JP3170583B2 - Semiconductor integrated circuit testing method and apparatus - Google Patents

Semiconductor integrated circuit testing method and apparatus

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JP3170583B2 JP15439490A JP15439490A JP3170583B2 JP 3170583 B2 JP3170583 B2 JP 3170583B2 JP 15439490 A JP15439490 A JP 15439490A JP 15439490 A JP15439490 A JP 15439490A JP 3170583 B2 JP3170583 B2 JP 3170583B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

本発明は、半導体集積回路試験方法及び装置に関す
る。
The present invention relates to a method and an apparatus for testing a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

半導体集積回路の高集積化に伴い、その試験時間が増
大して、試験コストが高くなっている。半導体集積回路
の試験は、アクセス時間等をチェックするAC試験と、電
源電流等をチェックするDC試験とに大別される。
With the increase in the degree of integration of semiconductor integrated circuits, the test time has increased, and the test cost has increased. Testing of semiconductor integrated circuits is roughly classified into an AC test for checking access time and the like and a DC test for checking power supply current and the like.

【0003】 AC試験では、同種の複数の半導体集積回路に対し、全
てのリードにプローブを同時に当接させ、テスト信号を
各半導体集積回路に共通かつ同時に供給して並列処理す
ることにより、試験時間の短縮を図っている。
In the AC test, a probe is brought into contact with all the leads at the same time for a plurality of semiconductor integrated circuits of the same type, and a test signal is supplied to each semiconductor integrated circuit at the same time and in parallel to perform test processing in parallel. Is being shortened.

【0004】 しかし、各半導体集積回路の外部電源端子に流れる電
流をチェックするDC試験において、同時に各外部電源端
子に流れる電流を検出するためには、同時に試験する半
導体集積回路の個数だけのDC電源ユニット及び電流検出
回路が必要になり、試験装置が高価になる。
However, in the DC test for checking the current flowing to the external power supply terminal of each semiconductor integrated circuit, in order to detect the current flowing to each external power supply terminal at the same time, the DC power supply for the number of semiconductor integrated circuits to be tested at the same time is required. A unit and a current detection circuit are required, and the test equipment becomes expensive.

【0005】 そこで、第4図に示す如く、従来のDC試験装置20で
は、リレー接点21〜26の一方の端子をそれぞれ半導体集
積回路10〜15の外部電源端子TCにプローブを介して接続
し、リレー接点21〜26の他方の端子を共通にし電流検出
回路27を介して直流電源28の電圧出力端子に接続してい
る。そして、リレー接点切換回路29により、リレー接点
21〜26の何れか1つのオンにし、他の全てをオフ状態に
し、オンにしたリレー接点21を一定時間毎に切り換え
て、各半導体集積回路10〜15に流れる電流を電流検出回
路27で検出し、これが規定範囲内であるかどうかを不図
示の回路でチェックしていた。
Therefore, as shown in FIG. 4, in the conventional DC test apparatus 20, one terminal of each of the relay contacts 21 to 26 is connected to an external power supply terminal TC of each of the semiconductor integrated circuits 10 to 15 via a probe. The other terminals of the relay contacts 21 to 26 are made common and connected to a voltage output terminal of a DC power supply 28 via a current detection circuit 27. Then, the relay contact switching circuit 29
Turn on any one of 21 to 26, turn off all others, switch on the relay contact 21 that is turned on at regular intervals, and detect the current flowing through each semiconductor integrated circuit 10 to 15 with the current detection circuit 27. However, it was checked by a circuit (not shown) whether this was within a specified range.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]

しかし、リレーは動作時間は数十msであるので、繰り
返し多数回試験を行うと、全体として試験時間が長くな
り、試験コスト増大の原因になる。
However, since the operation time of the relay is several tens of ms, if the test is repeated many times, the test time becomes longer as a whole, which causes an increase in test cost.

