JPH04116518A - 表示素子及びその駆動方法 - Google Patents
表示素子及びその駆動方法Info
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- JPH04116518A JPH04116518A JP23645190A JP23645190A JPH04116518A JP H04116518 A JPH04116518 A JP H04116518A JP 23645190 A JP23645190 A JP 23645190A JP 23645190 A JP23645190 A JP 23645190A JP H04116518 A JPH04116518 A JP H04116518A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はデイスプレィあるいはプロジェクタ−などに応
用されるライトバルブに用いられる表示素子の構造およ
びその駆動方法に関する。
用されるライトバルブに用いられる表示素子の構造およ
びその駆動方法に関する。
[従来の技術]
従来の液晶をマトリックス中に分散した表示素子は、マ
トリックス材料として有機高分子を用いたものが多かっ
た(アメリカ特許3600060など)。また、マトリ
ックス材料と液晶を混合し、その後相分離させて白濁し
た散乱状態を実現していた(アメリカ特許468890
0など)。
トリックス材料として有機高分子を用いたものが多かっ
た(アメリカ特許3600060など)。また、マトリ
ックス材料と液晶を混合し、その後相分離させて白濁し
た散乱状態を実現していた(アメリカ特許468890
0など)。
[発明が解法しようとする課題]
しかし、従来の液晶をマトリックス中に分散させたタイ
プの液晶素子では電界に対する素子の透過光特性の急峻
性が極めて悪いために従来のネマチック液晶を用いた表
示素子のように大容量表示を行うことが離しいとしXう
課題を有していた。そこで本発明は、マトリックス材料
として強誘電体を用いることにより電界を除いた後でも
表示状態を保持できるメモリー性を有する表示素子及び
その駆動方法を提供することを目的とするものである。
プの液晶素子では電界に対する素子の透過光特性の急峻
性が極めて悪いために従来のネマチック液晶を用いた表
示素子のように大容量表示を行うことが離しいとしXう
課題を有していた。そこで本発明は、マトリックス材料
として強誘電体を用いることにより電界を除いた後でも
表示状態を保持できるメモリー性を有する表示素子及び
その駆動方法を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明の表示素子は、
■液晶をマトリックス中に分散した表示素子において、
マトリックスを形成している物質が強誘電体であること
を特徴とする。
マトリックスを形成している物質が強誘電体であること
を特徴とする。
■上記強誘電体がポリビニリデンフルオライドなどから
成る有機強誘電体であることを特徴とする。
成る有機強誘電体であることを特徴とする。
■上記強誘電体がPLZT、 PZTなどがら成る無機
強誘電体であることを特徴とする。
強誘電体であることを特徴とする。
■上記マトリックスの屈折率が用いる液晶の常光屈折率
あるいは常光屈折率と異常光屈折率の平均屈折率と同程
度であることを特徴とする。
あるいは常光屈折率と異常光屈折率の平均屈折率と同程
度であることを特徴とする。
■上記表示素子の駆動方法において上記強誘電体の応答
するに十分な時間のパルス列から構成され、自発分極を
1方向に揃えるためのパルス列、及び自発分極を見かけ
上0にするためのパルス列の組み合わせで2表示状態を
選択することを特徴とする。
するに十分な時間のパルス列から構成され、自発分極を
1方向に揃えるためのパルス列、及び自発分極を見かけ
上0にするためのパルス列の組み合わせで2表示状態を
選択することを特徴とする。
[作用コ
本発明の上記の構成によれば、マトリックス材料が強誘
電体であるため第2図に示したようにマトリックスに対
してVsat+以上あるいはVsa’を一以下の電界を
印加すると強誘電体の自発分極がPs+あるいはPs−
となる。電界をOvとしても第2図に示されているよう
に自発分極はOにはならない。ここでこのマトリックス
中にネマチックあるいはコレステリック液晶が存在する
と残っている自発分極による電界のために液晶は電界方
向に配向するのである。この状態は電界を除去した後も
保持される。
電体であるため第2図に示したようにマトリックスに対
してVsat+以上あるいはVsa’を一以下の電界を
印加すると強誘電体の自発分極がPs+あるいはPs−
となる。電界をOvとしても第2図に示されているよう
に自発分極はOにはならない。ここでこのマトリックス
中にネマチックあるいはコレステリック液晶が存在する
と残っている自発分極による電界のために液晶は電界方
向に配向するのである。この状態は電界を除去した後も
保持される。
次に、前に印加した電界が十であれば(Vsat−+V
th−)/2、前に印加した電界が−であれば(Vsa
t+十Vth+)/2なる電界を印加すれば自発分極を
ほぼ0にできるので液晶の配向状態をランダム配向とす
ることができるのである。この状態は電界を除去した後
も保持される。これら2状態を選択することにより表示
を行うことができる。
th−)/2、前に印加した電界が−であれば(Vsa
t+十Vth+)/2なる電界を印加すれば自発分極を
ほぼ0にできるので液晶の配向状態をランダム配向とす
ることができるのである。この状態は電界を除去した後
も保持される。これら2状態を選択することにより表示
を行うことができる。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
[実施例]
実施例1
第1図に本発明の表示素子における断面図を示した。本
実施例ではマ)・リックス材料として有機強誘電体であ
るポリビニリデンフルオライドを用いた例を示す、素子
の作製法について説明する。
実施例ではマ)・リックス材料として有機強誘電体であ
るポリビニリデンフルオライドを用いた例を示す、素子
の作製法について説明する。
まず表面の平坦な基板5の表面に電極層4を蒸着法によ
り形成した。ここで電極を縞状にパターニングしておけ
ば実施例4で説明する時分割駆動を行うことができる。
り形成した。ここで電極を縞状にパターニングしておけ
ば実施例4で説明する時分割駆動を行うことができる。
この基板を2枚作製し電極側を向かい合わせて間隙20
μmに保って固定した。マトリックス層3の材料の調製
であるが、ポリビニリデンフルオライドと液晶(メルク
社製ZLI3276)の1:3混合物を200℃にて相
溶させた。これを相溶した状態で先に作製したセルの2
0μmの間隙に封入した。その後急冷して液晶とマトリ
ックス材料を相分離した。
μmに保って固定した。マトリックス層3の材料の調製
であるが、ポリビニリデンフルオライドと液晶(メルク
社製ZLI3276)の1:3混合物を200℃にて相
溶させた。これを相溶した状態で先に作製したセルの2
0μmの間隙に封入した。その後急冷して液晶とマトリ
ックス材料を相分離した。
次に素子の駆動方法であるが、第3図に駆動波形301
及びその時の光学応答(透過率)302を示した。2つ
の電極間に光透過時でパルス幅10m5.波高値±60
Vなるパルス列を印加した。光散乱時で波高値±20V
なるパルス列を印加した。コントラスト20:1以上、
透過!!80%が得られた。また電界除去後も表示状態
を保持できた。
及びその時の光学応答(透過率)302を示した。2つ
の電極間に光透過時でパルス幅10m5.波高値±60
Vなるパルス列を印加した。光散乱時で波高値±20V
なるパルス列を印加した。コントラスト20:1以上、
透過!!80%が得られた。また電界除去後も表示状態
を保持できた。
ここで用いる液晶はAnのできるだけ太きいものがよ・
く、さらに液晶の常光屈折率、あるいは液晶の常光屈折
率と異常光屈折率の平均がマトリックスの屈折率に近い
ものがよい。マトリックス材料はここに示したものでな
くともフッ化ビニリデンとトリフッ化ビニルの共重合体
など強誘電性を有し、常温で固体であるものであれば何
でも良い。
く、さらに液晶の常光屈折率、あるいは液晶の常光屈折
率と異常光屈折率の平均がマトリックスの屈折率に近い
ものがよい。マトリックス材料はここに示したものでな
くともフッ化ビニリデンとトリフッ化ビニルの共重合体
など強誘電性を有し、常温で固体であるものであれば何
でも良い。
実施例2
本実施例ではマトリックス材料として無機強誘電性物質
を用いた例を示した。まず表面の平坦な基板50表面に
電極層4を蒸着法により形成した。
を用いた例を示した。まず表面の平坦な基板50表面に
電極層4を蒸着法により形成した。
電極を縞状にバターニングしておけば時分割駆動するこ
とができる。この基板の電極表面に強誘電性マトリック
ス材料として高純度化学研究所製PLZTアルコレート
20χ(水で加水分解してゾル化したもの)水溶液をロ
ールコートした。この基板をまず150℃で仮焼成した
後に550″Cで焼成して厚さ20μm(5〜30μm
ならよい)の強誘電性マトリックス3とした。これに液
晶としてロブイック社製のPNoolを含浸させた。今
分な液晶を拭き取った後、電極2付き基板1を圧着した
。あるいは液晶を含浸させた後に電極を蒸着法などによ
り直接形成しても良い。あるいは実施例3のように電極
付きフィルムを用いても良い。強誘電体としてはPLZ
TでなくともPZTなど無機化合物の強誘電体であれば
何でも良い。次に素子の駆動方法であるが、第3図に駆
動波形301及び光学応答302を示した。2つの電極
間に光散乱時でパルス幅10m5、波高値±60Vなる
パルス列を印加した。光透過時で波高値±20Vなるパ
ルス列を印加した。コントラスト20;1以上、透過率
60%が得られた。また電界除去後も表示状態を保持で
きた。
とができる。この基板の電極表面に強誘電性マトリック
ス材料として高純度化学研究所製PLZTアルコレート
20χ(水で加水分解してゾル化したもの)水溶液をロ
ールコートした。この基板をまず150℃で仮焼成した
後に550″Cで焼成して厚さ20μm(5〜30μm
ならよい)の強誘電性マトリックス3とした。これに液
晶としてロブイック社製のPNoolを含浸させた。今
分な液晶を拭き取った後、電極2付き基板1を圧着した
。あるいは液晶を含浸させた後に電極を蒸着法などによ
り直接形成しても良い。あるいは実施例3のように電極
付きフィルムを用いても良い。強誘電体としてはPLZ
TでなくともPZTなど無機化合物の強誘電体であれば
何でも良い。次に素子の駆動方法であるが、第3図に駆
動波形301及び光学応答302を示した。2つの電極
間に光散乱時でパルス幅10m5、波高値±60Vなる
パルス列を印加した。光透過時で波高値±20Vなるパ
ルス列を印加した。コントラスト20;1以上、透過率
60%が得られた。また電界除去後も表示状態を保持で
きた。
ここで用いる液晶はΔnのできるだけ大きいものがよく
、さらに液晶の常光屈折率、あるいは常光屈折率と異常
光屈折率の平均屈折率が強誘電性物質の屈折率に近いも
のがよい0本実施例では強誘電体の屈折率が1.8程度
であり液晶の常光屈折率1.52、異常光屈折率1.7
8、平均屈折率1.65であるため屈折率が完全に一致
していないので透過率は良くない、さらに屈折率の高い
液晶を組み合わせれば透過率を向上させることができる
。
、さらに液晶の常光屈折率、あるいは常光屈折率と異常
光屈折率の平均屈折率が強誘電性物質の屈折率に近いも
のがよい0本実施例では強誘電体の屈折率が1.8程度
であり液晶の常光屈折率1.52、異常光屈折率1.7
8、平均屈折率1.65であるため屈折率が完全に一致
していないので透過率は良くない、さらに屈折率の高い
液晶を組み合わせれば透過率を向上させることができる
。
実施例3
本実施例では、第1図において基板1及び電極2の替わ
りに電極付き高分子フィルムを用いた例を示す。第4図
は本実施例の表示素子を示す外観図である。素子の作製
法について説明する。まず表面の平坦な基板の表面に電
極層を蒸着法により形成した。マトリックス層3の材料
の調製であるが、ポリビニリデンフルオライドと液晶(
メルク社製ZLI3276) (7)1:3混合物を2
00℃ニテ相溶サセタすコれを相溶した状態で先に作製
した基板上に20Itmの厚さになるようにコーティン
グした。その後急冷して液晶とマトリックス材料を相分
離した。この上に電極付き高分子フィルム7を圧着し、
対向電極とした。高分子フィルムからの引き出し線を対
向基板上に形成した引き出し用電極に接続しておけば駆
動用ドライバーとの接続が容易である。電極付きフィル
ムをモールド6によって基板に固定した。用いた電極付
き基板及び電極付きフィルムの電極を縞状にパターンニ
ングしておけば時分割駆動することができる。用いた基
板5をフレキシブルな材質にすればフレキシブルな表示
素子とすることができる。
りに電極付き高分子フィルムを用いた例を示す。第4図
は本実施例の表示素子を示す外観図である。素子の作製
法について説明する。まず表面の平坦な基板の表面に電
極層を蒸着法により形成した。マトリックス層3の材料
の調製であるが、ポリビニリデンフルオライドと液晶(
メルク社製ZLI3276) (7)1:3混合物を2
00℃ニテ相溶サセタすコれを相溶した状態で先に作製
した基板上に20Itmの厚さになるようにコーティン
グした。その後急冷して液晶とマトリックス材料を相分
離した。この上に電極付き高分子フィルム7を圧着し、
対向電極とした。高分子フィルムからの引き出し線を対
向基板上に形成した引き出し用電極に接続しておけば駆
動用ドライバーとの接続が容易である。電極付きフィル
ムをモールド6によって基板に固定した。用いた電極付
き基板及び電極付きフィルムの電極を縞状にパターンニ
ングしておけば時分割駆動することができる。用いた基
板5をフレキシブルな材質にすればフレキシブルな表示
素子とすることができる。
強誘電体については、ここに示したもののほか、先に示
した有機および無機の強誘電体を用いることもできる。
した有機および無機の強誘電体を用いることもできる。
実計測4
本実施例では先に示した表示素子において時分割駆動方
法について示した。第5図は本実施例を示す駆動波形図
である。波形501は第1図における基板1上に形成し
た縞状電極2のうちの1電極に印加する走査電極波形で
あり、波形502は第1図における基板5上に形成した
縞状電極4のうちの1電極に印加する信号電極波形であ
る(上下電極を逆につないでも良い)、波形503は、
波形501と波形502との合成波形である。第5図に
おいてTfは1画面を走査するために必要な期間であり
、T1、T2は1走査線の選択期間である0合成波形5
03が液晶層に印加されるので合成波形503を用いて
駆動原理を説明する0選択期間T1について説明する。
法について示した。第5図は本実施例を示す駆動波形図
である。波形501は第1図における基板1上に形成し
た縞状電極2のうちの1電極に印加する走査電極波形で
あり、波形502は第1図における基板5上に形成した
縞状電極4のうちの1電極に印加する信号電極波形であ
る(上下電極を逆につないでも良い)、波形503は、
波形501と波形502との合成波形である。第5図に
おいてTfは1画面を走査するために必要な期間であり
、T1、T2は1走査線の選択期間である0合成波形5
03が液晶層に印加されるので合成波形503を用いて
駆動原理を説明する0選択期間T1について説明する。
波高値V1は第2図のV sat+と°V 5at−の
絶対値よりも大きい値と・するのでこの選択期間では自
発分極は最大となる。この自発分極による電界により液
晶分子が応答し、電界方向に配向した状態が選択される
。
絶対値よりも大きい値と・するのでこの選択期間では自
発分極は最大となる。この自発分極による電界により液
晶分子が応答し、電界方向に配向した状態が選択される
。
電界を除去した後でも配向状態は保持される0次に選択
期間T2について説明する。自発分極消去用パルスは波
高値の異なる互いに逆極性の2つのパルスから成る。ま
ず波高値がVsat−以下の波高値−v1成るパルスを
印加し、次にこれと逆極性で波高値が第2図において(
V sat++ V th+) /2程度の波高値v2
のパルスを印加した。これにより自発分極はほぼ0とな
り液晶分子はランダム配向をとるようになりそれに対応
した表示状態を得ることができる。言うまでもないこと
であるが、合成波形503が得られるような波形であれ
ば波形501波形502はどのような波形でも良い。本
実胞例の駆動波形は、交流バランスがとれていないため
素子の寿命が短くなり安いが、選択期間の直前に交流バ
ランスをとるための補正パルスをいれれば、素子として
も寿命を延ばすことができる。また信号電極波形中にも
補正パルスを加えることができる。
期間T2について説明する。自発分極消去用パルスは波
高値の異なる互いに逆極性の2つのパルスから成る。ま
ず波高値がVsat−以下の波高値−v1成るパルスを
印加し、次にこれと逆極性で波高値が第2図において(
V sat++ V th+) /2程度の波高値v2
のパルスを印加した。これにより自発分極はほぼ0とな
り液晶分子はランダム配向をとるようになりそれに対応
した表示状態を得ることができる。言うまでもないこと
であるが、合成波形503が得られるような波形であれ
ば波形501波形502はどのような波形でも良い。本
実胞例の駆動波形は、交流バランスがとれていないため
素子の寿命が短くなり安いが、選択期間の直前に交流バ
ランスをとるための補正パルスをいれれば、素子として
も寿命を延ばすことができる。また信号電極波形中にも
補正パルスを加えることができる。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、大容量デイスプレィ、調光素子、ライトバルブ、調
光ミラーなどに応用が可能である。
ず、大容量デイスプレィ、調光素子、ライトバルブ、調
光ミラーなどに応用が可能である。
[発明の効果]。
以上述べたように本発明によれば、マトリックス材料と
して強誘電体を用いることにより、メモリー性を具備し
た表示素子を提供することをかできるようになった。こ
れを用いれば大容量表示素子を作製することができ、今
後市場が期待されるハイビジョンなどに応用することも
できる。
して強誘電体を用いることにより、メモリー性を具備し
た表示素子を提供することをかできるようになった。こ
れを用いれば大容量表示素子を作製することができ、今
後市場が期待されるハイビジョンなどに応用することも
できる。
第1図は、本発明実施例1及び実施例2の表示素子の断
面を示す図である。 第2図は強誘電体の印加電圧と分極特性を示す図である
。 第3図は、本発明の表示素子を駆動するために用いた評
価用駆動波形図301および光学応答を示す図302で
ある。 第4図は、本発明実施例3の表示素子の外観を示す0図
である。 第5図は、本発明の実施例4の駆動波形を示す図であり
、501は走査電極波形図であり、502は信号電極波
形図であり、503は501と502の合成波形図であ
る。 l・・・基板 2・・・電極層 3・・・マトリックス層 4・・・電極層 5・・・基板 6・・・モールド フ・・・電極付きフィルム 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)第4図
面を示す図である。 第2図は強誘電体の印加電圧と分極特性を示す図である
。 第3図は、本発明の表示素子を駆動するために用いた評
価用駆動波形図301および光学応答を示す図302で
ある。 第4図は、本発明実施例3の表示素子の外観を示す0図
である。 第5図は、本発明の実施例4の駆動波形を示す図であり
、501は走査電極波形図であり、502は信号電極波
形図であり、503は501と502の合成波形図であ
る。 l・・・基板 2・・・電極層 3・・・マトリックス層 4・・・電極層 5・・・基板 6・・・モールド フ・・・電極付きフィルム 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部(他1名)第4図
Claims (5)
- (1)液晶をマトリックス中に分散した表示素子におい
て、マトリックスを形成している物質が強誘電体である
ことを特徴とする表示素子。 - (2)上記強誘電体がポリビニリデンジフルオライドな
どから成る有機強誘電体であることを特徴とする請求項
1記載の表示素子。 - (3)上記強誘電体がPLZT、PZTなどから成る無
機強誘電体であることを特徴とする請求項1記載の表示
素子。 - (4)上記マトリックスの屈折率が用いる液晶の常光屈
折率あるいは常光屈折率と異常光屈折率の平均屈折率と
同程度であることを特徴とする請求項1記載の表示素子
。 - (5)上記表示素子の駆動方法において上記強誘電体の
応答するに十分な時間のパルス列から構成され、自発分
極を1方向に揃えるためのパルス列、及び自発分極を見
かけ上0にするためのパルス列の組み合わせで2表示状
態を選択することを特徴とする表示素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23645190A JPH04116518A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 表示素子及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23645190A JPH04116518A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 表示素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04116518A true JPH04116518A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17000945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23645190A Pending JPH04116518A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 表示素子及びその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04116518A (ja) |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP23645190A patent/JPH04116518A/ja active Pending
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