JPH04123149A - ページ置換回路 - Google Patents

ページ置換回路

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JPH04123149A
JPH04123149A JP2242221A JP24222190A JPH04123149A JP H04123149 A JPH04123149 A JP H04123149A JP 2242221 A JP2242221 A JP 2242221A JP 24222190 A JP24222190 A JP 24222190A JP H04123149 A JPH04123149 A JP H04123149A
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JP
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control circuit
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JP2242221A
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Inventor
Koichi Suzuki
晃一 鈴木
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NEC Ibaraki Ltd
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NEC Ibaraki Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はページ置換回路に関し、特に主記憶装置に二次
記憶装置からのデータをページ単位で格納する仮想記憶
方式のページ置換回路に関する。
従来技術 従来、この種の仮想記憶方式においては、主記憶のペー
ジ毎に該ページのデータの使用状態(使用/未使用)を
示す情報を格納するメモリ、いわゆるRメモリと、主記
憶のページ毎に該ページのデータの書換えの有無を示す
情報を格納するメモリ、いわゆるCメモリとが設けられ
ている。
プロセッサが主記憶上にない拡張記憶のアドレスのデー
タをアクセスしようとした場合、Rメモリの内容が未使
用のページが存在することを示していれば、主記憶の該
ページに二次記憶のデータを転送し、そのページに該当
するRメモリの内容を使用状態とし、Cメモリの内容を
書換えなしの状態とする。
また、Rメモリの内容が全ページが使用状態であること
を示していれば、主記憶のページのうちあるアルゴリズ
ム[たとえばランダム置換アルゴリズムやF I F 
O(rlrst 1n Nrst out) !換アル
ゴリズム、あるいはL RU (1east rece
ntly used) W換アルゴリズム]により入れ
換え用のページを選択する。
このとき、入れ換え用のページとした主記憶上のCメモ
リの内容が書換えなしの状態を示していれば、該ページ
のデータが変更されていないので、主記憶の該ページに
二次記憶のデータを転送し、そのページに該当するRメ
モリの内容を使用状態とし、Cメモリの内容を書換えな
しの状態とする。
さらに、Rメモリの内容が全ページが使用状態であるこ
とを示し、入れ換え用のページとした主記憶上のCメモ
リの内容が書換え有りの状態を示していれば、該ページ
のデータが変更されて二次記憶のデータと異なっている
ので、該ページのデータを二次記憶に書き戻し、その後
に主記憶の該ページに二次記憶のデータを転送し、その
ページに該当するRメモリの内容を使用状態とし、Cメ
モリの内容を書換えなしの状態としている。
このような従来の仮想記憶方式では、Rメモリの内容が
主記憶の各ページ毎の使用状態を示すだけなので、プロ
セッサが主記憶上にない拡張記憶のアドレスのデータを
アクセスしようとした場合、Rメモリの内容が全ページ
が使用状態であることを示していれば、主記憶のページ
の中からあるアルゴリズムで入れ換え用のページを選択
し、そのページに二次記憶のデータを転送している。
この場合、そのアルゴリズムによって一番使用開度の低
いページが選択されるとは限らないため、そのとき二次
記憶のデータで入れ換えられたページの使用頻度が高い
ときには該ページを次にアクセスしようとすると、再度
