JPH0391916A - 露光方法 - Google Patents

露光方法

Info

Publication number
JPH0391916A
JPH0391916A JP1230032A JP23003289A JPH0391916A JP H0391916 A JPH0391916 A JP H0391916A JP 1230032 A JP1230032 A JP 1230032A JP 23003289 A JP23003289 A JP 23003289A JP H0391916 A JPH0391916 A JP H0391916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
wafer
mask
temperature
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1230032A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2840315B2 (ja
Inventor
Makiko Mori
真起子 森
Kunitaka Ozawa
小澤 邦貴
Koji Uda
宇田 幸二
Eiji Sakamoto
英治 坂本
Isamu Shimoda
下田 勇
Shunichi Uzawa
鵜澤 俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP23003289A priority Critical patent/JP2840315B2/ja
Publication of JPH0391916A publication Critical patent/JPH0391916A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2840315B2 publication Critical patent/JP2840315B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造用の露光方法、特にX線源から
のX線でマスクを介してウェハを露光することにより、
マスクに形威されているパターンをウェハに焼付ける露
光方法に関する。
〔従来の技術〕
近年、ICやLSI等の半導体素子は急速に高集積化が
進み、これらの製造分野では超微細なパターンを半導体
素子のもととなる半導体ウェハ上に形成するための加工
技術が求められている。このため、マスクに形威されて
いるパターンを半導体ウェハに焼付けるための露光方法
では、パターンの焼付線幅の微細化を可能とするために
露光エネルギー光の短波長化が進められている。遠紫外
線、X線等を用いた露光方法は既に提案されている。
〔発明が解決しようとしている問題点〕ところが、X線
のような短波長光はエネルギーが高く、ウェハに塗布さ
れているフォトレジストを感光させるための必要露光量
に達するまでに、マスクやウェハにエネルギーが蓄積さ
れ、温度上昇を引き起こす。温度が上昇することによっ
てマスクやウェハは熱膨張等による歪を生じ、結果的に
露光精度の劣化を招くという欠点があった。
本発明の目的は、マスクやウェハの温度上昇を抑え、こ
れらを適正温度に保ったまま微細かつ高精度の焼付が実
現できる露光方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するため、本発明に係る露光方法は、
マスクのパターンをウェハに焼付ける露光方法において
、1ショットの露光を行なう際、マスクあるいはウェハ
の温度がパターンの焼付線幅等により規制される露光可
能温度範囲を越えない様に、温度監視機構を設けたりあ
るいは予め露光時間と温度変化の関係を知っておくなど
の方法で得たタイミングで、露光エネルギーを遮断する
シャッターを駆動したりあるいは露光エネルギー源を点
滅させる等の制御を行なう。このようにして露光途中に
露光休止時間を設け、マスクやウェハに蓄積された熱を
放出し、放熱後再び露光を続けることによりウェハへの
パターン焼付精度を向上させるものである。
〔実施例〕
第1図において、1はパターンが形成されているマスク
、2は半導体ウェハ、3はマスク1を保持するマスクス
テージ、4はウェハ2を保持するウェハステージで、ウ
ェハステージ4はウェハ4上の各ショットにマスク1の
パターンをステップアンドリピートで順に焼付けること
を可能とするためにXSYの各軸方向に移動可能となさ
れている。マスク1とウェハ2はXY面に垂直なZ軸方
向に僅かに離れて対向配置されている。
5はマスクステージ3に固着されているマスク(マスク
ステージ)温度測定用の温度センサ、6はウェハステー
ジ4に固着されているウェハ(ウェハステージ)温度測
定用の温度センサ、7はマスクlに形成されているパタ
ーンをウェハ2に焼付けるために、マスク1を介してウ
ェハに照射される露光エネルギー、例えばエキシマレー
ザ源からの遠紫外線もしくはSORリングからのX線、
を発生するための線源、8は線源からの露光エネルギー
(以下X線と記載する)をマスク1およびウェハ2に対
して遮断するためのシャッターである。シャッター8は
線源7からのX線9を図示の状態から遮断する。
10はマスク1とウェハ2のそれぞれに設けられている
アライメントマーク(不図示)を光電的に検出して、両
者のXY面における位置ずれ量を計測するアライメント
エラー計測器、11はこの装置全体をコントロールする
ためのコントローラ、12はシャッター8を駆動するた
めのシャッター駆動装置、13はマスクステージ3、ウ
ェハステージ4から熱を奪うためにマスクステージ3、
ウェハステージ4に所望の温度に調整された流体、例え
ば水をそれぞれ任意の流量で供給することが可能な温度
流体供給装置、14はウェハステージ4をXY面に沿っ
て移動するためのステージ駆動装置である。シャッター
駆動装置12、温調流体供給装置l3、ステージ駆動装
置14は、コントローラ11からの指令に基づいて動作
する。また、コントローラ11には温度センサ5,6と
アライメントエラー計測器10のそれぞれの計測値が入
力されている。
この装置は、第2〜4図のフローチャートに示すように
3つの動作モードを有しており、不図示のキーボードを
介してオペレーターが3つの動作モードから1つの動作
モードを任意に選択することが可能である。以下、この
装置の動作を第2図のフローチャートから順に説明する
この第2図のフローチャートの例では、温調流体供給装
置13は、露光時も非露光時も、マスクステージ3とウ
ェハステージ4に供給される流体によって発生するマス
クステージ3および/またはウェハステージ4の振動が
パターンの焼付精度に影響を与えない程度の一定値の流
量をマスクステージ3とウェハステージ4に供給してい
る。この例では、マスク1をマスクステージ3にチャツ
キングさせ、ウェハ2をウェハステージ4にチャツキン
グさせた後、第2図に示すフローチャートに従ってウェ
ハ4の1ショットの露光を行なう。先ず、ステップS0
1で露光の累積時間を計測するタイマをリセットすると
共に、ステツブ802でアライメントエラー計測器10
によりマスク1とウェハ2の間のアライメントエラーを
計測し、このアライメントエラーを補正するようにウェ
ハステージ4をステージ駆動装置14によって移動して
、両者をアライメントする。そして、ステップ303で
シャッター駆動装置12によりシャッター8を開いて、
線源7からのX線のマスク1とウェハ2への照射を開始
させて、マスク1を介したウェハ2の露光を開始させる
と共に、前述のタイマの計時を露光開始と同時にスター
トさせる。
露光中のマスク1やウェハ2の温度は露光時間に伴い第
6図(a)に示すグラフの様に上昇する。そこで、本例
では第2図のステップSO4で、マスクステージ3およ
びウェハステージ4のそれぞれに設けられた温度センサ
5,6でマスク1、ウェハ2の温度を監視し、第6図(
b)のグラフに示す様にマスク1あるいはウェハ2の温
度が露光可能温度範囲を越えないようにしている。
すなわち、まずステップSO4でマスク1あるいはウェ
ハ2の温度が露光を継続して良い温度範囲内か否かを判
別する。そうでない場合は、ステップSOSに分岐し、
シャッター駆動装置12を用いてシャッター8を閉じて
露光を中断し、タイマを止める。そして第6図(b)に
示す露光休止に入る。露光休止中にマスク1(マスクス
テージ3)やウェハ2(ウェハステージ4)に蓄積され
た熱は温調流体供給装置13から供給されている流体に
より放出され温度が下がる。
次に、第2図のステップSO6で温度センサ5.6で監
視して温度がある程度下がったら、または収束し始めた
らステップSO2もそくはステップ803に戻る。露光
中はステップSO4で温度を監視しながらステップSO
7でタイマーを用いて露光時間の累計も監視しているの
で、上記手順を繰り返しながら露光時間の累計が1ショ
ット分の露光量を得るのに必要な時間になったらスチッ
プS08でシャッター8を閉じて1ショットの露光を終
了する。
なお、この例でステップSO6で温度が所定温度以下と
判定された後、ステップSO2に戻る場合は、マスク1
とウェハ2のアライメントが再実行されることになる。
即ち、この場合には、第6図(b)の休止が終了して露
光が再開されるごとにアライメントが実行されることに
なる。これは休止時間中にマスク1とウェハ2間にアラ
イメントエラーが発生してしまう可能性が高い場合に有
効であるが、そうでない場合には、ステップSO6から
第2図に点線で示すようにステップSO3に戻るように
しても良い。当然、この場合には、マスクlとウェハ2
のアライメントは最初の露光開始の前に一度だけ行なわ
れることになる。
次に、第3図のフローチャートの動作を説明する。この
例は、第2図のフローチャートの例に対して、温調流体
供給装置13からマスクステージ3、ウェハステージ4
に供給される流体の流量が露光時と休止時(非露光時)
で変化するようになっている点が異なっている。即ち、
この例では、露光時にはマスクステージ3、ウェハステ
−ジ4に供給装置13から供給される流体の流量をマス
クステージ3、ウェハステージ4の流体における振動が
パターンの焼付精度に影響を与えない程度とし、非露光
時には流量を増加させてマスク1(マスクステージ3)
 ウェハ2(ウェハステージ4)に蓄積されている熱の
放熱を早めている。これによれば、第3図のステップ1
8で所定温度以下と判定されるまでの時間が第2図の例
の場合に比して短かくなる。
この例では、先ず、ステップSllで温調流体供給装置
13からマスクステージ3、ウェハステージ4に供給さ
れる流体の流量を露光時の値に設定した後、第2図と同
様に、ステップS12でタイマリセット、ステップS1
3でアライメント、ステップS14でシャッター8の開
とタイマーの計時を開始させて、線源7からのX線9に
よるマスク1を介したウェハ2の露光を開始させる。
露光中、ステップ815では、温度センサ5,6により
マスク1(マスクステージ3)、ウェハ(ウェハステー
ジ4)の温度がパターン焼付精度に影響を与えない温度
範囲内かそうでないかを監視し、ステップS20では、
タイマーの累計時間が所定の露光時間に達っしたか否か
