JPH0387086A - 半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信、光応用計測などの光源に利用する。特
に、化合物半導体を用いた可変波長レーザ、位相変調器
付集積レーザおよび強度変調器付集積レーザの構造に関
する。

〔概　要゛〕

本発明は、化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて
、 ｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造を形成し、双方のｐｎ接合
部分にエネルギギャップの小さい層を設け、その一方を
活性層、他方の変調層とすることにより、 活性層に流す電流により光出力を制御し、変調層への印
加電界または注入電流にょリレーザ光の発振波長、光強
度または光位相を制御するものである。

〔従来の技術〕

変調器が集積化された半導体レーザとして、従来から、
可変波長レーザや光強度変調器付レーザが知られている
。

第１５図と第１８図に可変波長レーザの代表的な構造の
例を示す。

可変波長レーザは、基本的に、光導波路を形成する層と
同じ層に回折格子を設け、この層の屈折率を変化させる
ことにより、回折格子により反射される波長を変化させ
てレーザ発振波長を変化させるものである。

第１５図に示した素子は多電極分布プラグ反射型可変波
長レーザダイオードであり、ｐ型とｎ型との導電性が異
なる二つの半導体層１３１．１３４の間に先導波路層１
３２が設けられ、光導波路層１３２の一端の領域に活性
層１３３が設けられ、先導波路層１３２の他端には回折
格子１３５が設けられた構造をもつ。この素子の電極は
三つの領域に分割して設けられる。第一の電極１３６は
活性層１３３の領域に設けられ、レーザ発振に必要な電
流を供給する。

第二の電極１３７は、活性層１３３　も回折格子１３５
　も設けられていない領域に形成される。また、第三の
電極１３８は、回折格子１３５の領域に設けられる。

この素子は垂直方向がすべてｐｎ構造となっており、こ
のｐｎ構造に流す電流により先導波路層１３２のキャリ
ア密度が変化し、これにより屈折率が変化する。このよ
うな屈折率変化はプラズマ効果として知られている。

第１６図および第１７図に、電極１３７．１３８に流す
電流Ｉ、＋’Ｉｂに対する発振波長およびスペクトル線
幅の変化の一例をそれぞれ示す。この例では、電流Ｉ、
＋Ｉ、を７０ｍＡ変化させることにより、波長を３．１
０ｍ（周波数で３８０ＧＨ２）変化させることができた
。

以上の素子構造および特性は、ムラタ他、エレクトロニ
クス・レターズ、第２３巻第４０３頁、１９８７年（Ｓ
ｌＭｕｒａｔａ　ｅｔ　ａｌ、、　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、、　ＶＯｌ、２３゜ｐｐ、４０３．１９８７
）　に示されたものである。

第１８図に示した素子は多電極分布帰還型可変波長レー
ザダイオードであり、ｐ型とｎ型との導電性が異なる二
つの半導体層１６１．１６３の間に活性層１６２が設け
られ、この活性層１６２に沿って回折格子１６４が設け
られた構造をもつ。この素子の電極は、ビーム方向に、
発振用の電極１６５と屈折率制御用の電極１６６とに分
割されている。出射端には反射防止膜１６７が設けられ
る。

この素子については、例えばクズネツォフ著、ＩＥＢＥ
ジャーナル・オブ・クラオンタム・エレクトロニクス、
第ＱＢ−２４巻第９号、第１８３７頁、１９８８年９月
（Ｍ、にｕｚｎｅｔｓｏｖ、　１８Ｅｔ！、　ＱＢ−２
４，Ｎｏ、９．ｐＩ）、１８３７゜５ｅｐｔ、　１９８
８）に詳しく説明されている。

この素子もまた、多電極分布プラグ反射型可変波長レー
ザダイオードと同様に、電極１６５．１６６の電流Ｉｔ
　、Ｉ２により活性層１６２のキャリア密度が変化し、
これにより屈折率が変化する。このとき、全注入電流Ｉ
ｔ　＝Ｉｌ　＋Ｉ２を一定とし、屈折率制御用の電極１
６６の電流■２により発振波長を制御する。

第１９図に電極１６５．１６６の電流比に対する発振波
長およびスペクトル線幅の一例を示す。この特性は、サ
トウ（Ｋｅｎｊｉ　５ＡＴＤ）他、ＯＦＣ’　８９．１
９８９年２月、Ｔｕｔ（３に示されたものである。