二次記憶から主記憶にそのページのデータを転送しなけ
ればならず、システム全体の性能を低下させてしまうと
いう欠点がある。
発明の目的 本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、システム全体の性能の低下を防止するこ
とができるページ置換回路の提供を目的とする。
発明の構成 本発明によるページ置換回路は、主記憶装置に二次記憶
装置からのデータをページ単位で格納する仮想記憶方式
のページ置換回路であって、前記主記憶装置の各ページ
毎にアクセス回数を保持するメモリと、前記主記憶装置
へのアクセス回数を計数する計数手段と、前記計数手段
の計数値が予め設定された所定値となる毎に、前記メモ
リに保持された各ページ毎の前記アクセス回数から一定
値を減算する減算手段と、前記減算手段の減算結果を前
記メモリに書込む書込み手段とを有し、前記主記憶装置
にアクセス対象のページがないとき、前記メモリに保持
された各ページ毎の前記アクセス回数に応じてページ置
換を行うようにしたことを特徴とする。
実施例 次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例によるシステム構成を示すブ
ロック図である。図において、主制御回路1はバス信号
線100および信号線111を介して図示せぬプロセッ
サからの命令実行要求を受取ると、バス信号線100お
よび信号線112を介してプロセッサからの命令を受取
り、該命令をデコードして内容を解析し、その解析結果
に基づいて各制御回路への制御信号を生成し、それらの
制御信号を主制御線115〜11Bを介して各制御回路
へ送出する。
メモリモジュール制御回路4は主制御線11gを介して
主制御回路1からの制御信号を受取ると、その制御信号
に基づいてメモリモジュール5における書込みまたは読
出しなどのための制御タイミング信号を生成し、その制
御タイミング信号を制御線123を介してメモリモジュ
ール5に送出する。
アドレス制御回路2は主制御線11Bを介して主制御回
路1から送られてきた制御信号を受取ると、その制御信
号に基づいてバス信号線100および信号線113を介
してプロセッサからのアドレスを取込み、そのアドレス
に基づいたアドレス信号を生成し、そのアドレス信号を
アドレス線119を介してメモリモジュール5に送出す
る。
また、アドレス制御回路2は主制御回路1からの制御信
号に基づいてページアドレス信号を生成し、そのページ
アドレス信号をアドレス線120を介してRCメモリ回
路7に送出する。
データ制御回路3は主制御線115を介して主制御回路
1から送られてきた制御信号を受取ると、その制御信号
が主記憶へのデータ書込みを示していれば、バス信号線
100および信号線114を介してプロセッサからの書
込みデータを取込み、この書込みデータのエラー検出や
エラー訂正のためのコードを生成するなどの処理を行い
、その書込みデータをデータ線121を介してメモリモ
ジュール5に送出する。
また、データ制御回路3は主制御線115を介して主制
御回路1から送られてきた制御信号が主記憶からのデー
タ読出しを示していれば、データ線121を介してメモ
リモジュール5からの読出しデータを取込み、この読出
しデータのエラー検出やエラー訂正などの処理を行って
から、その読出しデータをバス信号線100および信号
線1. t 4を介してプロセッサに送出する。
一方、データ制御回路3は主制御線115を介して主制
御回路1から送られてきた制御信号がRCメモリ回路7
からのデータ読出しを示していれば、データ線122を
介してRCメモリ回路7から送られてきたRCメモリ読
出しデータを取込み、このRCメモリ読出しデータにパ
リティ付加などの処理を行い、そのRCメモリ読出しデ
ータをバス信号線100および信号線114を介してプ
ロセッサに送出する。
メモリモジュール5は制御線123を介してメモリモジ
ュール制御回路4から送られてきた制御タイミング信号
が主記憶へのデータ書込みを示していれば、アドレス線
119を介してアドレス制御回路2から送られてきたア
ドレス信号が示すページに、データ線121を介してデ
ータ制御回路3から送られてきた書込みデータを書込む
また、メモリモジュール5は制御線123を介してメモ
リモジュール制御回路4から送られてきた制御タイミン
グ信号が主記憶からのデータ読出しを示していれば、ア
ドレス線119を介してアドレス制御回路2から送られ
てきたアドレス信号が示すページから読出しデータを読
出し、その読出しデータをデータ線121を介してデー
タ制御回路3に送出する。
RCメモリ制御回路6は主制御線117を介して主制御
回路1から送られてきた制御信号により、RCメモリ回
路7のRメモリ(図示せず)およびCメモリ(図示せず
)のクリア(初期状態へのセット)、つまりRメモリの
内容を未使用状態とし、Cメモリの内容を書換えなしの
状態とするための制御信号や、Rメモリの内容を1回使
用状態とし、Cメモリの内容を書換えなしの状態とする
ための制御信号、あるいは主記憶へのアクセス時にRメ
モリの内容をインクリメントし、Cメモリの内容を書換
え有りの状態とするための制御信号や、Rメモリの内容
およびCメモリの内容を読出すための制御信号、および
プロセッサからの主記憶アクセスの回数をカウントし、
そのカウント値が予め設定された所定値となる毎にRメ
モリの内容をデクリメントするための制御信号を制御線
124を介してRCメモリ回路7に送出する。
RCメモリ回路7は制御線124を介してRCメモリ制
御回路6から送られてきた制御信号により、Rメモリお
よびCメモリのクリアおよびセット、Rメモリの内容の
インクリメントおよびデクリメント、Rメモリの内容お
よびCメモリの内容の読出しを行う。
RCメモリ回路7のRメモリおよびCメモリから読出さ
れたRCメモリ読出しデータはデータ線122を介して
データ制御回路3に送出される。
第2図は第1図のRCメモリ制御回路6およびRCメモ
リ回路7の詳細な構成を示すブロック図である。図にお
いて、RCメモリ制御回路6は制御回路10およびカウ
ンタ11から構成され、RCメモリ回路7はカウンタ2
0と、セレクタ21゜22と、Rメモリ23と、Cメモ
リ24と、レジスタ25.26と、演算回路27とから
構成されている。
RCメモリ制御回路6のカウンタ11は主制御線117
を介して主制御回路1から送られてきた制御信号により
主記憶アクセスをカウントし、−足回数毎にRメそり2
3の内容を順次デクリメントするためのトリガとなる信
号を制御線131を介して制御回路10およびRCメモ
リ回路7のカウンタ20に出力する。
RCメモリ回路7のカウンタ20は制御線131を介し
てカウンタ11から送られてきた信号によりRメモリ2
3の内容をデクリメントするためのデクリメント用アド
レス信号を順次発生し、そのデクリメント用アドレス信
号をアドレス線141を介してセレクタ21に送出する
セレクタ21は制御線132を介して制御回路10から
送られてきた制御信号によりアドレス線120を介して
アドレス制御回路2から送られてきたページアドレス信
号とアドレス線141を介してカウンタ20から送られ
てきたデクリメント用アドレス信号とのうち一方を選択
し、該アドレス信号をアドレス11142を介してRメ
モリ23およびCメモリ24に送出する。
セレクタ22は制御線134を介して制御回路10から
送られてきた制御信号によりデータ線133を介して制
御回路10から送られてきたRメモリ23の内容をクリ
アするためのデータやRメモリ23の内容を1回使用状
態とするためのデータと、データ線147を介して演算
回路27から送られてきた現在のRメモリ23の内容を
インクリメントまたはデクリメントしたデータとのうち
一方を選択し、該データをデータ線143を介してRメ
モリ23に送出する。
Rメモリ23は制御線137を介して制御回路10から
送られてきた制御信号がデータ読出しを示していれば、
アドレス線142を介してセレクタ21から送られてき
たアドレス信号により指定されたページのデータをデー
タ線145を介してレジスタ25に送出し、また制御回
路10からの制御信号がデータ書込みを示していれば、
アドレス線142を介してセレクタ21から送られてき
たアドレス信号により指定されたページにデータ線14
3を介してセレクタ22から送られてきたデータを書込
む。
Cメモリ24は制御線13Bを介して制御回路10から
送られてきた制御信号がデータ読出しを示していれば、
アドレス線142を介してセレクタ21から送られてき
たアドレス信号により指定されたページのデータをデー
タ線146を介してレジスタ26に送出し、また制御回
路10からの制御信号がデータ書込みを示していれば、
アドレス線142を介してセレクタ21から送られてき
たアドレス信号により指定されたページにデータ線13