を判定している。露光中に、即ち、ステップS20の判
定が露光時間に達っしたとなる前に、もし、ステップS
15で温度が高くなって範囲外と判定された際には、ス
テップS16に進んで、シャッター8をシャッター駆動
装置l2により閉じると共に、タイマの計時をストツブ
する。そして、ステップS17で温調流体供給装置13
からマスクステージ3、ウェハステージ4へ供給させて
いる流体の流量を増加させて非露光時の流量に戻し、マ
スク1(マスクステージ3)、ウェハ2(ウェハシテー
ジ4)に照射されたX線9によって蓄積された熱を急速
に放熱させる。即ち、放熱の速度を露光時よりも早くす
る。
この状態で、ステップS18では、温度センサ5.6に
よりマスク1(マスクステージ3)、ウェハ2(ウェハ
ステージ4)の温度を監視し、所定の温度以下、即ちス
テップS15で設定されている温度範囲内となった時に
、ステップS19に進み温調流体供給装置13からマス
クステージ3、ウェハステージ4に供給されている流体
の流量を減少させて、流量を露光時の値に再設定し、こ
の後、ステップS13もしくはステップS14に戻る。
どちらに戻るかは、事前のオペレータからの指示により
選択されている。また、その意味は前述した如くである
この動作を繰り返している内に、ステップS20でタイ
マーの累計時間が所定の露光時間に達っしたら、ステッ
プS21でシャッター8をシャッター一駆動装置12に
より閉じて、そのショットの露光を終了させ、その後、
ステップS22でマスクステージ3、ウェハステージ4
に供給される流体の流量を増加させて、流量を非露光時
の値に戻す。
また、第4図のフローチャートに示す例は、第2図の例
に対して、スッツプS35(第2図のステップSOSと
同じ)とステップS37(第2図のステップSO6と同
じ)の間に、ステップ836で示される温度変化を考慮
したアライメントステップを設けている点が異なってい
る。このステップS37では、アライメントエラー計測
器37によってマスク1とウェハ2間のアライメントエ
ラーの計測を行なうと共に、この時のマスク1(マスク
ステージ3)、ウェハ2(ウェハステージ4)の温度を
計測′し、この計測温度とステップS37の所定温度の
差によって生ずるマスク1、ウェハ2の熱収縮の割合を
考慮して先の計測アライメントエラー量を修正し、この
修正したアライメントエラー量だけウェハステージ4を
ステージ駆動装置14によって移動している。これによ
れば、ステップS37で温度が所定温度になった時には
、マスク1とウェハ2は所定の関係にアライメントされ
ることになる。この例では、ステップS35で露光が休
止され、マスク1(マスクステージ3) ウェハ2(ウ
ェハステージ4)の放熱が温調流体供給装置13からの
流体によって行なわれている際に、これと平行動作的に
アライメント動作を行なって、ステップS37で所定温
度以下と判定される前にマスク1とウェハ2のアライメ
ント動作を完了させることが可能となる。このため、第
2図の例のように、ステップSO6で所定温度以下と判
定された後にアライメント動作を開始するものに比して
、露光休止時間をより短かくすることができる。
なお、この例において、他のステップS31〜S34、
S38〜S39は、第2図のステップSO1〜SO4、
SO7〜SO8と同じ内容なので、ここではその説明を
繰り返えさない。
これらの動作では、そのときの温度上昇に応じて1ショ
ット当りの露光回数は異なる。1回の露光で終了する場
.合もあるし、多数回の露光を必要とする場合もある。
また、ステップアンドリピート方式の露光装置に適用す
る場合には、1枚のウェハでも各ショット毎に露光の回
数が異なる。
第5図は、本発明の他の実施例に係るX線露光装置の概
略構成図である。第1図で用いた温度センサ5,6の代
わりにマスクとウェハ2のアライメントエラー計測器1
0を用いるものである。露光シーケンスは例えば第2図
のものと同様であるが、前記第1の実施例と異なるのは
温度変化の検知方法である。
すなわち、第5図の装置においては、露光中にアライメ
ントエラー計測器10で、アライメント光32を用いて
マスク1とウェハ2との位置ずれ量を検出し、ずれ量に
よって温度変化を監視する。一定量以上のずれが生じた
ら温度が上昇したと判断し、シャッター駆動装置工2を
用いてシャッター8を閉じて露光を中断する。そして、
やはりずれ量によって温度が下がったことを確認してか
ら露光を再開する。
なお、露光中に温度監視を行なわずに露光時間と温度変
化の関係、露光休止時間と温度変化の関係から予め1回
の露光時間および露光休止時間を設定し、露光中はタイ
マー制御でシャッター8の開閉を行なうこととしてもよ
い。この方法によると単位時間当たりの光量が一定なら
ば同一光量を必要とするショットの露光回数は等しくな
る。
さらに、露光休止を行なう手段としてシャッターを用い
ずに光源自身を点滅させる方法を用いることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による露光方法を用いれば
、例えばマスクおよびウェハの温度を適性温度範囲に保
ったまま長時間のX線露光が可能となるため、X線の短
波長性を生かした微細かつ高精度な焼付が実現できる。
また、長時間高精度の露光が可能となることからレジス
トの選択範囲も拡がる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るX線露光時間の一実施例を示す図
、第2図は第1図の実施例の動作を示すフローチャート
、第3図は第1図゛の実施例の他の動作を示すフローチ
ャート、第4図は第1図の実施例の更に他の動作を示す
