JPH0393592A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH0393592A
JPH0393592A JP1232295A JP23229589A JPH0393592A JP H0393592 A JPH0393592 A JP H0393592A JP 1232295 A JP1232295 A JP 1232295A JP 23229589 A JP23229589 A JP 23229589A JP H0393592 A JPH0393592 A JP H0393592A
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JP
Japan
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recording medium
recording layer
recording
layer
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Pending
Application number
JP1232295A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Sakaeda
栄田 辰也
Katsuji Maruyama
丸山 勝次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0393592A publication Critical patent/JPH0393592A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録分野に使用することのできる改善された
光情報記録媒体に関する. 〔従来の技術〕 これまで,光情報記録媒体として基板上に低融点金属ま
たは低融点金属と誘電体とからなる記録層を数けたもの
などが提案されているが、これらは保存性が悪い、分解
能が低い、記録密度が低い、製造条件が難しくコスト高
になるなどの欠点を有する.そこで、最近になって記録
層として金属薄膜に代えて有機色素薄膜を使用すること
が提案されている.この有機色素薄膜は融点、分解温度
が低く、熱伝導率も低いので高感度,高密度化の可能性
があること,また膜形成がコーティングにより可能なた
め量産性が高く、低コスト化が期待できるなどの利点が
ある,そして.これ迄、前記有機色素薄膜として,シア
ニン色素やナフトキノン系色素あるいはフタロシアニン
系色素等の被膜を用いることが提案されている. 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記のような有機色素で構威された記坤
層には以下のような欠点があった.■光及び熱に対する
安定性が悪く、長期保存性に劣る. ■フタロシアニン系色素は,有機溶媒に対する溶解性が
低く,塗布によるコーティングに使用できない。また、
吸収,反射のピークがシャープすぎてレーザー波長との
マッチングがとれず、その上結晶化しやすいため,記録
材には不適である.本発明は,光及び熱安定性にすぐれ
、良好なコントラストが得られ,かつ塗布によるコーテ
ィングが可能で低コストで製造可能な有機色素膜を記録
層とする光情報記録媒体を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 上記目的は,光情報記録媒体における記録層中に下記一
般式(1)で表わされる化合物を含有させることにより
達成される. 一般式(■): (上記式中,Mは,■,Ib.  ■b.[[a、IV
a,Va、Via又は■a族の金属原子を示す, R.〜R.は、水素原子、ハロゲン、アルキル基,アル
コキシ基,アシルアミノ基,アミノ基、アルコキシカル
ボニルアミノ基,アルキルスルホニルアミノ基、アリー
ル基、ジアルキルアミノ基、アシル基又はアシルオキシ
基を表わし,又、他の芳香族環が縮合されていてもよい
. n,oは0−4は整数であり. vr, Qはθ〜3の
整数である. 21*Z!は、たとえば 等で表わされるシクロアルキル基又はヘテロシクロアル
キル基を表わし、R’,R”は上記R.〜R.と同様の
置換基であり,R′は2つ以上であってもよい.Aは陰
イオンを示す.) 本発明の光情報記録媒体は,基本的には基板上に前記一
般式(1)で表わされる有機色素からなる記S層を設け
ることにより構成されるが,必要に応じて基板と記録屑
との間に下引き暦をあるいは記録層の上に保護層を設け
ることができる.また、このようにして構成された一対
の記録媒体を記録層を内側にして他の基板と空間を介し
て密封したエアーサンドインチ構造にしてもよくあるい
は保護層を介して接着した密着サンドインチ(貼合せ)
構造にしてもよい. 次に,本発明の光情報記録媒体を構成する材料および各
層の必要特性について具体的に説明する.(1) JI
E板 基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず,記
録側から行う場合は透明である必要はない.基板材料と
しては例えばポリエステル、アクリル樹脂,ポリアミド
、ポリカーボネート樹脂,ポリオレフィン樹脂、フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどのプラスチッ
ク,ガラス、セラミックあるいは金属などを用いること
ができる. なお,基板の表面にはアドレス信号などのプレフォーマ
ットや案内溝のプレグループが形成されていてもよい. (2)記録層 記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるもので、前記
一般式(1)で表わされる化合物が記録層中に含有され
ている.該化合物は,記録特性及び安定性向上のため2
種以上組合わせて用いてもよい.また本発明によれば,
ボリメチン化合物を主成分とする記録層中に前記一般式
(1)を含有させることによりその熱及び光安定性を改
善することもできる.この場合、ポリメチン化合物には
、ポリメチン色素、シアニン色素.メロシアン色素、ク
ロコニウム色素、ビリリウム色素、スクアリリウム色素
、アズレン色素等が包含され、その具体例としては、例
えば、特開FJF15g−194595号公報等に記載
されているものがある. 本発明の記録媒体における記録層には、記録特性及び安
定性向上のために,必要に応じ,他の染料、例えば、ブ
タロシアニン系,テトラヒドロコリン系、ジオキサジン
系、トリフェノチアジン系、フェナンスレン系、アント
ラキノン(インダンスレン)系、キサンテン系,トリフ
ェニルメタン系,トリフェニルアミン系、アズレン系、
シアニン(メロシアニン)系,クロコニウム系,ビリリ
ウム系、スクアリリウム系染料や、金属又は金属化合物
、例えば、In g Sn e To @ Bip A
QgSe p Tea, t SnO g As p 
Cd等を混合分散させてもよく、また積層してもよい.
また記録層には,高分子材料、あるいは前記一般式(1
)の化合物より長波長域に吸収能を有する有機化合物(
アミニウム,イモニウム,ジイモニウム系化合物等)又
は無機錯体化合物(ビスジチオジケトン系,ビスフェニ
ルジチオール系錯体等)などの低分子化合物を混合分散
させてもよい.さらに記録層には,その他,保存安定剤
(金属錯体,フェノール系化合物)、分散剤,ll燃剤
、滑剤、可塑剤等を含有させることができる.記録層の
膜厚は100人−104、好ましくは200人−24で
ある.記録層の形成方法としては、蒸着,CVO法,ス
パッター法の他,溶剤塗工法、例えば,浸漬コーティン
グ、スプレーコーティング,スビナーコーティング、ブ
レードコーティング,ローラコーティング、カーテンコ
ーティング等を用いることができる. (3)下引き層 下引き層は(Q)接着性の向上、(b)水又はガスなど
のバリャー5(c)記録層の保存安定性の向上及び(d
)反射率の向上,(e)溶剤からの基板の保護、(f)
プレグループの形成などを目的として使用される.(a
)の目的に対しては高分子材料、例えば,アイオノマー
樹脂,ポリアミド樹脂,ビニル系樹脂、天然樹脂,天然
高分子、シリコーン,液状ゴムなどの種々の高分子物質
及びシランカツプリング剤などを用いることができ、(
b)及び(C)の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物、例えば、sio, ,MgF, ,SiO
eTiO, .ZnO,TiN,SiNなど,金属また
は半金属,例えば、Zn,Cu,S,Ni,Cr,Go
,So,Ju,Ag,AQなどを用いることができる.
また、(d)の目的に対しては金属,例えば、AQ,A
g等や、金属光沢を有する有機薄膜,例えば,メチン染
料,キサンテン系染料等を用いることができ,(e)及
び(f)の目的に対しては、紫外線硬化樹脂,熱硬化樹
脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる.(4)保護
層 保護層は、(a)記録層をその傷,ホコリ,汚れ等から
保護する、(b)記録層の保存安定性の向上,(c)反
射率の向上等を目的として使用される.これらの目的に
対しては、前記下引き層に示した材料を用いることがで
きる.さらに下引き層や保護層に対しても,前記一般式
(1)で表わされる化合物を含有させることができる.
