JPH04120234A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JPH04120234A JPH04120234A JP24044790A JP24044790A JPH04120234A JP H04120234 A JPH04120234 A JP H04120234A JP 24044790 A JP24044790 A JP 24044790A JP 24044790 A JP24044790 A JP 24044790A JP H04120234 A JPH04120234 A JP H04120234A
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Links
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Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、電解コンデンサの電極用のアルミニウム箔
、とくに主として機械的強度を保持するための芯層の両
面に表面積拡大に寄与する外層を被覆形成した複合型の
アルミニウムクラツド箔に関する。
、とくに主として機械的強度を保持するための芯層の両
面に表面積拡大に寄与する外層を被覆形成した複合型の
アルミニウムクラツド箔に関する。
なお、この明細書において%はいずれも重量%を示すも
のである。
のである。
従来の技術
近時、電解コンデンサの小型軽量化の要請は益々強いも
のがある。このためその電極用アルミニウム箔も、更に
一層の静電容量の向上をはかることはもとより、小さい
曲率半径で高速に巻き上げることができるような機械的
強度に優れたものであることが強く求められている。
のがある。このためその電極用アルミニウム箔も、更に
一層の静電容量の向上をはかることはもとより、小さい
曲率半径で高速に巻き上げることができるような機械的
強度に優れたものであることが強く求められている。
このような要請に対し、従来、エツチングによる表面積
の拡大に寄与する高純度アルミニウム外層間に、主とし
て機械的強度の保持をはかるための芯層を介在させて積
層一体化したクララド箔が種々提案されている。
の拡大に寄与する高純度アルミニウム外層間に、主とし
て機械的強度の保持をはかるための芯層を介在させて積
層一体化したクララド箔が種々提案されている。
たとえば、特開昭51−113154号公報においては
、芯層を外層よりも多くのFeを含有するアルミニウム
によって構成し、エツチング時に表面から成長するエツ
チングピットの進行を、芯層に含まれるFeの金属間化
物によって停止せしめ、芯層を確実に残すものとするこ
とによって箔の機械的強度を保持せしめるようにしたも
のが、また、特開昭62−47110号公報においては
、芯層に外層よりも純度の低いアルミニウム合金を用い
ることによって上記同様の効果を得ようとするものが提
案されている。
、芯層を外層よりも多くのFeを含有するアルミニウム
によって構成し、エツチング時に表面から成長するエツ
チングピットの進行を、芯層に含まれるFeの金属間化
物によって停止せしめ、芯層を確実に残すものとするこ
とによって箔の機械的強度を保持せしめるようにしたも
のが、また、特開昭62−47110号公報においては
、芯層に外層よりも純度の低いアルミニウム合金を用い
ることによって上記同様の効果を得ようとするものが提
案されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記いずれの従来技術においても、未だ
静電容量の十分な向上と、機械的強度の向上との相反す
る要求に対して、いずれにも十分な満足度が得られるも
のではなく、更なる改善の求められるものであった。
静電容量の十分な向上と、機械的強度の向上との相反す
る要求に対して、いずれにも十分な満足度が得られるも
のではなく、更なる改善の求められるものであった。
この発明は、上記同様のクラツド箔による改善手段を基
本としながら、芯層に含有してエツチングピットの成長
を確実に抑制し、外層に最大の拡面率の増大をはかりな
がら、芯層の均一な残存による強度保持効果を最大限に
発揮せしめ得る特定の元素群を見出すことにより完成し
得たものである。
本としながら、芯層に含有してエツチングピットの成長
を確実に抑制し、外層に最大の拡面率の増大をはかりな
がら、芯層の均一な残存による強度保持効果を最大限に
発揮せしめ得る特定の元素群を見出すことにより完成し
得たものである。
課題を解決するための手段
即ち、この発明は、
Zn:0.0005〜1%
Int0.0001〜0.2%
Sn::0OO1〜0.2%
Pb:Q、0001〜0.2%
のうちの1種または2種以上を含むアルミニウム箔を芯
層とし、該芯層の両面に純度99.9%以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を要旨とする。
層とし、該芯層の両面に純度99.9%以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔を要旨とする。
外層において純度99.9%以上の高純度アルミニウム
が用いられるのは、これによってエツチング性を良好な
ものとし、電解エツチングによって高い表面積の拡大効
果、ひいては静電容量の向上効果が得られるものとする
ためである。最も望ましくは純度99−.98%以上の
アルミニウムを用いるのが良い。
が用いられるのは、これによってエツチング性を良好な
ものとし、電解エツチングによって高い表面積の拡大効
果、ひいては静電容量の向上効果が得られるものとする
ためである。最も望ましくは純度99−.98%以上の
アルミニウムを用いるのが良い。
これに対し、芯層はエツチング後においてもその厚みを
なるべく均一に残し、機械的強度を付与するものである
。この効果を最も効果的に達成するために、該芯層は、
亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、鉛
(p b)の群から選ばれた1種または2種以上の元素
を特定範囲に含有せしめたものとする。上記の元素は、
いずれもそれらの含有によって電解エツチング時にエツ
チングピットが芯層の厚さ方向に進行するのを確実に止
める効果に優れているものであり、結果としてエツチン
グ後において芯層の厚みを全体にはゾ均一に残存せしめ
、アルミニウム箔の強度の向上に寄与するものである。
なるべく均一に残し、機械的強度を付与するものである
。この効果を最も効果的に達成するために、該芯層は、
亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、鉛
(p b)の群から選ばれた1種または2種以上の元素
を特定範囲に含有せしめたものとする。上記の元素は、
いずれもそれらの含有によって電解エツチング時にエツ
チングピットが芯層の厚さ方向に進行するのを確実に止
める効果に優れているものであり、結果としてエツチン
グ後において芯層の厚みを全体にはゾ均一に残存せしめ
、アルミニウム箔の強度の向上に寄与するものである。
Znにおいてその含有量が:’0O05%未満、および
In5Sn、Pbにおいてそれぞれ含有量が0.000
1%未満では上記の効果がなく、Zn含有量が1%をこ
えると、外層と芯層の界面がエツチングされ易いものと
なり、静電容量が低下する。一方、I n、Sn、Pb
の含有量がそれぞれ0.2%をこえると、箔が熱間圧延
で割れを生じ易いものとなり、製造上の困難性が増大す
る。最も好ましい上記各元素の含有量の範囲は、Znに
おいて0.001〜0.3%、In5SnXPbにおい
てそれぞれ0.0002〜0.1%である。
In5Sn、Pbにおいてそれぞれ含有量が0.000
1%未満では上記の効果がなく、Zn含有量が1%をこ
えると、外層と芯層の界面がエツチングされ易いものと
なり、静電容量が低下する。一方、I n、Sn、Pb
の含有量がそれぞれ0.2%をこえると、箔が熱間圧延
で割れを生じ易いものとなり、製造上の困難性が増大す
る。最も好ましい上記各元素の含有量の範囲は、Znに
おいて0.001〜0.3%、In5SnXPbにおい
てそれぞれ0.0002〜0.1%である。
芯層に用いるアルミニウム材の純度は特に限定されなく
、99.8%程度以上であれば適用可能である。芯層が
外層と同等の純度を有する高純度アルミニウムをベース
とした、それと同等程度の強度しか有しないようなもの
