JPH039919A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産l上立札旦光互
本発明は、流動性がよく、低応力で膨張係数が小さく、
高いガラス転移温度を有し、しかも耐湿性などに優れた
硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂
組成物の硬化物で封止された半導体装置に関する。
高いガラス転移温度を有し、しかも耐湿性などに優れた
硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂
組成物の硬化物で封止された半導体装置に関する。
の び が しようとする
硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配
合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂
に比べて成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐湿
性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装
置を封止することが多く行なわれている。
合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂
に比べて成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐湿
性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装
置を封止することが多く行なわれている。
しかしながら、近年の半導体装置の分野においては、パ
ッケージサイズの小型化、薄型化が進む一方、半導体素
子は大型化が進んでおり、このような半導体装置を従来
のエポキシ樹脂組成物で封止すると、半導体素子とエポ
キシ樹脂組成物との熱による寸法変化の差により、半導
体素子が受ける応力が大きくなるという問題があり、ま
た、吸湿後の半田処理を経る工程において、パッケージ
にクラックが入るといった問題も生じてきている。
ッケージサイズの小型化、薄型化が進む一方、半導体素
子は大型化が進んでおり、このような半導体装置を従来
のエポキシ樹脂組成物で封止すると、半導体素子とエポ
キシ樹脂組成物との熱による寸法変化の差により、半導
体素子が受ける応力が大きくなるという問題があり、ま
た、吸湿後の半田処理を経る工程において、パッケージ
にクラックが入るといった問題も生じてきている。
これらの問題に対し、本出願人は先に硬化性エポキシ樹
脂にオルガノポリシロキサンを配合したエポキシ樹脂組
成物(特開昭56−129246号公報)、芳香族重合
体とオルガノポリシロキサンとからなるブロック共重合
体を添加したエポキシ樹脂組成物(特開昭58−214
17号公報)。
脂にオルガノポリシロキサンを配合したエポキシ樹脂組
成物(特開昭56−129246号公報)、芳香族重合
体とオルガノポリシロキサンとからなるブロック共重合
体を添加したエポキシ樹脂組成物(特開昭58−214
17号公報)。
更にはトリフエノールアルカン型エポキシ樹脂又はその
重合体を主成分とするエポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂又はトリフエノールアルカン型フェノール樹
脂及びオルガノポリシロキサンを配合した樹脂封止型半
導体装置(特開昭63−226951号公報)を完成し
、低応力化されたエポキシ樹脂組成物を提案してその解
決を計ってきた。
重合体を主成分とするエポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂又はトリフエノールアルカン型フェノール樹
脂及びオルガノポリシロキサンを配合した樹脂封止型半
導体装置(特開昭63−226951号公報)を完成し
、低応力化されたエポキシ樹脂組成物を提案してその解
決を計ってきた。
しかしながら、上述した低応力化エポキシ樹脂組成物に
おいても、最近の益々高度化した半導体装置の封正に対
する要求を完全に満たすことは難しい。
おいても、最近の益々高度化した半導体装置の封正に対
する要求を完全に満たすことは難しい。
即ち、現在においては更に半導体封止樹脂の低応力化が
求められていると共に、成形時の流動性が良く、しかも
曲げ強度や曲げ弾性率等の機械的強度、高いガラス転移
温度、耐湿性などの諸特性に優れた硬化物を与える半導
体封止用樹脂組成物の開発が望まれている。
求められていると共に、成形時の流動性が良く、しかも
曲げ強度や曲げ弾性率等の機械的強度、高いガラス転移
温度、耐湿性などの諸特性に優れた硬化物を与える半導
体封止用樹脂組成物の開発が望まれている。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、流動性が良好
で、しかも低応力で膨張係数が小さく。
で、しかも低応力で膨張係数が小さく。
高いガラス転移温度を有し、かつ良好な機械的強度、耐
湿性を有する硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び該
エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を
提供することを目的とする。
湿性を有する硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び該
エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を
提供することを目的とする。
を るための び
本発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、(A)下記(1)式で表わされ。
果、(A)下記(1)式で表わされ。
(1)式中のnが1以上である成分が40重量%以上で
あるエポキシ樹脂、(B)置換又は非置換のノボラック
型フェノール樹脂、(C) トリフェニルフォスフイン
と1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7からなる特定の硬化触媒及び(D)石英粉末とを組み
合わせて配合した場合、得られるエポキシ樹脂組成物は
、流動性が良好で、しかも低応力で膨張係数が小さく、
ガラス転移温度が従来のエポキシ樹脂組成物よりも約2
0℃高く、かつ良好な機械的強度、耐湿性、接着性を有
する硬化物を与え、このためこのエポキシ樹脂組成物は
DIP型、フラットパック型、PLCC型、SO型等の
いずれの型の半導体装置の封止にも有効に使用でき、こ
の種の半導体装置の封止用として非常に優れた特性を有
していることを知見し、本発明をなすに至った。
あるエポキシ樹脂、(B)置換又は非置換のノボラック
型フェノール樹脂、(C) トリフェニルフォスフイン
と1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7からなる特定の硬化触媒及び(D)石英粉末とを組み
合わせて配合した場合、得られるエポキシ樹脂組成物は
、流動性が良好で、しかも低応力で膨張係数が小さく、
ガラス転移温度が従来のエポキシ樹脂組成物よりも約2
0℃高く、かつ良好な機械的強度、耐湿性、接着性を有
する硬化物を与え、このためこのエポキシ樹脂組成物は
DIP型、フラットパック型、PLCC型、SO型等の
いずれの型の半導体装置の封止にも有効に使用でき、こ
の種の半導体装置の封止用として非常に優れた特性を有
していることを知見し、本発明をなすに至った。
即ち、本発明は
(A)下記−最大(1)
(但し、式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアルキ
ル基を示し、mは1,2又は3、nは0〜10の整数で
ある。) で表わされ、n≧1の成分の比率が40重量%以上であ
るエポキシ樹脂。
ル基を示し、mは1,2又は3、nは0〜10の整数で
ある。) で表わされ、n≧1の成分の比率が40重量%以上であ
るエポキシ樹脂。
(B)置換又は非置換のノボラック型フェノール樹脂、
(C)1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセ
ン−7とトリフェニルフォスフインとを重量比として0
:1〜1:1の割合で含む硬化触媒、(D)石英粉末 を配合してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物及
び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された樹脂封止
型半導体装置を提供する。
ン−7とトリフェニルフォスフインとを重量比として0
:1〜1:1の割合で含む硬化触媒、(D)石英粉末 を配合してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物及
び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された樹脂封止
型半導体装置を提供する。
以下1本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したように(
A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型フェノール樹脂
、(C)硬化触媒及び(D)石英粉末を配合してなるも
のである。
A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック型フェノール樹脂
、(C)硬化触媒及び(D)石英粉末を配合してなるも
のである。
ここで、(A)成分のエポキシ樹脂は下記一般式(1)
で示される。
で示される。
この場合、Rは水素原子又は、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、オクチル
基等の炭素数1〜1oのアルキル基である。
