JPH04103009U - Monolithic microwave IC amplifier circuit - Google Patents
Monolithic microwave IC amplifier circuitInfo
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
Abstract
(57)【要約】
【構成】単位増幅器のＦＥＴのソース端子を縦続に順次
接続する伝送ラインを備え、この伝送ラインを少なくと
も２個所以上でボンディングワイヤにより接地する。
【効果】バイアホールを形成する工程が不用となり、半
導体チップの製造期間が短縮できる。また、コンストが
低減できる。
(57) [Summary] [Structure] A transmission line is provided which successively connects the source terminals of FETs of unit amplifiers in cascade, and this transmission line is grounded at at least two points using bonding wires. [Effect] The process of forming via holes is no longer necessary, and the manufacturing period for semiconductor chips can be shortened. Moreover, the cost can be reduced.
Description
【０００１】0001
本考案はモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路に関し、特に分布定数形のマイ クロ波増幅回路を形成するモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路に関する。 The present invention relates to monolithic microwave IC amplifier circuits, especially distributed constant type microwave IC amplifier circuits. The present invention relates to a monolithic microwave IC amplifier circuit forming a chrome wave amplifier circuit.
【０００２】0002
従来のこの種のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路は、図２に示すように、 半導体基板の層間絶縁膜にバイアホールＶＨ１〜ＶＨｎを形成し、各段の能動素 子であるＦＥＴＪ１〜Ｊｎのソース端子をそれぞれこのバイアホールＶＨ１〜Ｖ Ｈｎを介して接地していた。 A conventional monolithic microwave IC amplifier circuit of this type has the following structure, as shown in FIG. Via holes VH1 to VHn are formed in the interlayer insulating film of the semiconductor substrate, and the active elements at each stage are Connect the source terminals of child FETs J1 to Jn to these via holes VH1 to VH, respectively. It was grounded via Hn.
【０００３】0003
上述した従来のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路は、ＦＥＴのソース端子 の接地のために半導体基板の層間絶縁膜に形成したバイアホールが必要であるの で、バイアホール形成のための工程を必要とし、半導体チップ製造期間が長くな るとともに、コストが高いという欠点を有している。 The conventional monolithic microwave IC amplifier circuit described above has a source terminal of an FET. Via holes formed in the interlayer insulation film of the semiconductor substrate are required for grounding. This requires a process to form via holes, which lengthens the semiconductor chip manufacturing period. However, it also has the disadvantage of high cost.
【０００４】0004
本考案のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路は、半導体の基板上にＦＥＴと 分布定数回路からなる単位増幅器を縦続接続した分布定数形のマイクロ波増幅回 路を形成するモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路において、前記単位増幅器の 前記ＦＥＴのソース端子を縦続に順次接続する伝送ラインを備え、前記伝送ライ ンを少なくとも２個所以上でボンディングワイヤにより接地するものである。 The monolithic microwave IC amplifier circuit of this invention has FETs and FETs on a semiconductor substrate. A distributed constant type microwave amplification circuit in which unit amplifiers consisting of distributed constant circuits are connected in cascade. In the monolithic microwave IC amplifier circuit forming the unit amplifier, A transmission line is provided which sequentially connects the source terminals of the FETs in a cascading manner. The terminal is grounded at at least two locations using bonding wires.
【０００５】[0005]
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００６】 図１は本考案のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路の一実施例を示す図であ り、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はレイアウト図である。[0006] FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the monolithic microwave IC amplifier circuit of the present invention. (A) is a circuit diagram, and (B) is a layout diagram.
【０００７】 本実施例のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路はガリウム砒素基板に形成し た４段構成のものであり、図１に示すように、低損失の伝送ラインであるマイク ロストリップライン１を増幅回路を構成する能動素子であるＦＥＴＪ１〜Ｊ４の 配置に沿って配置し、ＦＥＴＪ１〜Ｊ４の各ソース端子をこれに接続し、ボンデ ィングワイヤＷ１〜Ｗ４により接地している。[0007] The monolithic microwave IC amplifier circuit of this example is formed on a gallium arsenide substrate. As shown in Figure 1, the microphone is a low-loss transmission line. The loss strip line 1 is connected to FETs J1 to J4, which are active elements constituting the amplifier circuit. Place it along the layout, connect each source terminal of FET J1 to J4 to this, and connect the bond The grounding wires W1 to W4 are used for grounding.
【０００８】 通常、この種のボンディングワイヤのインダクタンスは、線径３０μｍの金線 を用い、最短距離で接地した場合は約０．２μＨである。[0008] Usually, the inductance of this type of bonding wire is a gold wire with a wire diameter of 30 μm. When grounded at the shortest distance using , it is approximately 0.2 μH.
【０００９】 一方、１４０μｍの厚さのガリウム砒素基板に形成したバイアホールのインダ クタンスは、１つあたり約０．０５μＨである。[0009] On the other hand, the via holes formed in the gallium arsenide substrate with a thickness of 140 μm The ctance is approximately 0.05 μH each.
【００１０】 図１に示す本実施例の場合は、マイクロストリップライン１に、４つのＦＥＴ のソース端子を接続し、４本のボンディングワイヤＷ１〜Ｗ４により接地してい るので、総合のインダクタンスは約０．０５μＨとなり、ほぼ、バイアホールと 同等のインダクタンスにまで低下させることが可能である。0010 In the case of this embodiment shown in FIG. 1, there are four FETs in the microstrip line 1. Connect the source terminal of and ground using four bonding wires W1 to W4. Therefore, the total inductance is about 0.05 μH, which is almost equal to the via hole. It is possible to reduce the inductance to the same level.
【００１１】 以上、本考案の実施例を説明したが、本考案は上記実施例に限られることなく 種々の変形が可能である。[0011] Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. Various modifications are possible.
【００１２】 たとえば、本実施例では、増幅回路の段数は４段として説明したが、２段以上 の任意の段数においても、本考案の主旨を逸脱しない限り適用できることは勿論 である。0012 For example, in this embodiment, the number of stages of the amplifier circuit is four stages, but it is assumed that there are two or more stages. Of course, it can be applied to any number of stages as long as it does not depart from the spirit of the present invention. It is.
【００１３】[0013]
以上説明したように、本考案のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路は、単位 増幅器のＦＥＴのソース端子を縦続に順次接続する伝送ラインを備え、この伝送 ラインを少なくとも２個所以上でボンディングワイヤにより接地することにより 、接地インダクタンスをバイアホールと同等のインダクタンスにまで低下できる ので、バイアホールを形成する工程が不用となり、半導体チップの製造期間が短 縮できるという効果がある。また、コンストが低減できるという効果がある。 As explained above, the monolithic microwave IC amplifier circuit of the present invention has a unit of A transmission line is provided that sequentially connects the source terminals of the FETs of the amplifier, and this transmission By grounding the line with bonding wires in at least two places , the grounding inductance can be reduced to the same inductance as a via hole. This eliminates the need for the process of forming via holes, shortening the manufacturing period for semiconductor chips. It has the effect of being able to shrink. Further, there is an effect that the cost can be reduced.
【図１】本考案のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路
の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a monolithic microwave IC amplifier circuit of the present invention.
【図２】従来のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回路の
一例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional monolithic microwave IC amplifier circuit.
１ マイクロストリップライン Ｊ１〜Ｊｎ ＦＥＴ ＶＨ１〜ＶＨｎ バイアホール Ｗ１〜Ｗ４ ボンディングワイヤ 1 Microstrip line J1~Jn FET VH1~VHn via hole W1~W4 Bonding wire
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 ──────────────────────────────────────────────── ─── Continued from front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 21/338
Claims (3)
からなる単位増幅器を縦続接続した分布定数形のマイク
ロ波増幅回路を形成するモノリシックマイクロ波ＩＣ増
幅回路において、前記単位増幅器の前記ＦＥＴのソース
端子を縦続に順次接続する伝送ラインを備え、前記伝送
ラインを少なくとも２個所以上でボンディングワイヤに
より接地することを特徴とするモノリシックマイクロ波
ＩＣ増幅回路。1. In a monolithic microwave IC amplifier circuit forming a distributed constant type microwave amplifier circuit in which unit amplifiers each consisting of an FET and a distributed constant circuit are connected in cascade on a semiconductor substrate, the source of the FET of the unit amplifier is 1. A monolithic microwave IC amplifier circuit, comprising a transmission line that connects terminals in series, and the transmission line is grounded at at least two points using bonding wires.
特徴とする請求項１記載のモノリシックマイクロ波ＩＣ
増幅回路。2. The monolithic microwave IC according to claim 1, wherein the semiconductor is gallium arsenide.
Amplification circuit.
たマイクロストリップラインで構成されることを特徴と
する請求項１記載のモノリシックマイクロ波ＩＣ増幅回
路。3. The monolithic microwave IC amplifier circuit according to claim 1, wherein the transmission line is a microstrip line formed on the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP499991U JPH04103009U (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Monolithic microwave IC amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP499991U JPH04103009U (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Monolithic microwave IC amplifier circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103009U true JPH04103009U (en) | 1992-09-04 |
Family
ID=31735216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP499991U Pending JPH04103009U (en) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | Monolithic microwave IC amplifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103009U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5200541B2 (en) * | 2005-10-24 | 2013-06-05 | 日本電気株式会社 | Distributed amplifier, integrated circuit and transceiver |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP499991U patent/JPH04103009U/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5200541B2 (en) * | 2005-10-24 | 2013-06-05 | 日本電気株式会社 | Distributed amplifier, integrated circuit and transceiver |
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