であっても、上記Zn、In、Sn、Pbのいずれか1
の含有によりエツチング後において芯層の残り部分が不
整にならないので、エツチド箔全体に十分な強度を保有
せしめたものとすることが可能である。さりとて、より
一層の強度向上効果を実現するためには、芯層として外
層より相対的に強度の高いアルミニウム材を用いるほう
が有利である。従って、芯層は強度の向上のために、上
記の必要的添加元素のほか、更に鉄(Fe)0.001
〜0.03%、ケイ素(S i)0、001〜0.05
%、銅(Cu) 0.001〜0.05%、マグネシウ
ム(Mg)0.001〜0.05%、マンガン(Mn)
0.001〜0.03%、バナジウム(V)0.001
〜0.03%のうちのいずれか1種または2種以上を含
有することが望ましい。その他、芯層には、不純物とし
てCr、Ga、B、Tiなどが合計量1.0%以下にお
いて含有を許容される。
、99.8%程度以上であれば適用可能である。芯層が
外層と同等の純度を有する高純度アルミニウムをベース
とした、それと同等程度の強度しか有しないようなもの
であっても、上記Zn、In、Sn、Pbのいずれか1
の含有によりエツチング後において芯層の残り部分が不
整にならないので、エツチド箔全体に十分な強度を保有
せしめたものとすることが可能である。さりとて、より
一層の強度向上効果を実現するためには、芯層として外
層より相対的に強度の高いアルミニウム材を用いるほう
が有利である。従って、芯層は強度の向上のために、上
記の必要的添加元素のほか、更に鉄(Fe)0.001
〜0.03%、ケイ素(S i)0、001〜0.05
%、銅(Cu) 0.001〜0.05%、マグネシウ
ム(Mg)0.001〜0.05%、マンガン(Mn)
0.001〜0.03%、バナジウム(V)0.001
〜0.03%のうちのいずれか1種または2種以上を含
有することが望ましい。その他、芯層には、不純物とし
てCr、Ga、B、Tiなどが合計量1.0%以下にお
いて含有を許容される。
芯層と外層との接合は、圧延によって行われるのが普通
であるが、接着剤で接合させても良い。
であるが、接着剤で接合させても良い。
また、芯層と外層のクラツド比率は、この発明において
特に限定されるものではなく、芯層の材質強度を勘案し
、静電容量と機械的強度との最も有利な調和点を求めて
適宜に設定される。
特に限定されるものではなく、芯層の材質強度を勘案し
、静電容量と機械的強度との最も有利な調和点を求めて
適宜に設定される。
一般的にはクラツド箔の全体厚みに対し、芯層のクラツ
ド比率は25〜95%程度、とくに好ましくは、50〜
90%とするのが良い。
ド比率は25〜95%程度、とくに好ましくは、50〜
90%とするのが良い。
発明の効果
この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔によれ
ば、電解エツチングにより高純度AΩ箔からなる外層部
分において十分に深くかつ高密度にエツチングピットを
形成して表面積を十分に拡大することができる一方、芯
層にエツチングピットの成長を止めるZn、In、Sn
。
ば、電解エツチングにより高純度AΩ箔からなる外層部
分において十分に深くかつ高密度にエツチングピットを
形成して表面積を十分に拡大することができる一方、芯
層にエツチングピットの成長を止めるZn、In、Sn
。
pbの1種または2種以上が含有されていることにより
、該芯層に到達してエツチングピットの成長が停止され
、エツチング後において該芯層が均一な厚みをもって残
存される。従って、エツチングにより表面積を可能な限
り大きくして静電容量の大きいものとしながら、なお機
械的強度の十分に優れたものとすることができ、ひいて
は電解コンデンサの軽量小型化の要請に一段と好適に対
応しうるちのとなしうる。
、該芯層に到達してエツチングピットの成長が停止され
、エツチング後において該芯層が均一な厚みをもって残
存される。従って、エツチングにより表面積を可能な限
り大きくして静電容量の大きいものとしながら、なお機
械的強度の十分に優れたものとすることができ、ひいて
は電解コンデンサの軽量小型化の要請に一段と好適に対
応しうるちのとなしうる。
実施例
Fe:0.001%、Si:0.001%、Cu:0.
003%を含有し、残部アルミニウム及び不可避不純物
からなる高純度アルミニウムスラブを、600℃×20
時間均質化処理したのち、熱間圧延して厚さ100mm
の外層用板材を製造した。
003%を含有し、残部アルミニウム及び不可避不純物
からなる高純度アルミニウムスラブを、600℃×20
時間均質化処理したのち、熱間圧延して厚さ100mm
の外層用板材を製造した。
一方、Zn、In5SnSPbのうちの1種または2種
以上を第1表に示す各種の割合に含有し、かつFe :
0.006%、Si:Q、306%、Ga:0.00
2%その他不純物0゜001%以下を含有して残部アル
ミニウムからなるスラブを熱間圧延にて厚さ25mmの
芯層用板材を得た。
以上を第1表に示す各種の割合に含有し、かつFe :
0.006%、Si:Q、306%、Ga:0.00
2%その他不純物0゜001%以下を含有して残部アル
ミニウムからなるスラブを熱間圧延にて厚さ25mmの
芯層用板材を得た。
そして、上記芯層用板材の両面に外層用板材を重ね、熱
間圧延にて圧着させた後、冷間圧延、箔圧延を行って厚
さ0. 1mmのクラツド箔とし、非酸化性雰囲気中で
520℃×4時間の焼鈍を行った。
間圧延にて圧着させた後、冷間圧延、箔圧延を行って厚
さ0. 1mmのクラツド箔とし、非酸化性雰囲気中で
520℃×4時間の焼鈍を行った。
次いで、この焼鈍AΩクラッド箔を、次の条件にて電解
エツチング及び化成を行った。
エツチング及び化成を行った。
電解液:4%塩酸水溶液
液 温ニア0°C
電流密度:17A/dm
時 間:6分間
〔化成条件〕
化成液ニホウ酸20g/Ω+ホウ酸アンモニウム20g
/Ω 液 温:20±5℃ 電流密度:1200mA/drIi 化成電圧:350V 上記各箔による静電容量及び折曲げ強度を測定し、その
結果を比較例1.2との対比において第1表に示す。
/Ω 液 温:20±5℃ 電流密度:1200mA/drIi 化成電圧:350V 上記各箔による静電容量及び折曲げ強度を測定し、その
結果を比較例1.2との対比において第1表に示す。
尚、比較例1は、芯層中にZnを本発明の限定範囲をこ
えて過多に含有せしめたものであり、比較例2は、実施
例における外層材組成の合金による単層箔として製造し
たものである。
えて過多に含有せしめたものであり、比較例2は、実施
例における外層材組成の合金による単層箔として製造し
たものである。
また、折曲げ強度の測定は、未化成状態の試料について
、 曲率半径1゜ Qmm、荷重250g。
、 曲率半径1゜ Qmm、荷重250g。
折曲げ角度135℃で行った。
上記第1表に示されるように、本発明による電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔は、純度99.99%の高純
度アルミニウムによる単層界(比較例2)に相当する高
い静電容量を実現しながら、機械的強度に一段と優れた
ものであることを確認し得た。
ンサ電極用アルミニウム箔は、純度99.99%の高純
度アルミニウムによる単層界(比較例2)に相当する高
い静電容量を実現しながら、機械的強度に一段と優れた
ものであることを確認し得た。
以上
Claims (2)
- (1)Zn:0.0005〜1% In:0.0001〜0.2% Sn:0.0001〜0.2% Pb:0.0001〜0.2% のうちの1種または2種以上を含むアルミニウム箔を芯
層とし、該芯層の両面に純度99.9%以上のアルミニ
ウム外層が接合一体化されてなる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔。 - (2)芯層が、更にFe:0.001〜0.03%、S
i:0.001〜0.05%、Cu:0.001〜0.
05%、Mg:0.001〜0.05%、Mn:0.0
01〜0.03%、V:0.001〜0.03%、のう
ちの1種または2種以上を含有する請求項(1)記載の
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24044790A JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24044790A JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04120234A true JPH04120234A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17059638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24044790A Pending JPH04120234A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04120234A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
CN110033947A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-19 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高强度电子光箔及其制造工艺 |
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1990
- 1990-09-10 JP JP24044790A patent/JPH04120234A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2001043150A1 (fr) * | 1999-12-08 | 2001-06-14 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Feuille a gainage en alliage d'aluminium pour anode moyenne et haute tension de condensateur electrolytique |
CN110033947A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-07-19 | 南通海星电子股份有限公司 | 一种高强度电子光箔及其制造工艺 |
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