JPH0267714A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0267714A JPH0267714A JP63218520A JP21852088A JPH0267714A JP H0267714 A JPH0267714 A JP H0267714A JP 63218520 A JP63218520 A JP 63218520A JP 21852088 A JP21852088 A JP 21852088A JP H0267714 A JPH0267714 A JP H0267714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- flow rate
- temperature
- wafer
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、露光装置に関し、特にウェハを搭載しこれを
固定保持するウェハチャックの温度調整機構に関するも
のである。
固定保持するウェハチャックの温度調整機構に関するも
のである。
［従来の技術］
半導体リソグラフィ工程においては、露光装置によりマ
スクを介してウェハを露光しウェハ上にパターンを転写
形成している。高精度のパターンを形成するためにはウ
ェハの温度を一定にし熱による変形を極力防止する必要
がある。このため、ウェハを吸着するウェハチャックに
温度調整用の冷却媒体を流してウェハチャック上のウェ
ハ温度を一定に保っている。従来の露光装置においては
、ウェハチャックを通る媒体流路を介して常に一定量の
媒体を流していた。
スクを介してウェハを露光しウェハ上にパターンを転写
形成している。高精度のパターンを形成するためにはウ
ェハの温度を一定にし熱による変形を極力防止する必要
がある。このため、ウェハを吸着するウェハチャックに
温度調整用の冷却媒体を流してウェハチャック上のウェ
ハ温度を一定に保っている。従来の露光装置においては
、ウェハチャックを通る媒体流路を介して常に一定量の
媒体を流していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前記従来技術においては、ウェハ露先に
伴う温度上昇を抑えるために必要な流量の冷却媒体を一
定量として常に流す必要があるが、このような流量の冷
却媒体をウェハチャック内の媒体流路を通して流すとこ
の流れに伴いウェハチャック及びその周囲のウェハ支持
部が撮動する。この撮動による変位は０．０数μｍ〜０
．数μｍに及び露光時のパターン形成精度を低下させて
いた。
伴う温度上昇を抑えるために必要な流量の冷却媒体を一
定量として常に流す必要があるが、このような流量の冷
却媒体をウェハチャック内の媒体流路を通して流すとこ
の流れに伴いウェハチャック及びその周囲のウェハ支持
部が撮動する。この撮動による変位は０．０数μｍ〜０
．数μｍに及び露光時のパターン形成精度を低下させて
いた。
一方、冷却媒体の流れに伴う振動がパターン形成精度に
影響を与えない程度の流量の冷却媒体を流したのではウ
ェハの温度上昇を許容温度以下に抑えることができない
。
影響を与えない程度の流量の冷却媒体を流したのではウ
ェハの温度上昇を許容温度以下に抑えることができない
。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、流れの振動によるパターン形成精度の低下を来す
ことなく露光時のウェハ温度上昇を許容温度以下に抑え
ることが出来るウェハ支持部の温度調整機構を備えた露
光装置の提供を目的とする。
って、流れの振動によるパターン形成精度の低下を来す
ことなく露光時のウェハ温度上昇を許容温度以下に抑え
ることが出来るウェハ支持部の温度調整機構を備えた露
光装置の提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明では、媒体流路上に流
量調整手段を設は露光状態に応じてこの流量調整手段を
作動制御する制御手段を備えている。
量調整手段を設は露光状態に応じてこの流量調整手段を
作動制御する制御手段を備えている。
［作 用］
露光時には流れの振動がパターン形成精度に影響を与え
ない程度の流量とし、非露光時に温度上昇を充分吸収す
る程度の流量の冷却媒体を流す。
ない程度の流量とし、非露光時に温度上昇を充分吸収す
る程度の流量の冷却媒体を流す。
［実施例］
第１図は本発明に係わる露光装置のブロック構成図であ
る。図において、１は露光を行うための光源、２は所望
の露光時間だけ露光するためのシャッター、３は転写す
べきパターンを有するマスク、４はパターンを露光転写
すべきウェハ、５はウェハを吸着し固定保持するウェハ
チャック、６はマスクとクエへとを位置合わせするため
の位置合わせ用ステージ、７は温度調整用媒体の流量を
加減するための流量調節パルプ、８はウェハチャックを
温度調節するための温度調整用媒体が流れる流路、９は
上記媒体を循環させるための温調ポンプであり、図示し
ない熱交換手段により媒体温度は一定に制御される。１
０は流量調節バルブ７を作動制御するための流量調節部
、１１は露光手順を制御する露光制御部、１２．１３は
各々温度調整用媒体のウェハチャック内流路の出口及び
入口、１４は露光装置が露光時又は非露光時の何れであ
るかを示す露光状態信号線である。
る。図において、１は露光を行うための光源、２は所望
の露光時間だけ露光するためのシャッター、３は転写す
べきパターンを有するマスク、４はパターンを露光転写
すべきウェハ、５はウェハを吸着し固定保持するウェハ
チャック、６はマスクとクエへとを位置合わせするため
の位置合わせ用ステージ、７は温度調整用媒体の流量を
加減するための流量調節パルプ、８はウェハチャックを
温度調節するための温度調整用媒体が流れる流路、９は
上記媒体を循環させるための温調ポンプであり、図示し
ない熱交換手段により媒体温度は一定に制御される。１
０は流量調節バルブ７を作動制御するための流量調節部
、１１は露光手順を制御する露光制御部、１２．１３は
各々温度調整用媒体のウェハチャック内流路の出口及び
入口、１４は露光装置が露光時又は非露光時の何れであ
るかを示す露光状態信号線である。
上記構成の露光装置の作動は以下の通りである。ポンプ
９より冷却媒体が送出される。この媒体温度は２３℃±
２／１００℃に制御され循環を繰り返す。冷却媒体は流
路８を介して入口１３よりウェハチャック５内に入りウ
ェハチャック５及びウェハ４の熱を吸収し出口１２より
排出される。排出された媒体は、流量調節バルブ７を介
してポンプ９に戻りここで再び２３℃±２ ／ １ｏｏ
℃に温度制御され循環を繰り返す。
９より冷却媒体が送出される。この媒体温度は２３℃±
２／１００℃に制御され循環を繰り返す。冷却媒体は流
路８を介して入口１３よりウェハチャック５内に入りウ
ェハチャック５及びウェハ４の熱を吸収し出口１２より
排出される。排出された媒体は、流量調節バルブ７を介
してポンプ９に戻りここで再び２３℃±２ ／ １ｏｏ
℃に温度制御され循環を繰り返す。
露光制御部１１は信号線１４を介して装置が露光中か否
かを示す露光状態信号を流量調節部１０に送る。流量調
節部ｌＯは露光中か否かに応じて流ｆｆｉ調節バルブ７
を２段Ｖａ＜流量Ａ及び流量Ｂ）に作動制御する。即ち
、露光時にはウェハチャック５に与える振動がパターン
形成精度に影響しないような許容範囲内の流量Ａとし、
非露光時にはそれまでの露光によってウェハ４及びウェ
ハチャック５に付与されたエネルギーの蓄積による温度
上昇が許容温度範囲を越えないようにするために十分な
流量Ｂ（流量Ａく流量Ｂ）とする。露光制御部１１は更
に予め定められたシーケンスプログラムに従って、光源
１の制御、シャッター２の開閉制御、位置合わせ用ステ
ージ６の移動制御を行う。
かを示す露光状態信号を流量調節部１０に送る。流量調
節部ｌＯは露光中か否かに応じて流ｆｆｉ調節バルブ７
を２段Ｖａ＜流量Ａ及び流量Ｂ）に作動制御する。即ち
、露光時にはウェハチャック５に与える振動がパターン
形成精度に影響しないような許容範囲内の流量Ａとし、
非露光時にはそれまでの露光によってウェハ４及びウェ
ハチャック５に付与されたエネルギーの蓄積による温度
上昇が許容温度範囲を越えないようにするために十分な
流量Ｂ（流量Ａく流量Ｂ）とする。露光制御部１１は更
に予め定められたシーケンスプログラムに従って、光源
１の制御、シャッター２の開閉制御、位置合わせ用ステ
ージ６の移動制御を行う。
上記露光装置の露光シーケンスのフローチャートを第２
図に示す。露光シーケンス制御が開始されると、まず、
予めウェハチャック５上に搭載吸着されたウェハ４の第
１露光位置にマスク３のパターンを転写するために、露
光制御部１１は位置合わせ用ステージ６を駆動制御して
ウェハ４の第１露光位置とマスク３とを位置合わせする
（ステップａ）。次に流量調節部ｌＯにより流量調節パ
ルプ７を流量Ａとなるように開度設定する（ステップｂ
）。次にシャッター２を所定時間だけ開いて第１露光位
置の露光を行う（ステップＣ）。所定時間経過したらシ
ャッター２を閉じて第１露光位置の露光を終了する（ス
テップｄ）。次に流量調節部ｌＯにより流量調節バルブ
７を流量Ｂとなるように開度設定する（ステップｅ）。
図に示す。露光シーケンス制御が開始されると、まず、
予めウェハチャック５上に搭載吸着されたウェハ４の第
１露光位置にマスク３のパターンを転写するために、露
光制御部１１は位置合わせ用ステージ６を駆動制御して
ウェハ４の第１露光位置とマスク３とを位置合わせする
（ステップａ）。次に流量調節部ｌＯにより流量調節パ
ルプ７を流量Ａとなるように開度設定する（ステップｂ
）。次にシャッター２を所定時間だけ開いて第１露光位
置の露光を行う（ステップＣ）。所定時間経過したらシ
ャッター２を閉じて第１露光位置の露光を終了する（ス
テップｄ）。次に流量調節部ｌＯにより流量調節バルブ
７を流量Ｂとなるように開度設定する（ステップｅ）。
続いて第２露光位置に位置合わせして第２露光位置の露
光シーケンス制御が開始される（ステップｆ）。以降、
ステップｂ、ｃ、ｄ、ｅが同様に繰り返され、更に第３
露光位置以降が同様にシーケンス制御される。
光シーケンス制御が開始される（ステップｆ）。以降、
ステップｂ、ｃ、ｄ、ｅが同様に繰り返され、更に第３
露光位置以降が同様にシーケンス制御される。
第３図は、上記露光装置の温度、流量、露光状態、撮動
量を同一時間軸上で表したタイムチャートである。露光
時には流量を少なくして（流量Ａ）、振動を小さくシ（
振ｙｊＪ量Ｘ）、高精度パタニングを可能としている。
量を同一時間軸上で表したタイムチャートである。露光
時には流量を少なくして（流量Ａ）、振動を小さくシ（
振ｙｊＪ量Ｘ）、高精度パタニングを可能としている。
非露光時には流量を増やして（流量Ｂ）温度を低下させ
ている。このとき流量増加に伴い振動が大きくなるが（
撮動量Ｙ）、非露光時であるためバターニング精度に影
響はない。
ている。このとき流量増加に伴い振動が大きくなるが（
撮動量Ｙ）、非露光時であるためバターニング精度に影
響はない。
第４図に本発明の別の実施例の構成を示す。この実施例
ではウェハチャック５の温度を検知するための温度セン
サー１５が備わり、検知温度を流量調節部ｌＯに人力す
るための信号線１６が設けられている。流量調節部１０
はウェハチャック５の温度に応じて流量調節バルブ７を
多段階に開度設定し、非露光中の流量をコントロールす
る。これにより更に高精度の温度制御を効率良く達成で
きる。その他の構成、作用効果は前述の実施例と同様で
ある。
ではウェハチャック５の温度を検知するための温度セン
サー１５が備わり、検知温度を流量調節部ｌＯに人力す
るための信号線１６が設けられている。流量調節部１０
はウェハチャック５の温度に応じて流量調節バルブ７を
多段階に開度設定し、非露光中の流量をコントロールす
る。これにより更に高精度の温度制御を効率良く達成で
きる。その他の構成、作用効果は前述の実施例と同様で
ある。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明においては、ウェハチャッ
ク内を流す温度調節用媒体の流量制御手段を備えている
ため、露光状態に応じて媒体流量を制御することができ
、露光プロセスのスルーブツトを低下させることなく、
ウェハ温度を所定の許容温度以下に保ち、媒体の流れの
振動によるパターン精度の低下を防止し、高精度のパタ
ーニングが可能になる。
ク内を流す温度調節用媒体の流量制御手段を備えている
ため、露光状態に応じて媒体流量を制御することができ
、露光プロセスのスルーブツトを低下させることなく、
ウェハ温度を所定の許容温度以下に保ち、媒体の流れの
振動によるパターン精度の低下を防止し、高精度のパタ
ーニングが可能になる。
第１図は本発明に係わる露光装置の実施例の構成図、第
２図は第１図の実施例の露光シーケンスを示すフローチ
ャート、第３図は第１図の実施例のタイムチャート、第
４図は本発明の別の実施例の構成図である。 １・・・光源、２・・・シャッター、３・・・マスク、
４・・・ウェハ、５・・・ウェハチャック、６・・・位
置合わせ用ステージ、７・・・流量調節用バルブ、８・
・・流路、９・・・ポンプ、１０・・・流量調節部、Ｉ
Ｌ・・・露光制御部。
２図は第１図の実施例の露光シーケンスを示すフローチ
ャート、第３図は第１図の実施例のタイムチャート、第
４図は本発明の別の実施例の構成図である。 １・・・光源、２・・・シャッター、３・・・マスク、
４・・・ウェハ、５・・・ウェハチャック、６・・・位
置合わせ用ステージ、７・・・流量調節用バルブ、８・
・・流路、９・・・ポンプ、１０・・・流量調節部、Ｉ
Ｌ・・・露光制御部。
Claims (4)
- （１）マスクを介して露光すべきウェハを搭載し固定保
持するウェハ吸着手段と、該ウェハ吸着手段の温度調整
用媒体を流すための媒体流路と、該媒体流路上に設けた
流量調節バルブと、該流量調節バルブの作動制御を行う
ための制御手段とを具備したことを特徴とする露光装置
。 - （２）前記制御手段は、露光時及び非露光時に応じて、
露光時の媒体流量が非露光時の媒体流量よりも小さくな
るように、前記流量調節バルブを二段階に制御すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - （３）前記露光時の媒体流量は、媒体の流れに伴う振動
が露光精度に影響しない範囲内の流量であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の露光装置。 - （４）前記ウェハ吸着手段の温度を検知するための温度
センサーを設け、該温度センサーからの検知信号に応じ
て前記制御手段が前記流量調節バルブを制御することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218520A JP2745413B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 露光装置 |
| DE68921687T DE68921687T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Belichtungseinrichtung. |
| EP89308821A EP0357423B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | An exposure apparatus |
| US07/658,434 US5063582A (en) | 1988-09-02 | 1991-02-20 | Liquid cooled x-ray lithographic exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218520A JP2745413B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267714A true JPH0267714A (ja) | 1990-03-07 |
| JP2745413B2 JP2745413B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16721220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63218520A Expired - Fee Related JP2745413B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745413B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281462A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009192569A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US9176398B2 (en) | 2008-06-10 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for thermally conditioning an optical element |
| CN107290938A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-24 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种用于光刻机曝光的快门装置及其使用方法 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63218520A patent/JP2745413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281462A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2010147506A (ja) * | 2006-04-06 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| US8913228B2 (en) | 2006-04-06 | 2014-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009192569A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US9176398B2 (en) | 2008-06-10 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for thermally conditioning an optical element |
| CN107290938A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-24 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种用于光刻机曝光的快门装置及其使用方法 |
| US10712668B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-07-14 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Shutter device used for exposure in lithography machine, and method for use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2745413B2 (ja) | 1998-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5231291A (en) | Wafer table and exposure apparatus with the same | |
| EP0357423B1 (en) | An exposure apparatus | |
| EP0411916B1 (en) | Wafer table and exposure apparatus with the same | |
| JP4371822B2 (ja) | 露光装置 | |
| EP0359497B1 (en) | An exposure method | |
| US8373844B2 (en) | Exposure apparatus having an element to be cooled | |
| US4583840A (en) | Exposure apparatus | |
| JPH0845827A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2005142382A5 (ja) | ||
| JPH09270384A (ja) | 温度制御装置及び露光装置 | |
| JPH0267714A (ja) | 露光装置 | |
| US20040256574A1 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
| US7652748B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US20030043352A1 (en) | Exposure apparatus and a device manufacturing method which keep temperature of a diaphragm of a projection optical system substantially constant | |
| JPH0391916A (ja) | 露光方法 | |
| JPH11135429A (ja) | 温度制御方法及び該方法を使用する露光装置 | |
| JP2774574B2 (ja) | 露光装置 | |
| WO2000068980A1 (fr) | Procede et appareil d'exposition | |
| JPH02278812A (ja) | 反射投影型露光装置 | |
| JPH09298143A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH09246178A (ja) | 露光方法 | |
| KR20000061436A (ko) | 반도체 에지 노광 장치 | |
| JPS6078455A (ja) | 露光装置 | |
| KR20050029802A (ko) | 반도체 웨이퍼 베이크 장치 | |
| JPH05144691A (ja) | 半導体露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |