JPH04103758A - 合金薄膜の形成方法 - Google Patents
合金薄膜の形成方法Info
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- JPH04103758A JPH04103758A JP21892890A JP21892890A JPH04103758A JP H04103758 A JPH04103758 A JP H04103758A JP 21892890 A JP21892890 A JP 21892890A JP 21892890 A JP21892890 A JP 21892890A JP H04103758 A JPH04103758 A JP H04103758A
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Landscapes
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は合金薄膜の形成方法に関するものである。
例えば半導体素子等の電極や回路配線等に用いられる金
属として、Ａｉｄ（アルミニウム）があり、このＡ１１
の薄膜は、スパッタリング法等の物理的気相成長法また
はメツキ法等によってガラス基板面等の被堆積面に形成
されている。しかし、このＡ、Ｑ薄膜は、導電性が高く
かつ安価である反面、ＡＮ薄膜を形成した後の絶縁膜堆
積工程等に際して数百度に加熱されると、Ａｎ）薄膜の
表面が荒れてヒロックと呼ばれる突起が発生し、ＡＩ薄
膜の上の絶縁膜等を破壊してしまうという問題をもって
いる。
属として、Ａｉｄ（アルミニウム）があり、このＡ１１
の薄膜は、スパッタリング法等の物理的気相成長法また
はメツキ法等によってガラス基板面等の被堆積面に形成
されている。しかし、このＡ、Ｑ薄膜は、導電性が高く
かつ安価である反面、ＡＮ薄膜を形成した後の絶縁膜堆
積工程等に際して数百度に加熱されると、Ａｎ）薄膜の
表面が荒れてヒロックと呼ばれる突起が発生し、ＡＩ薄
膜の上の絶縁膜等を破壊してしまうという問題をもって
いる。
このため従来から、Ａｌｌに少量のＴｉ （チタン）
またはＴａ （タンタル）等の異種の金属を含有させ
てＡ、Ｑ合金とすることが考えられており、このＡｎ）
合金の薄膜は、純粋なＡ１１）薄膜に比べると低効率は
僅かに高くなるが、加熱による表面の荒れはほとんど発
生しないという利点をもっている。
またはＴａ （タンタル）等の異種の金属を含有させ
てＡ、Ｑ合金とすることが考えられており、このＡｎ）
合金の薄膜は、純粋なＡ１１）薄膜に比べると低効率は
僅かに高くなるが、加熱による表面の荒れはほとんど発
生しないという利点をもっている。
ところで、このＡ、Ｑ合金薄膜は、スパッタリング法等
の物理的気相成長法によって形成されており、この物理
的気相成長法によるＡρ合金薄膜の形成には、従来、次
のようなターゲット材が用いられている。
の物理的気相成長法によって形成されており、この物理
的気相成長法によるＡρ合金薄膜の形成には、従来、次
のようなターゲット材が用いられている。
第３図〜第６図はそれぞれ従来のターゲット材を示して
おり、ここでは、Ａｌ−Ｔｉ合金薄膜の形成に用いられ
るものを示している。
おり、ここでは、Ａｌ−Ｔｉ合金薄膜の形成に用いられ
るものを示している。
第３図に示すターゲット材１は、ＡΩターゲットａの上
に複数本の棒状Ｔｉチップｂを適当間隔で載置したもの
であり、第４図に示すターゲット材２は、ＡΩターゲッ
トａに複数の溝を設けて、この各溝内にそれぞれ棒状Ｔ
ｉチップｂを埋込んだものである。これらターゲット材
１，２のＴｉチップｂの数は、形成するＡ、９−Ｔｉ合
金薄膜のＴｉ含有量に応じて決められている。
に複数本の棒状Ｔｉチップｂを適当間隔で載置したもの
であり、第４図に示すターゲット材２は、ＡΩターゲッ
トａに複数の溝を設けて、この各溝内にそれぞれ棒状Ｔ
ｉチップｂを埋込んだものである。これらターゲット材
１，２のＴｉチップｂの数は、形成するＡ、９−Ｔｉ合
金薄膜のＴｉ含有量に応じて決められている。
また、第５図に示すターゲット材３は、Ａｇ粒と、Ａｇ
−Ｔｆ金金属間化合物色を所定割合で混合したものを加
圧成形して焼結したものである。
−Ｔｆ金金属間化合物色を所定割合で混合したものを加
圧成形して焼結したものである。
さらに第６図に示したターゲット材４は、ＡｇとＡｇ３
Ｔｉとの合金であり、このターゲット材４は、ＡＮ
ＡＮ ３ Ｔ ｉ合金インゴットを所定のターゲットサ
イズに切断したものである。
Ｔｉとの合金であり、このターゲット材４は、ＡＮ
ＡＮ ３ Ｔ ｉ合金インゴットを所定のターゲットサ
イズに切断したものである。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかしながら、第３図および第４図に示したターゲット
材１，２を用いる物理的気相成長法では、被堆積面に堆
積するＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜のＴｉ含有量が、Ｔｉチッ
プｂが対向している部分と他の部分とで異なり、したか
って均質なＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜が得られないという問
題をもっている。
材１，２を用いる物理的気相成長法では、被堆積面に堆
積するＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜のＴｉ含有量が、Ｔｉチッ
プｂが対向している部分と他の部分とで異なり、したか
って均質なＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜が得られないという問
題をもっている。
一方、第５図に示したターゲット材３を用いる物理的気
相成長法では、Ｔｉ含有量がほぼ均一なＡ、Ｑ−Ｔｉ合
金薄膜が得られるが、このターゲット材３は焼結晶であ
るため、空気やその他の不純物を含んでおり、したがっ
て、純度の高いＡｇ−Ｔｉ合金薄膜を得ることができな
いという重大な欠点をもっている。
相成長法では、Ｔｉ含有量がほぼ均一なＡ、Ｑ−Ｔｉ合
金薄膜が得られるが、このターゲット材３は焼結晶であ
るため、空気やその他の不純物を含んでおり、したがっ
て、純度の高いＡｇ−Ｔｉ合金薄膜を得ることができな
いという重大な欠点をもっている。
また、第６図に示したターゲット材４を用いる物理的気
相成長法では、Ｔｉ含有量が２〜３重量重量％具下の極
く微量なＡ、７７−７４合金薄膜を形成する場合は、は
ぼ均質な合金薄膜を得ることができるが、Ｔｉ含有量の
多いＡＮ−Ｔｉ合金薄膜を形成する場合は、均質な合金
薄膜を再現性よく形成することができないという問題を
もっている。
相成長法では、Ｔｉ含有量が２〜３重量重量％具下の極
く微量なＡ、７７−７４合金薄膜を形成する場合は、は
ぼ均質な合金薄膜を得ることができるが、Ｔｉ含有量の
多いＡＮ−Ｔｉ合金薄膜を形成する場合は、均質な合金
薄膜を再現性よく形成することができないという問題を
もっている。
これは、ターゲット材４の切出し母材であるＡ１１ＡＪ
７ 、Ｔｉ合金インゴットを鋳造する際の偏析によるも
のである。すなわち、ＡＭ Ａｎ ３ Ｔ ｉ合金イ
ンゴットは、鋳型内にＡ、ＱとＴｉの溶湯を注入し、こ
れを徐冷して鋳造されるが、この場合、溶湯中のＴｉ含
有量は均一であるものの、鋳型内の溶湯は外周部から凝
固して結晶化して行くため、この溶湯の凝固過程で、溶
融状態にある内部に、Ａｊｌｌだけの領域とＡ ｌ）
Ａ ｐ ｓ Ｔ ｉ合金の領域とが偏析する。この偏
析は、Ｔｉ含有量が２〜３重量重量％具下ではほとんど
発生しないが、Ｔｉ含有量を多くすると、偏析の発生す
る。このため、鋳造されたインゴットは、その表層部の
Ｔｉ含有量は均一であるが、内部のＴｉ含有量は不均一
となっている。そして、第６図に示したターゲット材４
は、このようなインゴットから切出されたものであるた
め、インゴットの表層部から切出されたターゲット材は
均質であるが、インゴットの中層部から切出されたター
ゲット材のＴｉ含有量は不均一である。したかって、形
成されるＡ１１−７４合金薄膜の膜質は、ターゲット４
ごとに異なり、均質な合金薄膜を再現性よく形成するこ
とができない。
７ 、Ｔｉ合金インゴットを鋳造する際の偏析によるも
のである。すなわち、ＡＭ Ａｎ ３ Ｔ ｉ合金イ
ンゴットは、鋳型内にＡ、ＱとＴｉの溶湯を注入し、こ
れを徐冷して鋳造されるが、この場合、溶湯中のＴｉ含
有量は均一であるものの、鋳型内の溶湯は外周部から凝
固して結晶化して行くため、この溶湯の凝固過程で、溶
融状態にある内部に、Ａｊｌｌだけの領域とＡ ｌ）
Ａ ｐ ｓ Ｔ ｉ合金の領域とが偏析する。この偏
析は、Ｔｉ含有量が２〜３重量重量％具下ではほとんど
発生しないが、Ｔｉ含有量を多くすると、偏析の発生す
る。このため、鋳造されたインゴットは、その表層部の
Ｔｉ含有量は均一であるが、内部のＴｉ含有量は不均一
となっている。そして、第６図に示したターゲット材４
は、このようなインゴットから切出されたものであるた
め、インゴットの表層部から切出されたターゲット材は
均質であるが、インゴットの中層部から切出されたター
ゲット材のＴｉ含有量は不均一である。したかって、形
成されるＡ１１−７４合金薄膜の膜質は、ターゲット４
ごとに異なり、均質な合金薄膜を再現性よく形成するこ
とができない。
なお、ここでは、Ａｌ−Ｔｉ合金薄膜を形成する場合に
ついて説明したが、従来は、Ａｇ−Ｔａ合金等のＡｆｆ
合金薄膜、あるいはＡｆｉｆ外の金属と異種金属との合
金薄膜を物理的気相成長法によって形成する場合にも、
第３図〜第６図に示したものと同様なターゲット材を用
いているため、これらの合金薄膜の形成においても上述
した問題を生じていた。
ついて説明したが、従来は、Ａｇ−Ｔａ合金等のＡｆｆ
合金薄膜、あるいはＡｆｉｆ外の金属と異種金属との合
金薄膜を物理的気相成長法によって形成する場合にも、
第３図〜第６図に示したものと同様なターゲット材を用
いているため、これらの合金薄膜の形成においても上述
した問題を生じていた。
本発明はこのような実情にかんがみてなされたものであ
って、その目的とするところは、純度が高くかつ組成の
均質な合金薄膜を再現性よく得ることができる合金薄膜
の形成方法を提供することにある。
って、その目的とするところは、純度が高くかつ組成の
均質な合金薄膜を再現性よく得ることができる合金薄膜
の形成方法を提供することにある。
本発明は、非晶質合金をターゲット材とし、物理的気相
成長法により被堆積面に合金薄膜を堆積させることを特
徴とするものである。
成長法により被堆積面に合金薄膜を堆積させることを特
徴とするものである。
本発明は、例えばへΩ−Ｔｊ合金薄膜の形成に適用され
るもので、被堆積面に堆積させる合金薄膜をＡ１１−Ｔ
ｉ合金薄膜とする場合は、ターゲット材として非晶質の
ＡＩ−Ｔｉ合金を用いる。
るもので、被堆積面に堆積させる合金薄膜をＡ１１−Ｔ
ｉ合金薄膜とする場合は、ターゲット材として非晶質の
ＡＩ−Ｔｉ合金を用いる。
すなわち、本発明は、ターゲット材として非晶質合金を
用いたものであり、この非晶質合金は、空気やその他の
不純物を含んでおらず、また組成的にも均質であるから
、この非晶質合金をターゲット材として物理的気相成長
法により堆積された合金薄膜は、純度が高くかつ組成も
均質であるし、その再現性もよい。
用いたものであり、この非晶質合金は、空気やその他の
不純物を含んでおらず、また組成的にも均質であるから
、この非晶質合金をターゲット材として物理的気相成長
法により堆積された合金薄膜は、純度が高くかつ組成も
均質であるし、その再現性もよい。
以下、本発明の一実施例を、Ａ、ｌ！−Ｔｉ合金薄膜の
形成を例にとって第１図および第２図を参照し説明する
。
形成を例にとって第１図および第２図を参照し説明する
。
第１図はＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜を物理的気相成長法によ
り堆積させるための装置と示しており、ここではスパッ
タ装置を示している。第２図はＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜の
堆積に使用するターゲット材の一部分の拡大断面図であ
る。
り堆積させるための装置と示しており、ここではスパッ
タ装置を示している。第２図はＡ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜の
堆積に使用するターゲット材の一部分の拡大断面図であ
る。
まず、第１図に示したスパッタ装置の構成を説明すると
、図中１０はスパッタ室であり、このスパッタ室１０に
は、排気ポンプ１１および補助ポンプ１２が接続されて
いる。そして、このスパッタ室１０内には、スパッタガ
ス導入管１３から例えばアルゴン（Ａｒ）ガス等のスパ
ッタガスが導入されており、このガス圧は１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒ程度に制御されている。またスパッタ室１０内の底
部には、ヒータ１５を備えた基台１４が設けられており
、Ａ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜を堆積させる被堆積体（例えば
ガラス基板）Ａは、その被堆積面を上に向けて前記基台
１４上に載置され、ヒータ１５によって所定の温度に加
熱されている。一方、スパッタ室］○内の上部には、後
述するテープ状ターゲット２０にその裏面側から当接す
るバッキングプレート１６が、前記基台１４に対向させ
て水平に配置されており、このバッキングプレート１６
には、スパッタ電源１７が接続されている。また、この
バッキングプレート１６の背後には、Ｓ極の周囲をＮ極
で囲んだ形状の磁石（永久磁石）１７が設けられており
、さらに、前記基台１４とバッキングプレート１６との
間には、枠状のアノード１８が水平に配置されている。
、図中１０はスパッタ室であり、このスパッタ室１０に
は、排気ポンプ１１および補助ポンプ１２が接続されて
いる。そして、このスパッタ室１０内には、スパッタガ
ス導入管１３から例えばアルゴン（Ａｒ）ガス等のスパ
ッタガスが導入されており、このガス圧は１Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒ程度に制御されている。またスパッタ室１０内の底
部には、ヒータ１５を備えた基台１４が設けられており
、Ａ、Ｑ−Ｔｉ合金薄膜を堆積させる被堆積体（例えば
ガラス基板）Ａは、その被堆積面を上に向けて前記基台
１４上に載置され、ヒータ１５によって所定の温度に加
熱されている。一方、スパッタ室］○内の上部には、後
述するテープ状ターゲット２０にその裏面側から当接す
るバッキングプレート１６が、前記基台１４に対向させ
て水平に配置されており、このバッキングプレート１６
には、スパッタ電源１７が接続されている。また、この
バッキングプレート１６の背後には、Ｓ極の周囲をＮ極
で囲んだ形状の磁石（永久磁石）１７が設けられており
、さらに、前記基台１４とバッキングプレート１６との
間には、枠状のアノード１８が水平に配置されている。
前記テープ状ターゲット２０について説明すると、この
テープ状ターゲット２０は、第２図に示すように、銅箔
等からなる熱伝導率の高いベーステープ２１の表面に箔
状のターゲット材２２を形成したもので、このターゲッ
ト材２２は、非晶質（アモルファス状態）のＡ１１−Ｔ
ｉ合金とされている。この非晶質Ａｎ）−Ｔｉ合金は、
前記ベーステープ２１を送りながらその表面に、Ａｌ１
にＴｉを所定の割合で含有させた溶湯を吹付け、これを
ベーステープ２１の裏面側から水冷等によって急冷して
形成されたものである。
テープ状ターゲット２０は、第２図に示すように、銅箔
等からなる熱伝導率の高いベーステープ２１の表面に箔
状のターゲット材２２を形成したもので、このターゲッ
ト材２２は、非晶質（アモルファス状態）のＡ１１−Ｔ
ｉ合金とされている。この非晶質Ａｎ）−Ｔｉ合金は、
前記ベーステープ２１を送りながらその表面に、Ａｌ１
にＴｉを所定の割合で含有させた溶湯を吹付け、これを
ベーステープ２１の裏面側から水冷等によって急冷して
形成されたものである。
そして、このテープ状ターゲット２０は、その表面、つ
まりターゲット材２２を形成した面を外側にして第１図
に示したリール２３に巻かれており、このリール２３は
、スパッタ室１０内の上部にバッキングプレート１６の
一側に位置させて回転可能に軸支されている。また、バ
ッキングプレート１６の他側には、テープ状ターゲット
２０を巻取る巻取リール２４が設けられており、テープ
状ターゲッ）２０は、巻取リール２４を巻取駆動するこ
とによって前記リール２３から繰出され、バッキングプ
レート１６の下を、ターゲット材２２形成面が被堆積体
Ａに対向する下向き状態で送られる。このテープ状ター
ゲット２０の送りは、スパッタリング中連続して行なわ
れる。
まりターゲット材２２を形成した面を外側にして第１図
に示したリール２３に巻かれており、このリール２３は
、スパッタ室１０内の上部にバッキングプレート１６の
一側に位置させて回転可能に軸支されている。また、バ
ッキングプレート１６の他側には、テープ状ターゲット
２０を巻取る巻取リール２４が設けられており、テープ
状ターゲッ）２０は、巻取リール２４を巻取駆動するこ
とによって前記リール２３から繰出され、バッキングプ
レート１６の下を、ターゲット材２２形成面が被堆積体
Ａに対向する下向き状態で送られる。このテープ状ター
ゲット２０の送りは、スパッタリング中連続して行なわ
れる。
次に、前記スパッタ装置による被堆積体ＡへのＡＩ−Ｔ
ｉ合金薄膜の堆積について説明すると、このＡＩ！−Ｔ
ｉ合金薄膜の堆積は、スパッタ電源１９からバッキング
プレート１４を介してテープ状ターゲット２０にスパッ
タ電力を供給することにより、テープ状ターゲット２０
とアノード１８との間に放電電流を流して行なわれるも
ので、放電電流を流すことにより発生したプラズマは、
磁石１７の磁界中に封じ込められ、このプラズマによっ
てテープ状ターゲット２０のターゲット材２２からスパ
ッタ粒子がスパッタされる。このスパッタ粒子は、テー
プ状ターゲット２０とアノード１８との間の電界によっ
て被堆積体Ａ方向に飛出し、アノード１８の開口を通っ
て被堆積体Ａ面に堆積する。なお、このスパッタリング
を行なうと、テープ状ターゲット２０のターゲット材２
２が溶損するが、テープ状ターゲット２０はスパッタリ
ング中連続して送られているため、被堆積体Ａには常に
新しいターゲット材２２からのスパッタ粒子か堆積する
。
ｉ合金薄膜の堆積について説明すると、このＡＩ！−Ｔ
ｉ合金薄膜の堆積は、スパッタ電源１９からバッキング
プレート１４を介してテープ状ターゲット２０にスパッ
タ電力を供給することにより、テープ状ターゲット２０
とアノード１８との間に放電電流を流して行なわれるも
ので、放電電流を流すことにより発生したプラズマは、
磁石１７の磁界中に封じ込められ、このプラズマによっ
てテープ状ターゲット２０のターゲット材２２からスパ
ッタ粒子がスパッタされる。このスパッタ粒子は、テー
プ状ターゲット２０とアノード１８との間の電界によっ
て被堆積体Ａ方向に飛出し、アノード１８の開口を通っ
て被堆積体Ａ面に堆積する。なお、このスパッタリング
を行なうと、テープ状ターゲット２０のターゲット材２
２が溶損するが、テープ状ターゲット２０はスパッタリ
ング中連続して送られているため、被堆積体Ａには常に
新しいターゲット材２２からのスパッタ粒子か堆積する
。
そして、このＡｇ−Ｔｉ合金薄膜の形成方法では、ター
ゲット材２２として非晶質Ａｊ７−Ｔｉ合金を用いてい
るため、純度が高くかつ組成も均質なＡｐ−Ｔｉ合金薄
膜を再現性よく被堆積体Ａ面に堆積させることができる
。すなわち、前記非晶質ＡΩ−Ｔｉ合金は、ベーステー
プ２１にＡｉｌにＴｊを所定の割合で含有させた溶湯を
吹付け、これを水冷等によって急冷して形成されたもの
であるため、空気やその他の不純物を含んでおらず、ま
た組成的にも均質であるから、この非晶質Ａ、Ｑ−Ｔｉ
合金をターゲット材２２としてスパッタリング法により
堆積されたＡＩ−Ｔｉ合金薄膜は、純度が高くかつ組成
も均質であるし、その再現性もよい。
ゲット材２２として非晶質Ａｊ７−Ｔｉ合金を用いてい
るため、純度が高くかつ組成も均質なＡｐ−Ｔｉ合金薄
膜を再現性よく被堆積体Ａ面に堆積させることができる
。すなわち、前記非晶質ＡΩ−Ｔｉ合金は、ベーステー
プ２１にＡｉｌにＴｊを所定の割合で含有させた溶湯を
吹付け、これを水冷等によって急冷して形成されたもの
であるため、空気やその他の不純物を含んでおらず、ま
た組成的にも均質であるから、この非晶質Ａ、Ｑ−Ｔｉ
合金をターゲット材２２としてスパッタリング法により
堆積されたＡＩ−Ｔｉ合金薄膜は、純度が高くかつ組成
も均質であるし、その再現性もよい。
なお、前記実施例では、Ａ、１ｌｌ−Ｔｉ合金薄膜の形
成について説明したが、本発明は、Ａ、Ｑ −Ｔａ合金
等のＡＮ合金薄膜、あるいはＡ、９以外の金属と異種金
属との合金薄膜を物理的気相成長法によって形成する場
合にも適用することができる。
成について説明したが、本発明は、Ａ、Ｑ −Ｔａ合金
等のＡＮ合金薄膜、あるいはＡ、９以外の金属と異種金
属との合金薄膜を物理的気相成長法によって形成する場
合にも適用することができる。
本発明は、非晶質合金をターゲット材とし、物理的気相
成長法により被堆積面に合金薄膜を堆積させるものであ
るから、純度が高くかつ組成の均質な合金薄膜を再現性
よく得ることができる。
成長法により被堆積面に合金薄膜を堆積させるものであ
るから、純度が高くかつ組成の均質な合金薄膜を再現性
よく得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示等・もので
、第１図は合金薄膜の堆積に使用するスパッタ装置の断
面図、第２図はターゲットの一部分の拡大断面図である
。第３図〜第６図はそれぞれ従来のターゲット材の断面
図である。 Ａ・・・被堆積体、２０・・・テープ状ターゲット、２
１・・・ベーステープ、２２・・・ターゲット材（非晶
質Ａ１１−Ｔｉ合金）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図 ｗ１４図 ＪＩ １図 Ｉｉ５図 第６図 ＩＩ２ｒｌｌＪ
、第１図は合金薄膜の堆積に使用するスパッタ装置の断
面図、第２図はターゲットの一部分の拡大断面図である
。第３図〜第６図はそれぞれ従来のターゲット材の断面
図である。 Ａ・・・被堆積体、２０・・・テープ状ターゲット、２
１・・・ベーステープ、２２・・・ターゲット材（非晶
質Ａ１１−Ｔｉ合金）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第３図 ｗ１４図 ＪＩ １図 Ｉｉ５図 第６図 ＩＩ２ｒｌｌＪ
Claims (2)
- （１）非晶質合金をターゲット材とし、物理的気相成長
法により被堆積面に合金薄膜を堆積させることを特徴と
する合金薄膜の形成方法。 - （２）被堆積面に堆積させる合金薄膜はＡｌ−Ｔｉ合金
薄膜であり、ターゲット材は非晶質のＡｌ−Ｔｉ合金で
あることを特徴とする請求項１に記載の合金薄膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892890A JP2934714B2 (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 合金薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21892890A JP2934714B2 (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 合金薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103758A true JPH04103758A (ja) | 1992-04-06 |
| JP2934714B2 JP2934714B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16727518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21892890A Expired - Lifetime JP2934714B2 (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 合金薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934714B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746436A1 (en) * | 1994-12-23 | 1996-12-11 | Johnson Matthey Electronics Inc | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP21892890A patent/JP2934714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746436A1 (en) * | 1994-12-23 | 1996-12-11 | Johnson Matthey Electronics Inc | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
| EP0746436A4 (en) * | 1994-12-23 | 1997-05-07 | Johnson Matthey Elect Inc | TARGET FOR ULTRA-FINE ORIENTATED GRAIN SPRAYING AND METHOD OF MANUFACTURE |
| US5780755A (en) * | 1994-12-23 | 1998-07-14 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
| US5809393A (en) * | 1994-12-23 | 1998-09-15 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
| EP1053810A2 (en) * | 1994-12-23 | 2000-11-22 | Johnson Matthey Electronics Inc | Sputtering target and method of making same |
| EP1053810A3 (en) * | 1994-12-23 | 2000-11-29 | Johnson Matthey Electronics Inc | Sputtering target and method of making same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2934714B2 (ja) | 1999-08-16 |
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