電流注入によるプラズマ効果を利用しない光度゛調器付
レーザも知られている。この例を第２０図および第２１
図に示す。

第２０図は変調器に多重量子井戸構造を用いた光強度変
調器付レーザの構造を示す。この図では、内部構造を示
すため、素子の一部を切り欠いて示す。この素子は、多
重量子井戸構造（ＭＱＷ）に電界を印加してミ導波路の
光学特性（光吸収〉を変化させて光強度を高速に変化さ
せるものである。この素子については、クワムラ（Ｙ、
Ｋｕｗａｍｕｒａ）　、ワキタ（Ｋ、Ｗａｋ　１ｔａ）
他、０ＱＢ８６−１６９に詳しく説明されている。

第２１図はｐｎｐまたはｎｐｎ　（図にはｐｎｐの例を
示す）トランジスタ構造をもっレーザ素子のエネルギバ
ンド構造を示す。ここで、トランジスタとの対応からそ
れぞれの層をエミッタ、ベース、コレクタとする。

この素子は、エミッタ・ベース間のｐｎ接合を活性層と
し、ここに順バイアスの電流を注入することにより、レ
ーザ発振のための光利得層を形成する。また、ベース・
コレクタ間に印加するバイアスを変化させると、活性層
のキャリア閉じ込め効果が変化し、光利得が変化する。

これにより光の強度変調を行うことができる。第２０図
（ａ）はベース・コレクタ間に電圧を印加しない場合の
状態を示し、（ｂ）は電圧を印加した場合の状態を示す
。

このような素子については、管、山西他、昭和６３年度
秋期応用物理学会学術講演予稿集、論文番号５ａ’Ｒ−
６に説明されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、多電極分布プラグ反射型可変波長レーザダイオ
ードでは、プラズマ効果により屈折率だけでなく自由キ
ャリアによる光吸収や発熱量の増大のため、発振波長を
変化させるとレーザのしきい値利得が変化し、光出力の
低下や、第１７図に示したようなスペクトル線幅の増大
が生じる欠点がある。

多電極分布帰還型可変波長レーザダイオードの場合には
、共振器全体では光吸収がほとんど変化しないので、発
振波長を変えても光パワーやスペクトル線幅は変化しな
い。しかし、屈折率制御用の電流■２が増加してレーザ
の発振しきい値電流以上になると、注入電流がほとんど
光出力の増加に消費され、キャリア濃度が変化しなくな
る。このため、発振波長の変化幅が制限される欠点があ
った。

また、従来の光強度変調器付レーザは構造が複雑であり
、製造プロセスが複雑となる欠点があった。

本発明は、以上の課題を解決し、光出力および発振波長
が安定で、スペクトル線幅が狭く、電極の分離特性に優
れ、構造が簡単で製造が容易な可変波長レーザ、位相変
調器付集積レーザまたは強度変調器付レーザを提供する
ことを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体レーザは、互いに導電性が異なる二つの
半導体層を含む第一のｐｎ構造を備え、この二つの半導
体層の間にはこの二つの半導体層よりバンドギャップエ
ネルギの小さい活性層が形成された半導体レーザにおい
て、前記二つの半導体層の一方の側の同一導波構造内に
、第一のｐｎ構造との間でｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造
を形成する第二のｐｎ構造を備え、この第二のｐｎ構造
のｐｎ接合部にはその両側の半導体層よりバンドギャッ
プネエルギの小さい層が形成されたことを特徴とする。

〔作　用〕

ｐｎ構造の一方の半導体層にさらにｐｎ構造を積層させ
ることにより、ｐｎｐまたはｎｐｎ構造が形成される。

この構造において、活性層を含むｐｎ接合に流す電流に
より光出力を制御でき、他のｐｎ接合に印加する電界ま
たは注入する電流によりレーザ光の発振波長、光強度ま
たは光位相を制御することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明第一実施例の半導体レーザの構造を示す
斜視図である。

この半導体レーザは本発明を可変波長レーザダイオード
に実施したものであり、互いに導電性が異なる二つの半
導体層を含む第一のｐｎ構造として、ベース層６および
ガイド層７からなるｎ型層と、ガイド層９およびクラッ
ド層ＩＯからなるｐ型層を備え、ガイド層７とガイド層
９との間には、この二つの半導体層よりバンドギャップ
エネルギの小さい活性層８が形成される。

ガイド層７、活性層８、ガイド層９およびクラッド層１
０はメサ型に形成され、クラッド層１０はキャップ層１
１を介して電極１３に接続される。メサ構造の側部およ
び裾の領域は絶縁層１２により被覆される。

ここで本実施例の特徴とするところは、二つの半導体層
の一方（ベース層６）の側の同一導波構造内に、第一の
ｐｎ構造との間でｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造を形成す
る第二のｐｎ構造、すなわち、基板１、バッファ層２お
よびガイド層３からなるｐ型層と、ガイド層５および第
一のｐｎ構造と共通のベース層６からなるｎ型層とを備
え、この第二のｐｎ構造のｐｎ接合部にはその両側の層
、すなわちガイド層３および５よりバンドギャップネエ
ルギの小さい変調層４が形成されたことにある。

ベース層６には、絶縁層１２の窓を通して電極１５が接
続される。

基板１の裏面には電極１４が設けられる。

この構造はへテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ
）とよく似た構造であるので、本明細書では、トランジ
スタの例にならって、クラッド層１０を含むｐ型層をエ
ミッタ、ベース層６を含むｎ型層をベース、バッファ層
２を含むｐ型層をコレクタという。構造上でＨＢＴと大
きく異なるのは、エミッタ、ベース、コレクタの接合部
に、不純物濃度が低くかつバンドギャップの狭い層が挿
入された点である。

第２図にこの半導体レーザのエネルギバンド構造を示す
。この例では、変調層４として多重量子井戸構造を用い
た場合のバンド構造を示す。

第３図はこの半導体レーザの製造方法を示す。

ここでは、ＩｎＰおよびＩｎＧａＡａＰの結晶を用いた
ｐｎｐ構造を例に説明する。以下の説明において「上」
、「下」とは、それぞれ基板から離れる方向、近づく方
向をいう。

最初に、第３図（ａ）に示すように、ｐ型１ｎＰ基板上
に同じｐ型のＩｎＰバッファ層２をエピタキシャル成長
させ、このバッファ層２に、光干渉露光法などによりレ
ーザ発振波長に合わせた回折格子３０を形成する。

次に、第３図（ｂ）に示すように、バッファ層２上に、
ｐ型（またはノンドープ）　ＩｎＧａＡｓＰガイ１層３
、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ多重量子井
戸変調層４、ｎ型（またはノンドープ）　ＩｎＧａＡｓ
Ｐガイ１層５、ｎ型１ｎＰベ一ス層６、ｎ型（またはノ
ンドープ）　ＩｎＧａＡｓＰガイド層７、ノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層８、ｐ型〈またはノンドープ）　Ｉ
ｎＧａＡｓＰ０４１層９、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０、
ｐ゛型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層１１をこの順にエピタ
キシャル成長させる。

これに続いて、第３図（Ｃ）に示すように、ベース層６
が露出するまでキャップ層１１、クラッド層１０、ガイ
ド層９、活性層８およびガイド層７をメサストライプ状
にエツチングする。さらに、ＳｌＯ□などの絶縁体によ
り絶縁層１２を形成し、エミッタとベースとに電極を接
続するための窓をエツチングする。

この後に、第３図（イ）に示すように、エミッタ、ベー
スのそれぞれの不純物のタイプに適合した金属を用い、
リフトオフ法などの方法により電極１３．１５を形成す
る。基板１の裏面にも電極１４を形成する。

最後に、電極１３．１４．１５の共晶化のための熱処理
を行う。

この半導体レーザを使用するときには、電極１３と電極
１５との間（エミッタ・ベース間）に順バイアス（電極
１３が正、電極１５が負）を印加し、電極１５と電極１
４との間（ベース・コレクタ間〉に逆バイアス（電極１
５が正、電極１４が負）または弱い順バイアスを印加す
る。

第４図は、エミッタ・ベース間に順バイアスを印加し、
ベース・コレクタ間にそのバイアスだけでは電流が流れ
ない程度の弱い順バイアスを印加したときのエネルギバ
ンド構造を示す。

このようなバイアス状態では、バンドギャップの狭い活
性層８に、エミッタとベースから電子とホールとが注入
され、−時的に閉じ込められる。

活性層８やガイド層７．９は、バンドギャップが狭いだ
けでなく屈折率が高いので、光子もまたこの近傍に閉じ
込められる。したがって、電子、ホールおよび光子の相
互作用により、活性層８で発光またはし；ザ発振が生じ
る。

次にベース・コレクタ間の変調層４による光変調特性に
ついて説明する。

第５図は量子井戸構造が設けられた低不純物濃度層に電
界を印加することによるエネルギバンドの変化および波
動関数の変化を示し、（ａ）は電界を印加しない状態、
わ）は電界を印加した状態をそれぞれ示す。ここでは単
一量子井戸の場合を示すが、多重量子井戸の場合も同等
である。

量子井戸構造が設けられた低不純物濃度層に電界を印加
すると、量子井戸における光学特性、特に屈折率および
吸収係数が、電子とホールとの波動関数の重なりの程度
に依存して変化する。この現象については、例えばヤマ
モ）　（Ｈ，Ｙａｍａｍｏｔｏ）他、ＩＥ巳巳、ＬＴ、
第６巻第１２号、第１８３１頁、１９８８年１２月に詳
しく示されている。

したがって、第１図に示した実施例においてベース・コ
レクタ間にバイアスを印加すると、変調層４の光学特性
が変化する。ここで、屈折率の変化を利用すると、回折
格子３０による反射波長の選択性が変化し、活性層８の
発振波長を変化させることができる。また、先導波路全
体としての等偏屈折率や光吸収が変化することから、光
強度または光位相を変調することもできる。

第６図は変調層４に電界を印加した場合の吸収αと屈折
率変化Δｎ／ｎとの計算結果を示す。この計算値は上述
のヤマモト他の文献に記載されたものである。

したがって、屈折率変化Δｎ　／　ｎが大きく吸収αが
小さいように変調層４のエネルギバンド構造を設計する
と、光位相変調器付集積レーザが得られる。また、屈折
率変化Δｎ　／　ｎが小さく吸収αが電界により大きく
変化するように変調層４のバンド構造を設計すると、光
強度変調器付集積レーザが得られる。ただし、光位相変
調器付集積レーザや光強度変調器付集積レーザとして利
用する場合には、変調層４の近傍に回折格子３０を設け
る必要はない。可変波長レーザの場合には、光位相変調
器付集積レーザと同じ条件で、変調層４の近傍に回折格
子３０を設ける。

第７図は゛本発明第二実施例の半導体レーザの構造を示
す斜視図である。

この実施例は、活性層８を含むメサ構造をｎ型ＩｎＰの
埋め込み層１００で埋め込んだことが第一実施例と異な
る。絶縁層１２は埋め込み層１００の上に設けられ、電
極１５はこの埋め込み層１００の上に絶縁層１２の窓を
介して接続される。

この構造は、横方向の屈折率差が小さくなるので、メサ
ストライプ幅を大きくしても単一モードの光閉じ込めが
可能である。埋め込み層１００の材料としては、活性層
８やガイド層７．９に比較して、バンドギャップエネル
ギが大きく屈折率の小さいものが適している。

第８図は本発明第三実施例の半導体レーザの構造を示す
斜視図である。この例は、ポリイミドの埋め込み層１２
０を用いた点が第二実施例と異なる。

この場合には絶縁層１２が不要となり、埋め込み層１２
０には電極１５をベース層６に接続するための溝が設け
られる。

第９図は本発明第四実施例の半導体レーザの構造を示す
斜視図であり、第１０図はそのエネルギバンド構造を示
す。

この実施例は、第一実施例における変調層４の代わりに
バルク結晶の変調層４′を用い、変調層４′に注入する
電流により、プラズマ効果を利用してその光学特性を変
化させることが第一実施例と異なる。また、第一実施例
では変調層４に逆バイアスを印加したのに対し、本実施
例では変調層４′に順バイアスを印加する。

第１１図は本発明第五実施例の半導体レーザの構造を示
す斜視図である。

この実施例は、同様に変調層への電流注入によるプラズ
マ効果を利用する点では第四実施例と同等であるが、埋
め込み型であることが第４実施例と大きく異なる。また
、この実施例では、基板や電極に対する活性層と変調層
との位置関係を前述の実施例と逆に配置した。

すなわち、ｐ型コレクタ層１１０上に活性層１１１、ｎ
型ベース！１１２　、変調層１１３およびｐ型エミッタ
層１１４のメサ構造を備え、このメサ構造がｎ型埋め込
み層１１５により埋め込まれる。エミツタ層１１４内に
はガイド層が設けられ、このガイド層に回折格子が形成
される。コレクタ層１１０内には、電流狭窄のため、ｎ
型半導体による電流ブロック層１１６が設けられる。

エミツタ層１１４はｐ＋型キャップ層１１を介して電極
１３に接続され、埋め込み層１１５はｎ゛型キャップ層
１１′を介して電極１５に接続される。電極１３．１５
間は絶縁層１２により絶縁される。コレクタ層１１０の
裏面には電極１４が設けられる。

コレクタ層１１０は、前述の実施例における基板１、バ
ッファ層２およびガイド層３を含む。同様に、ベース層
１１２はガイド層５、ベース層６およびガイド層７を含
み、エミツタ層１１４はガイド層９およびクラッド層１
０を含む。

ここで、プラズマ効果による可変波長特性について説明
する。

第１２図および第１３図は変調層に注入される変調電流
１、による効果の理論計算値であり、第１２図は変調電
流１、に対する屈折率および温度の変化、第１３図は可
変波長レーザとして用いた場合の変調電流Ｉヵに対する
発振波長の変化を示す。これらの図は、変調層のバンド
ギャップエネルギが光波長１．３μｍに対応する値であ
るとし、により求めた。ただし、 Δλ　：発振波長の変化 プラズマ効果による波長変化 発熱による波長変化 無変調時の発振波長（＝１．５５μ［０）変調層の光の
閉じ込め係数（＝２４％）プラズマ効果による屈折率変
化 導波路全体の等偏屈折率（＝３．２４９１４）＝　０．
０９　ｎｍ／に 変調層の温度上昇 電子の電荷＝　１．６Ｘ１０−１９〔Ｃ）変調層の屈折
率 真空の誘電率 真空中の光速度 変調層内の電子の有効質量 変調層内の電子濃度（ｃ＋＋ｒ３） 変調層内の電子の寿命（ｓｅｃ） 変調層の体積 （幅３μｍ１長さ５００μｍ、厚さ０．２９μｍ）変調
電流 １、　　　： である。

図示したように、変調層を設けてそこに変調電流を注入
すると、その電流による温度上昇は生じるものの、温度
上昇による波長変化より大きなプラズマ効果による波長
変化を得ることができる。

第１４図は実際に試作した半導体レーザの可変波長特性
を示す。この可変波長特性は、導波路に回折格子を設け
ずにレーザをファブリペローモードで発振させ、その特
定モードに着目して測定したものである。横軸は変調層
に注入される変調電流を示し、縦軸は発振波長の変化を
示す。実線は実測値であり、破線は理論値を示す。

この測定は、第１１図に示した構造を用い、活性層　：
バンドギャップエネルギが光波長１．６５μｍと１．３
μｍに相当する二種類の材料の多重量子井戸構造 ベース層：０．２μｍの厚さのｎ型ＩｎＰ変調層　：バ
ンドギヤツエネルギが光波長１．３μｍに相当する組成
のＩｎＧａＡｓＰ を用いた。メサ構造のストライプ幅は実測で２．３即で
あった。また、発振波長は１．５８μｍ、　Ｌきい値電
流Ｉｔｈは３０ｍＡ、波長可変幅は１．３５ｎｍであっ
た。

第１４図の測定は、レーザ発振の駆動電流Ｉｄをしきい
値電流ｒｔｈの２．３倍に固定して行った。

実測値と理論値とに大きな差があるのは、試作した素子
の上部のｐｎ接合表面に大きな漏れ電流があり、変調電
流が変調層に効率的に注入されていないためと考えられ
る。

〔発明の゛効果〕

以上説明したように、本発明の半導体レーザは、実質的
に同等の構造で、可変波長レーザ、位相変調器付集積レ
ーザまたは強度変調器付レーザとして使用することがで
きる。

可変波長レーザとして用いた場合には、従来のＤＢＲ型
可変波長レーザと比較して、光利得を有する活性層を共
振器全域に広げることができ、レーザの発振しきい値キ
ャリア密度を小さくすることができる。このため、発振
しきい値の低減や、スペクトル線幅の低減、可変幅の拡
大に効果がある。また、共振器全体に回折格子を形成で
きるので、ＤＢＲ型のような位相調整のための領域が不
要であり、変調層に印加する電圧または注入する電流だ
けにより、モードホップなく連続的に発振波長を変化さ
せることができる効果がある。

また、可変波長レーザ、位相変調器付レーザまたは強度
変調器付レーザとして使用する場合に、従来は同じタイ
プの不純物がドープされた領域を電気的に分離する必要
があり、素子間の分離特性が完全ではなかったのに対し
て、本発明の場合には、電極が接続された半導体がそれ
ぞれｐｎ接合分離されているので、電気的に完全に分離
することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明第一実施例半導体レーザの構造を示す斜
視図。 第２図はこの半導体レーザのエネルギバンド構造を示す
図。 第３図は製造方法を示す図。 第４図はエネルギバンド構造を示す図。 第５図は量子井戸構造が設けられた低不純物濃度層に電
界を印加することによるエネルギバンドの変化および波
動関数の変化を示す図。 第６図は変調層に電界を印加した場合の吸収αと屈折率
変化Δｎ／ｎとの計算結果を示す図。 第７図は本発明第二実施例半導体レーザの構造を示す斜
視図。 第８図は本発明第三実施例の半導体レーザの構造を示す
斜視図。 第９図は本発明第四実施例の半導体レーザの構造を示す
斜視図。 策１０図はエネルギバンド構造を示す図。 第１１図は本発明第五実施例の半導体レーザの構造を示
す斜視図。 第１２図は変調電流に対する屈折率および温度の変化を
示す図。 第１３図は可変波長レーザとして用いた場合の変調電流
に対する発振波長の変化を示す図。 第１４図は実際に試作した半導体レーザの可変波長特性
を示す図。 第１５図は従来例多電極分布プラグ反射型可変波長レー
ザダイオードの構造を示す図。 第１６図はバイアス電流に対する発振波長の変化を示す
図。 第１７図はバイアス電流に対する発振スペクトル線幅の
変化を示す図。 第１８図は従来例多電極分布帰還型可変波長レーザダイ
オードの構造を示す図。 第１９図はバイアス電流比に対する発振波長およびスペ
クトル線幅の一例を示す図。 第２０図は変調器に多重量子井戸構造を用いた従来例光
強度変調器付レーザの構造を示す図。 第２１図はトランジスタ構造をもつ従来例レーザ素子の
エネルギバンド構造を示す図。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３．５．７．９・
・・・・・ガイド層、４．４’　、１１３・・・変調層
、６．１１２・・・ベース層、８．１１１．１３３．１
６２・・・活性層、１０・・・クラッド層、１１．１１
′・・・キャップ層、１２・・・絶縁層、１３．１４．
１５．１３６．１３７．１３８．１６５．１６６・・・
電極、３０．１３５．１６４・・・回折格子、１００　
、１１５．１２０・・・埋め込み層、１１０・・・コレ
クタ層、１１４・・・エミツタ層、１１６・・・電流ブ
ロック層、１３１．１３４、６１ ６３ ・・・半導体層、１３２ ・・・先導波路層、１６７ ・・・反射防止膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、互いに導電性が異なる二つの半導体層を含む第一の
   ｐｎ構造を備え、 この二つの半導体層の間にはこの二つの半導体層よりバ
   ンドギャップエネルギの小さい活性層が形成された 半導体レーザにおいて、 前記二つの半導体層の一方の側の同一導波構造内に、前
   記第一のｐｎ構造との間でｐｎｐ構造またはｎｐｎ構造
   を形成する第二のｐｎ構造を備え、この第二のｐｎ構造
   のｐｎ接合部にはその両側の半導体層よりバンドギャッ
   プネエルギの小さい層が形成された ことを特徴とする半導体レーザ。