さらに下引き層や保護層に対しても、前記一般式(I)
で表わされる化合物を含有させることができる. 本発明においては,前記下引き層及び保護層には,記録
層の場合と同様に,安定剤,分散剤,lI燃剤,滑剤、
帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることが
できる. また本発明においては、ポリメチン化合物を主或分とす
る記録層中に、該ポリメチン化合物の耐光性改良のため
に前記一般式(1)で表わされる化合物を用いる場合,
ポリメチン化合物と上記化合物は重量比で30:70−
99:l、好ましくは60:40−95:5の割合で用
いる. 次に本発明で用いるのに好ましい化合物の具体例を示す
. 〔実施例〕 以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが、本発
明はこれら実施例のみに限定されるものではない. (実施例1) ポリカーボネート基板(プレグループ付)上に、前記化
合物例&l(第1図にその吸収スペクトルを示す)をメ
タノール/1,2−ジクロルエタン(重量比8:2)に
溶解させたものをスビナー塗布して厚さ800大の記録
層を形成し,記録媒体を得た.(実施例2) 実施例lにおいて,前記化合物例NIILLの代わりに
前記化合物例&2を用いた以外は同様にして記録媒体を
得た. (実施例3) 実施例1において、前記化合物例&lの代わりに前記化
合物例Nα5を用いた以外は同様にして記録媒体を得た
. (実施例4) 実施例1において、前記化合物例N[11の代わりに前
記化合物例&9を用いた以外は同様にして記録媒体を得
た. (実施例5) 実施例lにおいて,前記化合物例k1の代わりに下記構
造式(^)で示されるシアニン色素に対し前記化合物例
&6を15wt%添加したものを用いた以外は同様にし
て記録媒体を得た. (比較例1) 実施例lにおいて、前記化合物例Nlllの代わりに下
記構造式(B)で示される化合物を用いた以外は同様に
して記録媒体を得た. (比較例2) 実施例lにおいて、前記化合物例Nalの代わりに下記
構造式(C)で示される化合物を用いた以外は同様にし
て記録媒体を得た. (比較例3) 実施例1において、前記化合物例!4a1の代わりに下
記構造式(D)で示されるシアニン色素を用いた以外は
同様にして記録媒体を得た. 上記実施例及び比較例で作製した各記録媒体に,波長7
90鼎の半導体レーザー光を基板側より記録周波数1.
25MHz.線速2,lm/seeで情報を書込み,再
生し、その再生波形のスペクトル解析(スキャニングフ
ィルター,バンド幅30K}Iz)を行い,それを初期
値とし、次いで各記録媒体を80℃90%RHにl00
時間保存した後のC/N & N定し,両者を比較した
.さらに各記録媒体に54000Quxのタングステン
光を50時間照射して再生劣化加速実験を行い、そのと
きのC/Nを測定し、初期値と比較した.以上の結果を
表−2に示す. 表−2 〔発明の効果〕 上述のようにして構成された本発明の光情報記録媒体は
,半導体レーザー等の長波長光による記録再生が可能で
、熱安定性及び光安定性の向上したもので,保存性にす
ぐれかつ再生劣化の少いものである.さらに.良好な形
状でビットが形成でき,高いC/Nを得ることができる
.その上、コーティングによる膜形成が可能となるため
、生産性が向上し,低コスト化が期待できる.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光情報記録媒体の記録層に使用される
化合物例&lの吸収スペクトルを示すグラフである.

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設け
    さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体
    において、前記記録層中に下記一般式( I )で表わさ
    れる化合物を含有させたことを特徴とする光情報記録媒
    体。 一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記式中、Mは、VIII、 I b、IIb、IIIa、IVa、
    Va、VIa又はVIIa族の金属原子を示す。 R_1〜R_8は、水素原子、ハロゲン、アルキル基、
    アルコキシ基、アシルアミノ基、アミノ基、アルコキシ
    カルボニルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、ア
    リール基、ジアルキルアミノ基、アシル基又はアシルオ
    キシ基を表わし、又、他の芳香族環が縮合されていても
    よい。 n、oは0〜4の整数であり、m、lは0〜3の整数で
    ある。 Z_1、Z_2は、たとえば ▲数式、化学式、表等があります▼ 等で表わされるシクロアルキル基又はヘテロシクロアル
    キル基を表わし、R′、R″は上記R_1〜R_8と同
    様の置換基であり、R′は2つ以上であってもよい。 Aは陰イオンを示す。)
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