JPH0388342A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0388342A JPH0388342A JP22363289A JP22363289A JPH0388342A JP H0388342 A JPH0388342 A JP H0388342A JP 22363289 A JP22363289 A JP 22363289A JP 22363289 A JP22363289 A JP 22363289A JP H0388342 A JPH0388342 A JP H0388342A
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、とくに、リードフレームにおけ
るダイステージに半導体チップを搭載する際の接着状況
を自動判定するためのデータの取得方法に関し。
るダイステージに半導体チップを搭載する際の接着状況
を自動判定するためのデータの取得方法に関し。
ダイステージ表面が無光沢な場合にも有効なデータを取
得可能とすることを目的とし。
得可能とすることを目的とし。
半導体チップが導電ペーストを用いて接着されたリード
フレームのダイステージに該半導体チップの一辺に沿う
方向から斜めに光を照射し、該ダイステージ上方からカ
メラにより該半導体チップからはみ出した導電ペースト
のパターン情報を取得する工程を含むように構成する。
フレームのダイステージに該半導体チップの一辺に沿う
方向から斜めに光を照射し、該ダイステージ上方からカ
メラにより該半導体チップからはみ出した導電ペースト
のパターン情報を取得する工程を含むように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、とくに、リードフレ
ームにおけるダイステージに半導体チップを搭載する際
の接着状況を自動判定するためのデータの取得方法に関
する。
ームにおけるダイステージに半導体チップを搭載する際
の接着状況を自動判定するためのデータの取得方法に関
する。
半導体集積回路のパッケージ方法として、リードフレー
ムのダイステージ上に半導体集積回路チップを搭載し、
該チップのパッドとリード間をワイヤボンディングを施
したのち、該チップを樹脂でモールドするものが広く採
用されている。
ムのダイステージ上に半導体集積回路チップを搭載し、
該チップのパッドとリード間をワイヤボンディングを施
したのち、該チップを樹脂でモールドするものが広く採
用されている。
上記半導体集積回路チップとダイステージとは。
一般に、銀ペーストのような導電性樹脂を用いて接着さ
れる。この接着が良好な状態で行われたかどうかの判定
は、第４図に示すように、ダイステージ１上において、
チップ２の周囲にはみ出した銀ペースト３の形状を自動
的に判別して行われる。
れる。この接着が良好な状態で行われたかどうかの判定
は、第４図に示すように、ダイステージ１上において、
チップ２の周囲にはみ出した銀ペースト３の形状を自動
的に判別して行われる。
すなわち、一般にダイステージ１とチップ２表面は反射
率が高く、これに対して銀ペースト３表面は反射率が低
い、したがって、銀ペースト３の形状は暗いパターンと
して認識される。上記のような銀ペースト３のパターン
を、第５図に示すような落射照明装置を備えた撮像装置
により撮像し。
率が高く、これに対して銀ペースト３表面は反射率が低
い、したがって、銀ペースト３の形状は暗いパターンと
して認識される。上記のような銀ペースト３のパターン
を、第５図に示すような落射照明装置を備えた撮像装置
により撮像し。
所定の視野内における銀ペースト３パターンの面積比率
を自動的に測定し、この比率がある値以上であれば正常
とする。
を自動的に測定し、この比率がある値以上であれば正常
とする。
一般に、ダイステージ１に対するチップ２の接着状態が
良好な場合には、チップ２の周囲に銀ペースト３が広く
はみ出す。したがって、ｖＡペースト３がはみ出した面
積が狭いものは、接着状態が良くないものとして排除さ
れる。なお、第５図において符号４はタングステンラン
プ等の光源であり、ハーフミラ−５とともに落射照明装
置を構成している。符号６は９例えばＣＯＤ（Ｃｈａｒ
ｇｅ ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖ １ｃｅ）を利用した撮像
カメラである。
良好な場合には、チップ２の周囲に銀ペースト３が広く
はみ出す。したがって、ｖＡペースト３がはみ出した面
積が狭いものは、接着状態が良くないものとして排除さ
れる。なお、第５図において符号４はタングステンラン
プ等の光源であり、ハーフミラ−５とともに落射照明装
置を構成している。符号６は９例えばＣＯＤ（Ｃｈａｒ
ｇｅ ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖ １ｃｅ）を利用した撮像