フローチャート、第5図は本発明に係わるX線露光装置
の他の実施例を示す図、第6図は露光および休止の各時
間とマスクおよび/またはウェハの温度との関係を示す
図である。 1・・・マスク、2・・・ウェハ、3・・・マスクステ
ージ、4・・・ウェハステージ、5,6・・・温度セン
サ、8・・・シャッター 10・・・アライメントエラ
ー計測器、11・・・コントローラ、13・・・温調流
体供給装置。 司 7 図 惰3肉

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マスクを温度制御された流体が供給されているマ
    スクステージに保持するステップと、ウェハを温度制御
    された流体が供給されているウェハステージに保持する
    ステップと、上記マスクに形成されているパターンを上
    記ウェハに焼付けるために上記マスクを介して上記ウェ
    ハを露光源からの露光エネルギーで露光するステップと
    、上記マスク及び/または上記ウェハの温度が上記パタ
    ーンの線幅に基づいて規制される露光可能温度範囲を越
    えないように露光途中で上記露光を休止するステップと
    、上記露光休止期間に上記マスク及び/または上記ウェ
    ハに上記露光エネルギーによって蓄積された熱を放出す
    るステップと、加熱後上記露光を再開するステップを有
    することを特徴とする露光方法。
  2. (2)上記マスク及び/または上記ウェハの温度を測定
    する温度測定器の測定結果に基づいて上記露光の休止と
    再開を制御する請求項1記載の露光方法。
  3. (3)上記露光源からの露光エネルギーを遮断するシャ
    ッターによって上記露光の休止を行なう請求項1記載の
    露光方法。
  4. (4)上記露光時と上記休止時で上記流体の供給量が変
    化する請求項1記載の露光方法。
  5. (5)マスクを温度制御された流体が供給されているマ
    スクステージに保持するステップと、ウェハを温度制御
    された流体が供給されているウェハステージに保持する
    ステップと、上記マスクと上記ウェハをアライメントエ
    ラー測定器を用いて所定の位置関係にアライメントする
    ステップと、上記マスクに形成されているパターンを上
    記ウェハに焼付けるために上記マスクを介して上記ウェ
    ハを露光源からの露光エネルギで露光するステップと、
    上記マスク及び/または上記ウェハの温度が上記パター
    ンの線幅に基づいて規制される露光可能温度範囲を越え
    ないように露光途中で上記露光を休止するステップと、
    上記露光休止期間に上記マスク及び/または上記ウェハ
    に上記露光エネルギーによって蓄積された熱を放出する
    ステップと、上記アライメントエラー測定器を用いて上
    記マスクと上記ウェハを再度アライメントした後、上記
    露光を再開するステップを有することを特徴とする露光
    方法。
  6. (6)上記マスク及び/または上記ウェハの温度を測定
    する温度測定器の測定結果に基づいて上記露光の休止と
    再開を制御する請求項5記載の露光方法。
  7. (7)上記露光源からの露光エネルギーを遮断するシャ
    ッターによって上記露光の休止を行なう請求項5記載の
    露光方法。
JP23003289A 1989-09-04 1989-09-04 露光方法 Expired - Fee Related JP2840315B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23003289A JP2840315B2 (ja) 1989-09-04 1989-09-04 露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23003289A JP2840315B2 (ja) 1989-09-04 1989-09-04 露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0391916A true JPH0391916A (ja) 1991-04-17
JP2840315B2 JP2840315B2 (ja) 1998-12-24

Family

ID=16901500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23003289A Expired - Fee Related JP2840315B2 (ja) 1989-09-04 1989-09-04 露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2840315B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545284B1 (en) 1999-07-08 2003-04-08 Nikon Corporation Face position detection method and apparatus, and exposure method and exposure apparatus, a production method for an exposure apparatus and a production method for a semiconductor device
JP2005064391A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Canon Inc 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法
