JPH0391966A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
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- JPH0391966A JPH0391966A JP1229045A JP22904589A JPH0391966A JP H0391966 A JPH0391966 A JP H0391966A JP 1229045 A JP1229045 A JP 1229045A JP 22904589 A JP22904589 A JP 22904589A JP H0391966 A JPH0391966 A JP H0391966A
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- recess
- semiconductor substrate
- layer
- diffusion layer
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Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は受光素子の受光面の構造に関するもので、短波
長域に釦ける感度を向上させるのに適している。
長域に釦ける感度を向上させるのに適している。
（従来の技術）
受光素子の一例としてフォトダイオードについて説明す
る。第２図（Ｃ）はその一例であって、例えば、Ｎ型の
半導体基板１の表面には、Ｐ＋層２が形威され、その周
辺部のＰ層２−１はその内側より拡散の深さが大きくさ
れている。半導体基板ｌの表面の外ＯｌｌＩにＮ＋層８
を設けチャンネルストｌ ッパーとする。Ｐ 層２は受光面とされるのであるが、
その一部に７ノード電極５を設け、電極５とＰ＋層２の
接続部以外の表面は酸化Ｍ４で覆われている。半導体基
板１の裏面には、全面にわたりカンード電極６が形威さ
れている。
る。第２図（Ｃ）はその一例であって、例えば、Ｎ型の
半導体基板１の表面には、Ｐ＋層２が形威され、その周
辺部のＰ層２−１はその内側より拡散の深さが大きくさ
れている。半導体基板ｌの表面の外ＯｌｌＩにＮ＋層８
を設けチャンネルストｌ ッパーとする。Ｐ 層２は受光面とされるのであるが、
その一部に７ノード電極５を設け、電極５とＰ＋層２の
接続部以外の表面は酸化Ｍ４で覆われている。半導体基
板１の裏面には、全面にわたりカンード電極６が形威さ
れている。
このようなフォトダイオードは、Ｐ＋層２の拡散を浅く
すると短波長域の感度が向上し、Ｐ＋層２の周辺部のｒ
層２−１の拡散を深くすることにより、周辺部のＰＮ接
合の曲率が大きくなるから、リーク電流が少くなり、耐
圧が向上する。
すると短波長域の感度が向上し、Ｐ＋層２の周辺部のｒ
層２−１の拡散を深くすることにより、周辺部のＰＮ接
合の曲率が大きくなるから、リーク電流が少くなり、耐
圧が向上する。
第２図（ｃ）のフォトダイオードは、第２図（ａ） ，
（ｂ）に示される如く、以下のようにして製造される
。
（ｂ）に示される如く、以下のようにして製造される
。
例えば、Ｎ型の半導体基板１の表面の酸化膜４に、受光
面部予定領域の周辺部にかいて選択的にエッチングして
形或した窓に、Ｐ＋型を与える不純物を深く拡散して周
辺部のＰ＋層２−１を形威し、さらに全面に酸化膜４を
設けると、第２図（ａ）の略断面図に示されるようにな
る。次に、受光面部予定領域の表面の酸化膜４を選択的
にエッチングし、Ｐ＋型を与える不純物を浅く拡散して
Ｐ＋層２を形成し、さらに酸化膜４で覆ったものが、第
２図（ｂ）の略断面図に示される。これにチャネルスト
ッパーとなるＮ”ｆ＠８、アノード電極５、カソード電
極６を設けると、第２図（ａ）の７ォトダイオードが得
られる。
面部予定領域の周辺部にかいて選択的にエッチングして
形或した窓に、Ｐ＋型を与える不純物を深く拡散して周
辺部のＰ＋層２−１を形威し、さらに全面に酸化膜４を
設けると、第２図（ａ）の略断面図に示されるようにな
る。次に、受光面部予定領域の表面の酸化膜４を選択的
にエッチングし、Ｐ＋型を与える不純物を浅く拡散して
Ｐ＋層２を形成し、さらに酸化膜４で覆ったものが、第
２図（ｂ）の略断面図に示される。これにチャネルスト
ッパーとなるＮ”ｆ＠８、アノード電極５、カソード電
極６を設けると、第２図（ａ）の７ォトダイオードが得
られる。
（発明が解決しようとする課題）
受光面の周辺部とその内側に、拡散の深さの異なる層を
設けるため、フォトエッチング及び不純物拡散の工程を
各２回行う必要がある。従って、コストが高くなる。
設けるため、フォトエッチング及び不純物拡散の工程を
各２回行う必要がある。従って、コストが高くなる。
（課題を解決するための手段）
本発明においては、前述の欠点を除くため、半導体基板
の表面に凹部を設け、との凹部の壁面に沿って拡散層を
形成し、半導体基板との間にＰＮ接合を形或した。
の表面に凹部を設け、との凹部の壁面に沿って拡散層を
形成し、半導体基板との間にＰＮ接合を形或した。
（作 用）
凹部の底面の拡散層は浅くなっているから、短波長域の
感度は向上する。筐た凹部の周辺部の拡散層は曲率が大
きくなるから、リーク電流が減少し耐圧が向上する。
