JPH04120234A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JPH04120234A JPH04120234A JP24044790A JP24044790A JPH04120234A JP H04120234 A JPH04120234 A JP H04120234A JP 24044790 A JP24044790 A JP 24044790A JP 24044790 A JP24044790 A JP 24044790A JP H04120234 A JPH04120234 A JP H04120234A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、電解コンデンサの電極用のアルミニウム箔
、とくに主として機械的強度を保持するための芯層の両
面に表面積拡大に寄与する外層を被覆形成した複合型の
アルミニウムクラツド箔に関する。
、とくに主として機械的強度を保持するための芯層の両
面に表面積拡大に寄与する外層を被覆形成した複合型の
アルミニウムクラツド箔に関する。
なお、この明細書において％はいずれも重量％を示すも
のである。
のである。
従来の技術
近時、電解コンデンサの小型軽量化の要請は益々強いも
のがある。このためその電極用アルミニウム箔も、更に
一層の静電容量の向上をはかることはもとより、小さい
曲率半径で高速に巻き上げることができるような機械的
強度に優れたものであることが強く求められている。
のがある。このためその電極用アルミニウム箔も、更に
一層の静電容量の向上をはかることはもとより、小さい
曲率半径で高速に巻き上げることができるような機械的
強度に優れたものであることが強く求められている。
このような要請に対し、従来、エツチングによる表面積
の拡大に寄与する高純度アルミニウム外層間に、主とし
て機械的強度の保持をはかるための芯層を介在させて積
層一体化したクララド箔が種々提案されている。
の拡大に寄与する高純度アルミニウム外層間に、主とし
て機械的強度の保持をはかるための芯層を介在させて積
層一体化したクララド箔が種々提案されている。
たとえば、特開昭５１−１１３１５４号公報においては
、芯層を外層よりも多くのＦｅを含有するアルミニウム
によって構成し、エツチング時に表面から成長するエツ
チングピットの進行を、芯層に含まれるＦｅの金属間化
物によって停止せしめ、芯層を確実に残すものとするこ
とによって箔の機械的強度を保持せしめるようにしたも
のが、また、特開昭６２−４７１１０号公報においては
、芯層に外層よりも純度の低いアルミニウム合金を用い
ることによって上記同様の効果を得ようとするものが提
案されている。
、芯層を外層よりも多くのＦｅを含有するアルミニウム
によって構成し、エツチング時に表面から成長するエツ
チングピットの進行を、芯層に含まれるＦｅの金属間化
物によって停止せしめ、芯層を確実に残すものとするこ
とによって箔の機械的強度を保持せしめるようにしたも
のが、また、特開昭６２−４７１１０号公報においては
、芯層に外層よりも純度の低いアルミニウム合金を用い
ることによって上記同様の効果を得ようとするものが提
案されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記いずれの従来技術においても、未だ
静電容量の十分な向上と、機械的強度の向上との相反す
る要求に対して、いずれにも十分な満足度が得られるも
のではなく、更なる改善の求められるものであった。
静電容量の十分な向上と、機械的強度の向上との相反す
る要求に対して、いずれにも十分な満足度が得られるも
のではなく、更なる改善の求められるものであった。
この発明は、上記同様のクラツド箔による改善手段を基
本としながら、芯層に含有してエツチングピットの成長
を確実に抑制し、外層に最大の拡面率の増大をはかりな
がら、芯層の均一な残存による強度保持効果を最大限に
発揮せしめ得る特定の元素群を見出すことにより完成し
得たものである。
本としながら、芯層に含有してエツチングピットの成長
を確実に抑制し、外層に最大の拡面率の増大をはかりな
がら、芯層の均一な残存による強度保持効果を最大限に
発揮せしめ得る特定の元素群を見出すことにより完成し
得たものである。
課題を解決するための手段
即ち、この発明は、
Ｚｎ：０．０００５〜１％
Ｉｎｔ０．０００１〜０．２％
Ｓｎ：：０ＯＯ１〜０．２％
Ｐｂ：Ｑ、０００１〜０．２％
のうちの１種または２種以上を含むアルミニウム箔を芯
層とし、該芯層の両面に純度９９．９％以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を要旨とする。