5を介して制御回路10から送られてきた書込みデータ
を書込む。
レジスタ25はDタイプのフリップフロップであり、入
力されるクロック信号(図示せず)のエツジ(クロック
信号の立上りまたは立下り)に応答してデータ線145
を介してRメモリ23から送られてきたデータを取込み
、そのデータをクロック信号の次のエツジまで保持し、
そのデータをデータ線122aを介して演算回路27お
よびデータ制御回路3に送出する。
レジスタ26はDタイプのフリップフロップであり、入
力されるクロック信号(図示せず)のエツジ(クロック
信号の立上りまたは立下り)に応答してデータ線146
を介してCメモリ24から送られてきたデータを取込み
、そのデータをクロック信号の次のエツジまで保持し、
そのデータをデータ線122bを介してデータ制御回路
3に送出する。
演算回路27は制御線13gを介して制御回路10から
送られてきた制御信号がRメモリ23の内容のインクリ
メントを示していれば、データ線122aを介してレジ
スタ25から送られてきたデータに1を加算し、該デー
タをデータ線147を介してセレクタ22に送出する。
また、演算回路27は制御線138を介して制御回路1
0から送られてきた制御信号がRメモリ23の内容のデ
クリメントを示していれば、データ線122aを介して
レジスタ25から送られてきたデータから1を減算し、
該データをデータ線147を介してセレクタ22に送出
するが、レジスタ25からのデータが1回使用状態また
は未使用状態であれば、該データから1を減算すること
なく、そのままセレクタ22に送出する。
これら第1図および第2図を用いて本発明の一実施例の
動作について説明する。
主制御回路1から主制御線117を介してRCメモリ制
御回路6の制御回路10にRメモリ23およびCメモリ
24のクリア命令を示す制御信号が送られてくると、制
御回路10はデータ書込ろとなる制御信号を制御線13
B、137を介してRメモリ23およびCメモリ24に
夫々出力する。
このとき、制御回路10はアドレス線120を介して送
られてきたアドレス制御回路2からのページアドレス信
号を選択するように制御信号を制御線132を介してセ
レクタ21に出力するとともに、Rメモリ23がクリア
状態となる書込みデータをデータ線133を介してセレ
クタ22に送出し、Cメモリ24がクリア状態となる書
込みデータをデータ線135を介してCメモリ24に送
出する。
また、制御回路10はデータ線133を介して送出した
書込みデータを選択するように制御信号を制御線134
を介してセレクタ22に出力する。
これにより、プロセッサから指定されたページのRメモ
リ23およびCメモリ24がクリア状態、つまりRメモ
リ23の内容が未使用状態に、Cメモリ24の内容が書
換えなしの状態となる。
次に、主制御回路1から主制御線117を介して制御回
路10にRメモリ23を1回使用状態とし、Cメモリ2
4をクリア状態とする命令を示す制御信号が送られてく
ると、制御回路10はデータ書込みとなる制御信号を制
御線138.137を介してRメモリ23およびCメモ
リ24に夫々出力する。
このとき、制御回路10はアドレス線120を介して送
られてきたアドレス制御回路2からのペジアドレス信号
を選択するように制御信号を制御線132を介してセレ
クタ21に出力するとともに、Rメモリ23が1回使用
状態となる書込みデータをデータ線133を介してセレ
クタ22に送出し、Cメモリ24がクリア状態となる書
込みデータをデータ線135を介してCメモリ24に送
出する。
また、制御回路10はデータ線133を介して送出した
書込みデータを選択するように制御信号を制御線134
を介してセレクタ22に出力する。
これにより、プロセッサから指定されたページのRメモ
リ23の内容が1回使用状態に、Cメモリ24の内容が
書換えなしの状態となる。
主記憶へのデータ書込みが行われ、メモリモジュール5
にデータ制御回路3からの書込みデータが書込まれる場
合には対応するページが使用されて書換えられているの
で、主制御回路1から制御回路10にRメモリ23の内
容をインクリメントし、Cメモリ24の内容を書換え有
りの状態とする命令を示す制御信号が出力される。
制御回路10ではその制御信号が主制御回路1から送ら
れてくると、Rメモリ23に対してデータ読出しとなる
制御信号を一旦出力し、アドレス制御回路2からのペー
ジアドレス信号を選択するように制御信号をセレクタ2
1に出力するので、Rメモリ23ではアドレス制御回路
2からのページアドレス信号により指定されたページの
データが読出され、該データがレジスタ25を介して演
算回路27に送出される。
このとき、制御回路10は演算回路27に制御線13g
を介してRメモリ23の内容のインクリメントを示す制
御信号を出力するとともに、セレクタ22に制御線13
4を介して演算回路27で現在のRメモリ23の内容が
インクリメントされたデータを選択するように制御信号
を出力する。
その後に、制御回路10はRメモリ23に対してデータ
書込みとなる制御信号を出力するので、Rメモリ23に
はプロセッサから指定されたページの内容が演算回路2
7でインクリメントされたデータが書込まれる。
また、制御回路10はデータ書込みとなる制御信号をC
メモリ24に出力し、アドレス制御回路2から送られて
きたページアドレス信号を選択するように制御信号をセ
レクタ21に出力するとともに、Cメモリ24が書込み
有りの状態となる書込みデータを送出するので、プロセ
ッサから指定されたページのCメモリ24の内容が書換
え有りの状態となる。
主記憶へのデータ読出しが行われ、アドレス制御回路2
からのアドレス信号が示すメモリモジュール5のページ
から読出しデータが読出される場合には対応するページ
が使用されているので、主制御回路1から制御回路10
にRメモリ23の内容をインクリメントし、Cメモリ2
4を動作させない命令を示す制御信号が出力される。
制御回路10ではその制御信号が主制御回路1から送ら
れてくると、Rメモリ23に対してデータ読出しとなる
制御信号を一旦出力し、アドレス制御回路2からのペー
ジアドレス信号を選択するように制御信号をセレクタ2
1に出力するので、Rメそり23ではアドレス制御回路
2からのページアドレス信号により指定されたページの
データが読出され、該データがレジスタ25を介して演
算回路27に送出される。
このとき、制御回路10は演算回路27に制御線138
を介してRメモリ23の内容のインクリメントを示す制
御信号を出力するとともに、セレクタ22に制御線13
4を介して演算回路27で現在のRメモリ23の内容が
インクリメントされたデータを選択するように制御信号
を出力する。
その後に、制御回路10はRメモリ23に対してデータ
書込みとなる制御信号を出力するので、Rメモリ23に
はプロセッサから指定されたページの内容が演算回路2
7でインクリメントされたデータが書込まれる。
この場合、制御回路10はCメモリ24に対して何の制
御も行わない。
プロセッサがRCメモリ回路7からデータを読出す場合
には、主制御回路1から制御回路10にRメモリ23の
内容およびCメモリ24の内容を読出す命令を示す制御
信号が出力される。
制御回路10はその制御信号が主制御回路1から送られ
てくると、Rメモリ23およびCメモリ24に対してデ
ータ読出しとなる制御信号を出力し、アドレス制御回路
2からのページアドレス信号を選択するように制御信号
をセレクタ21に出力するので、Rメモリ23およびC
メモリ24のアドレス制御回路2からのページアドレス
信号により指定されたページからデータが読出され、該
データがレジスタ25.26を介してデータ制御回路3
に送出される。
これにより、指定されたページのRメモリ23の内容お
よびCメモリ24の内容がRCメモリ読出しデータとし
てプロセッサに読出される。
一方、カウンタ11は主制御回路1がら送られてきた制
御信号により主記憶アクセスをカウントしているが、そ
のカウント値が予め設定された所定回数になると、Rメ
モリ23の内容をデクリメントするためのトリガとなる
信号を制御回路1゜およびRCメモリ回路7のカウンタ
2oに出力する。
制御回路10ではカウンタ11からRメモリ23の内容
をデクリメントするためのトリガとなる信号が送られて
くると、Rメモリ23がアクセスされていないタイミン
グを見つけて、Rメモリ23に対してデータ読出しとな
る制御信号を一旦出力し、カウンタ20からのデクリメ
ント用アドレス信号を選択するように制御信号をセレク
タ21に出力するので、Rメモリ23てはカウンタ20
からのデクリメント用アドレス信号により指定されたペ
ージのデータが読出され、該データがレジスタ25を介
して演算回路27に送出される。
このとき、制御回路10は演算回路27にRメモリ23
の内容のデクリメントを示す制御信号を出力するととも
に、セレクタ22に演算回路27で現在のRメモリ23
の内容がデクリメントされたデータを選択するように制
御信号を出力する。
その後に、制御回路10はRメモリ23に対してデータ
書込みとなる@御信号を出力するので、Rメモリ23に
はカウンタ20でカウンタ11からのRメモリ23の内
容をデクリメントするためのトリガとなる信号により発
生されたデクリメント用アドレス信号により指定された
ページの内容が、演算回路27でデクリメントされてか
ら書込まれる。
この場合、制御回路10はCメモリ24に対して何の制
御も行わない。
ここで、カウンタ11に設定される所定回数を外部から
設定可能とすると、主記憶容量の増設などの理由により
ページ当りのアクセス頻度が変化する場合でも、カウン
タ11の所定回数を変えることにより、どのような状態
でもRメモリ23が記憶する主記憶のページ単位のアク
セス頻度を最適にすることができる。
第3図〜第5図は第2図のRメモリ23およびCメモリ
24の内容を示す図である。これら第3図〜第5図を用
いてRCメモリ回路7を使用して行う拡張記憶のページ
管理について説明する。
尚、Rメモリ23のビット数を4ビツトとし、Rメモリ
23およびCメモリ24のクリア状態を“0°とし、主
記憶の最大ページ数をn+1とする。
まず、Rメモリ23およびCメモリ24は拡張記憶の使
用開始前にクリア状態とされる。すなわち、主記憶のペ
ージ数n+1に対応するRメそり23の内容がすべて“
0000”に、Cメモリ24の内容がすべて“0”にさ
れる(第3図参照)。
次に、プロセッサが色々な拡張記憶のアドレスのデータ
をアクセスすると、主記憶の各ページに対応するRメモ
リ23の内容にそのページへのアクセス頻度が、またC
メモリ24の内容にそのページが書換えられたかどうか
を示す情報が格納される(第4図参照)。
ここで、Rメモリ23の内容、つまり主記憶に対するア
クセス頻度はプロセッサがそのページをアクセスした回
数から、カウンタ11で所定回数の主記憶アクセスが検
出される毎に、すなわち所定時間毎に演算回路27でデ
クリメントした回数が減算された値である。
プロセッサが主記憶上にない拡張記憶のアドレスのデー
タをアクセスしようとすると、プロセッサはRメモリ2
3の内容をすべて読出し、Rメモリ23の内容から一番
使用頻度が低いページを検索する。
その検索により得られた一番使用頻度が低いページに、
プロセッサがアクセスしようとするデータが二次記憶か
ら転送されることになる。
そのとき、そのページのCメモリ24の内容が“0°、
つまり書換えなしの状態であれば、二次記憶からそのペ
ージにデータが転送され、Rメモリ23の内容が1回使
用状態に設定され、Cメモリ24の内容が書換えなしの
状態に設定されてから主記憶のそのページが使用される
ことになる。
一方、そのページのCメモリ24の内容が“1”、つま
り書換え有りの状態であれば、そのページのデータを二
次記憶に書き戻した後に、二次記憶からそのページにデ
ータが転送され、Rメモリ23の内容が1回使用状態に
設定され、Cメモリ24の内容が書換えなしの状態に設
定されてから主記憶のそのページが使用されることにな
る。
たとえば、第4図に示すように、主記憶の0ページに対
応するRメモリ23の内容が°0100゜Cメモリ24
の内容が“0°で、1ページに対応するRメモリ23の
内容が001O” Cメモリ24の内容が“1°で、2
ページに対応するRメモリ23の内容が“1001″ 
Cメモリ24の内容が“1°で、・・・・・・ nペー
ジに対応するRメモリ23の内容が“0011”  C
メモリ24の内容が“1゜であった場合、主記憶の1ペ
ージに対応するRメモリ23の内容が一番使用頻度が低
いことになる。
よって、プロセッサが主記憶上にない拡張記憶のアドレ
スのデータをアクセスしようとすると、一番使用顛度が
低い主記憶の1ページにプロセッサがアクセスしようと
するデータが二次記憶から転送されることになる。
そのとき、1ページに対応するCメモリ24の内容が“
1°、つまり書換え有りの状態であるので、主記憶の1
ページのデータが二次記憶に書き戻された後に、二次記
憶から主記憶の1ページにデータが転送され、Rメモリ
23の内容が1回使用状態に設定され、Cメモリ24の
内容が書換えなしの状態に設定されてから主記憶のその
ページが使用されることになる。
すなわち、二次記憶から主記憶の1ページにデータが転
送されると、Rメモリ23の内容が“o。
lOoから“0001“となり、Cメモリ24の内容が
“1°から“0°となる(第4図および第5図参照)。
このように、主記憶の各ページ毎のアクセス回数をRメ
モリ23に保持し、カウンタ11によりカウントされる
主記憶アクセス回数が所定回数となったときに、このR
メモリ23の内容を演算回路27でデクリメントするよ
うにすることによって、Rメモリ23の内容にページ毎
の主記憶アクセスの現在の使用頻度が反映されるので、
プロセッサが主記憶上にない拡張記憶のアドレスのデー
タをアクセスしようとした場合にRメモリ23の内容が
全ページ使用状態であっても、Rメそり23の内容によ
り現在−各便用頻度が低いページに二次記憶からデータ
を転送させることができる。
よって、従来のように使用頻度が高いページのデータを
二次記憶からのデータで入れ換えることによりシステム
全体の性能が低下してしまうのを防止することができる
また、一定時間毎にRメモリ23の内容を順次デクリメ
ントするためのトリガとなる信号を発生するカウンタ1
1に設定される所定回数を外部から設定可能とすること
により、主記憶容量の増設などの理由により主記憶のペ
ージ毎のアクセス開度が変化し、カウンタ11の所定回
数を変化させる必要が生じた場合でも容易に対応するこ
とができる。
発明の詳細 な説明したように本発明によれば、主記憶装置へのアク
セス日数が予め設定された所定値となる毎に、主記憶装
置の各ページ毎にアクセス回数を保持するメモリの内容
をデクリメントし、主記憶装置にアクセス対象のページ
がないときにこのデクリメントされた各ページ毎のアク
セス回数に応じてページ置換を行うようにすることによ
って、システム全体の性能の低下を防止することができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のシステム構成を示すブロッ
ク図、第2図は第1図のRCメモリ制御回路およびRC
メモリ回路のrllIIlな構成を示すブロック図、第
3図〜第5図は第2図のRメモリおよびCメモリの内容
を示す図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・主制御回路 2・・・・・・アドレス制御回路 3・・・・・・データ制御回路 6・・・・・・RCメモリ制御回路 7・・・・・・RCメモリ回路 10・・・・・・制御回路 11.20・・・・・・カウンタ 21.22・・・・・・セレクタ 23・・・・・・Rメモリ 24・・・・・・Cメモリ 27・・・・・・演算回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)主記憶装置に二次記憶装置からのデータをページ
    単位で格納する仮想記憶方式のページ置換回路であって
    、前記主記憶装置の各ページ毎にアクセス回数を保持す
    るメモリと、前記主記憶装置へのアクセス回数を計数す
    る計数手段と、前記計数手段の計数値が予め設定された
    所定値となる毎に、前記メモリに保持された各ページ毎
    の前記アクセス回数から一定値を減算する減算手段と、
    前記減算手段の減算結果を前記メモリに書込む書込み手
    段とを有し、前記主記憶装置にアクセス対象のページが
    ないとき、前記メモリに保持された各ページ毎の前記ア
    クセス回数に応じてページ置換を行うようにしたことを
    特徴とするページ置換回路。
JP2242221A 1990-09-12 1990-09-12 ページ置換回路 Pending JPH04123149A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1296833C (zh) * 2002-11-05 2007-01-24 松下电器产业株式会社 用于存储器管理的设备和方法
US8533429B2 (en) 2009-06-24 2013-09-10 Panasonic Corporation Memory access control device, integrated circuit, memory access control method, and data processing device

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