CN102043349A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 株式会社村田制作所 曝光装置及曝光方法
JP2014132694A (ja) * 2008-06-10 2014-07-17 Asml Netherlands Bv 光学要素を熱調整する方法およびシステム
CN103975232A (zh) * 2011-10-04 2014-08-06 株式会社尼康 装置、x射线照射方法及结构的制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545284B1 (en) 1999-07-08 2003-04-08 Nikon Corporation Face position detection method and apparatus, and exposure method and exposure apparatus, a production method for an exposure apparatus and a production method for a semiconductor device
JP2005064391A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Canon Inc 光学部材の冷却方法、冷却装置、露光装置、及び、デバイスの製造方法
JP2014132694A (ja) * 2008-06-10 2014-07-17 Asml Netherlands Bv 光学要素を熱調整する方法およびシステム
US9176398B2 (en) 2008-06-10 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Method and system for thermally conditioning an optical element
CN102043349A (zh) * 2009-10-19 2011-05-04 株式会社村田制作所 曝光装置及曝光方法
CN103975232A (zh) * 2011-10-04 2014-08-06 株式会社尼康 装置、x射线照射方法及结构的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2840315B2 (ja) 1998-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5231291A (en) Wafer table and exposure apparatus with the same
EP0411916B1 (en) Wafer table and exposure apparatus with the same
JPH0276212A (ja) 多重露光方法
EP0357423A2 (en) An exposure apparatus
US6455862B1 (en) Lithographic projection apparatus
US9891525B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, and article manufacturing method
US6433351B1 (en) Exposure apparatus and control method for correcting an exposure optical system on the basis of an estimated magnification variation
US4583840A (en) Exposure apparatus
JP2765422B2 (ja) 露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JPH0391916A (ja) 露光方法
JP2005033179A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN109863453B (zh) 光刻设备和方法
US7233836B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH0267714A (ja) 露光装置
TWI498682B (zh) 微影裝置及元件製造方法
JP3235472B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH0267713A (ja) 多重露光方法
US20020089652A1 (en) Exposure control apparatus in a lithography system and method thereof
JPH09266151A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH09246178A (ja) 露光方法
KR100815037B1 (ko) 스텝퍼/스케너의 헤이즈 방지 온도조절 장치 및 방법
JPH09298143A (ja) 露光方法および装置
JP3013359B2 (ja) 半導体露光装置
JP2004047518A (ja) X線露光装置およびデバイスの製造方法
JPS6012732A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees