Furthermore, since the metal structure basically consists of microcrystals with a size of 0.08 μm or less, it has superior thermal stability compared to amorphous materials, allowing for fewer additive elements and higher saturation magnetic flux density. I can do it.

「作用 」 上記軟磁性合金膜においては、その組織がFeに富む結
晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が
制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子1個あた
りの磁気モーメント及びキュリー温度が高くなっており
、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素M及びCが
含まれているとともに、金属組織が微細な結晶粒からな
っており、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響が軽
減されるので、良好な軟磁気特性が得られる。さらに、
元素Mの炭化物が析出してFeを主成分とする結晶粒の
成長を抑えるので、ガラス溶着工程において加熱されて
し、結晶粒が粗大化することがない。
"Effect" The structure of the soft magnetic alloy film is mainly composed of Fe-rich crystals, and the addition of components that reduce the saturation magnetic flux density is limited, so the The magnetic moment and Curie temperature are high, and a high saturation magnetic flux density can be obtained. In addition, the elements M and C are included, and the metal structure is made up of fine crystal grains, which reduces the negative effect of magnetocrystalline anisotropy on soft magnetism, resulting in good soft magnetic properties. . moreover,
Since the carbide of element M precipitates and suppresses the growth of crystal grains mainly composed of Fe, the crystal grains do not become coarse due to heating in the glass welding process.

さらにまた、Crを特定量添加しているので耐食性が向
上し、耐環境性に優れる。
Furthermore, since a specific amount of Cr is added, corrosion resistance is improved and environmental resistance is excellent.

また、元素X(Al、Si)の添加により、電気抵抗が
高くなり、高周波での渦電流損失が低減され、高周波透
磁率が高くなる。
Furthermore, the addition of element X (Al, Si) increases electrical resistance, reduces eddy current loss at high frequencies, and increases high frequency magnetic permeability.

「実施例」 (1)成膜 RF2極スパッタ装置を用いて、後記の第1表に示す組
成の合金膜を形成した。
"Example" (1) Film Formation An alloy film having a composition shown in Table 1 below was formed using an RF bipolar sputtering device.

使用しfニターゲットは、Feターゲット上にSl。The f-ni target used is Sl on the Fe target.

Al,Co、Ta、グラファイト等の各種ペレットを適
宜配置して構成した複合ターゲットを用い、Arガス雰
囲気中でスパッタを行って、膜厚5〜6μmの薄膜を形
成した。
A thin film having a thickness of 5 to 6 μm was formed by sputtering in an Ar gas atmosphere using a composite target configured by appropriately arranging various pellets of Al, Co, Ta, graphite, and the like.

(2)熱処理 成膜後、無磁場中において650℃で20分間保持する
アニールを行った。
(2) Heat treatment After film formation, annealing was performed at 650° C. for 20 minutes in a non-magnetic field.

(3)測定 前記のように製造された合金膜と、スパッタにより成膜
した元素Xを含有しない合金膜(特願平1−27822
0号において特許出願している発明に係る合金膜)につ
いて、無磁場アニール後における飽和磁束密度(B s
)、初透磁率(μ、atlMHz)、保磁力(Hc)、
磁歪定数(λ)と比抵抗(ρ、μΩ・cm)の測定を行
った。以上の結果を第1表に示す。
(3) Measurement The alloy film produced as described above and the alloy film not containing element X formed by sputtering (Japanese Patent Application No. 1-27822
The saturation magnetic flux density (B s
), initial permeability (μ, atlMHz), coercive force (Hc),
The magnetostriction constant (λ) and specific resistance (ρ, μΩ·cm) were measured. The above results are shown in Table 1.

第1表で試料lの比較例aは本発明音らが先に特許出願
しているものである。本発明に係る合金膜(b−k)は
いずれもaよりも比抵抗(電気抵抗)が高くなっており
、磁気特性(飽和磁束密度、初透磁率、保磁力、磁歪定
数)もaと同様ないしはそれ以上の値が得られている。
Comparative Example a of Sample 1 in Table 1 is the one for which the present invention company has previously applied for a patent. All alloy films (b-k) according to the present invention have higher specific resistance (electrical resistance) than a, and have the same magnetic properties (saturated magnetic flux density, initial permeability, coercive force, magnetostriction constant) as a. Or even higher values have been obtained.

前記と同様な方法で作成した合金膜の軟磁気特性の熱安
定性(耐熱性)を特願平1−278220号にて出願済
の合金膜と比較して第2表に示す。
Table 2 shows the thermal stability (heat resistance) of the soft magnetic properties of the alloy film prepared by the same method as described above in comparison with that of the alloy film filed in Japanese Patent Application No. 1-278220.

以  下  余  白 第2表より比較例にあげた合金膜よりも本発明の合金膜
の方か高い熱安定性を示すことがわかる。
From Table 2 below, it can be seen that the alloy film of the present invention exhibits higher thermal stability than the alloy films listed in the comparative examples.

また、750℃で熱処理をした比抵抗は比較例の比抵抗
に比べて約3倍の高い値を示した。
Further, the specific resistance after heat treatment at 750° C. showed a value about three times higher than that of the comparative example.

[発明の効果J 以上説明したように本発明は、Feを主成分とする微細
な結晶粒から主になる軟磁性合金膜であり、飽和磁束密
度を低下させる成分の添加が制限されているので、高い
飽和磁束密度が得られる。
[Effect of the Invention J As explained above, the present invention is a soft magnetic alloy film mainly composed of fine crystal grains containing Fe as the main component, and the addition of components that lower the saturation magnetic flux density is limited. , high saturation magnetic flux density can be obtained.

このことにより、高い記録特性を有する磁気ヘッドを提
供できる。
This makes it possible to provide a magnetic head with high recording characteristics.

さらに、従来のアモルファス合金膜とは異なり、無磁場
中で熱処理を行っても高い透磁率を発揮する膜を得るこ
とができ、磁気ヘッド製造時のガラス溶着等の工程を磁
場をかけて熱処理する場合よりも簡略化をなしえる。
Furthermore, unlike conventional amorphous alloy films, it is possible to obtain a film that exhibits high magnetic permeability even when heat-treated in the absence of a magnetic field. It can be simplified more than the case.

また、元素M(T i、Zr、Hf、V 、Nb、T 
a、Mo、W)及びCという軟磁性を良好とする成分が
添加されるとともに、金属組織が微細な結晶粒からなり
、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響が軽減される
ので、良好な軟磁気特性が得られる。
In addition, elements M (Ti, Zr, Hf, V, Nb, T
Components such as a, Mo, W) and C that improve soft magnetism are added, and the metal structure consists of fine crystal grains, which reduces the negative effect of magnetocrystalline anisotropy on soft magnetism, so it is good. Soft magnetic properties can be obtained.

さらに、微細な結晶粒からなるとともに、添加された元
素MがCと炭化物を形成し、その炭化物が膜中に均一に
分散されていることにより、Feを主成分とする微結晶
が熱処理により成長することを防ぐ働きがある。すなわ
ち、結晶の成長に伴って結晶磁気異方性の悪影響が大き
くなることによる軟磁性の劣化を防ぐ働きかある。
Furthermore, as well as being composed of fine crystal grains, the added element M forms a carbide with C, and the carbide is uniformly dispersed in the film, so that microcrystals mainly composed of Fe grow through heat treatment. It works to prevent this from happening. In other words, it serves to prevent deterioration of soft magnetism due to the increase in the negative influence of magnetocrystalline anisotropy as the crystal grows.

また、上記組成に加えて、元素X (A l、S i)
が添加されていることにより、Feを主成分とする結晶
側々の結晶磁気異方性エネルギーが低下して、ある程度
結晶が大きくなっても、軟磁性を維持てき、高温での熱
処理に耐えうる。このことにより、溶着ガラスとして信
頼性の高い中〜高融点ガラスを用いることができるとも
に、多段階のガラス溶着を必要とする複雑な構造の磁気
ヘッドの加工プロセスにおける熱履歴にも耐えることが
できる。
In addition to the above composition, element X (A l, Si)
By adding , the magnetocrystalline anisotropy energy on the sides of the Fe-based crystal decreases, and even if the crystal grows to some extent, it maintains its soft magnetic properties and can withstand heat treatment at high temperatures. . This makes it possible to use a highly reliable medium to high melting point glass as the welding glass, and also to withstand the thermal history of the manufacturing process of a magnetic head with a complex structure that requires multi-step glass welding. .

さらに、SiやAtが添加されていることにより、電気
抵抗が高くなり、高周波での渦電流損失が低減され、高
周波での透磁率を高めることができる。
Furthermore, by adding Si or At, the electrical resistance increases, eddy current loss at high frequencies is reduced, and magnetic permeability at high frequencies can be increased.

またさらに、元素T(Co,Ni)を加えることにより
、磁歪を調整し、磁気ヘッド製造工程で生しる種々の歪
による軟磁気特性の劣化を防ぐことができるものである
Furthermore, by adding the element T (Co, Ni), it is possible to adjust the magnetostriction and prevent deterioration of the soft magnetic properties due to various strains generated in the manufacturing process of the magnetic head.

また、前記成分にCrを特定量添加することにより、F
e基の合金としては耐食性に優れ、悪環境下にあっても
変色や発錆を生じない特徴がある。
Furthermore, by adding a specific amount of Cr to the above components, F
As an e-based alloy, it has excellent corrosion resistance and does not discolor or rust even under adverse environments.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)組成式がFeaXcMeCfで示され、XはAl
,Siのうち、少なくとも一種からなる元素またはその
混合物であり、MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta
,Mo,Wのうち少なくとも一種からなる金属元素また
はその混合物であり、組成比a,c,e,fは原子%で 50≦a≦95 0.2≦c≦25 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+c+e+f=100 なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径が0.08μm以下の微細な結晶粒からなり
、その一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴
とする軟磁性合金膜。 (2)組成式がFeaXcCrdMeCfで示され、X
はAl,Siのうち、少なくとも一種からなる元素また
はその混合物であり、MはTi,Zr,Hf,V,Nb
,Ta,Mo,Wのうち少なくとも一種からなる金属元
素またはその混合物であり、組成比a,c,d,e,f
は原子%で 50≦a≦95 0.2≦c≦25 0.1≦d≦20 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+c+d+e+f=100 なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径が0.08μm以下の微細な結晶粒からなり
、その一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴
とする軟磁性合金膜。 (3)組成式がFeaTbXcMeCfで示され、Tは
Co,Niのうち、少なくとも一種からなる金属元素ま
たはその混合物であり、XはAl,Siのうち、少なく
とも一種からなる元素またはその混合物であり、MはT
i,Zr,Hr,V,Nb,Ta,Mo,Wのうち少な
くとも一種からなる金属元素またはその混合物であり、
組成比a,b,c,e,fは原子%で、 50≦a≦95 0.1≦b≦10 0.2≦c≦25 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+b+c+e+f=100 なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径が0.08μm以下の微細な結晶粒からなり
、その一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴
とする軟磁性合金膜。 (4)組成式がFeaTbXcCrdMeCfで示され
、TはCo,Niのうち、少なくとも一種からなる金属
元素またはその混合物であり、XはAl,Siのうち、
少なくとも一種からなる元素またはその混合物であり、
MはTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,Wのう
ち少なくとも一種からなる金属元素またはその混合物で
あり、組成比a,b,c,d,e,fは原子%で 50≦a≦95 0.1≦b≦10 0.2≦c≦25 0.1≦d≦20 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+b+c+d+e+f=100 なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
均結晶粒径が0.08μm以下の微細な結晶粒からなり
、その一部に元素Mの炭化物の結晶相を含むことを特徴
とする軟磁性合金膜。 (5)請求項1ないし4に記載の組織が平均結晶粒径0
.08μm以下の微細な結晶粒と非晶質との混在した組
織であって、微細結晶粒の一部に元素Mの炭化物の結晶
相を含むことを特徴とする軟磁性合金膜。
[Claims] (1) The compositional formula is FeaXcMeCf, where X is Al
, Si, or a mixture thereof, and M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta.
, Mo, and W, and the composition ratios a, c, e, and f are 50≦a≦95 0.2≦c≦25 2≦e≦25 0. It satisfies the following relationship: 5≦f≦25 a+c+e+f=100, and its structure basically consists of fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less, with a crystal phase of carbide of element M in a part of it. A soft magnetic alloy film comprising: (2) The compositional formula is FeaXcCrdMeCf, and
is an element consisting of at least one of Al and Si, or a mixture thereof; M is Ti, Zr, Hf, V, Nb
, Ta, Mo, and W, or a mixture thereof, and has a composition ratio of a, c, d, e, f.
satisfies the following relationships in atomic %: 50≦a≦95 0.2≦c≦25 0.1≦d≦20 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+c+d+e+f=100, and its structure is basically A soft magnetic alloy film comprising fine crystal grains having an average crystal grain size of 0.08 μm or less, and containing a crystal phase of a carbide of element M in a part thereof. (3) The compositional formula is FeaTbXcMeCf, T is a metal element consisting of at least one of Co and Ni, or a mixture thereof, and X is an element consisting of at least one of Al and Si, or a mixture thereof, M is T
A metal element consisting of at least one of i, Zr, Hr, V, Nb, Ta, Mo, and W, or a mixture thereof,
Composition ratios a, b, c, e, f are in atomic %, 50≦a≦95 0.1≦b≦10 0.2≦c≦25 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+b+c+e+f=100 A soft magnetic material that satisfies the following relationship and whose structure basically consists of fine crystal grains with an average crystal grain size of 0.08 μm or less, and a part of which contains a crystal phase of carbide of element M. Alloy membrane. (4) The compositional formula is FeaTbXcCrdMeCf, T is a metal element consisting of at least one of Co and Ni, or a mixture thereof, and X is a metal element consisting of at least one of Co and Ni, and
An element consisting of at least one kind or a mixture thereof,
M is a metal element consisting of at least one of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W, or a mixture thereof, and the composition ratios a, b, c, d, e, and f are 50≦at%. a≦95 0.1≦b≦10 0.2≦c≦25 0.1≦d≦20 2≦e≦25 0.5≦f≦25 a+b+c+d+e+f=100 In addition to satisfying the following relationships, the organization is basic. A soft magnetic alloy film comprising fine crystal grains having an average crystal grain size of 0.08 μm or less, and containing a crystal phase of a carbide of element M in a part thereof. (5) The structure according to claims 1 to 4 has an average crystal grain size of 0.
.. A soft magnetic alloy film characterized by having a mixed structure of fine crystal grains of 0.08 μm or less and amorphous, and containing a crystal phase of carbide of element M in a part of the fine crystal grains.
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