カメラである。
撮像カメラ６で得られた画素信号は、適当なレベルでス
ライスされ、二値化信号に変換される。
ライスされ、二値化信号に変換される。
すなわち、ダイステージｌやチップ２の比較的明るい部
分に対応する画素信号と、銀ペースト３のような比較的
暗い部分に対応する画素信号とである。したがって、接
着状態の良否の判定は、明るい画素信号に対して、暗い
画素信号が一定の比率以上であれば良いことになる。
分に対応する画素信号と、銀ペースト３のような比較的
暗い部分に対応する画素信号とである。したがって、接
着状態の良否の判定は、明るい画素信号に対して、暗い
画素信号が一定の比率以上であれば良いことになる。
ダイステージ１には５通常、銀メツキが施されている。
この銀メツキが粗い、すなわち、無光沢であると、ダイ
ステージ１表面の反射率が低くなり、ｌ！ペースト３表
面の反射率と接近する。その結果、第５図のような撮像
装置を用いて、ダイステージｌと銀ペースト３の面積比
を自動判定しようとすると誤りを生じる。具体的には、
銀ペースト３の面積を実際より大きく検出し、接着不良
のものを良品と判定してしまうおそれがある。
ステージ１表面の反射率が低くなり、ｌ！ペースト３表
面の反射率と接近する。その結果、第５図のような撮像
装置を用いて、ダイステージｌと銀ペースト３の面積比
を自動判定しようとすると誤りを生じる。具体的には、
銀ペースト３の面積を実際より大きく検出し、接着不良
のものを良品と判定してしまうおそれがある。
本発明は、上記に鑑み、ダイステージ１と銀ペースト３
との間に高いコントラスト比を与えることのできる照明
方法を提供することを目的とする。
との間に高いコントラスト比を与えることのできる照明
方法を提供することを目的とする。
上記目的は、半導体チップが導電ペーストを用いて接着
されたリードフレームのダイステージに該半導体チップ
の一辺に沿う方向から斜めに光を照射し、該ダイステー
ジ上方からカメラにより該半導体チップからはみ出した
導電ペーストのパターン情報を取得する工程を含むこと
を特徴とする本発明の半導体装置の製造方法によって達
成される。
されたリードフレームのダイステージに該半導体チップ
の一辺に沿う方向から斜めに光を照射し、該ダイステー
ジ上方からカメラにより該半導体チップからはみ出した
導電ペーストのパターン情報を取得する工程を含むこと
を特徴とする本発明の半導体装置の製造方法によって達
成される。
本発明をより具体的に述べれば、矩形の半導体チップが
導電ペーストを用いて接着されたリードフレームのダイ
ステージに光を照射し、該半導体チップからはみ出した
導電ペーストのパターン情報を取得するに際して、該ダ
イステージに対して垂直な方向から第１の光を照射する
間に該半導体チップの対向する二辺に対して垂直且つ該
ダイステージに対して斜め方向から第２の光を照射し。
導電ペーストを用いて接着されたリードフレームのダイ
ステージに光を照射し、該半導体チップからはみ出した
導電ペーストのパターン情報を取得するに際して、該ダ
イステージに対して垂直な方向から第１の光を照射する
間に該半導体チップの対向する二辺に対して垂直且つ該
ダイステージに対して斜め方向から第２の光を照射し。
前記第２の光照射を停止し、該ダイステージに対して垂
直な方向から前記第１の光を照射する間に該半導体チッ
プの対向する他の二辺に対して垂直且つ該ダイステージ
に対して斜め方向から第３の光を照射することから構成
される。
直な方向から前記第１の光を照射する間に該半導体チッ
プの対向する他の二辺に対して垂直且つ該ダイステージ
に対して斜め方向から第３の光を照射することから構成
される。
第１図の本発明の原理説明図に示すごとく、無光沢のダ
イステージｌに搭載、接着されたチップ２に対し、従来
と同様にダイステージｌに垂直な方向からの落射照明を
行うとともに、該チップ２の対向する二辺に垂直かつ該
ダイステージ１の表面に対して斜め方向から光を照射す
るための第２の光源７を設ける。この斜め照射光源７に
より。
イステージｌに搭載、接着されたチップ２に対し、従来
と同様にダイステージｌに垂直な方向からの落射照明を
行うとともに、該チップ２の対向する二辺に垂直かつ該
ダイステージ１の表面に対して斜め方向から光を照射す
るための第２の光源７を設ける。この斜め照射光源７に
より。
ダイステージ１表面の照度が高くなる。一方、銀ペース
ト３表面については、斜め照射光源７の照対方向に直交
する二辺では、銀ペースト３表面の照度も高くなるため
ダイステージ１表面とのコントラスト比が小さく１区別
できないが、斜め照射光源７に平行な二辺では、銀ペー
スト３表面の照度が高くならず、ダイステージｌとの間
に高いコントラストが生じる。チップ２の別の対向する
二辺についても、斜め照射光源７による照射方向を。
ト３表面については、斜め照射光源７の照対方向に直交
する二辺では、銀ペースト３表面の照度も高くなるため
ダイステージ１表面とのコントラスト比が小さく１区別
できないが、斜め照射光源７に平行な二辺では、銀ペー
スト３表面の照度が高くならず、ダイステージｌとの間
に高いコントラストが生じる。チップ２の別の対向する
二辺についても、斜め照射光源７による照射方向を。
例えば９０度変化させることにより、ダイステージ１に
対して高コントラストの銀ペースト３表面を観測するこ
とができる。
対して高コントラストの銀ペースト３表面を観測するこ
とができる。
このように、斜め照射光の方向を交互に切り替えること
により、チップ周辺にはみ出した銀ペースト３のパター
ンを読みとることができる。
により、チップ周辺にはみ出した銀ペースト３のパター
ンを読みとることができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
以下の図面において、既掲の図面におけるのと同じ部分
には同一符号を付しである。
には同一符号を付しである。
第２図は本発明に用いる斜め照射光源７の実施例説明図
であって、中央部に、−辺が３００程度の正方形の開ロ
ア１を有する支持枠７０には、開ロア１に向かって約３
０度の傾斜面７２が設けられており、この傾斜面７２に
は複数の光ファイバ７３が配列されている。各々の辺に
対応する光ファイバ７３の＆ｕ７３゜、７３□７３□７
３４の一端は１例えばハロゲンランプのような発光源（
図示省略）に−括して接続されており、その他端から、
開ロア１内におけるチップ２に対して斜め方向の光を照
射する。
であって、中央部に、−辺が３００程度の正方形の開ロ
ア１を有する支持枠７０には、開ロア１に向かって約３
０度の傾斜面７２が設けられており、この傾斜面７２に
は複数の光ファイバ７３が配列されている。各々の辺に
対応する光ファイバ７３の＆ｕ７３゜、７３□７３□７
３４の一端は１例えばハロゲンランプのような発光源（
図示省略）に−括して接続されており、その他端から、
開ロア１内におけるチップ２に対して斜め方向の光を照
射する。
前記発光源と光ファイバ７３．〜７３４の接続部には９
図示しないシャッターが設けられている。このシャッタ
ーを開閉することにより、光ファイバ７３、と７３５．
または光ファイバ７３！と７３４に交互に光が送られ、
チップ２の対向する二辺が交互に斜め方向の光により照
射される。
図示しないシャッターが設けられている。このシャッタ
ーを開閉することにより、光ファイバ７３、と７３５．
または光ファイバ７３！と７３４に交互に光が送られ、
チップ２の対向する二辺が交互に斜め方向の光により照
射される。
このような斜め照射光により、チップ２の周囲にはみ出
した銀ペースト３のパターンは、第３図（ａ）および（
ｂ）に示すように、斜め照射光源７の光と交差しない二
辺において明瞭なコントラストを以て観測される。した
がって、斜め照射光の切り換え、それぞれにおける銀ペ
ースト３のパターンを前記撮像装置６によって読み取れ
ば、正確な銀ペースト３パターン情報を取得できる。
した銀ペースト３のパターンは、第３図（ａ）および（
ｂ）に示すように、斜め照射光源７の光と交差しない二
辺において明瞭なコントラストを以て観測される。した
がって、斜め照射光の切り換え、それぞれにおける銀ペ
ースト３のパターンを前記撮像装置６によって読み取れ
ば、正確な銀ペースト３パターン情報を取得できる。
ここで取得した。半導体チップの各辺に対応する銀ペー
ストのパターン情報から、それぞれの銀ペーストパター
ンの面積が、前記各辺に対応する所定の領域内において
所定の面積比率の範囲に存在していれば接着状態ば良と
判定され、この範囲を逸脱している場合には否と判定さ
れる。
ストのパターン情報から、それぞれの銀ペーストパター
ンの面積が、前記各辺に対応する所定の領域内において
所定の面積比率の範囲に存在していれば接着状態ば良と
判定され、この範囲を逸脱している場合には否と判定さ
れる。
本発明によれば、無光沢のダイステージに半導体集積回
路チップを接着したときの銀ペーストパターンを１画像
認識装置により確実に読み取ることが可能となり、接着
不良を確実に排除可能とする効果がある。
路チップを接着したときの銀ペーストパターンを１画像
認識装置により確実に読み取ることが可能となり、接着
不良を確実に排除可能とする効果がある。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明における斜め照射光源の構成の実施例。
第３図は本発明の方法により観測される無光沢ダイステ
ージ上の銀ペーストパターンの模式図。 第４図はダイステージに接着されたチップと銀ペースト
パターンの模式図。 第５図は従来の撮像装置の構成説明図 である。 図において。 １はダイステージ、 ２はチップ。 ３は銀ペースト、 ４は光源。 ５はハーフミラ−１６は撮像カメラ。 ７は第２の光源、７０は支持枠。 ７１は開０．７２は傾斜面。 ７３は光ファイバ である。 １ オ洒ｔ８月のＲ理説日周起 第 図 不発８月１；８Ｉすう４斗の啄身す児源の橋へ今す箸
２ 起 （０，） （Ｆ）ン ＠ハ照射是 、１１明の方５表ＩＳより観」１１ご淑ろ鍬児沢ダイズ
テージ上り銀ペースｌ−ｔぐターン第 図 箸 在来の撮傳装置の横へ 冨 ５ 図
ージ上の銀ペーストパターンの模式図。 第４図はダイステージに接着されたチップと銀ペースト
パターンの模式図。 第５図は従来の撮像装置の構成説明図 である。 図において。 １はダイステージ、 ２はチップ。 ３は銀ペースト、 ４は光源。 ５はハーフミラ−１６は撮像カメラ。 ７は第２の光源、７０は支持枠。 ７１は開０．７２は傾斜面。 ７３は光ファイバ である。 １ オ洒ｔ８月のＲ理説日周起 第 図 不発８月１；８Ｉすう４斗の啄身す児源の橋へ今す箸
２ 起 （０，） （Ｆ）ン ＠ハ照射是 、１１明の方５表ＩＳより観」１１ご淑ろ鍬児沢ダイズ
テージ上り銀ペースｌ−ｔぐターン第 図 箸 在来の撮傳装置の横へ 冨 ５ 図
Claims (1)
- 半導体チップが導電ペーストを用いて接着されたリード
フレームのダイステージに該半導体チップの一辺に沿う
方向から斜めに光を照射し、該ダイステージ上方からカ
メラにより該半導体チップからはみ出した導電ペースト
のパターン情報を取得する工程を含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22363289A JPH0388342A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22363289A JPH0388342A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388342A true JPH0388342A (ja) | 1991-04-12 |
Family
ID=16801242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22363289A Pending JPH0388342A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388342A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745592B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2007-08-14 | (주) 금성풍력 | 위치 조정 기능을 갖는 대형 송풍기 |
| JP2011054634A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Toppan Forms Co Ltd | 塗布量検出装置及び塗布量検出方法 |
| JP2014124542A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Fujitsu Ltd | 接着剤の塗布方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227431A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Fujitsu Ltd | ダイボンデイング状態の検査装置 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22363289A patent/JPH0388342A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227431A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Fujitsu Ltd | ダイボンデイング状態の検査装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745592B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2007-08-14 | (주) 금성풍력 | 위치 조정 기능을 갖는 대형 송풍기 |
| JP2011054634A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Toppan Forms Co Ltd | 塗布量検出装置及び塗布量検出方法 |
| JP2014124542A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Fujitsu Ltd | 接着剤の塗布方法及び装置 |
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