JPH04122908A - Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置 - Google Patents
Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置Info
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- JPH04122908A JPH04122908A JP24330290A JP24330290A JPH04122908A JP H04122908 A JPH04122908 A JP H04122908A JP 24330290 A JP24330290 A JP 24330290A JP 24330290 A JP24330290 A JP 24330290A JP H04122908 A JPH04122908 A JP H04122908A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野コ
この発明はＰＬＺＴ （透明なセラミック）の複屈折を
利用してデイスプレィや光シャッタ等に用いるＰＬＺＴ
光シャッタアレー装置に係り、更に詳しくは各光シャッ
タを能動素子でアクティブマトリックス駆動するように
したＰＬＺＴ光シャッタアレー装置に関するものである
。
利用してデイスプレィや光シャッタ等に用いるＰＬＺＴ
光シャッタアレー装置に係り、更に詳しくは各光シャッ
タを能動素子でアクティブマトリックス駆動するように
したＰＬＺＴ光シャッタアレー装置に関するものである
。
［従 来 例］
近年、ＰＺ丁にＬａを添加した透明なセラミックのＰＬ
ＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ２，Ｔｉｅ）が光シャッ
タやデイスプレィに用いられようとしている。
ＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，ＺｒＯ２，Ｔｉｅ）が光シャッ
タやデイスプレィに用いられようとしている。
そのＰＬＺＴを用いて光シヤツタアレーを作製する場合
、複数の光シャッタを齢勤する方法としてはＰＬＺＴの
性質から単純マトリックスで行なうことができないこと
から、例えば第８図および第９図に示されるように、Ｐ
ＬＺ丁基板基板１数の光シャッタ２をマトリックス状に
形成し、がっ、その光シャッタ２を駆動するＦＥＴ（電
界効果トランジスタ）の能動素子３を形成し、この能動
素子３で光シャッタ２を訃勤するアクティブマトリック
ス方式が考えられている。
、複数の光シャッタを齢勤する方法としてはＰＬＺＴの
性質から単純マトリックスで行なうことができないこと
から、例えば第８図および第９図に示されるように、Ｐ
ＬＺ丁基板基板１数の光シャッタ２をマトリックス状に
形成し、がっ、その光シャッタ２を駆動するＦＥＴ（電
界効果トランジスタ）の能動素子３を形成し、この能動
素子３で光シャッタ２を訃勤するアクティブマトリック
ス方式が考えられている。
その能動素子３としては、大面積化が容易であり、透明
基板が使用できるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ＋＋＋ Ｔ
ｒａｎ−ｓｉｓｔｏｒ）を用いることができる。この場
合、ＰＬＺＴ基板１とＴＦＴの能動素子３の接続には、
例えば第９図に示すように、ＰＬＺＴ基板１に複数の光
シャッタ２をマトリックス状に形成し、他方透明部材４
にＴＰＴの能動素子３を形成し、この能動素子３の出力
電極（ソース電極）５と光シャッタ２の画素電極６をバ
ンプ７を介して接続し、かつ、上記ＰＬＺＴ基板１と透
明部材４を透明接着剤８で一体化する方法がある。なお
、図中、９は光シャッタ２の他方の画素電極（共通電極
；ＧＮＤ）で、１０は能動素子３のゲート電極で、１１
は能動素子３の半導体層で、１２は能動素子３の絶縁層
で、１３は能動素子３のトレイン電極である。
基板が使用できるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌ＋＋＋ Ｔ
ｒａｎ−ｓｉｓｔｏｒ）を用いることができる。この場
合、ＰＬＺＴ基板１とＴＦＴの能動素子３の接続には、
例えば第９図に示すように、ＰＬＺＴ基板１に複数の光
シャッタ２をマトリックス状に形成し、他方透明部材４
にＴＰＴの能動素子３を形成し、この能動素子３の出力
