JPH04100848A - テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 - Google Patents
テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH04100848A JPH04100848A JP2219661A JP21966190A JPH04100848A JP H04100848 A JPH04100848 A JP H04100848A JP 2219661 A JP2219661 A JP 2219661A JP 21966190 A JP21966190 A JP 21966190A JP H04100848 A JPH04100848 A JP H04100848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- tape carrier
- semiconductor device
- type semiconductor
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims description 5
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 229920003987 resole Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 5
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体装置に係わり、特にテープボンディン
グ(Tape Automated Bonding
: T A B )法で接続されるテープキャリヤ型(
Tape CarrierPackage・TCP)半
導体装置およびこれに用いる樹脂組成物に関する。
グ(Tape Automated Bonding
: T A B )法で接続されるテープキャリヤ型(
Tape CarrierPackage・TCP)半
導体装置およびこれに用いる樹脂組成物に関する。
[従来の技術]
近年、ICカード、腕時計、電子手帳、カメラ、電子卓
上計算機、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、パー
ソナルコンピュータ等の電子機器が小型、薄型化するに
つれて機器内に組込まれる半導体装置も小型、薄型化の
要求が増加している。
上計算機、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、パー
ソナルコンピュータ等の電子機器が小型、薄型化するに
つれて機器内に組込まれる半導体装置も小型、薄型化の
要求が増加している。
このような半導体素子は、高集積化、多機能化が要求さ
れ、ビン数も多ビン化の傾向にある。
れ、ビン数も多ビン化の傾向にある。
こうした半導体装置の耐熱性、耐湿性、耐ヒートサイク
ル性等の各種信頼性の向上がますます強く望まれている
。
ル性等の各種信頼性の向上がますます強く望まれている
。
こうした前記信頼性を向上するために、液状エポキシ樹
脂を用いて半導体素子表面に保護層を形成する方法(特
開昭59−227146号公報)、該保護層に耐熱性が
優れたレゾール系フェノール樹脂を用いる方法(特開昭
59−200443号および同59−200444号公
報)、レゾール系フェノール樹脂に充填剤を配合して低
熱膨張化を図り、耐ヒートサイクル性を向上させる方法
(特開昭59−227146号公報)等が提案されてい
る。
脂を用いて半導体素子表面に保護層を形成する方法(特
開昭59−227146号公報)、該保護層に耐熱性が
優れたレゾール系フェノール樹脂を用いる方法(特開昭
59−200443号および同59−200444号公
報)、レゾール系フェノール樹脂に充填剤を配合して低
熱膨張化を図り、耐ヒートサイクル性を向上させる方法
(特開昭59−227146号公報)等が提案されてい
る。
また、製造装置の小型化、製造工程の短縮化等の生産性
向上に関しては、TAB方式によりTCP型半導体装置
を生産する方法が取り入れられている。
向上に関しては、TAB方式によりTCP型半導体装置
を生産する方法が取り入れられている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、前記従来技術において充填剤を配合した樹脂は
粘度が高く、硬化時にボイドが発生し易い。また、粘度
を下げるために溶剤を用いているが、硬化過程で溶剤が
揮発した後のレジンにクラックが生じると云う問題があ
った。
粘度が高く、硬化時にボイドが発生し易い。また、粘度
を下げるために溶剤を用いているが、硬化過程で溶剤が
揮発した後のレジンにクラックが生じると云う問題があ
った。
本発明の目的は、TAB方式のTCP型半導体装置、並
びに該半導体装置用の樹脂組成物を提供することにある
。
びに該半導体装置用の樹脂組成物を提供することにある
。
[課題を解決するための手段]
本発明者らはTCP型半導体装置に用いる樹脂組成物の
溶剤の蒸発速度と、TAB法における硬化後の前記TC
P型半導体装置の被覆樹脂の形状と該半導体装置の信頼
性試験との関係について種々検討を行なった。その結果
、前記目的を達成することができる本発明の要旨は、下
とのとおりである。
溶剤の蒸発速度と、TAB法における硬化後の前記TC
P型半導体装置の被覆樹脂の形状と該半導体装置の信頼
性試験との関係について種々検討を行なった。その結果
、前記目的を達成することができる本発明の要旨は、下
とのとおりである。
1、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少な(とも一部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリャ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.12重
量%/分以下の重量減少率を有することを特徴とするテ
ープキャリヤ型半導体装置およびこれに用いる樹脂組成
物。
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少な(とも一部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリャ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.12重
量%/分以下の重量減少率を有することを特徴とするテ