ロピル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、オクチル
基等の炭素数1〜1oのアルキル基である。
また、mは1,2又は3、nは0〜1oの整数であるが
、本発明においては、n≧1の成分の比率が40重量%
以上、より好ましくは45重量%以上とするものであり
、n≧1の成分の比率が40重量%未満であると充分高
いガラス転移温度が得られないばかりでなく、吸湿半田
後の耐クラツク性が悪くなる。
、本発明においては、n≧1の成分の比率が40重量%
以上、より好ましくは45重量%以上とするものであり
、n≧1の成分の比率が40重量%未満であると充分高
いガラス転移温度が得られないばかりでなく、吸湿半田
後の耐クラツク性が悪くなる。
なお、一般式(1)で表わされるエポキシ樹脂の具体例
としては次の化合物を挙げることができる。
としては次の化合物を挙げることができる。
(tBuはt−ブチル基を示す)
上記エポキシ樹脂はその1種を単独で又は2種以上を混
合して使用することができる。
合して使用することができる。
また、上記エポキシ樹脂にはノボラック型エポキシ樹脂
やビスフェノールA型エポキシ樹脂、及びこれらに塩素
や臭素原子等のハロゲン原子を導入した置換エポキシ樹
脂、更に、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサ
イド、フェニルグリシジルエーテルのモノエポキシ化合
物などを併用しても差支えない。
やビスフェノールA型エポキシ樹脂、及びこれらに塩素
や臭素原子等のハロゲン原子を導入した置換エポキシ樹
脂、更に、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサ
イド、フェニルグリシジルエーテルのモノエポキシ化合
物などを併用しても差支えない。
なお、上述したような一般式(1)で表わされるエポキ
シ樹脂の合成は、例えば特開昭63−264622号公
報記載の方法で行なうことができる。
シ樹脂の合成は、例えば特開昭63−264622号公
報記載の方法で行なうことができる。
(B)成分の置換又は非置換のノボラック型フェノール
樹脂は、(A)成分のエポキシ樹脂の硬化剤として用い
られるものであり、具体的には下記の化合物が例示され
る。
樹脂は、(A)成分のエポキシ樹脂の硬化剤として用い
られるものであり、具体的には下記の化合物が例示され
る。
(但し、式中pは2〜15の正数を示し、また。
qvrはq+r=2〜15になるような正数である。)
上記ノボラック型フェノール樹脂はその1種を単独で又
は2種以上を混合して使用することができる。
は2種以上を混合して使用することができる。
(C)成分の硬化触媒としては、1,8−ジアザビシク
ロ(5,4,0)ウンデセン−7とトリフェニルフォス
フインとを重量比で0:1〜1:1、好ましくは0.0
1:1〜0.5:1の範囲で使用するもので、これによ
り優れた耐湿性、接着性を付与することができる。なお
、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が低
くなってしまう。この(C)成分の添加量は特に限定さ
れないが、(A)成分と(B)成分の合計量100重量
部に対し0.2〜2重量部、特に0.4〜1.2重量部
とすることが望ましい。
ロ(5,4,0)ウンデセン−7とトリフェニルフォス
フインとを重量比で0:1〜1:1、好ましくは0.0
1:1〜0.5:1の範囲で使用するもので、これによ
り優れた耐湿性、接着性を付与することができる。なお
、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が低
くなってしまう。この(C)成分の添加量は特に限定さ
れないが、(A)成分と(B)成分の合計量100重量
部に対し0.2〜2重量部、特に0.4〜1.2重量部
とすることが望ましい。
(D)成分の石英粉末としては、結晶性シリカ、溶融シ
リカ、超微粉末シリカ等を使用でき、その形状は、球状
、破砕状のいずれも使用できるが、半導体素子に与える
局所応力を防止するために75−以上の粗粒を石英粉末
全体の0.3重量%以下にしたものが好ましい、また1
組成物の流動性を向上させるため、平均粒径0.4〜2
−の球状シリカを全石英粉末100重量部中5〜20重
量部用いることが望ましい。これらの石英粉末は使用に
際しシランカップリング剤で表面処理を施すことも有効
である。この(D)成分の配合量は、(A)成分と(B
)成分の合計量100重量部に対し350〜600重量
部、特に400〜550重量部の範囲が好ましい、この
範囲より使用量が多すぎると、分散が困難となるばかり
か、加工性、低応力、耐クラツク性の物性において不利
になり、一方便用量が少なすぎると膨張係数が大きくな
る場合が生じる。
リカ、超微粉末シリカ等を使用でき、その形状は、球状
、破砕状のいずれも使用できるが、半導体素子に与える
局所応力を防止するために75−以上の粗粒を石英粉末
全体の0.3重量%以下にしたものが好ましい、また1
組成物の流動性を向上させるため、平均粒径0.4〜2
−の球状シリカを全石英粉末100重量部中5〜20重
量部用いることが望ましい。これらの石英粉末は使用に
際しシランカップリング剤で表面処理を施すことも有効
である。この(D)成分の配合量は、(A)成分と(B
)成分の合計量100重量部に対し350〜600重量
部、特に400〜550重量部の範囲が好ましい、この
範囲より使用量が多すぎると、分散が困難となるばかり
か、加工性、低応力、耐クラツク性の物性において不利
になり、一方便用量が少なすぎると膨張係数が大きくな
る場合が生じる。
更に1本発明の組成物には、可撓性を付与するためオル
ガノポリシロキサン化合物を添加することが望ましい。
ガノポリシロキサン化合物を添加することが望ましい。
かかるオルガノポリシロキサン化合物としては、エポキ
シ基、アミノ基、水酸基等を有するシリコーンオイル、
シリコーンゴム、硬化型シリコーンゴム等が挙げられる
が、特にアルケニル基含有ノボラック樹脂と下記−最大
(但し、式中R″は1価の有機基を表わす、また、aは
0.001≦a≦1.bは1≦b<3.1.001≦a
十b≦3である。)で示されるオルガノポリシロキサン
との付加反応により得られるブロック共重合体が好まし
い。
シ基、アミノ基、水酸基等を有するシリコーンオイル、
シリコーンゴム、硬化型シリコーンゴム等が挙げられる
が、特にアルケニル基含有ノボラック樹脂と下記−最大
(但し、式中R″は1価の有機基を表わす、また、aは
0.001≦a≦1.bは1≦b<3.1.001≦a
十b≦3である。)で示されるオルガノポリシロキサン
との付加反応により得られるブロック共重合体が好まし
い。
なお、上記アルケニル基含有ノボラック樹脂とオルガノ
ポリシロキサンとのブロック共重合体としては特開昭6
3−226951号公報に記載されているものを採用す
ることができる。この場合、ブロック共重合体の配合量
は、(A)成分と(B)成分との合計量100重量部当
り2〜100重量部の範囲とする−ことが好ましい、ブ
ロック共重合体の使用量が2重量部より少ない場合には
耐クラツク性向上効果が十分達成され得ない場合があり
、また、100重量部を越える場合には1機械的な強度
が低下する場合がある。
ポリシロキサンとのブロック共重合体としては特開昭6
3−226951号公報に記載されているものを採用す
ることができる。この場合、ブロック共重合体の配合量
は、(A)成分と(B)成分との合計量100重量部当
り2〜100重量部の範囲とする−ことが好ましい、ブ
ロック共重合体の使用量が2重量部より少ない場合には
耐クラツク性向上効果が十分達成され得ない場合があり
、また、100重量部を越える場合には1機械的な強度
が低下する場合がある。
なお、上記(A)成分、(B)成分及びブロック共重合
体に含まれるエポキシ基の量(aモル)とフェノール性
水酸基の量(bモル)の比はa/b=0.5〜1.5の
範囲にあることが望ましく、a / bが上記範囲外に
あると、硬化性、低応力性等の物性において不利になる
場合がある。
体に含まれるエポキシ基の量(aモル)とフェノール性
水酸基の量(bモル)の比はa/b=0.5〜1.5の
範囲にあることが望ましく、a / bが上記範囲外に
あると、硬化性、低応力性等の物性において不利になる
場合がある。
本発明の組成物には、更に必要により各種の添加剤を添
加することができる。例えばワックス類、ステアリン酸
などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラ
ック等の顔料、難燃化剤、表面処理剤(γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン等)、エポキシシラン、
ビニルシラン、はう素化合物、アルキルチタネート等の
カップリング剤、老化防止剤、その他の添加剤の1種又
は2種以上を配合することができる。
加することができる。例えばワックス類、ステアリン酸
などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラ
ック等の顔料、難燃化剤、表面処理剤(γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン等)、エポキシシラン、
ビニルシラン、はう素化合物、アルキルチタネート等の
カップリング剤、老化防止剤、その他の添加剤の1種又
は2種以上を配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、その製造に際し上述し
た成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予め70〜95
℃に加熱しであるニーダ−、ロール、エクストルーダー
などにより混練、冷却し、粉砕するなどの方法で得るこ
とができる。ここで、成分の配合順序に特に制限はない
。
た成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予め70〜95
℃に加熱しであるニーダ−、ロール、エクストルーダー
などにより混練、冷却し、粉砕するなどの方法で得るこ
とができる。ここで、成分の配合順序に特に制限はない
。
かくして得られる本発明の組成物はDIP型、フラット
バック型、PLCC型、SO型等の半導体装置の封止用
に有効に使用でき、この場合、成形は従来より採用され
ている成形法、例えばトランスファ成形、インジェクシ
ョン成形、注型法などを採用して行なうことができる。
バック型、PLCC型、SO型等の半導体装置の封止用
に有効に使用でき、この場合、成形は従来より採用され
ている成形法、例えばトランスファ成形、インジェクシ
ョン成形、注型法などを採用して行なうことができる。
なお、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜180
’C、ポストキュアーは150〜180℃で2〜16時
間行なうことが好ましい。
’C、ポストキュアーは150〜180℃で2〜16時
間行なうことが好ましい。
血豆立夏米
以上説明したように、本発明のエポキシ樹脂組成物は、
上述した成分の組み合わせとしたことにより、流動性が
良好で、しかも低応力で線膨張係数が小さく、高いガラ
ス転移温度を有し、かつ良好な機械的強度、耐湿性を有
する硬化物を得ることができるものであり、このため本
発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体
装置は信頼性に優れたものである。
上述した成分の組み合わせとしたことにより、流動性が
良好で、しかも低応力で線膨張係数が小さく、高いガラ
ス転移温度を有し、かつ良好な機械的強度、耐湿性を有
する硬化物を得ることができるものであり、このため本
発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体
装置は信頼性に優れたものである。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
なお、以下の例において部はいずれも重量部である。
〔実施例1〜13、比較例1〜6〕
第1表に示すエポキシ樹脂を使用し、第2表及び第3表
に示す成分を熱二本ロールにて均一に溶融混合し、冷却
、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
に示す成分を熱二本ロールにて均一に溶融混合し、冷却
、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
これらの組成物につき5次の(イ)〜(チ)の諸試験を
行なった。結果を第2表及び第3表に併記する。
行なった。結果を第2表及び第3表に併記する。
(イ)スパイ゛ラルフロー
EMMI規格に準じた金型を使用して、180℃、70
kg/dの条件で測定した。
kg/dの条件で測定した。
(ロ) び
JIS−に6911に準じて180”C,70kg/a
i、成形温度2分の条件で10X4X100anの抗折
捧を成形し、180℃で4時間ポストキュアーしたもの
について測定した。
i、成形温度2分の条件で10X4X100anの抗折
捧を成形し、180℃で4時間ポストキュアーしたもの
について測定した。
(ハ) ガラス ゛
4mmφX15mmの試験片を用いて、デイラドメータ
ーにより毎分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。
ーにより毎分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。
(ニ)ILクニフシムクヨ性。
9、CX4.5x0.5mの大きさのシリコンチップを
14PIN−IC7L/−A (427t]イ)に接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件180℃×2
分で成形し、180’Cで4時間ポストキュアーした後
、−196℃×1分〜260”CX30秒の熱サイクル
を繰り返して加え、300サイクル後の樹脂クラック発
生率を測定した(測定数=50)。
14PIN−IC7L/−A (427t]イ)に接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件180℃×2
分で成形し、180’Cで4時間ポストキュアーした後
、−196℃×1分〜260”CX30秒の熱サイクル
を繰り返して加え、300サイクル後の樹脂クラック発
生率を測定した(測定数=50)。
(ホ) 混生1)の クラック性 1
8.0XIO,OXo、5mの大きさのシリコンチップ
を10X14X2.3mの大きさのフラットパッケージ
に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件18
C)CX 2分で成形し、180℃で4時間ポストキュ
アーした。
を10X14X2.3mの大きさのフラットパッケージ
に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件18
C)CX 2分で成形し、180℃で4時間ポストキュ
アーした。
これを85℃/85%RHの雰囲気中に48時間放置し
た後、温度260℃の半田浴に浸漬し、パッケージクラ
ックが発生するまでの時間(秒)を測定した。
た後、温度260℃の半田浴に浸漬し、パッケージクラ
ックが発生するまでの時間(秒)を測定した。
(へ) 1)の クラック ■
2X2XO,Lw+の大きさのシリコンチップを4X1
2X1.8mmのSOパッケージに接着し、これにエポ
キシ樹脂組成物を成形条件175℃X2分で成形し、1
80℃で4時間ポストキュアーした。
2X1.8mmのSOパッケージに接着し、これにエポ
キシ樹脂組成物を成形条件175℃X2分で成形し、1
80℃で4時間ポストキュアーした。
これを85℃/85%RHの雰囲気中に72時間放置し
た後、温度260℃の半田浴に浸漬した。−次に、この
パッケージを解体し、内部クラックの発生の有無を光学
顕微鏡でw4察した。
た後、温度260℃の半田浴に浸漬した。−次に、この
パッケージを解体し、内部クラックの発生の有無を光学
顕微鏡でw4察した。
内部クラックが発生した状態を第1図に示す。
なお、図中1はシリコンチップ、2はフレーム。
3は封止樹脂、4はクラックである。
(ト)MJLn
第2図に示すパッケージを成形条件175℃×2分で成
形し、180℃で4時間ポストキュアーした後、フレー
ム(材質:42アロイ、厚さ:0.25園)の引き抜き
力を測定した。
形し、180℃で4時間ポストキュアーした後、フレー
ム(材質:42アロイ、厚さ:0.25園)の引き抜き
力を測定した。
なお、第2図において、5はフレーム、6は封止樹脂で
ある。また、寸法は鵬である。
ある。また、寸法は鵬である。
(チ)IL血
9、OX4.5X0.5mの大きさのシリコンチップを
20PINのPLCCフレームに接着し、これにエポキ
シ樹脂組成物を成形条件180℃×2分で成形し、18
0℃で4時間ポストキュアーした。
20PINのPLCCフレームに接着し、これにエポキ
シ樹脂組成物を成形条件180℃×2分で成形し、18
0℃で4時間ポストキュアーした。
これを130℃/85%RHの雰囲気中に放置し、20
Vのバイアスを印加して100時間後のAQ腐食による
不良率を測定した。
Vのバイアスを印加して100時間後のAQ腐食による
不良率を測定した。
注(1)フェノールノボラック樹脂!:KH3488(
大日本インキ社製) 注(2) ポリシロキサン分34重量%〕 (但し1式中の添数字は平均値を示す、)(但し1式中
の添数字は平均値を示す、)注(3)硬化触媒■: 1.8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
とフェノールノボラック樹脂(TD2134大日本イン
キ社製)とを20/80重量比ノ割合で130℃× 30分加熱溶融混合した後、504以下に微粉砕したも
の。
大日本インキ社製) 注(2) ポリシロキサン分34重量%〕 (但し1式中の添数字は平均値を示す、)(但し1式中
の添数字は平均値を示す、)注(3)硬化触媒■: 1.8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
とフェノールノボラック樹脂(TD2134大日本イン
キ社製)とを20/80重量比ノ割合で130℃× 30分加熱溶融混合した後、504以下に微粉砕したも
の。
注(4)石英粉末■:
比表面積1.4ボ/g、平均粒径15゜の溶融球状シリ
カ(754以上の粗粒 0.1%以下) 石英粉末■: 比表面積2.5イ/g、平均粒径10/Jlの溶融破砕
シリカ(75−以上の粗粒 0.1%) 石英粉末■: 比表面積10ボ/g、平均粒径1.o−の溶融球状シリ
カ 石英粉末■: 比表面積1.0イ/g、平均粒径3〇−の球状シリカ(
75−以上の粗粒0.1%)と比表面積3.2rrr/
g、平均粒径8pの破砕シリカ(75am以上の粗粒0
.1%)と、上記石英粉末■とを 50:40:10重量部の割合で混合したものをγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン0.32重量%
で表面処理した溶融シリカ 第2,3表の結果より、本発明に係る組成物は、流動性
が良く、ガラス転移温度(Tg)が高く、吸湿半田後の
耐クラツク性(■及び■)に優れ。
カ(754以上の粗粒 0.1%以下) 石英粉末■: 比表面積2.5イ/g、平均粒径10/Jlの溶融破砕
シリカ(75−以上の粗粒 0.1%) 石英粉末■: 比表面積10ボ/g、平均粒径1.o−の溶融球状シリ
カ 石英粉末■: 比表面積1.0イ/g、平均粒径3〇−の球状シリカ(
75−以上の粗粒0.1%)と比表面積3.2rrr/
g、平均粒径8pの破砕シリカ(75am以上の粗粒0
.1%)と、上記石英粉末■とを 50:40:10重量部の割合で混合したものをγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン0.32重量%
で表面処理した溶融シリカ 第2,3表の結果より、本発明に係る組成物は、流動性
が良く、ガラス転移温度(Tg)が高く、吸湿半田後の
耐クラツク性(■及び■)に優れ。
接着力が強く、耐湿性テストにおけるAQ腐食が少ない
硬化物を与えることが認められる。
硬化物を与えることが認められる。
第1図は吸湿半田後の耐クラツク性(2)試験で使用し
たSoパッケージにクラックが生じた状態を示す断面図
、第2図は接着性試験で使用したパッケージを示す斜視
図である。 5、補正の対象 図面の第2図。 6゜ 補正の内容 別紙の通り一 (第1図は変更なし) 手 続 補 正 書 (自 発)
たSoパッケージにクラックが生じた状態を示す断面図
、第2図は接着性試験で使用したパッケージを示す斜視
図である。 5、補正の対象 図面の第2図。 6゜ 補正の内容 別紙の通り一 (第1図は変更なし) 手 続 補 正 書 (自 発)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)下記一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (但し、式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアルキ
ル基を示し、mは1、2又は3、nは0〜10の整数で
ある。) で表わされ、n≧1の成分の比率が40重量%以上であ
るエポキシ樹脂、 (B)置換又は非置換のノボラック型フェノール樹脂、 (C)1、8−ジアザビシクロ(5、4、0)ウンデセ
ン−7とトリフェニルフォスフィンとを重量比として0
:1〜1:1の割合で含む硬化触媒、(D)石英粉末 を配合してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 2、請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止
した半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14575489A JPH039919A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14575489A JPH039919A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH039919A true JPH039919A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15392385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14575489A Pending JPH039919A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH039919A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290720A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JPS63248824A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS6465116A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toray Industries | Resin composition for semiconductor sealing |
JPH0275620A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14575489A patent/JPH039919A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62290720A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JPS63248824A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS6465116A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Toray Industries | Resin composition for semiconductor sealing |
JPH0275620A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6495270B1 (en) | 1998-02-19 | 2002-12-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compounds, hardening accelerator, resin composition, and electronic part device |
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