JPH0275620A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH0275620A JPH0275620A JP22645988A JP22645988A JPH0275620A JP H0275620 A JPH0275620 A JP H0275620A JP 22645988 A JP22645988 A JP 22645988A JP 22645988 A JP22645988 A JP 22645988A JP H0275620 A JPH0275620 A JP H0275620A
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
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- Sealing Material Composition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐半田ストレス性に優れた半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に関するものである。
シ樹脂組成物に関するものである。
半導体関連技術は近年の軽薄短小傾向により実装密度を
向上させる方向で進んできた。そのためにメモリーの集
積度の向上や、実装方法のスルーホール実装から表面実
装への移行が進んでいる。
向上させる方向で進んできた。そのためにメモリーの集
積度の向上や、実装方法のスルーホール実装から表面実
装への移行が進んでいる。
従ってパッケージは従来のＤＩＰタイプから表面実装用
として小型薄型のフラットパッケージ、ＳＯＰ、、Ｓ□
Ｊ、ＰＬＣＣに変わッテきテオリ、応力によるパンケー
ジクラックの発生、これらのクラックによる耐湿性の低
下等の問題がある。
として小型薄型のフラットパッケージ、ＳＯＰ、、Ｓ□
Ｊ、ＰＬＣＣに変わッテきテオリ、応力によるパンケー
ジクラックの発生、これらのクラックによる耐湿性の低
下等の問題がある。
特に表面実装工程でのリードの半田付は時にパッケージ
は急激な温度変化を受け、このためにバッケージにクラ
ンクが生じる問題が大きくクローズアンプされている。
は急激な温度変化を受け、このためにバッケージにクラ
ンクが生じる問題が大きくクローズアンプされている。
これらの問題を解決するために半田付は時の熱衝撃を緩
和する目的で、熱可塑性オリゴマーの添加（特開昭６２
−１１５８４９号公報）や各種シリコーン化合物の添加
（特開昭６２−１１５８５０号公報、６２−１１６６５
４号公報、６２−１２８１６２号公報）、更にはシリコ
ーン変性（特開昭６２−１３６８６０号公報）などの手
法で対処しているがいずれも半田付は時にパンケージに
クランクが生じてしまい信顛性の優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を得るまでには至らなかった。
和する目的で、熱可塑性オリゴマーの添加（特開昭６２
−１１５８４９号公報）や各種シリコーン化合物の添加
（特開昭６２−１１５８５０号公報、６２−１１６６５
４号公報、６２−１２８１６２号公報）、更にはシリコ
ーン変性（特開昭６２−１３６８６０号公報）などの手
法で対処しているがいずれも半田付は時にパンケージに
クランクが生じてしまい信顛性の優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を得るまでには至らなかった。
本発明はこのような問題に対してエポキシ樹脂として式
（１）で示される多官能エポキシ樹脂（ｎは整数、ｎ＝
１−１０） を用いることにより耐半田ストレス性が著しく優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するところにある
。
（１）で示される多官能エポキシ樹脂（ｎは整数、ｎ＝
１−１０） を用いることにより耐半田ストレス性が著しく優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するところにある
。
本発明のエポキシ樹脂組成物は従来の封止用樹脂組成物
に比べて非常に優れた耐半田ストレス性を有したもので
ある。
に比べて非常に優れた耐半田ストレス性を有したもので
ある。
（ｎは整数でｎ＝ｌ〜１０）
上記式（＋）で表わされるエポキシ樹脂は１分子中に３
個以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂であり
、この多官能エポキシ樹脂を用いることにより、従来の
方法では得ることの出来なかった耐半田ストレス性に非
常に優れたエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
個以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂であり
、この多官能エポキシ樹脂を用いることにより、従来の
方法では得ることの出来なかった耐半田ストレス性に非
常に優れたエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
このようなエポキシ樹脂の使用量は、これを調節するこ
とにより耐半田ストレス性を最大限に引き出すことがで
きる。耐半田ストレス性の効果を出す為には好ましくは
、式（１）で示される多官能エポキシ樹脂をエポキシ樹
脂の５０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上の
使用が望ましい。
とにより耐半田ストレス性を最大限に引き出すことがで
きる。耐半田ストレス性の効果を出す為には好ましくは
、式（１）で示される多官能エポキシ樹脂をエポキシ樹
脂の５０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上の
使用が望ましい。
５０重量％未満だと架橋密度が、上がらず耐半田ストレ
ス性が不充分である。
ス性が不充分である。
また、２官能以下のエポキシ樹脂では架橋密度が上がら
ず、耐熱性が劣り、耐半田ストレス性の効果が得られな
い。
ず、耐熱性が劣り、耐半田ストレス性の効果が得られな
い。
ｎの値は１〜ｌＯの範囲が好ましい、この場合ｎの値が
１より小さい場合、硬化性が低下し、成形性が悪くなる
傾向があり、またｎの値が、１０より大きい場合流動性
が低下し、成形性が悪くなる１頃向がある。
１より小さい場合、硬化性が低下し、成形性が悪くなる
傾向があり、またｎの値が、１０より大きい場合流動性
が低下し、成形性が悪くなる１頃向がある。
ここでいうエポキシ樹脂とは、エポキシ基を有するもの
全般をいう、たとえばビスフェノール型エポキシ樹脂、
ノボラック型エポキシ樹脂・トリアジン核含有エポキシ
樹脂等のことをいう。
全般をいう、たとえばビスフェノール型エポキシ樹脂、
ノボラック型エポキシ樹脂・トリアジン核含有エポキシ
樹脂等のことをいう。
本発明で用いる硬化剤としてはエポキシ樹脂と硬化反応
するポリマー全般のことを言い、例えばフェノールノボ
ラック樹脂、タレゾールノボランク樹脂、ジシクロペン
タジェン変性フェノール樹脂、酸無水物といった一般名
を挙げることが出来る。
するポリマー全般のことを言い、例えばフェノールノボ
ラック樹脂、タレゾールノボランク樹脂、ジシクロペン
タジェン変性フェノール樹脂、酸無水物といった一般名
を挙げることが出来る。
本発明に使用される無機充填剤としては通常のシリカ粉
末や、アルミナ等があげられ、とくに溶融シリカ粉末が
好ましい。
末や、アルミナ等があげられ、とくに溶融シリカ粉末が
好ましい。
本発明に使用される硬化促進剤はエポキシ基とフェノー
ル性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般
に封止用材料に使用されているものを広く使用すること
ができ、例えばジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、
）リフェニルホスフイン（ＴＰＰ）、ジメチルヘンシル
アミン（ＢＤＭＡ）や２メチルイミダゾール（２ＭＺ）
等が単独もしくは２種類以上混合して用いられる。
ル性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般
に封止用材料に使用されているものを広く使用すること
ができ、例えばジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、
）リフェニルホスフイン（ＴＰＰ）、ジメチルヘンシル
アミン（ＢＤＭＡ）や２メチルイミダゾール（２ＭＺ）
等が単独もしくは２種類以上混合して用いられる。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂、硬
化剤、無機充填剤及び硬化促進剤を必須成分とするが、
これ以外に必要に応してシランカップリング剤、ブロム
化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロムヘン
ゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色
剤、天然ワックス、合成ワンクス等の離型剤及びシリコ
ーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を
適宜配合しても差し支えがない。
化剤、無機充填剤及び硬化促進剤を必須成分とするが、
これ以外に必要に応してシランカップリング剤、ブロム
化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロムヘン
ゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色
剤、天然ワックス、合成ワンクス等の離型剤及びシリコ
ーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を
適宜配合しても差し支えがない。
又、本発明の対土用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て製造するには、エポキシ樹脂、硬化剤硬化促進剤、充
填剤、その他の添加剤をミキサー等によって十分に均一
に混合した後、さらに熱ロールまたはニーダ−等で溶融
混練し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。
て製造するには、エポキシ樹脂、硬化剤硬化促進剤、充
填剤、その他の添加剤をミキサー等によって十分に均一
に混合した後、さらに熱ロールまたはニーダ−等で溶融
混練し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。
これらの成形材料は電子部品あるいは電気部品の封止、
被覆、絶縁等に適用することができる。
被覆、絶縁等に適用することができる。
実施例１
下記組成物
式（ロ）で示されるトリス（ヒドロギンアルキルフェニ
ル）メタントリグリシジルエーテル１５重量部 オルソクレゾールノボラック エポキシ樹脂 ５重量部 フェノールノボラック樹脂 １０重量部溶融シリ
カ粉末 ６８．７重量部トリフェニルホ
スフィン ０．３１１１Ｓカーボンブラツク
０．５重量部カルナバワックス
０．５重量部を、ミキサーで常温で混合し、７
０〜ｌ ００ ’Ｃで２軸ロールにより混練し、冷却後
粉砕し成形材料とした。
ル）メタントリグリシジルエーテル１５重量部 オルソクレゾールノボラック エポキシ樹脂 ５重量部 フェノールノボラック樹脂 １０重量部溶融シリ
カ粉末 ６８．７重量部トリフェニルホ
スフィン ０．３１１１Ｓカーボンブラツク
０．５重量部カルナバワックス
０．５重量部を、ミキサーで常温で混合し、７
０〜ｌ ００ ’Ｃで２軸ロールにより混練し、冷却後
粉砕し成形材料とした。
得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファ
ー成形機にて１７５°Ｃ，７０ｋｇ／ｃｄ、１２０秒の
条件で半田クランク試験用として６×６印のチップを５
２ｐパツケージに封止し、又半田耐湿性試験用として３
Ｘ６ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰパンケージに封止した
。
ー成形機にて１７５°Ｃ，７０ｋｇ／ｃｄ、１２０秒の
条件で半田クランク試験用として６×６印のチップを５
２ｐパツケージに封止し、又半田耐湿性試験用として３
Ｘ６ｍｍのチップを１６ｐＳＯＰパンケージに封止した
。
封止したテスト用素子について下記の半田クランク試験
及び半田耐湿性試験をおこなった。
及び半田耐湿性試験をおこなった。
半田クラック試験：封止したテスト用素子を８５°Ｃ１
８５％Ｒ）Ｉの環環境下で４８Ｈ「および７２Ｈｒ処理
し、その後２４０°Ｃの半田槽に１０秒間浸漬後顕微鏡
で外部クランクを観察した。
８５％Ｒ）Ｉの環環境下で４８Ｈ「および７２Ｈｒ処理
し、その後２４０°Ｃの半田槽に１０秒間浸漬後顕微鏡
で外部クランクを観察した。
半導耐湿性試験：封止したテスト用素子を８５°Ｃで、
８５％ＲＨの環境下で７２Ｈｒ処理し、その後２４０″
Ｃの半田槽に１０秒間浸漬後プレンシャークツカ−試験
（１２５°Ｃ，，１００％ＲＨ）を行い回路のオープン
不良を測定した。
８５％ＲＨの環境下で７２Ｈｒ処理し、その後２４０″
Ｃの半田槽に１０秒間浸漬後プレンシャークツカ−試験
（１２５°Ｃ，，１００％ＲＨ）を行い回路のオープン
不良を測定した。
実施例２．３
第１表の処方に従って配合し、実施例Ｉと同様にして成
形材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品
を得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラン
ク試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を第１
表に示す。
形材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品
を得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラン
ク試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を第１
表に示す。
比較例１．２
第１表の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成
形材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品
を得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラン
ク試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を第１
表に示す。
形材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品
を得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラン
ク試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を第１
表に示す。
本発明に従うと従来技術では得ることのできなイらｔ＋
犀 かった耐熱性及び、ｍを有するエポキシ樹脂組成物を得
ることができるので、半田付は工程による急激な温度変
化による熱ストレスを受けたときの耐クラツク性に非常
に優れ、更に耐湿性が良好なことから電子、電気部品の
封止用、被覆用絶縁等に用いた場合、特に表面実装パッ
ケージに搭載された高集積大型チップＩＣにおいて信頼
性が非常に必要とする製品について好適である。
犀 かった耐熱性及び、ｍを有するエポキシ樹脂組成物を得
ることができるので、半田付は工程による急激な温度変
化による熱ストレスを受けたときの耐クラツク性に非常
に優れ、更に耐湿性が良好なことから電子、電気部品の
封止用、被覆用絶縁等に用いた場合、特に表面実装パッ
ケージに搭載された高集積大型チップＩＣにおいて信頼
性が非常に必要とする製品について好適である。
Claims (1)
- （１）（Ａ）式（ I ）の化学構造式で示される多官能
エポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （ｎは整数でｎ＝１〜１０） を総エポキシ樹脂量に対して５０〜１００重量％を含む
エポキシ樹脂 （Ｂ）フェノール樹脂硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22645988A JPH0275620A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22645988A JPH0275620A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0275620A true JPH0275620A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16845428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22645988A Pending JPH0275620A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0275620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039919A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US8345340B2 (en) | 2009-07-01 | 2013-01-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of adjusting a resonance frequency of an optical scanning device |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22645988A patent/JPH0275620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039919A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US8345340B2 (en) | 2009-07-01 | 2013-01-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of adjusting a resonance frequency of an optical scanning device |
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