【0007】 本発明の目的は、このような問題点に鑑み、試験時間
を短縮可能な構成の半導体集積回路試験方法及び装置を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for testing a semiconductor integrated circuit having a configuration capable of reducing a test time in view of such a problem.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本装置発明では、外部電源端子(TC)と内部回路(3
0)との間に接続された電源スイッチ(31)と、外部端
子(T1)の印加電圧に応じて該電源スイッチをオン/オ
フ制御する電源スイッチ制御回路(32)とを備えた複数
の半導体集積回路(10A〜15A)に対する半導体集積回路
試験装置であって、 該外部端子に供給する電圧を順次切り換えて、複数の
該電源スイッチの1つのみをオン状態にしオン状態にし
た該電源スイッチを順に切り換える切換制御回路(41〜
43)と、 該複数の半導体集積回路の該外部電源端子に対し共通
に接続され、該複数の半導体集積回路のうち、オン状態
にした該電源スイッチを有する半導体集積回路に選択的
に直流電圧を供給して該半導体集積回路の外部電源端子
に流れる電流をチェックするDC試験回路(27、28A)と
を有する。
In the present invention, the external power supply terminal (TC) and the internal circuit (3
0) and a power switch control circuit (32) for turning on / off the power switch according to the voltage applied to the external terminal (T1). A semiconductor integrated circuit test apparatus for an integrated circuit (10A to 15A), wherein a voltage supplied to the external terminal is sequentially switched to turn on only one of a plurality of the power switches and to turn on the power switch. A switching control circuit (41 to
43), a DC voltage is selectively applied to the semiconductor integrated circuit having the power switch that is connected to the external power supply terminals of the plurality of semiconductor integrated circuits and turned on among the plurality of semiconductor integrated circuits. A DC test circuit (27, 28A) for checking a current supplied and flowing to an external power supply terminal of the semiconductor integrated circuit.

【0009】 本方法発明では、外部電源端子(TC)と内部回路(3
0)との間に接続された電源スイッチ(31)と、外部端
子(T1)の印加電圧に応じて該電源スイッチをオン/オ
フ制御する電源スイッチ制御回路(32)とを備えた複数
の半導体集積回路(10A〜15A)に対する半導体集積回路
試験方法であって、 該外部端子に供給する電圧を順次切り換えて、複数の
該電源スイッチの1つのみをオン状態にしオン状態にし
た該電源スイッチを順に切り換え、 該複数の半導体集積回路の該外部電源端子に対し共通
に接続されたDC試験回路により、該複数の半導体集積回
路のうち、オン状態にした該電源スイッチを有する該半
導体集積回路に選択的に直流電圧を供給して該半導体集
積回路の外部電源端子に流れる電流をチェックする。
In the method of the present invention, the external power supply terminal (TC) and the internal circuit (3
0) and a power switch control circuit (32) for turning on / off the power switch according to the voltage applied to the external terminal (T1). A method for testing a semiconductor integrated circuit for an integrated circuit (10A to 15A), wherein a voltage supplied to the external terminal is sequentially switched so that only one of the plurality of power switches is turned on and the power switch is turned on. Switching in order, a DC test circuit commonly connected to the external power supply terminals of the plurality of semiconductor integrated circuits selects the semiconductor integrated circuit having the power switch turned on among the plurality of semiconductor integrated circuits. A DC voltage is supplied to check the current flowing to the external power supply terminal of the semiconductor integrated circuit.

【0010】[0010]

【実施例】【Example】

以下、図面に基づいて本発明に係る半導体集積回路試
験方法及び装置の実施例を説明する。
Hereinafter, embodiments of a method and an apparatus for testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0011】 第1図は半導体集積回路10の要部構成を示す。FIG. 1 shows a main configuration of the semiconductor integrated circuit 10.

【0012】 この半導体集積回路10は、例えば半導体メモリであ
り、内部回路30には、外部入力端子T1〜Tm、外部出力端
子Tm+1〜Tn及び接地端子TSが接続され、さらに外部電
源端子TCが電源スイッチとしてのPMOSトランジスタ31を
介して接続されている。PMOSトランジスタ31のゲート
は、電源スイッチ制御回路32により制御され、この電源
スイッチ制御回路32は、外部入力端子T1に印加される電
圧に応じて動作する。
The semiconductor integrated circuit 10 is, for example, a semiconductor memory. The internal circuit 30 is connected to external input terminals T1 to Tm, external output terminals Tm + 1 to Tn, and a ground terminal TS. It is connected via a PMOS transistor 31 as a switch. The gate of the PMOS transistor 31 is controlled by a power switch control circuit 32, and the power switch control circuit 32 operates according to the voltage applied to the external input terminal T1.

【0013】 すなわち、電源スイッチ制御回路32は、負荷素子とし
てのPMOSトランジスタ33と、直列接続されたCMOSインバ
ータ34、35及び36からなる。このPMOSトランジスタ33
は、そのソースが外部入力端子T1に接続され、そのドレ
インが、そのゲート及びCMOSインバータ34のPMOSトラン
ジスタのソースに接続されている。また、CMOSインバー
タ34の入力端子は、CMOSインバータ35及び36のPMOSトラ
ンジスタのソースに共通に接続され、かつ、外部電源端
子TCに接続されている。CMOSインバータ34〜36のNMOSト
ランジスタのソースは共通に接地端子TSに接続され、CM
OSインバータ36の出力端はPMOSトランジスタ31のゲート
に接続されている。
That is, the power switch control circuit 32 includes a PMOS transistor 33 as a load element and CMOS inverters 34, 35 and 36 connected in series. This PMOS transistor 33
Has its source connected to the external input terminal T1, and its drain connected to its gate and the source of the PMOS transistor of the CMOS inverter. The input terminal of the CMOS inverter 34 is commonly connected to the sources of the PMOS transistors of the CMOS inverters 35 and 36, and is also connected to the external power supply terminal TC. The sources of the NMOS transistors of the CMOS inverters 34 to 36 are commonly connected to the ground terminal TS,
The output terminal of the OS inverter 36 is connected to the gate of the PMOS transistor 31.

【0014】 次に、上記の如く構成された半導体集積回路10の動作
を説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit 10 configured as described above will be described.

【0015】 外部電源端子TCに電源電圧VCC(例えば5.0V)を印加
し、接地端子TSを接地し、外部入力端子T1に通常の動作
電圧、例えば−0.6〜7.3Vの範囲内の電圧を加えた場合
には、CMOSインバータ34の入力レベルが高レベルであり
そのNMOSトランジスタがオン状態になっているので、CM
OSインバータ34の出力は低レベル、CMOSインバータ35の
出力は高レベル、CMOSインバータ36の出力は低レベルと
なり、PMOSトランジスタ31はオン状態になっている。し
たがって、外部入力端子T1〜Tmにあるデータを入力する
と、これに応じたデータが外部出力端子Tm+1〜Tnから
出力される。
A power supply voltage V CC (for example, 5.0 V) is applied to the external power supply terminal TC, the ground terminal TS is grounded, and a normal operating voltage, for example, a voltage in the range of −0.6 to 7.3 V is applied to the external input terminal T 1. In addition, since the input level of the CMOS inverter 34 is at a high level and its NMOS transistor is on,
The output of the OS inverter 34 is at a low level, the output of the CMOS inverter 35 is at a high level, the output of the CMOS inverter 36 is at a low level, and the PMOS transistor 31 is on. Therefore, when data at the external input terminals T1 to Tm is input, corresponding data is output from the external output terminals Tm + 1 to Tn.

【0016】 外部入力端子T1を通常動作の電圧よりも高い高電圧V
HH、例えば8Vにすると、CMOSインバータ34のPMOSトラン
ジスタ33がオン状態になって、CMOSインバータ34の出力
が高レベルになる。したがって、CMOSインバータ35の出
力が低レベル、CMOSインバータ36の出力が高レベルとな
り、PMOSトランジスタ31がオフ状態になる。
The external input terminal T1 is connected to a high voltage V higher than a normal operation voltage.
When HH is set to , for example, 8 V, the PMOS transistor 33 of the CMOS inverter 34 is turned on, and the output of the CMOS inverter 34 becomes high. Therefore, the output of the CMOS inverter 35 goes low, the output of the CMOS inverter 36 goes high, and the PMOS transistor 31 is turned off.

【0017】 次に、第2図に基づいて、このような構成の半導体集
積回路に対する試験を説明する。
Next, a test for a semiconductor integrated circuit having such a configuration will be described with reference to FIG.

【0018】 半導体集積回路の試験では、複数個、例えば6個の半
導体集積回路10A〜15Aに対し、全てのリードに同時にプ
ローブを当接させ、AC試験及びDC試験を行う。AC試験
は、従来と同様に、テスト信号を各半導体集積回路10A
〜15Aに共通かつ同時に供給して、並行処理する。第2
図は、各半導体集積回路10A〜15Aの外部電源端子TCに流
れる電流をチェックするためのDC試験装置40の要部構成
を示す。
In a test of a semiconductor integrated circuit, an AC test and a DC test are performed on a plurality of, for example, six, semiconductor integrated circuits 10A to 15A by simultaneously bringing probes into contact with all leads. In the AC test, the test signal is applied to each semiconductor integrated circuit
~ 15A common and simultaneous supply and parallel processing. Second
The figure shows a main configuration of a DC test apparatus 40 for checking a current flowing to an external power supply terminal TC of each of the semiconductor integrated circuits 10A to 15A.

【0019】 半導体集積回路10A〜15Aの各外部電源端子TCは共通に
接続され、DC試験装置40の電流検出回路27を介して直流
電源28AのVCC出力端子に接続されている。半導体集積回
路10A〜15Aの各外部入力端子T1は、不図示のプローブを
介してデマルチプレクサ41の各出力端子に接続されてい
る。デマルチプレクサ41の入力端子は、直流電源28AのV
HH出力端子に接続されている。また、クロック発生器42
からのクロックが6進カウンタ43で計数され、その計数
値がデマルチプレクサ41の選択制御端子に供給されてい
る。クロック発生器42を動作状態にすると、デマルチプ
レクサ41の出力は何れか1つが0Vとなり、残りは高電圧
VHHになる。また、0Vになる出力は、クロック発生器42
からのクロックの周期で順次切り換えられる。したがっ
て、半導体集積回路10A〜15Aの各外部電源端子TCに流れ
る電流を電流検出回路27で検出することができる。
The external power supply terminals TC of the semiconductor integrated circuits 10 A to 15 A are commonly connected, and are connected to the V CC output terminal of the DC power supply 28 A via the current detection circuit 27 of the DC test device 40. Each external input terminal T1 of the semiconductor integrated circuits 10A to 15A is connected to each output terminal of the demultiplexer 41 via a probe (not shown). The input terminal of the demultiplexer 41 is connected to the V
Connected to HH output terminal. Also, the clock generator 42
Are counted by the hexadecimal counter 43, and the counted value is supplied to the selection control terminal of the demultiplexer 41. When the clock generator 42 is activated, one of the outputs of the demultiplexer 41 becomes 0 V, and the other becomes a high voltage.
V HH . The output that becomes 0 V is output from the clock generator 42.
Are sequentially switched at the cycle of the clock from Therefore, the current flowing through each of the external power supply terminals TC of the semiconductor integrated circuits 10A to 15A can be detected by the current detection circuit 27.

【0020】 電源スイッチ制御回路32の応答速度は通常、数nsであ
るので、従来よりも高速にDC試験を行うことができる。
Since the response speed of the power switch control circuit 32 is usually several ns, the DC test can be performed at a higher speed than in the related art.

【0021】 第3図は、上記構成の半導体集積回路がROMである場
合に、消費電力を低減させるための構成を示す。
FIG. 3 shows a configuration for reducing power consumption when the semiconductor integrated circuit having the above configuration is a ROM.

【0022】 ここで、複数個のROMを用いる場合、通常は各ROMにつ
いてアドレス入力端子及びデータ出力端子を共通に接続
し、チップセレクト信号で1つの半導体集積回路のみを
選択するような構造とするのが一般的である。この場
合、チップセレクト信号で選択された1つのROM以外は
非動作状態になっているが、電源は遮断されないため、
非動作状態においてもスタンバイ電力を消費する。しか
し、本発明を用いた場合、従来チップセレクト端子にて
1つのROMのみを選択するようにしていたものを、チッ
プセレクト端子のかわりに上記外部入力端子に高電圧V
HHを印加するようにすれば、電源が遮断される。このた
め、スタンバイ電力は消費しなくなり、動作状態のROM
のみ電力を消費することになる。このような利用方法は
電源をバッテリー等で供給しなければならない場合にお
いて特に有効である。
Here, when a plurality of ROMs are used, usually, an address input terminal and a data output terminal are commonly connected to each ROM, and only one semiconductor integrated circuit is selected by a chip select signal. It is common. In this case, except for one ROM selected by the chip select signal is in a non-operation state, but since the power supply is not cut off,
Standby power is consumed even in a non-operation state. However, in the case where the present invention is used, the conventional configuration in which only one ROM is selected by the chip select terminal is replaced by a high voltage V to the external input terminal instead of the chip select terminal.
If HH is applied, the power is shut off. As a result, standby power is no longer consumed and the operating ROM
Only power will be consumed. Such a use method is particularly effective when power must be supplied from a battery or the like.

【0023】 第3図において、アドレス線A0〜A3はデコーダ50の入
力端子及び半導体集積回路10A〜1nAのアドレス端子(不
図示)に接続され、デコーダ50の出力端子は半導体集積
回路10A〜1nAの各外部入力端子T1に接続されている。デ
コーダ50は、入力アドレス値に応じた1つの出力端子を
0Vにし、他の出力端子を高電圧VHHにする。
In FIG. 3, address lines A 0 to A 3 are connected to input terminals of the decoder 50 and address terminals (not shown) of the semiconductor integrated circuits 10A to 1nA, and output terminals of the decoder 50 are connected to the semiconductor integrated circuits 10A to 10A. It is connected to each 1nA external input terminal T1. The decoder 50 has one output terminal corresponding to the input address value.
0V and other output terminals to high voltage VHH .

【0024】 したがって、半導体集積回路10A〜1nAのうち、任意の
半導体集積回路1iAが選択されると、この半導体集積回
路1iAのみに電源電圧VCCが供給され、残りの半導体集積
回路には電源電圧VCCが供給されず完全に非動作状態に
なる。このため、非動作状態の半導体集積回路の分だけ
消費電力を低減することができる。
[0024] Thus, in the semiconductor integrated circuit 10A~1nA, when any of the semiconductor integrated circuit 1iA is selected, the semiconductor integrated circuit 1iA only to the supply voltage V CC is supplied, the power supply voltage to the remaining semiconductor integrated circuit V CC is not supplied and becomes completely inactive. Therefore, power consumption can be reduced by the amount of the non-operating semiconductor integrated circuit.

【0025】[0025]

【発明の効果】【The invention's effect】

以上説明した如く、本発明に係る半導体集積回路試験
方法及び装置によれば、切換制御回路で複数の半導体集
積回路の電源スイッチを順次高速に切換えることができ
るので、試験時間を短縮することができるという効果を
奏し、試験コスト低減に寄与するところが大きい。
As described above, according to the method and apparatus for testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention, the power supply switches of the plurality of semiconductor integrated circuits can be sequentially switched at high speed by the switching control circuit, so that the test time can be reduced. This has the effect of contributing to a reduction in test cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図乃至第3図は本発明の実施例に係り、 第1図は半導体集積回路の要部回路図、 第2図は複数の半導体集積回路に対するDC試験装置の要
部回路図、 第3図は、半導体集積回路がROMである場合の、消費電
力を低減するための回路図である。 第4図は従来のDC試験装置の要部回路図である。 図中、 10〜15、10A〜1nAは半導体集積回路 20、40はDC試験装置 31、33はPMOSトランジスタ 32は電源スイッチ制御回路 34、35、36はCMOSインバータ T1〜Tmは外部入力端子 Tm+1〜Tnは外部出力端子 TCは外部電源端子 TSは接地端子 T2はチップセレクト端子 A0〜A3はアドレス線
1 to 3 relate to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a main part circuit diagram of a semiconductor integrated circuit, FIG. 2 is a main part circuit diagram of a DC test apparatus for a plurality of semiconductor integrated circuits, The figure is a circuit diagram for reducing power consumption when the semiconductor integrated circuit is a ROM. FIG. 4 is a main part circuit diagram of a conventional DC test apparatus. In the figure, 10 to 15, 10A to 1nA are semiconductor integrated circuits 20, 40 are DC test equipment 31, 33 is a PMOS transistor 32 is a power switch control circuit 34, 35, 36 is a CMOS inverter T1 to Tm is an external input terminal Tm + 1 to Tn is an external output terminal TC is an external power supply terminal TS is a ground terminal T2 is a chip select terminal A 0 to A 3 are address lines

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】外部電源端子と内部回路との間に接続され
た電源スイッチと、外部端子の印加電圧に応じて該電源
スイッチをオン/オフ制御する電源スイッチ制御回路と
を備えた複数の半導体集積回路に対する半導体集積回路
試験装置であって、 該外部端子に供給する電圧を順次切り換えて、複数の該
電源スイッチの1つのみをオン状態にしオン状態にした
該電源スイッチを順に切り換える切換制御回路と、 該複数の半導体集積回路の該外部電源端子に対し共通に
接続され、該複数の半導体集積回路のうち、オン状態に
した該電源スイッチを有する半導体集積回路に選択的に
直流電圧を供給して該半導体集積回路の外部電源端子に
流れる電流をチェックするDC試験回路と、 を有することを特徴とする半導体集積回路試験装置。
A plurality of semiconductors comprising: a power switch connected between an external power terminal and an internal circuit; and a power switch control circuit for controlling on / off of the power switch according to a voltage applied to the external terminal. A semiconductor integrated circuit test apparatus for an integrated circuit, comprising: a switching control circuit that sequentially switches a voltage supplied to the external terminal, turns on only one of the plurality of power switches, and sequentially switches the power switches that are turned on. And selectively supplying a DC voltage to a semiconductor integrated circuit having the power switch turned on among the plurality of semiconductor integrated circuits, the common being connected to the external power supply terminals of the plurality of semiconductor integrated circuits. A DC test circuit for checking a current flowing to an external power supply terminal of the semiconductor integrated circuit.
【請求項2】前記外部端子は前記内部回路に対する入力
端子であり、 前記電源スイッチ制御回路は、該外部端子を通常動作の
電圧にすると前記電源スイッチがオン状態になり、該外
部端子を通常動作の電圧よりも高い電圧にすると該電源
スイッチがオフ状態になる回路であり、 前記切換制御回路は、該外部端子を通常動作の電圧にす
ることにより該電源スイッチをオン状態にし、該外部端
子を通常動作の電圧よりも高い電圧にすることにより該
電源スイッチをオフ状態にすることを特徴とする請求項
1記載の半導体集積回路試験装置。
2. The external terminal is an input terminal for the internal circuit. The power switch control circuit turns on the power switch when the external terminal is set to a voltage for normal operation, and causes the external terminal to operate normally. When the voltage is higher than the voltage of the power switch, the power switch is turned off, the switching control circuit turns on the power switch by setting the external terminal to a voltage for normal operation, 2. The semiconductor integrated circuit test apparatus according to claim 1, wherein the power switch is turned off by setting the voltage to a voltage higher than a normal operation voltage.
【請求項3】外部電源端子と内部回路との間に接続され
た電源スイッチと、外部端子の印加電圧に応じて該電源
スイッチをオン/オフ制御する電源スイッチ制御回路と
を備えた複数の半導体集積回路に対する半導体集積回路
試験方法であって、 該外部端子に供給する電圧を順次切り換えて、複数の該
電源スイッチの1つのみをオン状態にしオン状態にした
該電源スイッチを順に切り換え、 該複数の半導体集積回路の該外部電源端子に対し共通に
接続されたDC試験回路により、該複数の半導体集積回路
のうち、オン状態にした該電源スイッチを有する該半導
体集積回路に選択的に直流電圧を供給して該半導体集積
回路の外部電源端子に流れる電流をチェックする、 ことを特徴とする半導体集積回路試験方法。
3. A plurality of semiconductors comprising: a power switch connected between an external power terminal and an internal circuit; and a power switch control circuit for controlling on / off of the power switch according to a voltage applied to the external terminal. A semiconductor integrated circuit test method for an integrated circuit, wherein a voltage supplied to the external terminal is sequentially switched, only one of the plurality of power switches is turned on, and the power switches that are turned on are sequentially switched. A DC test circuit commonly connected to the external power supply terminal of the semiconductor integrated circuit of the semiconductor integrated circuit selectively applies a DC voltage to the semiconductor integrated circuit having the power switch turned on among the plurality of semiconductor integrated circuits. Checking a current supplied and flowing to an external power supply terminal of the semiconductor integrated circuit.
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