JPH0389323A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置Info
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- JPH0389323A JPH0389323A JP1227733A JP22773389A JPH0389323A JP H0389323 A JPH0389323 A JP H0389323A JP 1227733 A JP1227733 A JP 1227733A JP 22773389 A JP22773389 A JP 22773389A JP H0389323 A JPH0389323 A JP H0389323A
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- Japan
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- light
- tft
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005338 frosted glass Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＯＡ機器、携帯用ＴＶ等に用いることができ
る画像表示装置に関するものである。
る画像表示装置に関するものである。
従来の技術
近年、画像表示装置の中で液晶デイスプレィは、携帯用
ＴＶ、ラップトツブコンピュータ等に用いられるなどす
でに実用段階にある。そのため、低コストで製造する技
術が次々と開発されている。
ＴＶ、ラップトツブコンピュータ等に用いられるなどす
でに実用段階にある。そのため、低コストで製造する技
術が次々と開発されている。
以下、第３図に従い、従来の画像表示装置について説明
する。第３図は画像表示装置の構成図で、１１は液晶デ
イスプレィのバックライトとなる蛍光灯、１２は蛍光灯
の光を液晶に効率よく集光するための反射板、１３はデ
イスプレィに均一に光を入射させるための拡散板、１４
は共通電極付ガラス基板、１５は液晶、１６は液晶を駆
動させるためのスイッチを備えたＴＦＴ基板である。
する。第３図は画像表示装置の構成図で、１１は液晶デ
イスプレィのバックライトとなる蛍光灯、１２は蛍光灯
の光を液晶に効率よく集光するための反射板、１３はデ
イスプレィに均一に光を入射させるための拡散板、１４
は共通電極付ガラス基板、１５は液晶、１６は液晶を駆
動させるためのスイッチを備えたＴＦＴ基板である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記のような画像表示装置の構成では、
以下に述べるような課題がある。即ち、液晶に均一な光
を入射させ良好な画質を得るために拡散板をバックライ
トである蛍光灯と液晶の間に設けているため、拡散板に
より液晶に入射する光量が城少し、画像が暗くなるとい
う欠点を有していた。また、ＴＦＴ基板は透明基板を使
用しているため、既存のシリコン半導体製造装置に備え
付けられているフォトカプラー基板センサでは搬送され
てくる基板を検出できず、量産効果の大なる既存の設備
をそのまま使用することは不可能であった。本発明はか
かる点に鑑みてなされたもので、既存の半導体製造装置
が使用でき、拡散板を用いない画像表示装置を提供する
ものである。
以下に述べるような課題がある。即ち、液晶に均一な光
を入射させ良好な画質を得るために拡散板をバックライ
トである蛍光灯と液晶の間に設けているため、拡散板に
より液晶に入射する光量が城少し、画像が暗くなるとい
う欠点を有していた。また、ＴＦＴ基板は透明基板を使
用しているため、既存のシリコン半導体製造装置に備え
付けられているフォトカプラー基板センサでは搬送され
てくる基板を検出できず、量産効果の大なる既存の設備
をそのまま使用することは不可能であった。本発明はか
かる点に鑑みてなされたもので、既存の半導体製造装置
が使用でき、拡散板を用いない画像表示装置を提供する
ものである。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために、本発明の画像表示装置はＴ
ＦＴ基板として裏面に光を散乱させるための加工を施し
た基板を用いている。
ＦＴ基板として裏面に光を散乱させるための加工を施し
た基板を用いている。
作用
前記基板をＴＦＴ基板として用いることにより、既存の
シリコン半導体製造装置のフォトカプラー基板センサで
も基板を検出することができ、設備投資をせずとも量産
でき低コスト化が図れる。また、バックライトの光をＴ
ＦＴ基板裏面から入射させ、光を散乱させることにより
、光を均一にすることにより、拡散板を用いずとも高輝
度の良好な画質を得ることができる。
シリコン半導体製造装置のフォトカプラー基板センサで
も基板を検出することができ、設備投資をせずとも量産
でき低コスト化が図れる。また、バックライトの光をＴ
ＦＴ基板裏面から入射させ、光を散乱させることにより
、光を均一にすることにより、拡散板を用いずとも高輝
度の良好な画質を得ることができる。
実施例
本発明の画像表示装置の一実施例を第１図に示す。第１
図は本発明の画像表示装置の構成図である。１は液晶デ
イスプレィのバックライトとなる蛍光灯、２は蛍光灯の
光を液晶に効率よく集光するための反射板、３はＴＦＴ
基板、４はＴＦＴ基板３の裏面に光を散乱させ液晶に均
一に光を入射させるために加工が施されている光拡散領
域、５は液晶、６は共通電極付きガラス基板である。光
拡散領域４は第２図で示すように蛍光灯の光が均一に散
乱されているようにグレーティング加工されておリグレ
ーティング方向は蛍光灯の方向と一致するように取り付
けられている。第２図に示したようにＴＦＴ基板裏面を
加工すれば、既存のシリコン半導体製造装置、たとえば
ドライエツチング装置を用いても、フォトカプラーを用
いた基板センサでＴＦＴ基板を検出でき、シリコン基板
同様エツチングを行なうことが可能である。また、第１
図の構成で作製した画像表示装置は、拡散板を用いずと
も従来と遜色ない良好な画像が得られ、しかも画面は明
るくなる。
図は本発明の画像表示装置の構成図である。１は液晶デ
イスプレィのバックライトとなる蛍光灯、２は蛍光灯の
光を液晶に効率よく集光するための反射板、３はＴＦＴ
基板、４はＴＦＴ基板３の裏面に光を散乱させ液晶に均
一に光を入射させるために加工が施されている光拡散領
域、５は液晶、６は共通電極付きガラス基板である。光
拡散領域４は第２図で示すように蛍光灯の光が均一に散
乱されているようにグレーティング加工されておリグレ
ーティング方向は蛍光灯の方向と一致するように取り付
けられている。第２図に示したようにＴＦＴ基板裏面を
加工すれば、既存のシリコン半導体製造装置、たとえば
ドライエツチング装置を用いても、フォトカプラーを用
いた基板センサでＴＦＴ基板を検出でき、シリコン基板
同様エツチングを行なうことが可能である。また、第１
図の構成で作製した画像表示装置は、拡散板を用いずと
も従来と遜色ない良好な画像が得られ、しかも画面は明
るくなる。
なお、本実施例では光を散乱させる方法として石英基板
裏面にクレーティングを形成したが、光を散乱する加工
であれば、すりガラス加工等何でもよい。
裏面にクレーティングを形成したが、光を散乱する加工
であれば、すりガラス加工等何でもよい。
発明の効果
本発明は、ＴＦＴ基板の１面を光が均一に散乱するよう
に加工することで、既存のシリコン半導体装置でＴＦＴ
基板を作製することが可能となり、しかも、拡散板を用
いずとも良好な画質が得られるため、従来よりも大幅に
製造コストを低減できるのできわめて効果的である。
に加工することで、既存のシリコン半導体装置でＴＦＴ
基板を作製することが可能となり、しかも、拡散板を用
いずとも良好な画質が得られるため、従来よりも大幅に
製造コストを低減できるのできわめて効果的である。
第１図は本発明の一実施例の画像表示装置の構成図、第
２図はＴＦＴ基板裏面の加工の様子を示す図、第３図は
従来の画像表示装置の構成図である。 １・・・・・・蛍光灯、２・・・・・・反射板３・・・
・・・ＴＦＴ基板、４・・・・・・光拡散領域、５・・
・・・・液晶、６・・・・・・共通電極付きガラス基板
。
２図はＴＦＴ基板裏面の加工の様子を示す図、第３図は
従来の画像表示装置の構成図である。 １・・・・・・蛍光灯、２・・・・・・反射板３・・・
・・・ＴＦＴ基板、４・・・・・・光拡散領域、５・・
・・・・液晶、６・・・・・・共通電極付きガラス基板
。
Claims (1)
- 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板、液晶、共通電極付き
ガラス基板をそなえ、前記ＴＦＴ基板の前記共通電極付
きガラス基板とは反対側の面が光が散乱するように加工
されており、光が前記ＴＦＴ基板の前記加工された面に
投射され、前記液晶、共通電極付きガラス基板を通り画
像が形成されることを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227733A JPH0389323A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227733A JPH0389323A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389323A true JPH0389323A (ja) | 1991-04-15 |
Family
ID=16865511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227733A Pending JPH0389323A (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0389323A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123261A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009246321A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009246320A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009246323A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009252755A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177015A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1227733A patent/JPH0389323A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177015A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123261A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP2009246321A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JP2009252755A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US8420503B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-04-16 | Shin—Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing SOI substrate |
| JP5433567B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2014-03-05 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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