電極（ソース電極）５と光シャッタ２の画素電極６をバ
ンプ７を介して接続し、かつ、上記ＰＬＺＴ基板１と透
明部材４を透明接着剤８で一体化する方法がある。なお
、図中、９は光シャッタ２の他方の画素電極（共通電極
；ＧＮＤ）で、１０は能動素子３のゲート電極で、１１
は能動素子３の半導体層で、１２は能動素子３の絶縁層
で、１３は能動素子３のトレイン電極である。
そして、能動索子３のゲート電極１０を走査ライン１４
に接続し、そのトレイン電極１３をデータライン１５に
接続する。これにより、走査ライン１４を介してゲート
電極１０に信号が人力されると、能動素子３のトレイン
とソース間の電流が変えられる。
に接続し、そのトレイン電極１３をデータライン１５に
接続する。これにより、走査ライン１４を介してゲート
電極１０に信号が人力されると、能動素子３のトレイン
とソース間の電流が変えられる。
さらに、データライン１５を介してトレイン電極１３に
電圧Ｖｄが印加されると、当該能動素子３がオン状態と
なるため、この光シャッタ２の画素電極（ソース電極５
）にはその電圧が印加される。これにより、光シャッタ
２の画素電極（ソース電極５）と共通電極９の間には電
界が生じ、その光シャッタ２の光が透過制御される。
電圧Ｖｄが印加されると、当該能動素子３がオン状態と
なるため、この光シャッタ２の画素電極（ソース電極５
）にはその電圧が印加される。これにより、光シャッタ
２の画素電極（ソース電極５）と共通電極９の間には電
界が生じ、その光シャッタ２の光が透過制御される。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上記構成のＰＬＺＴ光シャッタアレー装置に
あっては、走査ライン１４およびデータライン１５を同
一基板上、例えば透明部材４の面に形成しなければなら
ず、この結果第１０図に示されるように、その走査ライ
ン１４とデータライン１５が交差することになることが
ら、その交差部分（同図の矢印Ａに示す）に絶縁を施し
、そのクロスポイントＡにおける短絡を防止することが
必要となる。
あっては、走査ライン１４およびデータライン１５を同
一基板上、例えば透明部材４の面に形成しなければなら
ず、この結果第１０図に示されるように、その走査ライ
ン１４とデータライン１５が交差することになることが
ら、その交差部分（同図の矢印Ａに示す）に絶縁を施し
、そのクロスポイントＡにおける短絡を防止することが
必要となる。
しかしながら、そのクロスポイントＡにおける絶縁層の
耐圧、膜厚の不均一性および欠陥等により、絶縁不良が
生じ、そのクロスポイントＡの部分が短絡することもあ
り、歩留まりを悪くすることにもなる。
耐圧、膜厚の不均一性および欠陥等により、絶縁不良が
生じ、そのクロスポイントＡの部分が短絡することもあ
り、歩留まりを悪くすることにもなる。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は光シャッタの駆動索子として２端子素子を用い、走
査ラインとデータラインの交差を無くし、歩留まりの改
善を図ることができるようにしたＰＬＺＴシャッタアレ
ー装置を提供することにある。
的は光シャッタの駆動索子として２端子素子を用い、走
査ラインとデータラインの交差を無くし、歩留まりの改
善を図ることができるようにしたＰＬＺＴシャッタアレ
ー装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、この発明のＰＬＺＴ光シャ
ッタアレー装置は、複数の光シャッタをマトリックス状
に形成したＰＬＺＴ基板上とこのＰＬＺＴ基板上に取付
けられる透明部材とがらなっており、上記ＰＬＺＴ基板
上にその光シャッタの電極の一方に２端子のＭＩＭの能
動素子を一体化形成するとともに、該能動素子の電極を
その光シャッタの一方の電極と兼用とし、かつ、同ＰＬ
ＺＴ基板にその光シャッタの他方の電極を接続する走査
ラインの配線パターンを形成しており、そのＰＬＺＴ基
板上に固着する透明部材に上記電極の一方にバンプを介
して接続可能なデータラインの配線パターンを形成して
おり、その走査ラインおよびデータラインによる信号に
より、上記能動素子を能動し、当該光シャッタをアクテ
ィブマトリックス方式で駆動可能としたことを要旨とす
る。
ッタアレー装置は、複数の光シャッタをマトリックス状
に形成したＰＬＺＴ基板上とこのＰＬＺＴ基板上に取付
けられる透明部材とがらなっており、上記ＰＬＺＴ基板
上にその光シャッタの電極の一方に２端子のＭＩＭの能
動素子を一体化形成するとともに、該能動素子の電極を
その光シャッタの一方の電極と兼用とし、かつ、同ＰＬ
ＺＴ基板にその光シャッタの他方の電極を接続する走査
ラインの配線パターンを形成しており、そのＰＬＺＴ基
板上に固着する透明部材に上記電極の一方にバンプを介
して接続可能なデータラインの配線パターンを形成して
おり、その走査ラインおよびデータラインによる信号に
より、上記能動素子を能動し、当該光シャッタをアクテ
ィブマトリックス方式で駆動可能としたことを要旨とす
る。
また、この発明のＰＬＺＴ光シャッタアレー装置は、」
−記２端子の能動素子であるＭＩＭ素子を上記透明部材
側に形成したものである。
−記２端子の能動素子であるＭＩＭ素子を上記透明部材
側に形成したものである。
［作 用］
上記構成としたので、複数の光シャッタをマトリックス
状の形成したＰＬＺＴ基板上に透明部材が固着されるが
、それら光シャッタを駆動する能動素子のＭＩＭ素子が
ＰＬＺＴ基板側あるいは透明基板側に形成され、それら
ＭＩＭ素子を制御するための走査ラインおよびデータラ
インがＰＬＺＴ基板上と透明部材に分けて形成される。
状の形成したＰＬＺＴ基板上に透明部材が固着されるが
、それら光シャッタを駆動する能動素子のＭＩＭ素子が
ＰＬＺＴ基板側あるいは透明基板側に形成され、それら
ＭＩＭ素子を制御するための走査ラインおよびデータラ
インがＰＬＺＴ基板上と透明部材に分けて形成される。
すなわち、複数の光シャッタをアクティブマトリックス
方式で駆動するためには上記走査ラインおよびデータラ
インが必要であるが、これらラインの配線パターンの形
成に際し、交差することもない。したがって、従来例で
説明したように、走査ラインとデータラインの交差部分
に絶縁を施す必要がない。
方式で駆動するためには上記走査ラインおよびデータラ
インが必要であるが、これらラインの配線パターンの形
成に際し、交差することもない。したがって、従来例で
説明したように、走査ラインとデータラインの交差部分
に絶縁を施す必要がない。
［実 施 例］
埋板、この発明の実施例を第１図乃至第７図に基づいて
説明する。なお１図中、第８図および第９図と同一部分
およびそれらと相当部分には同一符号を付し重複説明を
省略する。
説明する。なお１図中、第８図および第９図と同一部分
およびそれらと相当部分には同一符号を付し重複説明を
省略する。
この第１図乃至第３図において、この光シヤツタアレー
装置のＰＬＺＴ基板１にはマトリックス状に複数の光シ
ャッタ２が形成されており、これら光シャッタ２の一方
の電極１６には２端子の能動素子、例えばＭＩＭ（Ｍｅ
ｔａｌ Ｉｎ５ｕ１．ａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）素子１７
が一体化形成されている。そのため、その光シャッタ２
の一方の電極１６と２端子の能動素子１７の一方の電極
が兼用されている。また、ＭＩＭ素子１７は絶縁膜１８
をその一方の電極１６と金属膜（他方の電極）１９では
さんで形成されており、この金属膜１９はｌ）Ｌ ｉ
Ｔ 基板１の表面まで延びている。
装置のＰＬＺＴ基板１にはマトリックス状に複数の光シ
ャッタ２が形成されており、これら光シャッタ２の一方
の電極１６には２端子の能動素子、例えばＭＩＭ（Ｍｅ
ｔａｌ Ｉｎ５ｕ１．ａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）素子１７
が一体化形成されている。そのため、その光シャッタ２
の一方の電極１６と２端子の能動素子１７の一方の電極
が兼用されている。また、ＭＩＭ素子１７は絶縁膜１８
をその一方の電極１６と金属膜（他方の電極）１９では
さんで形成されており、この金属膜１９はｌ）Ｌ ｉ
Ｔ 基板１の表面まで延びている。
一方、透明部材（例えば透明フィルム）４にはデータラ
イン１５の配線パターンが形成され、かつ、上記ＭＩＭ
素子１７の電極１９に対向する位置にはそのデータライ
ン１５の配線パターンに接続する透明導電膜（例えばＩ
ＴＯ等）２０が形成されている。そして、上記ＰＬＺＴ
基板１と透明部材４が透明接着剤８で接着固定されるが
、このときデータライン１５の配線パターンと接続して
いる透明導電膜２０はバンプ２１を介して肘阿素子１７
の他方の電極１９に接続される。
イン１５の配線パターンが形成され、かつ、上記ＭＩＭ
素子１７の電極１９に対向する位置にはそのデータライ
ン１５の配線パターンに接続する透明導電膜（例えばＩ
ＴＯ等）２０が形成されている。そして、上記ＰＬＺＴ
基板１と透明部材４が透明接着剤８で接着固定されるが
、このときデータライン１５の配線パターンと接続して
いる透明導電膜２０はバンプ２１を介して肘阿素子１７
の他方の電極１９に接続される。
なお、ＰＬＺＴ基板１の表面、つまり光シャッタ２の電
極９，１６の形成面には従来同様に走査ライン１４の配
線パターンが形成されており、この配線パターンと光シ
ャッタ２の電極９が接続されている。
極９，１６の形成面には従来同様に走査ライン１４の配
線パターンが形成されており、この配線パターンと光シ
ャッタ２の電極９が接続されている。
次に、上記ＰＬＺＴ基板１に２端子のＭＩＭ索子１７を
作製する工程を第４図および第５図に基づいて説明する
と、まず第４図に示されているように、ＰＬＺＴ基板１
にＭＩＭ素子１７および走査ライン１４の配線パターン
を形成するが、マトリックス状に複数個の光シャッタを
形成した後、その光シャッタ２の電極９に接続して走査
ライン１４の配線パターンを形成し、その電極１６にＭ
ＩＭ素子１７を形成する。
作製する工程を第４図および第５図に基づいて説明する
と、まず第４図に示されているように、ＰＬＺＴ基板１
にＭＩＭ素子１７および走査ライン１４の配線パターン
を形成するが、マトリックス状に複数個の光シャッタを
形成した後、その光シャッタ２の電極９に接続して走査
ライン１４の配線パターンを形成し、その電極１６にＭ
ＩＭ素子１７を形成する。
この場合、第４図に示されているように、スパッタや蒸
着法等により金属膜を成膜し、しかる後パターニングに
より所定間隔で上記電極９，１６を作製し、複数の光シ
ャッタ２をマトリックス状に配置する。なお、その光シ
ャッタの電極９は走査ライン１４の配線パターンが兼用
されている。
着法等により金属膜を成膜し、しかる後パターニングに
より所定間隔で上記電極９，１６を作製し、複数の光シ
ャッタ２をマトリックス状に配置する。なお、その光シ
ャッタの電極９は走査ライン１４の配線パターンが兼用
されている。
続いて、スパッタ、ＣＶＤ、蒸着や陽極酸化法等により
、その光シャッタ２の電極１６に部分的に絶縁膜１８を
形成し、しかる後その絶縁膜１８上に金属膜の電極１９
を成膜してＭＩＭ素子１７を形成し、さらにそのＭＩＭ
素子１７の電極１９にバンプ２１を形成する。
、その光シャッタ２の電極１６に部分的に絶縁膜１８を
形成し、しかる後その絶縁膜１８上に金属膜の電極１９
を成膜してＭＩＭ素子１７を形成し、さらにそのＭＩＭ
素子１７の電極１９にバンプ２１を形成する。
一方、第５図に示されているように、透明部材４には、
データライン１５の配線パターンおよびそのＭ側素子１
７の電極１９にバンプ２１を介して接続する透明導電膜
２０を形成する。なお、その透明導電膜２０の形成に際
し、データライン１５の配線パターンを形成してもよい
。
データライン１５の配線パターンおよびそのＭ側素子１
７の電極１９にバンプ２１を介して接続する透明導電膜
２０を形成する。なお、その透明導電膜２０の形成に際
し、データライン１５の配線パターンを形成してもよい
。
そして、第２図に示されているように、■〕記先光シャ
ッタ２ＭＩＭ素子１７および走査ライン１４の配線パタ
ーンを形成したＰＬＺＴ基板１上に上記透明部材４を透
明接着剤８で固着するが、このとき透明導電膜２０がバ
ンプ２１を介してＭＩＭ索子１７の電極１９に接続する
。これにより、その走査ライン１４およびデータライン
１５を介した信号により、上記構成の光シヤツタアレー
装置をアクティブマトリックス方式で駆動することが可
能となる。すなわち、ＭＩＭ素子１７をオンオフ制御す
る信号、つまり走査信号および駆動電圧がその走査ライ
ン１４およびデータライン１５を介して人力されると、
その信号および電圧によりＭＩＭ素子１７がオンオフ駆
動され、このＭＩ阿素子１７のオン駆動により当該光シ
ヤツタ２０電極９，１６の間に電圧が印加される。その
電極９，１６間のＰＬＺＴ基板１には電界が生じるため
、当該光シャッタ２の光が透過制御される。
ッタ２ＭＩＭ素子１７および走査ライン１４の配線パタ
ーンを形成したＰＬＺＴ基板１上に上記透明部材４を透
明接着剤８で固着するが、このとき透明導電膜２０がバ
ンプ２１を介してＭＩＭ索子１７の電極１９に接続する
。これにより、その走査ライン１４およびデータライン
１５を介した信号により、上記構成の光シヤツタアレー
装置をアクティブマトリックス方式で駆動することが可
能となる。すなわち、ＭＩＭ素子１７をオンオフ制御す
る信号、つまり走査信号および駆動電圧がその走査ライ
ン１４およびデータライン１５を介して人力されると、
その信号および電圧によりＭＩＭ素子１７がオンオフ駆
動され、このＭＩ阿素子１７のオン駆動により当該光シ
ヤツタ２０電極９，１６の間に電圧が印加される。その
電極９，１６間のＰＬＺＴ基板１には電界が生じるため
、当該光シャッタ２の光が透過制御される。
また、上記走査ライン１４がＰＬＺＴ基板１側に形成さ
れ、データライン１５が透明部材４側に形成されること
から、それら走査ライン１４およびデータライン１５の
配線パターンが交差することもなく、つまり従来例で説
明したクロスポイントＡ（第１０図に示す）がなくなる
。
れ、データライン１５が透明部材４側に形成されること
から、それら走査ライン１４およびデータライン１５の
配線パターンが交差することもなく、つまり従来例で説
明したクロスポイントＡ（第１０図に示す）がなくなる
。
第６図および第７図はこの発明の変形実施例を示すＰＬ
ＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部分断面図および概
略的部分正面図である。なお、図中、第２図および第３
図と同一部分およびそれらに相当する部分には同一符号
を付し重複説明を省略する。
ＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部分断面図および概
略的部分正面図である。なお、図中、第２図および第３
図と同一部分およびそれらに相当する部分には同一符号
を付し重複説明を省略する。
この実施例では、上記能動素子のＭＩＭ素子１７が透明
部材４側に設けられることから、ＰＬＺＴ基板１には、
マトリックス状に複数の光シャッタ２が形成され、また
その光シャッタの電極９に接続する走査ライン１４の配
線パターンが形成され、さらにその光シャッタ２の一方
の電極２２に接続するバンプ２３が形成される。一方、
透明部材４には、データライン１５の配線パターンが形
成され、またその光シャッタ２の他方の電極２２に対応
する位置にデータライン１５と接続する透明導電膜（Ｉ
ＴＯ等）２４が形成される。
部材４側に設けられることから、ＰＬＺＴ基板１には、
マトリックス状に複数の光シャッタ２が形成され、また
その光シャッタの電極９に接続する走査ライン１４の配
線パターンが形成され、さらにその光シャッタ２の一方
の電極２２に接続するバンプ２３が形成される。一方、
透明部材４には、データライン１５の配線パターンが形
成され、またその光シャッタ２の他方の電極２２に対応
する位置にデータライン１５と接続する透明導電膜（Ｉ
ＴＯ等）２４が形成される。
この場合、透明部材４には、最初にデータライン１５の
配線パターンを形成し、しかる後上記透明導電膜２４を
形成し、かつ、この透明導電膜に一方の電極２５を接続
するとともに、他方の電極２６をバンプ２３を介して光
シャッタ２の電極２２に接続するＭＩＭ素子１７を形成
する。なお、それら電極２５．２６間により絶縁層２７
がはさまれ、ＭＩＮ素子１７が構成される。
配線パターンを形成し、しかる後上記透明導電膜２４を
形成し、かつ、この透明導電膜に一方の電極２５を接続
するとともに、他方の電極２６をバンプ２３を介して光
シャッタ２の電極２２に接続するＭＩＭ素子１７を形成
する。なお、それら電極２５．２６間により絶縁層２７
がはさまれ、ＭＩＮ素子１７が構成される。
そして、前実施例同様に、光シャッタ２および走査ライ
ン１４の配線パターンを形成したＰＬＺＴ基板１上に上
記透明部材４を透明接着剤８で固着するが、このとき光
シャッタ２の電極２２がバンプ２３を介してＭＩＭ素子
１７の他方の電極２５に接続する。これにより、上記構
成の光シヤツタアレー装置をアクティブマトリックス方
式で駆動することが可能となり、また走査ライン１４お
よびデータライン１５の配線パターンが交差することも
なく、つまり従来例で説明したクロスポイントＡ（第１
０図に示す）がなくなる。
ン１４の配線パターンを形成したＰＬＺＴ基板１上に上
記透明部材４を透明接着剤８で固着するが、このとき光
シャッタ２の電極２２がバンプ２３を介してＭＩＭ素子
１７の他方の電極２５に接続する。これにより、上記構
成の光シヤツタアレー装置をアクティブマトリックス方
式で駆動することが可能となり、また走査ライン１４お
よびデータライン１５の配線パターンが交差することも
なく、つまり従来例で説明したクロスポイントＡ（第１
０図に示す）がなくなる。
このように、複数の光シャッタ２をアクティブマトリッ
クス方式で駆動する素子として、２端子の能動素子、例
えばＭＩＭ素子１７を用い、またそのＭＩＭ素子１７を
駆動する走査ライン１４およびデータライン１５をそれ
ぞれＰＬＺＴ基板１および透明部材４に分けて形成する
ようにしたので、それら走査ライン１４とデータライン
１５が交差しなくなり、従来例のように絶縁を施す必要
がなくなり、Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、さらに３端子のＦＥＴ
素子３と比較して遥かに製作工程が少なく、マスクの使
用枚数も少ないことから、またＭＩＭ素子１７の電極引
き出し配線も簡単になることから、さらに歩留まりの向
上を図ることができる。
クス方式で駆動する素子として、２端子の能動素子、例
えばＭＩＭ素子１７を用い、またそのＭＩＭ素子１７を
駆動する走査ライン１４およびデータライン１５をそれ
ぞれＰＬＺＴ基板１および透明部材４に分けて形成する
ようにしたので、それら走査ライン１４とデータライン
１５が交差しなくなり、従来例のように絶縁を施す必要
がなくなり、Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、さらに３端子のＦＥＴ
素子３と比較して遥かに製作工程が少なく、マスクの使
用枚数も少ないことから、またＭＩＭ素子１７の電極引
き出し配線も簡単になることから、さらに歩留まりの向
上を図ることができる。
［発明の効果コ
以上説明したように、この発明のＰＬＺＴ光シャッタア
レー装置によれば、ＰＬＺＴ基板上に複数の光シャッタ
をマトリックス状に形成し、その先シャンクを能動素子
でアクティブマトリックス方式で即動するＰＬＺＴ光シ
ャッタアレー装置において、その能動素子に２端子のＭ
ＩＭ素子を用い、この旧暦素子をその光シャッタの一方
の電極に一体化形成するとともに、その光シャッタの他
方の電極に接続する走査ラインを形成し、かつ、そのＭ
ＩＭ素子の他方の電極をバンプを介して透明部材に形成
したデータラインに接続し、あるいはその阿■阿素子を
透明部材側に形成するとともに、このＭＩＭ素子の電極
をバンブを介してＰＬＺＴ基板上の光シャッタの一方の
電極に接続し、それら走査ラインおよびデータラインの
信号によりそのＭＩＭ素子をマトリックス疑動可能とし
たので、それら走査ラインおよびデータラインの配線パ
ターンが交差することもなく、絶縁処理をする必要がな
くなったことから、ＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、また能動素子の作製工
程が少なく、しかもマスクの枚数も少なく、また配線数
が簡単であることから、さらに歩留まりを上げることが
できるという効果がある。
レー装置によれば、ＰＬＺＴ基板上に複数の光シャッタ
をマトリックス状に形成し、その先シャンクを能動素子
でアクティブマトリックス方式で即動するＰＬＺＴ光シ
ャッタアレー装置において、その能動素子に２端子のＭ
ＩＭ素子を用い、この旧暦素子をその光シャッタの一方
の電極に一体化形成するとともに、その光シャッタの他
方の電極に接続する走査ラインを形成し、かつ、そのＭ
ＩＭ素子の他方の電極をバンプを介して透明部材に形成
したデータラインに接続し、あるいはその阿■阿素子を
透明部材側に形成するとともに、このＭＩＭ素子の電極
をバンブを介してＰＬＺＴ基板上の光シャッタの一方の
電極に接続し、それら走査ラインおよびデータラインの
信号によりそのＭＩＭ素子をマトリックス疑動可能とし
たので、それら走査ラインおよびデータラインの配線パ
ターンが交差することもなく、絶縁処理をする必要がな
くなったことから、ＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、また能動素子の作製工
程が少なく、しかもマスクの枚数も少なく、また配線数
が簡単であることから、さらに歩留まりを上げることが
できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示し、ＰＬＺＴ光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第２図は上記ＰＬＺ
Ｔ光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第３図
乃至第５図はＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部
分ブロック図、第６図はこの発明の変形実施例を示すＰ
ＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第
７図は第６図に示すＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概
略的部分ブロック図、第８図は従来のＰＬＺＴ光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第９図および第１Ｏ
図は第８図に示すＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略
的部分側断面図および概略的部分ブロック図である。 図中、１はＰＬＺＴ基板、２は光シャッタ、４は透明部
材、８は透明接着剤、９，２２は電極（光シャッタ２の
）、１６は電極（光シャッタ２およびＭＩＭ素子１７兼
用の）、１９，２５．２６は電極（阿■阿素子１７の）
、１４は走査ライン、１５はデータライン、１７はＭＩ
Ｍ素子（２端子の能動素子）、１８．２７は絶縁層（Ｈ
ＩＭ素子１７の）、２０は透明導電膜（ＩＴＯ等）、２
１．２３はバンプ、２４は透明導電膜（ＩＴＯ等）であ
る。 特許出願人 株式会社 富士通ゼネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也
タアレー装置の概略的部分回路図、第２図は上記ＰＬＺ
Ｔ光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第３図
乃至第５図はＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部
分ブロック図、第６図はこの発明の変形実施例を示すＰ
ＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第
７図は第６図に示すＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概
略的部分ブロック図、第８図は従来のＰＬＺＴ光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第９図および第１Ｏ
図は第８図に示すＰＬＺＴ光シャッタアレー装置の概略
的部分側断面図および概略的部分ブロック図である。 図中、１はＰＬＺＴ基板、２は光シャッタ、４は透明部
材、８は透明接着剤、９，２２は電極（光シャッタ２の
）、１６は電極（光シャッタ２およびＭＩＭ素子１７兼
用の）、１９，２５．２６は電極（阿■阿素子１７の）
、１４は走査ライン、１５はデータライン、１７はＭＩ
Ｍ素子（２端子の能動素子）、１８．２７は絶縁層（Ｈ
ＩＭ素子１７の）、２０は透明導電膜（ＩＴＯ等）、２
１．２３はバンプ、２４は透明導電膜（ＩＴＯ等）であ
る。 特許出願人 株式会社 富士通ゼネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也
Claims (2)
- （１）複数の光シャッタをマトリックス状に形成したＰ
ＬＺＴ基板上と該ＰＬＺＴ基板上に取付けられる透明部
材とからなっており、 前記ＰＬＺＴ基板上にその光シャッタの電極の一方に２
端子のＭＩＭの能動素子を一体化形成するとともに、該
能動素子の電極をその光シャッタの一方の電極と兼用と
し、かつ、同ＰＬＺＴ基板にその光シャッタの他方の電
極を接続する走査ラインの配線パターンを形成しており
、そのＰＬＺＴ基板上に固着する透明部材に前記電極の
一方にバンプを介して接続可能なデータラインの配線パ
ターンを形成しており、その走査ラインおよびデータラ
インによる信号により、前記能動素子を駆動し、当該光
シャッタをアクティブマトリックス方式で駆動可能とし
たことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレー装置。 - （２）複数の光シャッタをマトリックス状に形成したＰ
ＬＺＴ基板上と該ＰＬＺＴ基板上に取付けられる透明部
材とからなっており、 前記ＰＬＺＴ基板上にその光シャッタの電極の一方を接
続する走査ラインの配線パターンを形成しており、その
ＰＬＺＴ基板上に固着する透明部材には前記光シャッタ
の電極の他方に対応する位置に、一方の電極をバンプを
介して前記光シャッタの他方の電極に接続可能な２端子
のＭＩＭの能動素子を形成し、かつ、同透明部材にその
能動素子の他方の電極を接続するデータラインの配線パ
ターンを形成しており、その走査ラインおよびデータラ
インによる信号により、前記能動素子を駆動し、当該光
シャッタをアクティブマトリックス方式で駆動可能とし
たことを特徴とするＰＬＺＴ光シャッタアレー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24330290A JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24330290A JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04122908A true JPH04122908A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17101814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24330290A Pending JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Ｐｌｚｔ光シャッタアレー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04122908A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5829367A (en) * | 1994-06-17 | 1998-11-03 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having a flame maintaining plate at a tip end portion of a pulverized fuel conduit |
| JP2009229675A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | V Technology Co Ltd | 光変調素子 |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP24330290A patent/JPH04122908A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5829367A (en) * | 1994-06-17 | 1998-11-03 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having a flame maintaining plate at a tip end portion of a pulverized fuel conduit |
| US5842426A (en) * | 1994-06-17 | 1998-12-01 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having rich/lean separator |
| US6024030A (en) * | 1994-06-17 | 2000-02-15 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner |
| US6053118A (en) * | 1994-06-17 | 2000-04-25 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel rich/lean separator for a pulverized fuel burner |
| JP2009229675A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | V Technology Co Ltd | 光変調素子 |
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