ープキャリヤ型半導体装置およびこれに用いる樹脂組成
物。
本発明の樹脂組成物として用いられる樹脂は、半導体封
止用として一般に用いられているクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂
、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が
用いられ、必要に応じて硬化促進剤、カップリング剤、
着色剤、難燃化剤等を加え、これらを溶解する溶剤で調
整する。
止用として一般に用いられているクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂
、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が
用いられ、必要に応じて硬化促進剤、カップリング剤、
着色剤、難燃化剤等を加え、これらを溶解する溶剤で調
整する。
また、充填剤を配合してもよい。
また、特に好ましい樹脂としては、下記の一般式(1)
または(II)で示される単位構造を有し、分子量が4
00〜3000のレゾール型フェノール樹脂である。
または(II)で示される単位構造を有し、分子量が4
00〜3000のレゾール型フェノール樹脂である。
(但し、R1はH、−CHI OCHl 。
R2は−CH,−、−CH20CH,−のいずれかを示
し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。
し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。
また、n、mは整数を示す。)
前記樹脂組成物は、硬化条件における乾燥速度が重量減
少率で 0.12重量%/分以下、好ましくは0.03
〜0.1重量%/分となるよう樹脂組成物中の溶剤の種
類、不揮発分との配合比を調節したものにある。
少率で 0.12重量%/分以下、好ましくは0.03
〜0.1重量%/分となるよう樹脂組成物中の溶剤の種
類、不揮発分との配合比を調節したものにある。
前記乾燥速度が0.12重量%/分より多くなると、樹
脂組成物の硬化が十分進行しないうちに乾燥するためク
ラック等が発生するので好ましくない。なお、乾燥速度
が0.03重量%/分より遅い場合には、樹脂が硬化す
る前に半導体素子の裏面に流出したり、該素子上で樹脂
層の厚さに偏りを生じたりするので好ましくない。
脂組成物の硬化が十分進行しないうちに乾燥するためク
ラック等が発生するので好ましくない。なお、乾燥速度
が0.03重量%/分より遅い場合には、樹脂が硬化す
る前に半導体素子の裏面に流出したり、該素子上で樹脂
層の厚さに偏りを生じたりするので好ましくない。
前記樹脂組成物の粘度は回転粘度計で5〜20ボイズ(
25℃、1rpm)であることが望ましい。粘度が20
ポイズより高いと短時間塗布が困難で実装時のネックと
なり、5ポイズより低いと流れ過ぎて素子裏面への回、
り込みが多くなる。
25℃、1rpm)であることが望ましい。粘度が20
ポイズより高いと短時間塗布が困難で実装時のネックと
なり、5ポイズより低いと流れ過ぎて素子裏面への回、
り込みが多くなる。
前記樹脂組成物の溶剤としては、ジアセトンアルコール
、n−ブチルアルコール、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサセン、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル等の2種以上の混合物が好ましく、
樹脂成分が溶解できるものを選択して用いる。
、n−ブチルアルコール、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサセン、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル等の2種以上の混合物が好ましく、
樹脂成分が溶解できるものを選択して用いる。
樹脂組成物に、充填剤を配合することにより硬化物の線
膨張係数を小さくすることかできる。該充填剤としては
、平均粒径0.5〜15μmで、充填剤の少なくとも9
0重量%以上が粒径0.1〜20μm、比表面積が2〜
10m”7gのものを用いる。該充填剤は硬化物のガラ
ス転移温度より低い温度において、その線膨張係数が0
.8〜2.2X l O’/’Cとなる量を配合するの
がよい。
膨張係数を小さくすることかできる。該充填剤としては
、平均粒径0.5〜15μmで、充填剤の少なくとも9
0重量%以上が粒径0.1〜20μm、比表面積が2〜
10m”7gのものを用いる。該充填剤は硬化物のガラ
ス転移温度より低い温度において、その線膨張係数が0
.8〜2.2X l O’/’Cとなる量を配合するの
がよい。
該充填剤を配合することにより半導体装置のヒートサイ
クル寿命を向上することができる。
クル寿命を向上することができる。
第1.3.4図は、樹脂組成物の被覆層を設けた半導体
装置の断面模式図を示す。
装置の断面模式図を示す。
第1図に示すように、本発明の樹脂組成物1により半導
体素子2の表面を被覆形成する場合には、半導体素子2
とテープキャリヤ4とのスリット部8に注入された樹脂
組成物の硬化後の表面形状が、僅かにへこんだ形状とな
る。
体素子2の表面を被覆形成する場合には、半導体素子2
とテープキャリヤ4とのスリット部8に注入された樹脂
組成物の硬化後の表面形状が、僅かにへこんだ形状とな
る。
前記に対し、第3図に示すように樹脂組成物の前記乾燥
速度よりも速く高粘度のものを用いた場合は、スリット
部8に樹脂組成物が十分注入されない。また、第4図に
示すように前記乾燥速度よりも遅く低粘度のものを用い
た場合は、スリット部8の樹脂が垂れ下がった形状とな
る。これらは、いずれも該スリット部8の硬化樹脂にク
ラックを生じ、半導体素子のAlパッドの腐食の原因と
なる。
速度よりも速く高粘度のものを用いた場合は、スリット
部8に樹脂組成物が十分注入されない。また、第4図に
示すように前記乾燥速度よりも遅く低粘度のものを用い
た場合は、スリット部8の樹脂が垂れ下がった形状とな
る。これらは、いずれも該スリット部8の硬化樹脂にク
ラックを生じ、半導体素子のAlパッドの腐食の原因と
なる。
[作用]
本発明の樹脂組成物を用いたTCP型半導体装置が耐ヒ
ートサイクル性に優れているのは、該樹脂組成物の硬化
時の乾燥速度を制御したことにより、ボイド、クラック
等の発生が少ないためである。
ートサイクル性に優れているのは、該樹脂組成物の硬化
時の乾燥速度を制御したことにより、ボイド、クラック
等の発生が少ないためである。
[実施例コ
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
なお、配合量は重量部、または重量%で示す。
〔実施例 1〕
ジメチレンエーテル型レゾール樹脂 ・20部0−クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂・30部 ビスフェノールA型エポキシ樹脂 ・・・70部硬化
促進剤(2−エチル−4 メチルイミダゾール) ・ 3.5部 カップリング剤(ウレイドシラン) ・6部黒色染
料 ・・・1部球形溶融シ
リカ(平均粒径13μm)・・600部をジアセトンア
ルコール(75%)、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル(12,5%)、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル(12,5%)からなる混合溶剤に不揮発
分率70%となるように溶解させた。これを、三本ロー
ルで混合し、超音波処理、真空脱泡処理を施して本発明
の樹脂組成物を得た。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂・30部 ビスフェノールA型エポキシ樹脂 ・・・70部硬化
促進剤(2−エチル−4 メチルイミダゾール) ・ 3.5部 カップリング剤(ウレイドシラン) ・6部黒色染
料 ・・・1部球形溶融シ
リカ(平均粒径13μm)・・600部をジアセトンア
ルコール(75%)、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル(12,5%)、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル(12,5%)からなる混合溶剤に不揮発
分率70%となるように溶解させた。これを、三本ロー
ルで混合し、超音波処理、真空脱泡処理を施して本発明
の樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を第1図に示すような約4mmX7
mm口の半導体素子2を搭載したテープキャリヤ上に滴
下塗布し、加熱炉で80〜100℃で20分の予備硬化
を行なった後、150℃。
mm口の半導体素子2を搭載したテープキャリヤ上に滴
下塗布し、加熱炉で80〜100℃で20分の予備硬化
を行なった後、150℃。
2時間の後硬化を行った。
また、樹脂組成物の乾燥速度は熱天秤を用いて学位時間
(分)あたりの重量減少速度を測定し乾燥速度とした。
(分)あたりの重量減少速度を測定し乾燥速度とした。
樹脂被覆層の形状、スリット部のクラック、ピンホール
の発生状況等は金属顕微鏡により目視で行なった。なお
、硬化時の樹脂の垂れ率は、硬化後の樹脂層の最も厚い
部分aと最も薄い部分すとから次式により求めた。結果
を第2図に示す。
の発生状況等は金属顕微鏡により目視で行なった。なお
、硬化時の樹脂の垂れ率は、硬化後の樹脂層の最も厚い
部分aと最も薄い部分すとから次式により求めた。結果
を第2図に示す。
a+b
また、樹脂組成物の内部ボイドは、軟X線投影装置によ
り観察した。
り観察した。
TCP型半導体装置の耐湿信頼性の評価は、120℃/
2気圧、湿度95%の雰囲気下に放置し1.lバッドの
腐食による断線の有無により調べた6また、耐ヒートサ
イクル性は、−55℃/10分φ150℃/10分のヒ
ートサイクル試験を行い、被覆樹脂層のクラックおよび
A2リード線の断線の有無を調べた。
2気圧、湿度95%の雰囲気下に放置し1.lバッドの
腐食による断線の有無により調べた6また、耐ヒートサ
イクル性は、−55℃/10分φ150℃/10分のヒ
ートサイクル試験を行い、被覆樹脂層のクラックおよび
A2リード線の断線の有無を調べた。
結果を第1表に示す。
〔実施例 2〕
実施例1と同じ組成物をジアセトンアルコール75%、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル25%からな
る混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂
組成物を作成した。
ジエチレングリコールモノメチルエーテル25%からな
る混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂
組成物を作成した。
〔実施例 3〕
実施例2と同様にジアセトンアルコール75%、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル25%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物
を作成した。
レングリコールモノエチルエーテル25%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物
を作成した。
〔実施例 4〕
実施例2と同様にジアセトンアルコール75%、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル25%からなる混合
溶剤溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物を
作成した。
レングリコールモノブチルエーテル25%からなる混合
溶剤溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物を
作成した。
〔比較例 1〕
実施例1と同じ組成物をジアセトンアルコール70%、
n−ブチルアルコール19% キシレン9%、トルエン
2%からなる混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹
脂組成物を作成した。
n−ブチルアルコール19% キシレン9%、トルエン
2%からなる混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹
脂組成物を作成した。
〔比較例 2〕
比較例1と同様にジアセトンアルコール70%、n−ブ
チルアルコール15%、キシレン15%からなる混合溶
剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成した
。
チルアルコール15%、キシレン15%からなる混合溶
剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成した
。
〔比較例 3〕