層とし、該芯層の両面に純度９９．９％以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を要旨とする。
外層において純度９９．９％以上の高純度アルミニウム
が用いられるのは、これによってエツチング性を良好な
ものとし、電解エツチングによって高い表面積の拡大効
果、ひいては静電容量の向上効果が得られるものとする
ためである。最も望ましくは純度９９−．９８％以上の
アルミニウムを用いるのが良い。
が用いられるのは、これによってエツチング性を良好な
ものとし、電解エツチングによって高い表面積の拡大効
果、ひいては静電容量の向上効果が得られるものとする
ためである。最も望ましくは純度９９−．９８％以上の
アルミニウムを用いるのが良い。
これに対し、芯層はエツチング後においてもその厚みを
なるべく均一に残し、機械的強度を付与するものである
。この効果を最も効果的に達成するために、該芯層は、
亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉛
（ｐ ｂ）の群から選ばれた１種または２種以上の元素
を特定範囲に含有せしめたものとする。上記の元素は、
いずれもそれらの含有によって電解エツチング時にエツ
チングピットが芯層の厚さ方向に進行するのを確実に止
める効果に優れているものであり、結果としてエツチン
グ後において芯層の厚みを全体にはゾ均一に残存せしめ
、アルミニウム箔の強度の向上に寄与するものである。
なるべく均一に残し、機械的強度を付与するものである
。この効果を最も効果的に達成するために、該芯層は、
亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉛
（ｐ ｂ）の群から選ばれた１種または２種以上の元素
を特定範囲に含有せしめたものとする。上記の元素は、
いずれもそれらの含有によって電解エツチング時にエツ
チングピットが芯層の厚さ方向に進行するのを確実に止
める効果に優れているものであり、結果としてエツチン
グ後において芯層の厚みを全体にはゾ均一に残存せしめ
、アルミニウム箔の強度の向上に寄与するものである。
Ｚｎにおいてその含有量が：’０Ｏ０５％未満、および
Ｉｎ５Ｓｎ、Ｐｂにおいてそれぞれ含有量が０．０００
１％未満では上記の効果がなく、Ｚｎ含有量が１％をこ
えると、外層と芯層の界面がエツチングされ易いものと
なり、静電容量が低下する。一方、Ｉ ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ
の含有量がそれぞれ０．２％をこえると、箔が熱間圧延
で割れを生じ易いものとなり、製造上の困難性が増大す
る。最も好ましい上記各元素の含有量の範囲は、Ｚｎに
おいて０．００１〜０．３％、Ｉｎ５ＳｎＸＰｂにおい
てそれぞれ０．０００２〜０．１％である。
Ｉｎ５Ｓｎ、Ｐｂにおいてそれぞれ含有量が０．０００
１％未満では上記の効果がなく、Ｚｎ含有量が１％をこ
えると、外層と芯層の界面がエツチングされ易いものと
なり、静電容量が低下する。一方、Ｉ ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ
の含有量がそれぞれ０．２％をこえると、箔が熱間圧延
で割れを生じ易いものとなり、製造上の困難性が増大す
る。最も好ましい上記各元素の含有量の範囲は、Ｚｎに
おいて０．００１〜０．３％、Ｉｎ５ＳｎＸＰｂにおい
てそれぞれ０．０００２〜０．１％である。
芯層に用いるアルミニウム材の純度は特に限定されなく
、９９．８％程度以上であれば適用可能である。芯層が
外層と同等の純度を有する高純度アルミニウムをベース
とした、それと同等程度の強度しか有しないようなもの
であっても、上記Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂのいずれか１
の含有によりエツチング後において芯層の残り部分が不
整にならないので、エツチド箔全体に十分な強度を保有
せしめたものとすることが可能である。さりとて、より
一層の強度向上効果を実現するためには、芯層として外
層より相対的に強度の高いアルミニウム材を用いるほう
が有利である。従って、芯層は強度の向上のために、上
記の必要的添加元素のほか、更に鉄（Ｆｅ）０．００１
〜０．０３％、ケイ素（Ｓ ｉ）０、００１〜０．０５
％、銅（Ｃｕ） ０．００１〜０．０５％、マグネシウ
ム（Ｍｇ）０．００１〜０．０５％、マンガン（Ｍｎ）
０．００１〜０．０３％、バナジウム（Ｖ）０．００１
〜０．０３％のうちのいずれか１種または２種以上を含
有することが望ましい。その他、芯層には、不純物とし
てＣｒ、Ｇａ、Ｂ、Ｔｉなどが合計量１．０％以下にお
いて含有を許容される。
、９９．８％程度以上であれば適用可能である。芯層が
外層と同等の純度を有する高純度アルミニウムをベース
とした、それと同等程度の強度しか有しないようなもの
であっても、上記Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂのいずれか１
の含有によりエツチング後において芯層の残り部分が不
整にならないので、エツチド箔全体に十分な強度を保有
せしめたものとすることが可能である。さりとて、より
一層の強度向上効果を実現するためには、芯層として外
層より相対的に強度の高いアルミニウム材を用いるほう
が有利である。従って、芯層は強度の向上のために、上
記の必要的添加元素のほか、更に鉄（Ｆｅ）０．００１
〜０．０３％、ケイ素（Ｓ ｉ）０、００１〜０．０５
％、銅（Ｃｕ） ０．００１〜０．０５％、マグネシウ
ム（Ｍｇ）０．００１〜０．０５％、マンガン（Ｍｎ）
０．００１〜０．０３％、バナジウム（Ｖ）０．００１
〜０．０３％のうちのいずれか１種または２種以上を含
有することが望ましい。その他、芯層には、不純物とし
てＣｒ、Ｇａ、Ｂ、Ｔｉなどが合計量１．０％以下にお
いて含有を許容される。
芯層と外層との接合は、圧延によって行われるのが普通
であるが、接着剤で接合させても良い。
であるが、接着剤で接合させても良い。
また、芯層と外層のクラツド比率は、この発明において
特に限定されるものではなく、芯層の材質強度を勘案し
、静電容量と機械的強度との最も有利な調和点を求めて
適宜に設定される。
特に限定されるものではなく、芯層の材質強度を勘案し
、静電容量と機械的強度との最も有利な調和点を求めて
適宜に設定される。
一般的にはクラツド箔の全体厚みに対し、芯層のクラツ
ド比率は２５〜９５％程度、とくに好ましくは、５０〜
９０％とするのが良い。
ド比率は２５〜９５％程度、とくに好ましくは、５０〜
９０％とするのが良い。
発明の効果
この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔によれ
ば、電解エツチングにより高純度ＡΩ箔からなる外層部
分において十分に深くかつ高密度にエツチングピットを
形成して表面積を十分に拡大することができる一方、芯
層にエツチングピットの成長を止めるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ
。
ば、電解エツチングにより高純度ＡΩ箔からなる外層部
分において十分に深くかつ高密度にエツチングピットを
形成して表面積を十分に拡大することができる一方、芯
層にエツチングピットの成長を止めるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ
。
ｐｂの１種または２種以上が含有されていることにより
、該芯層に到達してエツチングピットの成長が停止され
、エツチング後において該芯層が均一な厚みをもって残
存される。従って、エツチングにより表面積を可能な限
り大きくして静電容量の大きいものとしながら、なお機
械的強度の十分に優れたものとすることができ、ひいて
は電解コンデンサの軽量小型化の要請に一段と好適に対
応しうるちのとなしうる。
、該芯層に到達してエツチングピットの成長が停止され
、エツチング後において該芯層が均一な厚みをもって残
存される。従って、エツチングにより表面積を可能な限
り大きくして静電容量の大きいものとしながら、なお機
械的強度の十分に優れたものとすることができ、ひいて
は電解コンデンサの軽量小型化の要請に一段と好適に対
応しうるちのとなしうる。
実施例
Ｆｅ：０．００１％、Ｓｉ：０．００１％、Ｃｕ：０．
００３％を含有し、残部アルミニウム及び不可避不純物
からなる高純度アルミニウムスラブを、６００℃×２０
時間均質化処理したのち、熱間圧延して厚さ１００ｍｍ
の外層用板材を製造した。
００３％を含有し、残部アルミニウム及び不可避不純物
からなる高純度アルミニウムスラブを、６００℃×２０
時間均質化処理したのち、熱間圧延して厚さ１００ｍｍ
の外層用板材を製造した。
一方、Ｚｎ、Ｉｎ５ＳｎＳＰｂのうちの１種または２種
以上を第１表に示す各種の割合に含有し、かつＦｅ ：
０．００６％、Ｓｉ：Ｑ、３０６％、Ｇａ：０．００
２％その他不純物０゜００１％以下を含有して残部アル
ミニウムからなるスラブを熱間圧延にて厚さ２５ｍｍの
芯層用板材を得た。
以上を第１表に示す各種の割合に含有し、かつＦｅ ：
０．００６％、Ｓｉ：Ｑ、３０６％、Ｇａ：０．００
２％その他不純物０゜００１％以下を含有して残部アル
ミニウムからなるスラブを熱間圧延にて厚さ２５ｍｍの
芯層用板材を得た。
そして、上記芯層用板材の両面に外層用板材を重ね、熱
間圧延にて圧着させた後、冷間圧延、箔圧延を行って厚
さ０． １ｍｍのクラツド箔とし、非酸化性雰囲気中で
５２０℃×４時間の焼鈍を行った。
間圧延にて圧着させた後、冷間圧延、箔圧延を行って厚
さ０． １ｍｍのクラツド箔とし、非酸化性雰囲気中で
５２０℃×４時間の焼鈍を行った。
次いで、この焼鈍ＡΩクラッド箔を、次の条件にて電解
エツチング及び化成を行った。
エツチング及び化成を行った。
電解液：４％塩酸水溶液
液 温ニア０°Ｃ
電流密度：１７Ａ／ｄｍ
時 間：６分間
〔化成条件〕
化成液ニホウ酸２０ｇ／Ω＋ホウ酸アンモニウム２０ｇ
／Ω 液 温：２０±５℃ 電流密度：１２００ｍＡ／ｄｒＩｉ 化成電圧：３５０Ｖ 上記各箔による静電容量及び折曲げ強度を測定し、その
結果を比較例１．２との対比において第１表に示す。
／Ω 液 温：２０±５℃ 電流密度：１２００ｍＡ／ｄｒＩｉ 化成電圧：３５０Ｖ 上記各箔による静電容量及び折曲げ強度を測定し、その
結果を比較例１．２との対比において第１表に示す。
尚、比較例１は、芯層中にＺｎを本発明の限定範囲をこ
えて過多に含有せしめたものであり、比較例２は、実施
例における外層材組成の合金による単層箔として製造し
たものである。
えて過多に含有せしめたものであり、比較例２は、実施
例における外層材組成の合金による単層箔として製造し
たものである。
また、折曲げ強度の測定は、未化成状態の試料について
、 曲率半径１゜ Ｑｍｍ、荷重２５０ｇ。
、 曲率半径１゜ Ｑｍｍ、荷重２５０ｇ。
折曲げ角度１３５℃で行った。
上記第１表に示されるように、本発明による電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔は、純度９９．９９％の高純
度アルミニウムによる単層界（比較例２）に相当する高
い静電容量を実現しながら、機械的強度に一段と優れた
ものであることを確認し得た。
ンサ電極用アルミニウム箔は、純度９９．９９％の高純
度アルミニウムによる単層界（比較例２）に相当する高
い静電容量を実現しながら、機械的強度に一段と優れた
ものであることを確認し得た。
以上
Claims (2)
- （１）Ｚｎ：０．０００５〜１％ Ｉｎ：０．０００１〜０．２％ Ｓｎ：０．０００１〜０．２％ Ｐｂ：０．０００１〜０．２％ のうちの１種または２種以上を含むアルミニウム箔を芯
層とし、該芯層の両面に純度９９．９％以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔。 - （２）芯層が、更にＦｅ：０．００１〜０．０３％、Ｓ
ｉ：０．００１〜０．０５％、Ｃｕ：０．００１〜０．
０５％、Ｍｇ：０．００１〜０．０５％、Ｍｎ：０．０
０１〜０．０３％、Ｖ：０．００１〜０．０３％、のう
ちの１種または２種以上を含有する請求項（１）記載の
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24044790A JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24044790A JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120234A true JPH04120234A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17059638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24044790A Pending JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120234A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
| CN110033947A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-19 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高强度电子光箔及其制造工艺 |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP24044790A patent/JPH04120234A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
| CN110033947A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-19 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高强度电子光箔及其制造工艺 |
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