JPH04100848A - テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物 - Google Patents

テープキャリア型半導体装置および該樹脂組成物

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JPH04100848A
JPH04100848A JP2219661A JP21966190A JPH04100848A JP H04100848 A JPH04100848 A JP H04100848A JP 2219661 A JP2219661 A JP 2219661A JP 21966190 A JP21966190 A JP 21966190A JP H04100848 A JPH04100848 A JP H04100848A
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JP
Japan
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resin composition
tape carrier
semiconductor device
type semiconductor
tape
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JP2219661A
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English (en)
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Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
Masaji Ogata
正次 尾形
Kuniyuki Eguchi
州志 江口
Kozo Hirokawa
広川 孝三
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Hitachi Ltd
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置に係わり、特にテープボンディン
グ(Tape Automated Bonding 
: T A B )法で接続されるテープキャリヤ型(
Tape CarrierPackage・TCP)半
導体装置およびこれに用いる樹脂組成物に関する。
[従来の技術] 近年、ICカード、腕時計、電子手帳、カメラ、電子卓
上計算機、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、パー
ソナルコンピュータ等の電子機器が小型、薄型化するに
つれて機器内に組込まれる半導体装置も小型、薄型化の
要求が増加している。
このような半導体素子は、高集積化、多機能化が要求さ
れ、ビン数も多ビン化の傾向にある。
こうした半導体装置の耐熱性、耐湿性、耐ヒートサイク
ル性等の各種信頼性の向上がますます強く望まれている
こうした前記信頼性を向上するために、液状エポキシ樹
脂を用いて半導体素子表面に保護層を形成する方法(特
開昭59−227146号公報)、該保護層に耐熱性が
優れたレゾール系フェノール樹脂を用いる方法(特開昭
59−200443号および同59−200444号公
報)、レゾール系フェノール樹脂に充填剤を配合して低
熱膨張化を図り、耐ヒートサイクル性を向上させる方法
(特開昭59−227146号公報)等が提案されてい
る。
また、製造装置の小型化、製造工程の短縮化等の生産性
向上に関しては、TAB方式によりTCP型半導体装置
を生産する方法が取り入れられている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、前記従来技術において充填剤を配合した樹脂は
粘度が高く、硬化時にボイドが発生し易い。また、粘度
を下げるために溶剤を用いているが、硬化過程で溶剤が
揮発した後のレジンにクラックが生じると云う問題があ
った。
本発明の目的は、TAB方式のTCP型半導体装置、並
びに該半導体装置用の樹脂組成物を提供することにある
[課題を解決するための手段] 本発明者らはTCP型半導体装置に用いる樹脂組成物の
溶剤の蒸発速度と、TAB法における硬化後の前記TC
P型半導体装置の被覆樹脂の形状と該半導体装置の信頼
性試験との関係について種々検討を行なった。その結果
、前記目的を達成することができる本発明の要旨は、下
とのとおりである。
1、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
接続し、該半導体素子の少な(とも一部を樹脂組成物で
被覆してなるテープキャリャ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.12重
量%/分以下の重量減少率を有することを特徴とするテ
ープキャリヤ型半導体装置およびこれに用いる樹脂組成
物。
本発明の樹脂組成物として用いられる樹脂は、半導体封
止用として一般に用いられているクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂
、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が
用いられ、必要に応じて硬化促進剤、カップリング剤、
着色剤、難燃化剤等を加え、これらを溶解する溶剤で調
整する。
また、充填剤を配合してもよい。
また、特に好ましい樹脂としては、下記の一般式(1)
または(II)で示される単位構造を有し、分子量が4
00〜3000のレゾール型フェノール樹脂である。
(但し、R1はH、−CHI OCHl 。
R2は−CH,−、−CH20CH,−のいずれかを示
し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。
また、n、mは整数を示す。) 前記樹脂組成物は、硬化条件における乾燥速度が重量減
少率で 0.12重量%/分以下、好ましくは0.03
〜0.1重量%/分となるよう樹脂組成物中の溶剤の種
類、不揮発分との配合比を調節したものにある。
前記乾燥速度が0.12重量%/分より多くなると、樹
脂組成物の硬化が十分進行しないうちに乾燥するためク
ラック等が発生するので好ましくない。なお、乾燥速度
が0.03重量%/分より遅い場合には、樹脂が硬化す
る前に半導体素子の裏面に流出したり、該素子上で樹脂
層の厚さに偏りを生じたりするので好ましくない。
前記樹脂組成物の粘度は回転粘度計で5〜20ボイズ(
25℃、1rpm)であることが望ましい。粘度が20
ポイズより高いと短時間塗布が困難で実装時のネックと
なり、5ポイズより低いと流れ過ぎて素子裏面への回、
り込みが多くなる。
前記樹脂組成物の溶剤としては、ジアセトンアルコール
、n−ブチルアルコール、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサセン、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル等の2種以上の混合物が好ましく、
樹脂成分が溶解できるものを選択して用いる。
樹脂組成物に、充填剤を配合することにより硬化物の線
膨張係数を小さくすることかできる。該充填剤としては
、平均粒径0.5〜15μmで、充填剤の少なくとも9
0重量%以上が粒径0.1〜20μm、比表面積が2〜
10m”7gのものを用いる。該充填剤は硬化物のガラ
ス転移温度より低い温度において、その線膨張係数が0
.8〜2.2X l O’/’Cとなる量を配合するの
がよい。
該充填剤を配合することにより半導体装置のヒートサイ
クル寿命を向上することができる。
第1.3.4図は、樹脂組成物の被覆層を設けた半導体
装置の断面模式図を示す。
第1図に示すように、本発明の樹脂組成物1により半導
体素子2の表面を被覆形成する場合には、半導体素子2
とテープキャリヤ4とのスリット部8に注入された樹脂
組成物の硬化後の表面形状が、僅かにへこんだ形状とな
る。
前記に対し、第3図に示すように樹脂組成物の前記乾燥
速度よりも速く高粘度のものを用いた場合は、スリット
部8に樹脂組成物が十分注入されない。また、第4図に
示すように前記乾燥速度よりも遅く低粘度のものを用い
た場合は、スリット部8の樹脂が垂れ下がった形状とな
る。これらは、いずれも該スリット部8の硬化樹脂にク
ラックを生じ、半導体素子のAlパッドの腐食の原因と
なる。
[作用] 本発明の樹脂組成物を用いたTCP型半導体装置が耐ヒ
ートサイクル性に優れているのは、該樹脂組成物の硬化
時の乾燥速度を制御したことにより、ボイド、クラック
等の発生が少ないためである。
[実施例コ 以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
なお、配合量は重量部、または重量%で示す。
〔実施例 1〕 ジメチレンエーテル型レゾール樹脂 ・20部0−クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂・30部 ビスフェノールA型エポキシ樹脂  ・・・70部硬化
促進剤(2−エチル−4 メチルイミダゾール) ・ 3.5部 カップリング剤(ウレイドシラン)   ・6部黒色染
料              ・・・1部球形溶融シ
リカ(平均粒径13μm)・・600部をジアセトンア
ルコール(75%)、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル(12,5%)、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル(12,5%)からなる混合溶剤に不揮発
分率70%となるように溶解させた。これを、三本ロー
ルで混合し、超音波処理、真空脱泡処理を施して本発明
の樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を第1図に示すような約4mmX7
mm口の半導体素子2を搭載したテープキャリヤ上に滴
下塗布し、加熱炉で80〜100℃で20分の予備硬化
を行なった後、150℃。
2時間の後硬化を行った。
また、樹脂組成物の乾燥速度は熱天秤を用いて学位時間
(分)あたりの重量減少速度を測定し乾燥速度とした。
樹脂被覆層の形状、スリット部のクラック、ピンホール
の発生状況等は金属顕微鏡により目視で行なった。なお
、硬化時の樹脂の垂れ率は、硬化後の樹脂層の最も厚い
部分aと最も薄い部分すとから次式により求めた。結果
を第2図に示す。
a+b また、樹脂組成物の内部ボイドは、軟X線投影装置によ
り観察した。
TCP型半導体装置の耐湿信頼性の評価は、120℃/
2気圧、湿度95%の雰囲気下に放置し1.lバッドの
腐食による断線の有無により調べた6また、耐ヒートサ
イクル性は、−55℃/10分φ150℃/10分のヒ
ートサイクル試験を行い、被覆樹脂層のクラックおよび
A2リード線の断線の有無を調べた。
結果を第1表に示す。
〔実施例 2〕 実施例1と同じ組成物をジアセトンアルコール75%、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル25%からな
る混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂
組成物を作成した。
〔実施例 3〕 実施例2と同様にジアセトンアルコール75%、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル25%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物
を作成した。
〔実施例 4〕 実施例2と同様にジアセトンアルコール75%、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル25%からなる混合
溶剤溶解し、不揮発分率70%の本発明の樹脂組成物を
作成した。
〔比較例 1〕 実施例1と同じ組成物をジアセトンアルコール70%、
n−ブチルアルコール19% キシレン9%、トルエン
2%からなる混合溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹
脂組成物を作成した。
〔比較例 2〕 比較例1と同様にジアセトンアルコール70%、n−ブ
チルアルコール15%、キシレン15%からなる混合溶
剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成した
〔比較例 3〕 比較例1と同様にジアセトンアルコール65%、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル35%からなる混合
溶剤に溶解し、不揮発分率70%の樹脂組成物を作成し
た。
前記実施例1〜4および比較例1〜3の樹脂組成物の特
性および第1図に示すTCP型半導体装置のヒートサイ
クルおよび耐湿信頼性試験の結果を第1表に示す。なお
、本実施例の樹脂組成物を用いた1TcP型半導体装置
のスリット部の形状は第1図に示すとおりである。
第1表から明らかなように、本実施例の乾燥速度0.0
3〜0.1重量%の樹脂組成物は、いずれもTCP型半
導体装置のスリット部にクラックを発生せず、塗布時の
樹脂組成物の垂れも起こりにくい。また、耐湿信頼性が
優れている。
〔比較例 4〕 実施例1と同じ組成比の樹脂と混合溶剤を用いて不揮発
分率75%の樹脂組成物を作成し、実施例1と同様にT
CP型半型半導体素子室布し、硬化後のヒートサイクル
試験を行なった。
前記スリット部の形状は第3図に示すような形状となり
、100個中8O個がスリット部にクラックを発生した
。また、1000サイクルのヒートサイクル後の断線等
の不良発生率は100個中5Oである。
〔比較例 5〕 比較例4と同様にして不揮発分率60%の樹脂組成物を
作成し、実施例1と同様にTCP型半型半導体素子室布
し、硬化後のヒートサイクル試験を行なった。
前記スリット部の形状は第4図に示すような形状となり
、該スリット部のクラックの発生率は100個中6〇個
であった。また、1000サイクルのヒートサイクル後
の断線の発生はなかった。
[発明の効果] 本発明のTCP型半導体装置用樹脂組成物は、硬化時に
おける乾燥速度をコントロールしたことによりボイド、
クラック等が発生しないので、信頼性の高いTCP型半
導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のTCP型半導体装置の断面模式図、
第2図は本発明の樹脂組成物の乾燥速度と、実装時の樹
脂の垂れ率およびスリット部のクラック発生率との関係
を示すグラフ、第3図および第4図は比較例の樹脂組成
物を用いた場合のTCP型半導体装置の断面模式図であ
る。 1 表面保護層樹脂、2・半導体素子、3 ポリイミド
、4 有機絶縁テープ、5・・リード線、6・・・金バ
ンプ、8 ・スリット部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
    るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
    接続し、該半導体素子の少なくとも一部を樹脂組成物で
    被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.12重
    量%/分以下の重量減少率を有することを特徴とするテ
    ープキャリヤ型半導体装置。 2、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
    るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
    接続し、該半導体素子の少なくとも一部を樹脂組成物で
    被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記樹脂組成物は硬化時における乾燥速度が0.03〜
    0.1重量%/分の重量減少率を有することを特徴とす
    るテープキャリヤ型半導体装置。 3、テープ状の絶縁フィルムに導電回路が設けられてい
    るテープキャリヤに、導電バンプを介して半導体素子を
    接続し、該半導体素子の少なくとも一部と、該半導体素
    子と前記テープキャリヤとのスリット部を樹脂組成物で
    被覆してなるテープキャリヤ型半導体装置において、 前記スリット部に注入された樹脂組成物の硬化後の表面
    が、僅かにへこんだ形状を有していることを特徴とする
    テープキャリヤ型半導体装置。 4、テープキャリヤ型半導体装置の導電回路を形成した
    テープキャリヤと、該テープキャリヤに導電バンプを介
    して接続した半導体素子の少なくとも一部を被覆するた
    めの樹脂組成物が、乾燥速度が0.03〜0.1重量%
    /分の重量減少率と、回転粘度計で5〜20ポイズ(2
    5℃、1rpm)の粘度を有することを特徴とするテー
    プキャリヤ型半導体装置用の樹脂組成物。 5、前記樹脂組成物に溶剤を含有させることにより乾燥
    速度を調節したことを特徴とする請求項第4項記載のテ
    ープキャリヤ型半導体装置用の樹脂組成物。 6、前記樹脂組成物の樹脂が一般式( I )または(II
    )で示される単位構造を有し、分子量が400〜300
    0のレゾール型フェノール樹脂を用いたことを特徴とす
    る請求項第4項または第5項記載のテープキャリヤ型半
    導体装置用の樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、R_1はH、−CH_2OCH_3、▲数式、
    化学式、表等があります▼ R_2は−CH_2−、−CH_2OCH_2−のいず
    れかを示し、それぞれ同じでも異なつていてもよい。 また、n、mは整数を示す。)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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