比較例1と同様にジアセトンアルコール65%、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル35%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成し
た。
レングリコールモノブチルエーテル35%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成し
た。
前記実施例1〜4および比較例1〜3の樹脂組成物の特
性および第1図に示すTCP型半導体装置のヒートサイ
クルおよび耐湿信頼性試験の結果を第1表に示す。なお
、本実施例の樹脂組成物を用いた1TcP型半導体装置
のスリット部の形状は第1図に示すとおりである。
性および第1図に示すTCP型半導体装置のヒートサイ
クルおよび耐湿信頼性試験の結果を第1表に示す。なお
、本実施例の樹脂組成物を用いた1TcP型半導体装置
のスリット部の形状は第1図に示すとおりである。
第1表から明らかなように、本実施例の乾燥速度0.0
3〜0.1重量%の樹脂組成物は、いずれもTCP型半
導体装置のスリット部にクラックを発生せず、塗布時の
樹脂組成物の垂れも起こりにくい。また、耐湿信頼性が
優れている。
3〜0.1重量%の樹脂組成物は、いずれもTCP型半
導体装置のスリット部にクラックを発生せず、塗布時の
樹脂組成物の垂れも起こりにくい。また、耐湿信頼性が
優れている。
〔比較例 4〕
実施例1と同じ組成比の樹脂と混合溶剤を用いて不揮発
分率75%の樹脂組成物を作成し、実施例1と同様にT
CP型半型半導体素子室布し、硬化後のヒートサイクル
試験を行なった。
分率75%の樹脂組成物を作成し、実施例1と同様にT
CP型半型半導体素子室布し、硬化後のヒートサイクル
試験を行なった。
前記スリット部の形状は第3図に示すような形状となり
、100個中8O個がスリット部にクラックを発生した
。また、1000サイクルのヒートサイクル後の断線等
の不良発生率は100個中5Oである。
、100個中8O個がスリット部にクラックを発生した
。また、1000サイクルのヒートサイクル後の断線等
の不良発生率は100個中5Oである。
〔比較例 5〕
比較例4と同様にして不揮発分率60%の樹脂組成物を
作成し、実施例1と同様にTCP型半型半導体素子室布
し、硬化後のヒートサイクル試験を行なった。
作成し、実施例1と同様にTCP型半型半導体素子室布
し、硬化後のヒートサイクル試験を行なった。
前記スリット部の形状は第4図に示すような形状となり
、該スリット部のクラックの発生率は100個中6〇個
であった。また、1000サイクルのヒートサイクル後
の断線の発生はなかった。
、該スリット部のクラックの発生率は100個中6〇個
であった。また、1000サイクルのヒートサイクル後
の断線の発生はなかった。
[発明の効果]
本発明のTCP型半導体装置用樹脂組成物は、硬化時に
おける乾燥速度をコントロールしたことによりボイド、
クラック等が発生しないので、信頼性の高いTCP型半
導体装置を提供することができる。
おける乾燥速度をコントロールしたことによりボイド、
クラック等が発生しないので、信頼性の高いTCP型半
導体装置を提供することができる。
第1図は、本発明のTCP型半導体装置の断面模式図、
第2図は本発明の樹脂組成物の乾燥速度と、実装時の樹
脂の垂れ率およびスリット部のクラック発生率との関係
を示すグラフ、第3図および第4図は比較例の樹脂組成
物を用いた場合のTCP型半導体装置の断面模式図であ
る。 1 表面保護層樹脂、2・半導体素子、3 ポリイミド
、4 有機絶縁テープ、5・・リード線、6・・・金バ
ンプ、8 ・スリット部。
第2図は本発明の樹脂組成物の乾燥速度と、実装時の樹
脂の垂れ率およびスリット部のクラック発生率との関係
を示すグラフ、第3図および第4図は比較例の樹脂組成
物を用いた場合のTCP型半導体装置の断面模式図であ
る。 1 表面保護層樹脂、2・半導体素子、3 ポリイミド
、4 有機絶縁テープ、5・・リード線、6・・・金バ
ンプ、8 ・スリット部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少なくとも一部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.12重
量%/分以下の重量減少率を有することを特徴とするテ
ープキャリヤ型半導体装置。 2、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少なくとも一部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.03〜
0.1重量%/分の重量減少率を有することを特徴とす
るテープキャリヤ型半導体装置。 3、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少なくとも一部と、該半導体素
子と前記テープキャリヤとのスリット部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記スリット部に注入された樹脂組成物の硬化後の表面
が、僅かにへこんだ形状を有していることを特徴とする
テープキャリヤ型半導体装置。 4、テープキャリヤ型半導体装置の導電回路を形成した
テープキャリヤと、該テープキャリヤに導電バンプを介
して接続した半導体素子の少なくとも一部を被覆するた
めの樹脂組成物が、乾燥速度が0.03〜0.1重量%
/分の重量減少率と、回転粘度計で5〜20ポイズ(2
5℃、1rpm)の粘度を有することを特徴とするテー
プキャリヤ型半導体装置用の樹脂組成物。 5、前記樹脂組成物に溶剤を含有させることにより乾燥
速度を調節したことを特徴とする請求項第4項記載のテ
ープキャリヤ型半導体装置用の樹脂組成物。 6、前記樹脂組成物の樹脂が一般式( I )または(II
)で示される単位構造を有し、分子量が400〜300
0のレゾール型フェノール樹脂を用いたことを特徴とす
る請求項第4項または第5項記載のテープキャリヤ型半
導体装置用の樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、R_1はH、−CH_2OCH_3、▲数式、
化学式、表等があります▼ R_2は−CH_2−、−CH_2OCH_2−のいず
れかを示し、それぞれ同じでも異なつていてもよい。 また、n、mは整数を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2219661A JPH04100848A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2219661A JPH04100848A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04100848A true JPH04100848A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16738998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2219661A Pending JPH04100848A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04100848A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0755075A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
US5639806A (en) * | 1995-03-28 | 1997-06-17 | Borden Chemical, Inc. | Bisphenol-containing resin coating articles and methods of using same |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2219661A patent/JPH04100848A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5639806A (en) * | 1995-03-28 | 1997-06-17 | Borden Chemical, Inc. | Bisphenol-containing resin coating articles and methods of using same |
US5916933A (en) * | 1995-03-28 | 1999-06-29 | Borden Chemical, Inc. | Bisphenol-containing resin coating articles and methods of using same |
EP0755075A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
EP0755075A3 (en) * | 1995-06-29 | 1998-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
KR100225924B1 (ko) * | 1995-06-29 | 1999-10-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 테이프 캐리어 패키지 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3189988B2 (ja) | 絶縁樹脂ペースト | |
JPH04100848A (ja) | テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 | |
JP2974902B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
JPH07273251A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH07107091B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2001106768A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP2002080562A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3261845B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3969003B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2892343B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP5532582B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置を封止する方法、チップ・オン・チップ用アンダーフィル材の選定方法、及びフリップチップ型半導体装置 | |
JP4013028B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH07107123B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP3093051B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP3014856B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH08311169A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP3463615B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JPH10182942A (ja) | 液状樹脂封止材 | |
JPH06107772A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP3533976B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH06268106A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2872828B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH07107122B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2003064153A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH07126490A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |