JPH04108690A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱プラズマによるダイヤモンド合成方法、と
くに高周波熱プラズマを用いて良質のダイヤモンドを高
速合成することができるダイヤモンドの合成方法に関す
る。

〔従来の技術〕

気相法によって人工的に合成されるダイヤモンドは、そ
の優れた特性を利用して精密機械分野をはしめエレクト
ロニクス、光学、医療といった広い分野での応用が図ら
れている。

これまで熱プラズマを利用する気相法によりダイヤモン
ドを合成する手段として、高周波プラズマ法、直流プラ
ズマ法、アークプラズマ法、熱フイラメント法、マイク
ロ波プラズマ法、燃焼炎法なと多様な方法が知られてい
るが、生成ダイヤモンドの析出速度には相当の差異があ
る０例えば、高周波熱プラズマ法によるダイヤモンドの
最大析出速度は約１２０μｍ／ｈｒで、同最大析出速度
が１μ■／ｈｒ程度のマイクロ波プラズマ法のような低
圧ブラズマを用いる方法に比べて極めて高速である。

ところが直流プラズマ法（最大析出速度：約１８０μｓ
／ｈｒ）やアークプラズマ法（最大析出速度：約９３０
μｓ　／ｈｒ）などの方法に比較すると著しく低位にあ
る。　このような問題点の解消を図る条件の１つとして
、ダイヤモンドを析出させるための基体あるいはその周
辺系を冷却する方法が提案されている。例えば特開平１
−２０１０９８号公報には、原料ガスとして炭化水素を
用いずに一酸化炭素および／または二酸化炭素ガスを使
用し、これと水素ガスとの混合ガスを活性化した熱プラ
ズマを低温度の基体に接触させることによって生成ダイ
ヤモンドの析出速度を速めるダイヤモンドの合成方法が
示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

発明者らは炭化水素ガスを原料系として高周波プラズマ
法によりダイヤモンドを合成する場合の高速析出化条件
について研究を重ねた結果、プラズマを発生させるトー
チ内とダイヤモンドを析出するチャンバー内の圧力条件
を一定範囲に設定すると最大析出速度がアークプラズマ
法に匹敵する水準まで増大することができることを確認
して、本発明の開発に至ったものである。

したがって、本発明の目的は、炭化水素ガス原料系を用
いた高周波熱プラズマ法によって良質のダイヤモンドを
高速下に析出することができるダイヤモンドの合成方法
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するための本発明によるダイヤモンド
の合成法は、プラズマトーチ内で希ガスと水素からなる
作動ガスに高周波熱プラズマを発生させ、これに炭化水
素ガスを導入して引き続く生成チャンバーにおいてＣＶ
Ｄにより基体面にダイヤモンドを析出する方法において
、プラズマトーチ内圧力（Ｐｔ）を２００〜２０００Ｔ
ｏｒｒ、生成チャンバー内圧力（Ｐｃ）を１５０〜１９
９０Ｔｏｒｒとし、かつコれらの差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）を
１〜５００Ｔｏｒｒの範囲に設定することを構成上の特
徴とするものである。

プラズマ発生用の作動ガスには、アルゴン、ヘリウムな
どの希ガスおよび水素ガスが用いられる。

原料ガスとなる炭化水素としては、メタン、エタン、プ
ロパン、ブタン等のほか、ガス化したエチレン、ベンゼ
ン、アセトン、各種アルコール成分を挙げることができ
る。

前記原料系のＣ７Ｈ比は、７　Ｘｌ０−”以下に設定す
ることが望ましく、この値を越える比率になるとダイヤ
モンドではなくカーボンが析出する傾向が増大する。

基体物質にはモリブデン、チタン、タングステン、シリ
コン等の金属、あるいは炭化けい素、アルミナ、炭化タ
ングステン、炭化チタン等のセラミックス材料が用いら
れ、６００〜１４００°Ｃの温度範囲に保持した状態で
使用される。

本発明は上記の前提に加え、反応時の圧力条件としてプ
ラズマトーチ内圧力（Ｐ　ｔ）を２００〜２０００Ｔ。

ｒｒ、生成チャンバー内圧力（Ｐｃ）を１５０〜１９９
０Ｔｏｒｒとし、かつこれらの差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）を１
〜５００Ｔｏｒｒの範囲に設定することを重要な要件と
する。この圧力要件を満たさない場合、例えば前記差圧
（Ｐｔ−Ｐｃ）がＩ　Ｔｏｒｒ未満ではダイヤモンド析
出速度の向上効果は期待できず、またこの差圧が５００
７ｏｒｒを越すと断熱膨張によってプラズマガスが過度
に冷却されてプラズマ内の活性種密度の低下を招き、結
果的に析出速度の減退につながる。

第１図は本発明の実施に適用される高周波プラズマ型の
ダイヤモンド合成装置を例示した断面略図で、Ｉはプラ
ズマトーチ、２は前記プラズマトーチ１の下部に連結さ
れた排気口３を備える生成チャンバーである。プラズマ
トーチｌの上部にはガス供給装置４からの希ガス、水素
および炭化水素ガスを各バルブ５および導入管を介して
系内に噴出させるためのガス噴射ノズル６が設置されて
おり、胴周囲には高周波電源７と連結するワークコイル
８が配設されている。生成チャンバー２内にはプラズマ
トーチ１の直下位置に水冷ホルダー９で支持された基体
１ｏがセットされている。１１はプラズマトーチ１の内
圧と生成チャンバー２の内圧の間に差圧を与えるために
設置された絞りノズルである。プラズマトーチ内圧力（
Ｐｔ）　と生成チャンバー内圧力（Ｐｃ）との差圧（Ｐ
　ｔ　−Ｐｃ）は、通常、生成チャンバー２の圧力を排
気口３からの強制排気で減圧する方法あるいはプラズマ
トーチｌ内に供給するガス量を調整する方法などにより
形成することはできるが、これらの方法のみによる場合
には差圧度合の制御が難しく、往々にして差圧が５００
Ｔｏｒｒを越えてプラズマ温度の低下を招く、このよう
な現象を避け、一定のガス供給条件において常に１〜５
００Ｔｏｒｒ範囲の差圧に調整するにはプラズマトーチ
の内径（Ｄｔ）と前記プラズマトーチと生成チャンバー
間の絞りノズル内径（Ｄｎ）との比（Ｄｔｌｏｎ）を１
．２０〜１２．５の範囲に設定することが有効な手段と
なり、他の条件を変動させることなしに析出速度の増大
化を図ることが可能となる。

系内を大気圧以下にする場合には、生成チャンバー２の
排気口３から強制排気する手段を併用することによりお
こなわれる。

第１図の装置によりダイヤモンドを合成するにあたって
は、まずバルブ５を開にし、希ガスと水素ガスをガス噴
射ノズル６から混合状態でプラズマトーチ１内に導入し
たのち、ワークコイル８に高周波を印加してプラズマを
発生させる。ついでノズル−基体間隙あるいは入力電力
の調整により水冷ホルダーに支持した基体ｌＯを温度が
６００〜１４００°Ｃの範囲になるように制御する。つ
いで、残るバルブ５を開いて炭化水素ガスを作動ガス（
希ガスおよび／または水素ガス）に同伴させながらプラ
ズマトーチ内に導入する。この際、ガス供給流量を制御
してＣ／Ｈ比が７　Ｘｌ０−”以下になり、プラズマト
ーチｌ内の圧力（Ｐｔ）が２００〜２０００Ｔｏｒｒの
範囲になるように調整する。更に生成チャンバー２内の
圧力（Ｐｃ）をプラズマトーチ内圧力より低くした状態
で１５０〜１９９０Ｔｏｒｒの範囲にすると共に、これ
らの差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）が１〜５００Ｔｏｒｒになるよ
うに調整する。ＦＡ差圧調整は、上記したとおりプラズ
マトーチ１の内径（Ｄｔ）と絞りノズル１１の内径（Ｏ
ｎ）との比（Ｄｔｌｏｎ）を１．２０〜１２．５の範囲
に設定し、あるいはこれに強制排気手段を併用すること
によっておこなうことができる。

［作　用］ プラズマＣＶＤによるダイヤモンドの気相合成法では、
通常、プラズマ温度が高いほどダイヤモンド生成に寄与
する活性種の存在も多くなる関係から、プラズマ温度の
低下は析出速度を減退させる因となる。したがって、プ
ラズマトーチ内圧力ｃｒ　ｔ）と生成チャンバー内圧力
（Ｐｃ）間に過度の差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）を与えることは
断熱膨張によるプラズマガスの温度低下を著しくし、ダ
イヤモンドの析出速度を減退させる結果を招く。

本発明によれば、上記した構成要件を満足させることに
よりプラズマ単位面積当たりにおける活性種が相対的に
増加し、これがダイヤモンド析出反応の速度を増大する
ために機能する。このような作用を介して良質のダイヤ
モンドを効率的に生成させることが可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を比較例と対比して説明する。

実施例１ 第１図に示した構造の高周波熱プラズマ型のダイヤモン
ド合成装置を用い、内径（Ｄｔ）５０−のプラズマトー
チ１と生成チャンバー２との間に内径（Ｄｎ）８−１１
の絞りノズル１１を設！して（［ｌｔ／Ｄｎ）比を６．
２５に設定した。生成チャンバー２内には、モリブデン
基体１０をセットした。ガス供給装置４から配管を通じ
てアルゴンガスを５０２／戴ｉｎ、水素ガスを４４！／
ｓｉｎの各流量で導入した。ついで電源周波数４Ｍ）Ｉ
ｚ、真空管電力４３に−の条件で高周波プラズマを発生
させたのち、炭化水素ガスとしてメタンガスを０．２１
　／ｗｉｎの流量でプラズマトーチｌ内に導入した。

この状態で系内の圧力条件は、プラズマトーチ内圧力（
Ｐｔ）が８００Ｔｏｒｒ、生成チャンバー内圧力（ＤＣ
）が７６０Ｔｏｒｒで、これらの差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）は
４０Ｔｏｒｒであった。また、基体温度は９７０℃であ
った。

上記の条件で基体面にダイヤモンド膜を生成させたとこ
ろ、６０分間で６４０μ園の樹枝状ダイヤモンドが析出
した。

生成したダイヤモンドの結晶状態は第２図の電子顕微鏡
（ＳＥＭ）写真に示すように、自形の鮮明なダイヤモン
ド結晶であった。

実施例２ 実施例１と同一構造の装置を用い、ガス流量をアルゴン
ガス：　５５　ｊ！　／ｓｉｎ、水素ガス：　ｈ　ｌ　
／ｇ＋ｉｎ、メタンガス：０．４１／■ｉｎとし、真空
管電力を６３ＫＨに設定したほかは実施例］と同様にし
てダイヤモンドを合成した。この例での圧力条件は、プ
ラズマトーチ内圧力（丁ｐ）　：　８２７Ｔｏｒｒ　、
　ｌｉ成チャンバー内圧力（Ｃｐ）　：　７６０Ｔｏｒ
ｒ　、差圧（Ｔｐ−Ｃｐ）　　：　６７Ｔｏｒｒであり
、基体温度は９９０℃であった。

上記の条件で基体面にダイヤモンド膜を生成させたとこ
ろ、７０分間で９４５μｍという高い析出速度で第３図
の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真に示されるような樹枝状ダ
イヤモンドが得られた。

実施例３ プラズマトーチの内径（Ｔｄ）を５０μｗ、絞りノズル
の内径（Ｎｄ）を１２−一として、これらの比（↑ｄ／
Ｎｄ）を４．１７に設定した第１図の装置を用い、ガス
流量および高周波プラズマ発生条件を実施例１と同一と
してダイヤモンド合成をおこなった。この例では排気口
３から系内を強制排気し、圧力条件をプラズマトーチ内
圧力（Ｔｐ）　：　６７０Ｔｏｒｒ　、生成チャンバー
内圧力（Ｃｐ）　：　６５８Ｔｏｒｒ　、差圧（Ｔｐ　
　Ｃｐ）　　：　１２Ｔ。

ｒｒに調整した。基体温度は９６０℃であった。

この条件で基体面にダイヤモンド膜を生成させたところ
、６０分間で４００μ−の樹枝状ダイヤモンドが析出し
た。生成したダイヤモンドの結晶状態は第４図の電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真に示すように自形の鮮明な良質のも
のであった。

比較例１ プラズマトーチの内径（Ｔｄ）を５０１、絞りノズルの
内径（Ｎｄ）を４３−とじ、これらの比（Ｔｄ／Ｎｄ）
を１゜１６に設定した第１図の装置を用い、系内を強制
排気しながら次の条件でダイヤモンド合成をおこなった
。

ガス流量：アルゴンガス５０　ｆ／ｗｉｎ、水素ガス４
　Ｉ！、／ｍｆ、メタンガス０．２１Ｌ　／ｓｉｎプラ
ズマ発生：実施例１と同一 基体温度：９４０℃ 系内圧カニプラズマトーチ内圧力（丁ｐ）　６７０Ｔｏ
ｒｒ、生成チャンバー内圧力（Ｃｐ）　６６９．３Ｔｏ
ｒｒ。

差圧（Ｔｐ−Ｃｐ）　０．７　Ｔｏｒｒ上記の条件で基
体面にダイヤモンド膜を生成させたところ、均一で硬質
なダイヤモンドが析出したが、析出速度は６０分間で６
０μ−と低いものであった。

比較例２ プラズマトーチの内径（Ｔｄ）を５（ｈａｍ、絞りノズ
ルの内径（Ｎｄ）を３．８ｍｍとし、これらの比（Ｔｄ
／Ｎｄ）を１３．１に設定した第１図の装置を用い、系
内を強制排気しながら次の条件でダイヤモンドを合成し
た。

ガス流量：アルゴンガス４０ｊ！／■ｉｎ、水素ガス４
１　／−ｉｎ、メタンガス０．２４！／ｓｉｎプラズマ
発生：実施例１と同一 基体温度：９５０℃ 系内圧カニプラズマトーチ内圧力（丁ρ）　６７９Ｔｏ
ｒｒ、生成チャンバー内圧力（Ｃｐ）　　２０Ｔｏｒｒ
、差圧（Ｔｐ　　Ｃｐ）　６５９　Ｔｏｒｒ上記の条件
で基体面にダイヤモンド膜を生成させたところ、析出量
は６０分間で２５μ霞であり極めて低位の析出速度であ
った。

〔発明の効果〕

以上のとおり、本発明に従えば特定された系内圧力条件
を設定することにより炭化水素ガスを原料とした高周波
プラズマ法を用いて良質のダイヤモンドを高速合成する
ことができ、その析出速度はアークプラズマ法に匹敵す
る水準まで向上している。したがって、工業的な合成ダ
イヤモンドの製造手段として存効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施に適用される高周波プラズマ型ダ
イヤモンド合成装置を例示した断面略図、第２図は実施
例１で合成されたダイヤモンド結晶の電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）写真（拡大倍率：　３６８０倍）、第３図は実施例
２で合成されたダイヤモンド結晶の電子顕微鏡（ＳＥＭ
）写真（拡大倍率：３４４０倍）、第４図は実施例３で
合成されたダイヤモンド結晶の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写
真（拡大倍率：　１４９０倍）である。 １・・・プラズマトーチ　　２・・・生成チャンバー３
・・・排気口　　　　　　４・・・ガス供給装置５・・
・バルブ　　　　　　６・・・ガス噴射ノズル７・・・
高周波電源　　　　８・・・ワークコイル９・・・水冷
ホルダー　　１０・・・基体１１・・・絞りノズル Ｔｄ・・・プラズマトーチ内径 Ｎｄ・・・絞りノズル内径 出願人　　東海カーボン株式会社 代理人　弁理士　高　畑　正　也 第 図 第 図 第４ 手続補正書 （自発） 平成２年３月１５日 事件の表示 平成２年特許願第１０２１、 発明の名称 ダイヤモンドの合成方法 補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都港区北青山−丁目２番３号名称　東海
カーボン株式会社 取締役社長　　伊　ｒｉｉｗ二部 ４、代理人 住所 〒１７１ 東京都豊島区目白−丁目７番１４号 目白久保ビル２Ｆ 補正の対象 （１）明細書第５頁、１９行目の「・・・圧力要件を・
・・」を、「・・・圧力条件を・・・」に補正する。 （２）明細書第９頁、１０行目の「・・・単位面積当た
りに・・・」を、「・・・単位体積当たりに・・・Ｊに
補正する。 （３）明細書第１０頁、１２行目から１３行目の「・・
・生成チャンバー内圧力（Ｄｃ）が・・・」を、「・・
・生成チャンバー内圧力（Ｐｃ）が・・・」に補正する
。 （４）明細書第１Ｏ頁、１８行目から１９行目の「・・
・第２図の電子顕微鏡・・・」を、「・・・第２図の走
査電子顕微鏡・・・Ｊに補正する。 （５）明細書第１１頁、３行目の「・・・水素ガス＝８
ｍｊ！／ｓｉｎ、　”Ｊを、「・・・水素ガス：　８１
！７ｓｉｎ、　−ノに補正する。 明細書第１ １頁、 ７行目の「・・・圧力（Ｔｐ）・・・Ｊを、 「・・・圧力（Ｐ（）・・・」に補正する。 を・・・」に補正する。 （７）明細書第１１頁、８行目の「・・・圧力（Ｃｐ）
・・・」を、「・・・圧力（Ｐｃ）・・・」に補正する
。 （８）明細書第１１頁、８行目の「・・・差圧（Ｔｐ　
−Ｃｐ）・・・」を、「・・・差圧（Ｐｔ−ＰＣ）・・
・」に補正する。 （９）明細書第１Ｉ頁、１２行目の「第３図の電子顕微
鏡・・・」を、「第３図の走査電子顕微鏡・・・」に補
正する。 （１３）明細書第１２頁、１行目の「・・・圧力（Ｔｐ
）：６７０Ｔｏｒｒ　、・−Ｊを、「・・・圧力（ＰＬ
）　ｓ　６７０Ｔｏｒｒ　、　＝−Ｊに補正する。 （１４）明細書第１２頁、２行目の「・・・圧力（Ｃｐ
）・・・」を、「・・・圧力（Ｐｃ）・・・」に補正す
る。 （１５）明細書第１２頁、２行目の「・・・差圧（Ｔｐ
　−Ｃｐ）・・・」を、「・・・差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）・
・・」に補正する。 （１０）明細書第１１頁、１５行目の「・・・内径（Ｔ
ｄ）を・・・」を、「・・・内径（Ｄｔ）を・・・」に
補正する。 （１１）明輻書第１１頁、１６行目の「・・・内径（Ｎ
ｄ）・・・」を、「・・・内径（Ｄｏ）・・・ノに補正
する。 （１２）明細書第１１頁、 比（Ｔｄ／Ｎｄ）を・・・」を、 １６行目の「・・・これらの 「・・・これらの比（Ｄｔ／Ｄｎ） （１６）明細書第１２頁、７行目の「・・・第４図の電
子顕微鏡・・・」を、「用第４図の走査電子顕微鏡・・
・」に補正する。 （１７）明細書第１２頁、１０行目の「・・・内径（Ｔ
ｄ）を・・・」を、「・・・内径（Ｄｔ）を・・・Ｊに
補正する。 （１Ｂ） 明細書第１２頁、 １行目の「・・・内径（Ｎｄ） を・・・Ｊを、 「・・・内径（Ｄｎ）を・・・」に補正する。 （２５）明細書第１３頁、８行目の「・・・内径（Ｎｄ
）を・・・」を、「・・・内径（Ｏｎ）・・・」に補正
する。 （工９）明細書第１２頁、１１行目の「・・・これらの
比（Ｔｄ／Ｎｄ）を・・・」を、「・・・これらの比（
Ｄｔ／Ｄｎ）を・・・」に補正する。 （２６）明細書第１３頁、８行目の「・・・これらの比
（↑ｄ／Ｎｄ）を」を、［・・・これらの比（Ｄ　ｔ／
口ｎ）を」に補正する。 （２０）明細書第１２頁、１９行目の［・・・圧力（Ｔ
ｐ）・・・Ｊを、「・・・圧力（Ｐ　ｔ）・・・Ｊに補
正する。 （２７）明細書第１３頁、１５行目の「・・・圧力（Ｔ
ｐ）・・・」を、「・・・圧力（Ｐ　ｔ）・・・Ｊに補
正する。 （２１）明細書第１２頁、２０行目の「・・・圧力（Ｃ
ｐ）・・・」を、「・・・圧力（Ｐｃ）・・・」に補正
する。 （２８）明細書第１３頁、１６行目の「・・・圧力（Ｃ
ｐ）・・・」を、「・・・圧力（Ｐｃ）・・・」に補正
する。 （２２）明細書第１３頁、１行目の「・・・差圧（Ｔｐ
　−Ｃｐ）・・・」を、［・・・差圧（Ｐ　ｔ　−Ｐｃ
）・・・」に補正する。 （２３）明細書第１３頁、３行目の「・・・均一で硬質
な・・・」を、「・・・均一で良質な・・・」に補正す
る。 （２９）明細書第１３頁、１７行目の「差圧（Ｔｐ　−
Ｃｐ）　６５９　Ｔｏｒｒ」を、「差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）
　６５９　Ｔｏｒｒ」に補正する。 （２４）明細書第１３頁、７行目の「・・・内径（Ｔｄ
）を・・・ノを、「・・・内径（Ｄ　ｔ）を・・・」に
補正する。 （３０）明細書第１４頁、１３行目の「・・・電子顕微
鏡・・・」を、「・・・走査電子顕微鏡・・・」に補正
する。 （３１）明細書の第１４頁、１３行目の「・・・（拡大
倍率：３６８０．を、「・・・（拡大倍率：　　３６８
Ｊに補正に補正する。 する。 （３２）明細書第１４頁、１５行目の「・・・電子顕微
鏡・・・」を、「・・・走査電子顕微鏡・・・Ｊに補正
する。 （３７）明細書第１５頁、７行目のｒＮｄ・・・絞りノ
ズル内径」をｒＤｎ・・・絞りノズル内径」に補正する
。 以 上 （３３）明細書第１４頁、１６行目の’・３４４０倍）
、・・・」を、「・・・３４４倍）、・・・」に補正す
る。 （３４）明細書第１４頁、１７行目の「・・・電子顕微
鏡・・・」を、「・・・走査電子顕微鏡・・・」に補正
する。 （３５）明細書第１４頁、１８行目（７）ｒ、、、率：
　１４９０倍）、・・・」を、「・・・率：１４９倍）
、・・・」に補正す（３６）明細書第１５頁、６行目の
ｒＴｄ・・・プラズマトーチ内径」をｒＤｔ・・・プラ
ズマトーチ内径」手続補正書（自発） ２５発明の名称 ダイヤモンドの合成方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 性　所　　東京都港区北青山−丁目２番３号名　称　東
海カーボン株式会社 取締役社長　三文字　昌　久 ４、代理人　〒１７１ 住所 東京都豊島区目白−丁目７番１４号 目白久保ビル２Ｆ ５、補正命令の日付 ｉＬＨ”：４％ね芒送旧付 平成２年３月１５日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．プラズマトーチ内で希ガスと水素とからなる作動ガ
   スに高周波熱プラズマを発生させ、これに炭化水素ガス
   を導入して引き続く生成チャンバーにおいてＣＶＤによ
   り基体面にダイヤモンドを析出する方法において、プラ
   ズマトーチ内圧力（Ｐｔ）を２００〜２０００Ｔｏｒｒ
   、生成チャンバー内圧力（Ｐｃ）を１５０〜１９９０Ｔ
   ｏｒｒし、かつこれらの差圧（Ｐｔ−Ｐｃ）を１〜５０
   ０Ｔｏｒｒの範囲に設定することを特徴とするダイヤモ
   ンドの合成方法。
2. ２．プラズマトーチの内径（Ｄｔ）と前記プラズマトー
   チと生成チャンバー間の絞りノズル内径（Ｄｎ）との比
   （Ｄｔ／Ｄｎ）を１．２０〜１２．５の範囲に設定する
   請求項１記載のダイヤモンドの合成方法。