感度は向上する。筐た凹部の周辺部の拡散層は曲率が大
きくなるから、リーク電流が減少し耐圧が向上する。
（実施例）
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例の構造の受
光素子を製造する場合の工程を説明するための略断面図
であって、第１図（ｄ）はそれらの工程によって製造さ
れた受光素子の略断面図である。
光素子を製造する場合の工程を説明するための略断面図
であって、第１図（ｄ）はそれらの工程によって製造さ
れた受光素子の略断面図である。
筐ず、第」図（ｊ）に示されるように、例えばＮ型の半
導体基板１の表面に形或された酸化膜４の表面にフォト
レジスト３を塗布し、フォトエッチングにより半導体基
板１の表面に達する窓９を開ける。
導体基板１の表面に形或された酸化膜４の表面にフォト
レジスト３を塗布し、フォトエッチングにより半導体基
板１の表面に達する窓９を開ける。
次に、第１図（ｂ）に示されるように、窓９の部分に露
出している半導体基板１の表面を、硝酸と弗酸との混合
液により約２μｍの深さにエッチングし凹部７を形或す
る。これは受光面の予定領域であって、凹部７の底面の
周縁の曲率はなるべく大きいのが望筐しい。
出している半導体基板１の表面を、硝酸と弗酸との混合
液により約２μｍの深さにエッチングし凹部７を形或す
る。これは受光面の予定領域であって、凹部７の底面の
周縁の曲率はなるべく大きいのが望筐しい。
次に、第１図（Ｃ）に示されるように、凹部７の壁面に
沿ってＰ＋型を与える不純物を拡散し、ｒ層２を形或す
る。Ｐ＋層２を含む半導体基板１０表面は、再び酸化膜
４によって覆われる。Ｐ＋層２の拡散の深さは、約０．
５μｍ程度の浅いものとされる。
沿ってＰ＋型を与える不純物を拡散し、ｒ層２を形或す
る。Ｐ＋層２を含む半導体基板１０表面は、再び酸化膜
４によって覆われる。Ｐ＋層２の拡散の深さは、約０．
５μｍ程度の浅いものとされる。
次に、半導体基板１の表面の周辺部にＮ＋層８を設けて
チャネルストッパーを形威し、Ｐ＋層２の一部に酸化膜
４を貫通するアノード電極５を設け、半導体基板ｌの裏
面にカソード電極６を設けると、第１図（ｄ）のような
受光素子が完成する。
チャネルストッパーを形威し、Ｐ＋層２の一部に酸化膜
４を貫通するアノード電極５を設け、半導体基板ｌの裏
面にカソード電極６を設けると、第１図（ｄ）のような
受光素子が完成する。
（発明の効果）
本発明は以上のような構造であるから、０．５μｍ程度
の浅い不純物拡散でも、ＰＮ接合の周縁部にかける曲率
を大きくすることができるから、従来のよ・うな受光面
周逮部の深い拡散領域を設ける必要がなくなる。１た、
半導体基板ｌのエッチングと不純物拡散のためのマスキ
ングは、同一のパターンを使用できるから、一回で処理
できる。
の浅い不純物拡散でも、ＰＮ接合の周縁部にかける曲率
を大きくすることができるから、従来のよ・うな受光面
周逮部の深い拡散領域を設ける必要がなくなる。１た、
半導体基板ｌのエッチングと不純物拡散のためのマスキ
ングは、同一のパターンを使用できるから、一回で処理
できる。
従って、簡単な工程により、短波長域が高感度で、かつ
リーク電流が少なく耐圧の高い受光素子が得られる。
リーク電流が少なく耐圧の高い受光素子が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の各工程の略
断面図、＠１図（ｄ）はその完成品の略断面図、第２図
（ａ） ． （ｂ）は従来の一例の各工程の略断面図、
第２図（Ｃ）はその完成品の略ＩＳ面図である。
断面図、＠１図（ｄ）はその完成品の略断面図、第２図
（ａ） ． （ｂ）は従来の一例の各工程の略断面図、
第２図（Ｃ）はその完成品の略ＩＳ面図である。
Claims (1)
- １、半導体基板の表面に設けた凹部と、この凹部に沿つ
て形成された拡散層と、拡散層と半導体基板との間に形
成されたＰＮ接合とを有する受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1229045A JPH0391966A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1229045A JPH0391966A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391966A true JPH0391966A (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=16885881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1229045A Pending JPH0391966A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0391966A (ja) |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP1229045A patent/JPH0391966A/ja active Pending
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