JPH039426B2 - - Google Patents

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JPH039426B2
JPH039426B2 JP9728279A JP9728279A JPH039426B2 JP H039426 B2 JPH039426 B2 JP H039426B2 JP 9728279 A JP9728279 A JP 9728279A JP 9728279 A JP9728279 A JP 9728279A JP H039426 B2 JPH039426 B2 JP H039426B2
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JP
Japan
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socket
prom
circuit device
pins
voltage
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JP9728279A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Ozaki
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ICソケツトに挿入したプログラ
ム可能なリードオンリメモリ(Programmable
Read Only Memory、以下PROMと称する)の
ような半導体集積回路装置(以下LSIと称する)
の方向もしくは種類を判別するための判別装置に
関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention provides a programmable read-only memory inserted into an IC socket.
Semiconductor integrated circuit devices (hereinafter referred to as LSI) such as Read Only Memory (hereinafter referred to as PROM)
The present invention relates to a discriminating device for discriminating the direction or type of.

例えばPROMに情報を書込むには、書込み装
置のソケツトに被書込みPROMを挿入し、この
ソケツトを介してPROMに所定の信号を印加す
ることになる。この場合、品種名あるいは方向が
誤つた状態でPROMがソケツトに挿入されてい
ると、所定の電圧又は信号を受けるべきPROM
のピン(端子)が異なることになるため、電源の
供給及び書込みの開始において、PROMに異常
な電圧が加わつたり異常な電流が流れたりするこ
とになる。このためPROMが破壊してしまうこ
とがある。そのためPROMのようなLSIをソケツ
トに挿入するには充分なる注意が必要になつてく
る。
For example, to write information to a PROM, the PROM to be written is inserted into a socket of a writing device, and a predetermined signal is applied to the PROM through this socket. In this case, if the PROM is inserted into the socket with the wrong product name or direction, the PROM that should receive the specified voltage or signal may
Since the pins (terminals) of the PROM will be different, an abnormal voltage will be applied to the PROM or an abnormal current will flow when power is supplied and writing starts. Because of this, the PROM may be destroyed. Therefore, great care must be taken when inserting an LSI such as a PROM into a socket.

従つてこの発明の目的は、ソケツトに間違つた
種類もしくは間違つた方向にLSIを挿入したとき
であつても、上記LSIを破壊から守るようにした
判別装置を得ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a discriminating device that protects the LSI from destruction even when the wrong type of LSI or LSI is inserted in the wrong direction into a socket.

この発明に従えば、例えばPROMのための書
込み装置等においてPROMを挿入するソケツト
における所定の複数のピンの電気的特性を検出す
る手段と、これにより検出された複数のピンのそ
れぞれの電気的特性の組合せによつて上記の挿入
されたPROMの種類もしくは方向を判別する手
段と、この判別手段によつて判別された種類もし
くは方向が予じめ決められたものと一致したとき
に上記書込み装置を働かせる手段とが設けられ
る。
According to the present invention, there is provided a means for detecting the electrical characteristics of a plurality of predetermined pins in a socket into which a PROM is inserted in, for example, a writing device for a PROM, and an electrical characteristic of each of the plurality of pins detected thereby. means for determining the type or direction of the inserted PROM by a combination of the above, and when the type or direction determined by this determining means matches a predetermined one, the writing device is activated. means for making it work.

第1図はこの発明を実施したPROMの書込み
装置のブロツク図を示している。
FIG. 1 shows a block diagram of a PROM writing device embodying the present invention.

同図において、51はPROM50が挿入され
るソケツトであり、上記PROM50のピン1な
いし24のそれぞれ一対一対応で接触するピン
1′ないし24′を持つている。52は入出力イン
ターフエース(以下PIAと称する)であり、上記
PROM50のピン1′ないし24′に接続される
ピンP1ないしP24を持つている。このPIA52は、
マイクロコンピユータ(以下MCと称する)58
によつて動作が制御され書き込み回路59と上記
ソケツト51のピン1′ないし24′とを結合し、
またピン21′,19′とピンP21″,P19″とを結合
する。
In the figure, reference numeral 51 denotes a socket into which the PROM 50 is inserted, and has pins 1' to 24' that contact pins 1 to 24 of the PROM 50 in a one-to-one correspondence, respectively. 52 is an input/output interface (hereinafter referred to as PIA), which is
It has pins P 1 to P 24 connected to pins 1' to 24' of PROM 50. This PIA52 is
Microcomputer (hereinafter referred to as MC) 58
The operation is controlled by the write circuit 59 and the pins 1' to 24' of the socket 51 are connected;
Also, the pins 21' and 19' are connected to the pins P 21 '' and P 19 ''.

53及び54は判別回路である。この判別回路
53及び54は、MC58からの制御信号φ8によ
つて、上記PIA52の端子P21及びP19に現
われた電圧レベルを内部の基準電圧レベルと比較
し、比較結果である2値信号“1”又は“0”を
出力する。特に制限されないがこれらの判別回路
53及び54は、MC58からの制御信号φ3及び
φ4によつて、上記の2値信号をMC58に送出す
るように達成される。
53 and 54 are discrimination circuits. The discrimination circuits 53 and 54 compare the voltage levels appearing at the terminals P21 and P19 of the PIA 52 with the internal reference voltage level in response to the control signal φ 8 from the MC 58, and the comparison result is a binary signal "1". ” or “0” is output. Although not particularly limited, these discrimination circuits 53 and 54 are configured to send the above-mentioned binary signals to the MC 58 by control signals φ 3 and φ 4 from the MC 58 .

55,56及び57は、フリツプフロツプ回路
(以下FFと称する)である。これらのFF55,
56及び57はMC58からの制御信号φ6、φ2
よつてセツト、リセツト状態が制御され、セツト
状態において電源としての電圧を出力する。
55, 56 and 57 are flip-flop circuits (hereinafter referred to as FF). These FF55,
The set and reset states of 56 and 57 are controlled by control signals φ 6 and φ 2 from the MC 58, and output a voltage as a power supply in the set state.

すなわち、FF55は、セツト状態において
PIA52の端子24′に、前記PROM50のための
電源電圧を出力する。
In other words, FF55 is in the set state.
The power supply voltage for the PROM 50 is output to the terminal 24 ' of the PIA 52.

またFF56及び57は、セツト状態において
端子21″,29″にPROM50の方向判別のた
めのテスト用電源電圧を出力する。なお、これら
FF56とFF57とは、同じ動作をさせられるの
で、実質的に1つにすることができる。
Further, the FFs 56 and 57 output test power supply voltages for determining the direction of the PROM 50 to the terminals 21'' and 29'' in the set state. Furthermore, these
Since the FF56 and the FF57 can perform the same operation, they can essentially be combined into one.

MC58は、端子STRに動作開始指示信号を受
けることにより動作を開始し、上記のような各種
の回路のための制御信号を出力する。
The MC 58 starts its operation upon receiving an operation start instruction signal at the terminal STR, and outputs control signals for the various circuits described above.

書き込み回路59は、MC58からの制御信号
φ7を受けて、書込み情報信号を出力する。
The write circuit 59 receives the control signal φ 7 from the MC 58 and outputs a write information signal.

電源60は、上記FF55,56及び57等に
電源電圧を供給する。
A power supply 60 supplies power supply voltage to the FFs 55, 56, 57, and the like.

62は表示器であり、MC58から制御信号φ5
を受けることによつて、前記ソケツト51に取り
つけられたPROM50の方向を表示する。
62 is a display device, and a control signal φ 5 is sent from the MC58.
The direction of the PROM 50 attached to the socket 51 is indicated by receiving the signal.

この実施例に従うと、ソケツト51′の特定の
ピン、例えば図示の場合、21′と19′と上記
FF56,57のピン21″,19″との間に抵抗
R2、R1が接続される。
According to this embodiment, certain pins of socket 51', such as 21' and 19' and the
Resistor between pins 21″ and 19″ of FF56 and 57
R 2 and R 1 are connected.

第5図は上記PIA52の構成の概要を示してい
る。この図においては、ピンP19及びP21を除く他
のすべてのピンは、ピンP12とP12′とを代表とし
て示すように、機能的には、上記書き込み回路5
9、FF55等から供給された書込み情報、電圧
をソケツト51の各ピンに供給するようになつて
いる。
FIG. 5 shows an outline of the configuration of the PIA 52. In this figure, all other pins except pins P 19 and P 21 are functionally connected to the write circuit 5, as shown by pins P 12 and P 12 ' as representatives.
9, the write information and voltage supplied from the FF 55 and the like are supplied to each pin of the socket 51.

上記端子P19に対応してピンP19′とP19″とが設
けられ、同様にピンP21に対応してP21′とP21″と
が設けられる。上記ピンP19とP19″との相互は実
質的に直接接続されるが、ピンP19とP19′との相
互はMC58からの制御信号φ1によつて制御され
るトランジスタからなるようなスイツチS1を介し
て接続される。上記のピンP19′は、例えばMC5
8に結合される。ピンP19″は前記のように判別回
路54に結合される。同様に、ピンP21とP21″と
は実質的に直接接続され、ピンP21とP21′との相
互は上記と同様に制御信号φ1によつて制御され
るトランジスタからなるようなスイツチS2を介し
て接続される。
Pins P 19 ′ and P 19 ″ are provided corresponding to the terminal P 19 , and similarly, pins P 21 ′ and P 21 ″ are provided corresponding to the pin P 21 . The pins P 19 and P 19 ″ are substantially directly connected to each other, but the pins P 19 and P 19 ′ are connected to each other by a transistor controlled by the control signal φ 1 from the MC58. The above pin P 19 ′ is connected via the switch S 1 .
Combined with 8. Pin P 19 ″ is coupled to the discrimination circuit 54 as described above. Similarly, pins P 21 and P 21 ″ are substantially directly connected, and pins P 21 and P 21 ′ are connected to each other as described above. is connected to via a switch S 2 consisting of a transistor controlled by a control signal φ 1 .

PROM50の方向判別を行なうとき、上記ソ
ケツト51のピン21′,19′に上記抵抗R2
R1を介して電圧が供給される。上記の供給電圧
に応じて上記ピン21′,19′に生ずる電圧レベ
ルが、前記の判別回路53,54によつて判別さ
れる。
When determining the direction of the PROM 50, the resistor R 2 is connected to the pins 21' and 19' of the socket 51.
Voltage is supplied through R1 . The voltage levels generated at the pins 21' and 19' in accordance with the supply voltage are determined by the determination circuits 53 and 54.

上記の抵抗R1、R2を接続するソケツト51の
ピンは、このソケツト51にPROM50が正常
な方向で取り付けられたときと反対方向で取り付
けられたときとで、電圧・電流特性に変化を生ず
るものの中から選択される。
The pins of the socket 51 that connect the above resistors R 1 and R 2 will cause changes in voltage and current characteristics depending on whether the PROM 50 is installed in the socket 51 in the normal direction or in the opposite direction. selected from among things.

特に制限されないが、PROMは、例えば第3
図のようにピン21に出力端子が接続された出力
バツフア回路BA1と、ピン19に出力端子が接
続された出力バツフア回路BA2とを持つてい
る。また上記ピン21と点対象をなす位置のピン
9に出力端子が接続された出力バツフア回路BA
3と、上記ピン19と点対象をなす位置のピン7
に入力端子が接続された入力バツフア回路IP1
をもつている。
Although not particularly limited, PROM can be used, for example, as a third
As shown in the figure, it has an output buffer circuit BA1 whose output terminal is connected to pin 21, and an output buffer circuit BA2 whose output terminal is connected to pin 19. Also, an output buffer circuit BA whose output terminal is connected to pin 9, which is symmetrical with pin 21 above.
3, and pin 7 located in point symmetry with the above pin 19.
Input buffer circuit IP1 with input terminal connected to
It has

上記各回路は、1つの半導体基板上に形成され
た複数個のNチヤンネル型絶縁ゲート型電界効果
トランジスタ(以下MISFETと称する)から構
成される。
Each of the circuits described above is composed of a plurality of N-channel insulated gate field effect transistors (hereinafter referred to as MISFETs) formed on one semiconductor substrate.

上記出力バツフア回路BA1は、例えば第5図
のように、電源端子VDDと出力端子N1との間に接
続され、ゲートソース間が短絡されたデイプレツ
シヨン型負荷MISFETQ1と、上記出力端子N1
と回路の接地端子GNDとの間に接続されたエン
ハンスメント型駆動用MISFETQ2とからなる。
For example, as shown in FIG. 5, the output buffer circuit BA1 includes a depletion type load MISFETQ1 connected between the power supply terminal VDD and the output terminal N1 , the gate and source of which are short-circuited, and the output terminal N1.
and an enhancement-type drive MISFETQ 2 connected between the circuit's ground terminal GND and the circuit's ground terminal GND.

第5図のように、PROM50の接地用ピン1
2を接地し、かつ電源用ピン24を開放した状態
で、ピン21に抵抗を介して正電圧VTを加えた
場合、この正電圧VTに対し、MISFETQ1のソー
ス及びMISFETQ2のドレインと半導体基板SUB
との間に実質的に形成されるダイオードD1は逆
バイアス状態であり、オフ状態である。これに対
し、上記正電圧VTによつて、負荷用MISFETQ1
のソースSは実質的にドレインとして作用し、ド
レインDは実質的にソースとして作用する。ゲー
トに加わる正電圧によつて上記MISFETQ1はオ
ン状態になる。上記MISFETQ1のオン状態によ
つて、ピン21から上記MISFETQ1、電源電圧
VDD、他の回路LCKT及び接地端子GNDに至る電
流経路が形成される。それ故に、抵抗R2に電圧
降下が生じ、上記ピン21の電位は低レベルにな
る。
As shown in Figure 5, ground pin 1 of PROM50
If a positive voltage V T is applied to the pin 21 through a resistor while the power supply pin 24 is grounded and the power supply pin 24 is open, the source of MISFETQ 1 and the drain of MISFETQ 2 will be connected to the positive voltage V T. Semiconductor substrate SUB
The diode D1 formed substantially between is in a reverse biased state and is in an off state. On the other hand, due to the above positive voltage V T , the load MISFETQ 1
The source S acts substantially as a drain, and the drain D acts substantially as a source. The MISFETQ 1 is turned on by the positive voltage applied to the gate. Depending on the on state of the above MISFETQ 1 , the voltage from pin 21 to the above MISFETQ 1 is
A current path is formed that leads to V DD , another circuit LCKT, and the ground terminal GND. Therefore, a voltage drop occurs across resistor R 2 and the potential at pin 21 becomes low.

第3図のように、ピン12を接地した状態で、
抵抗R2、R1を介してピン21,19に正電圧VT
を加えた場合、これらの端子21,19はいずれ
もロウレベルになる。
As shown in Figure 3, with pin 12 grounded,
Positive voltage V T on pins 21, 19 through resistors R 2 , R 1
, both terminals 21 and 19 become low level.

上記第3図のPROM50の方向を第4図のよ
うに180゜回転させた場合、第3図と同じ位置のピ
ン21,19及び12は、それぞれピン9,7及
び24に変更される。
When the direction of the PROM 50 in FIG. 3 is rotated by 180 degrees as shown in FIG. 4, the pins 21, 19 and 12 at the same positions as in FIG. 3 are changed to pins 9, 7 and 24, respectively.

この場合、ピン24が電源端子とされているの
で、ピン9に接続するバツフア回路BA3の等価
回路は第7図のようになる。
In this case, since pin 24 is used as a power supply terminal, the equivalent circuit of buffer circuit BA3 connected to pin 9 is as shown in FIG.

ピン9に加わる正電圧によつて、デイプレツシ
ヨン負荷MISFETQ6が良好にオン状態となつて
おり、ピン9から上記MISFETQ6と接地され電
源端子VDDとの間に電流通路が形成される。その
結果、ピン9の電位は低レベルとなる。
Due to the positive voltage applied to pin 9, the depletion load MISFETQ 6 is properly turned on, and a current path is formed from pin 9 to the MISFET Q 6 and the grounded power supply terminal V DD . As a result, the potential at pin 9 becomes a low level.

入力バツフア回路IP1は、本来、例えば第6
図のように、デイプレツシヨン負荷MISFETQ3
駆動用MISFETQ4等から構成される。上記入力
バツフア回路の入力側には、ピン7に加わる静電
気のような高電圧によつてMISFETQ4のゲート
が破壊されてしまうことを防ぐために、保護ダイ
オードDZが接続されている。上記の第4図のよ
うにされた場合、第6図に対応するバツフア回路
IP1は、第8図のような接続となる。この場合、
ピン7に加わるを電圧に対し、上記保護ダイオー
ドDZは逆バイアス状態になり、オフ状態のまま
である。従つて、上記ピン7の電位は正電圧VT
の高レベルになる。
The input buffer circuit IP1 is originally, for example, the sixth
As shown, depreciation load MISFETQ 3 ,
Consists of drive MISFETQ 4 , etc. A protection diode DZ is connected to the input side of the input buffer circuit in order to prevent the gate of MISFETQ 4 from being destroyed by high voltage such as static electricity applied to pin 7. If it is as shown in Figure 4 above, the buffer circuit corresponding to Figure 6
IP1 is connected as shown in Figure 8. in this case,
For voltage applied to pin 7, the protection diode D Z becomes reverse biased and remains off. Therefore, the potential at pin 7 is a positive voltage V T
reach a high level.

第1図の書き込み装置の動作は次のようにな
る。
The operation of the writing device shown in FIG. 1 is as follows.

初期状態では、前記FF55ないし57はMC
58によつてリセツト状態にされている。
In the initial state, the FFs 55 to 57 are MC
58 to the reset state.

PROM50をソケツト51に取り付け、次い
でMC58の制御動作を開始させる。
The PROM 50 is attached to the socket 51, and then the control operation of the MC 58 is started.

MC58は制御信号φ1によつて、PIA52のス
イツチS1及びS2を開放状態にし、端子P21,P19
電位が端子P21′,P19′に現われる不所望な電位に
よつて乱されないようにする。次いで制御信号
φ2によつて電源60の電圧が抵抗R1及びR2のそ
れぞれの一端に印加されるようにFF57及び5
6をセツト状態にさせる。
The MC58 uses the control signal φ1 to open the switches S1 and S2 of the PIA52, so that the potentials at the terminals P21 and P19 are disturbed by the undesired potentials appearing at the terminals P21 ' and P19 '. to avoid being Next, the FFs 57 and 5 are connected so that the voltage of the power supply 60 is applied to one end of each of the resistors R1 and R2 by the control signal φ2 .
6 to the set state.

上記の電圧によつてPIA52のピンP19及び
P21に加わる電圧は、ソケツト51のピン1
9′及び21′にそれぞれ接触したPROM50の
ピン19及び21の電気的特性によつて決まつて
くる。
The voltage applied to pins P19 and P21 of PIA 52 by the above voltage is applied to pin 1 of socket 51.
It is determined by the electrical characteristics of pins 19 and 21 of PROM 50, which contact pins 9' and 21', respectively.

上記のピンP19及びP21に印加された電圧
は、次にMC58から制御信号φ8が出力されると
それぞれ、判別回路53と54によつて判別され
る。
The voltages applied to the pins P19 and P21 are determined by the determination circuits 53 and 54, respectively, when the control signal φ8 is outputted from the MC58.

入力されたP19及びP21の2値信号は判別回路5
3及び54のそれぞれの内部にセツトされた基準
の2値信号“0”と比較される。
The input binary signals of P 19 and P 21 are sent to the discrimination circuit 5.
3 and 54, respectively, and is compared with a reference binary signal "0" set inside each of the signals.

上記判別回路53の判別出力は、制御信号φ3
によつてMC58に供給される。同様に判別回路
54の判別出力は次の制御信号φ4によつてMC5
8に供給される。MC58は上記の2つの判別出
力に基づいて、上記のソケツト51に取り付けら
れたPROM50の方向を判別する。
The discrimination output of the discrimination circuit 53 is the control signal φ 3
is supplied to MC58 by. Similarly, the discrimination output of the discrimination circuit 54 is determined by the next control signal φ4 .
8. The MC 58 determines the direction of the PROM 50 attached to the socket 51 based on the above two determination outputs.

上述した第3図のようなPROMがソケツト5
1に正しい方向で取り付けられているとき、判別
回路53と54は、ピンP21,P19の低レベルに対
応した低レベルの信号を出力する。
The PROM shown in Figure 3 above is located in socket 5.
1 in the correct orientation, the discrimination circuits 53 and 54 output low level signals corresponding to the low levels of pins P 21 and P 19 .

MC58は、判別回路53と54とからのロウ
レベルの2つの判別出力を検出すると、言い換え
るとPROM50の正常な装着状態を検出すると、
次のタイミングでFF55をセツト状態にし、
PROM50に正規の電源電圧が供給されるよう
にする。ほゞ同時にPIA52のスイツチS1,S2
オン状態にさせ、またFF56及び57をリセツ
ト状態にさせる。次いで書込み回路59の動作を
開始させる。
When the MC 58 detects the two low-level discrimination outputs from the discrimination circuits 53 and 54, in other words, when it detects the normal mounting state of the PROM 50,
At the next timing, set FF55,
Make sure that the PROM50 is supplied with the proper power supply voltage. Almost simultaneously, the switches S 1 and S 2 of the PIA 52 are turned on, and the FFs 56 and 57 are reset. Next, the operation of the write circuit 59 is started.

PROM50がソケツト51に180゜回転した位置
で取り付けられていた場合、MC58は上記判別
回路53からのロウレベル信号と判別回路54か
らのハイレベル信号を受ける。MC58は上記判
別回路54の判別出力によつてPROM50の取
り付け方向が正常な方向とは異なつていることを
検出し、表示器62に取付方向の誤りを表示させ
る。この場合、MC58は、FF55をリセツト
状態のままにする。
When the PROM 50 is installed in the socket 51 at a position rotated by 180 degrees, the MC 58 receives a low level signal from the discrimination circuit 53 and a high level signal from the discrimination circuit 54. The MC 58 detects that the mounting direction of the PROM 50 is different from the normal direction based on the discrimination output of the discrimination circuit 54, and causes the display 62 to display the error in the mounting direction. In this case, the MC 58 leaves the FF 55 in the reset state.

なお、上記において、ソケツト51のピン21
は、PROM50が正常な方向のとき及び異なつ
た方向のときのいずれでも判別時に低レベルとな
る。従つて、正しい種類のPROMをソケツトに
取りつけている場合、上記ソケツト51のピン2
1′はPROMの方向判別に役立たない。
In addition, in the above, pin 21 of socket 51
is at a low level during determination both when the PROM 50 is in a normal direction and when it is in a different direction. Therefore, if the correct type of PROM is installed in the socket, pin 2 of the above socket 51
1' is not useful for determining the direction of PROM.

ピン21′の電位はソケツトに挿入される異な
つた種類のLSIの検出のために利用される。
The potential of pin 21' is used to detect different types of LSIs inserted into the socket.

以上述べた様に、予じめPROMを取り付ける
ソケツトの複数のピンにおける電気的特性の組合
せを求めておき、次に書込もうとするPROMを
ソケツトに挿入したときに、そのPROMの複数
のピンの電気的特性を検出し、それぞれのピンに
おける電気的特性の大小の組合せを求めて、上記
予じめ求めておいた組合せと比較し、この比較結
果に基づいて、PROMへの電源の供給及び書込
みを制御するようにすれば、書込もうとする
PROMをソケツトに挿入するとき、間違つて逆
差しあるいは間違つた種類のPROMを挿入して
も、予じめ決められた組合せと一致しないため、
これに基づいて、PROMへの電源の供給及び書
込みを禁止させるように制御することができる。
従つてソケツトに間違つた種類のLSIあるいは間
違つた方向にLSIを挿入してもこのLSIが破壊さ
れることはない。
As mentioned above, the combination of electrical characteristics of the multiple pins of the socket in which the PROM is installed is determined in advance, and then when the PROM to be written is inserted into the socket, the combination of the multiple pins of that PROM is determined in advance. Detects the electrical characteristics of the pin, determines the combination of electrical characteristics of each pin, and compares it with the combination determined in advance. Based on this comparison result, power is supplied to the PROM and If you control writing, it will try to write.
When inserting a PROM into a socket, even if you accidentally insert it backwards or insert the wrong type of PROM, the combination will not match the predetermined combination.
Based on this, control can be performed to prohibit power supply and writing to the PROM.
Therefore, even if you insert the wrong type of LSI into the socket or the wrong direction, this LSI will not be destroyed.

なお予じめ間違つて挿入してしまうことのある
PROMの種類及びピンの特性に応じて表示器6
2を例えば62Aと62Bのように分け(図示し
ない)間違つた種類のPROMが挿入されたとき
には表示器62Aで、また逆差しがされたときに
は表示器62Bでそれぞれ異常を知らせるように
することができる。これによりソケツトへの挿入
の間違いの形式が表示により判るようになり便利
である。
Please note that it may be inserted by mistake in advance.
Display 6 depending on PROM type and pin characteristics
2, for example, 62A and 62B (not shown), so that when the wrong type of PROM is inserted, the display 62A indicates an abnormality, and when the PROM is inserted in the wrong direction, the display 62B indicates an abnormality. can. This is convenient because the type of incorrect insertion into the socket can be seen on the display.

この発明は、上記実施例に限定されるものでな
く、例えば電気的特性を検出するピン数を変えた
り、あるいはPROM以外の他のLSIに対しても適
用することができる。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be applied to other LSIs other than PROMs, such as by changing the number of pins for detecting electrical characteristics.

また、上記抵抗R1及びR2、FF56及び57を
定電流回路に換え、制御信号φ2によつてこの定
電流回路からソケツトのピンへ電流を流すように
制御してもよい。
Alternatively, the resistors R 1 and R 2 and FFs 56 and 57 may be replaced with constant current circuits, and the current may be controlled to flow from the constant current circuits to the socket pins using the control signal φ 2 .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は実施例の判別装置のブロツク図であ
る。第2図は第1図のブロツク52を説明するため
の概略図である。第3図及び第4図はPROMの
概略図である。第5図ないし第8図はPROMで
使用される回路例の回路図である。 50……PROM、51……ソケツト、52…
…入出力インターフエース、53,54……判別
回路、55,56,57……フリツプフロツプ回
路、58……マイクロコンピユータ、59……電
源、60……電源、62……表示器。
FIG. 1 is a block diagram of a discriminating device according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining block 52 of FIG. 1. 3 and 4 are schematic diagrams of the PROM. 5 through 8 are circuit diagrams of example circuits used in PROM. 50...PROM, 51...Socket, 52...
...Input/output interface, 53, 54...Discrimination circuit, 55, 56, 57...Flip-flop circuit, 58...Microcomputer, 59...Power source, 60...Power source, 62...Display device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体集積回路装置のリードが接触されるソ
ケツトと、上記ソケツトを介して検出される上記
半導体集積回路装置の所望のリードの電気的特性
の判定結果に基づいて上記半導体集積回路装置が
上記ソケツトに正常装着状態をもつて装着されて
いるか否かを検出しかつその検出結果に基づいて
制御信号を形成する制御手段と、上記半導体集積
回路装置の正常装着状態において上記半導体集積
回路装置に供給すべき動作電圧を形成しかつ上記
半導体集積回路装置の正常でない装着状態におい
て上記動作電圧を形成しないように上記制御信号
によつて動作制御される電圧形成手段とを備えて
なる判別装置であつて、上記制御手段は、上記半
導体集積回路装置の所望の複数のリードに現われ
る電位の組合せと予め求めておいた電位の組合せ
との比較によつて上記ソケツトに装着された上記
半導体集積回路装置の種類を検出可能にされ、上
記装着状態の検出結果と上記種類の検出結果にも
とづいて上記電圧形成手段の動作を制御するよう
に構成されてなることを特徴とする判別装置。 2 上記制御手段は、上記検出結果の表示のため
の表示手段を制御するようにされてなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の判別装置。 3 上記制御手段は、上記検出の後上記制御信号
を形成するように動作されるマイクロコンピユー
タから成ることを特徴とする特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の判別装置。 4 上記電圧形成手段は、プログラム可能なリー
ドオンリメモリからなる半導体集積回路装置に供
給すべき動作電圧を形成するように構成されてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第3項のうちの1に記載の判別装置。
[Scope of Claims] 1. A socket to which a lead of a semiconductor integrated circuit device comes into contact, and a determination result of the electrical characteristics of a desired lead of the semiconductor integrated circuit device detected through the socket. a control means for detecting whether the circuit device is normally installed in the socket and forming a control signal based on the detection result; a voltage forming means for forming an operating voltage to be supplied to the circuit device and whose operation is controlled by the control signal so as not to form the operating voltage in an abnormal mounting state of the semiconductor integrated circuit device; In the apparatus, the control means controls the semiconductor integrated circuit mounted in the socket by comparing a combination of potentials appearing at a desired plurality of leads of the semiconductor integrated circuit device with a combination of potentials determined in advance. A discriminating device, characterized in that it is capable of detecting the type of circuit device, and is configured to control the operation of the voltage forming means based on the detection result of the mounting state and the detection result of the type. 2. The discrimination device according to claim 1, wherein the control means controls a display means for displaying the detection results. 3. The control means comprises a microcomputer which is operated to form the control signal after the detection.
2. Discrimination device according to item 1 or 2. 4. Claims 1 to 3, wherein the voltage forming means is configured to form an operating voltage to be supplied to a semiconductor integrated circuit device comprising a programmable read-only memory. The discrimination device according to one of the above.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5244178A (en) * 1975-10-06 1977-04-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPS5483381A (en) * 1977-12-16 1979-07-03 Hitachi Ltd Detection method of integrated circuit insertion direction

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