JPH0387025A

JPH0387025A - エッチング方法およびこれに用いられるエッチング装置

Info

Publication number: JPH0387025A
Application number: JP27074689A
Authority: JP
Inventors: Makoto Sekine; 誠関根; Nobuo Hayasaka; 伸夫早坂; Haruo Okano; 晴雄岡野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-06-15
Filing date: 1989-10-18
Publication date: 1991-04-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、ドライエツチング方法およびドライエツチン
グ装置に関する。

（従来の技術）従来、半導体素子製造工程における微細加工において広
く用いられているドライエツチング方法は、真空容器内
に接地された被処理基体の表面に、減圧下で反応性ガス
の活性種を供給して、反応を生ぜしめ、その反応生成物
を真空ポンプによって排気する方法が取られている。そ
して、反応性ガスの種類等、エツチング条件に応じて種
々の真空ポンプが開発されている。

しかし、概して高価であり、また反応生成物による劣化
の問題をはじめ、維持費も高価になる。

従って、装置コストに占める真空ポンプの割合は大きく
、またスペース的にも大きな割合を占め、装置の小形化
を阻む大きな問題となっている。

また、反応が減圧下で進行するため、エツチング反応に
寄与する活性種の絶対数が少なく、エツチング速度は高
々数μｍ／分であり、生産性の向上のために、エツチン
グ速度の向上が強く望まれている。

また、方向性エツチングの分野でも、従来、被処理基体
表面に損傷を与えることなく方向性の高いエツチングを
行うべく、中性の活性種を生成し、これを被処理基体に
吹き付けて方向性を持たせるという方法も提案されてい
る。

しかしながら、この方法でもエツチング速度が低く、実
用には至っていない。

さらにまた、従来のエツチング反応では、反応促進のた
めに用いられる反応促進エネルギーとしては、熱励起さ
れた活性種のエネルギーや、光照射による光エネルギー
、活性種を励起するプラズマから自然に照射される光エ
ネルギー等であった。

しかしながら、化学反応の中には圧力を与えるにより反
応が開始促進される場合もあり、従来のような減圧下で
の反応には、このようなエネルギーを利用することは出
来なかった。

（発明が解決しようとする課題）このように、従来のドライエツチング方法では、減圧下
での化学反応を用いていたため、真空ポンプを必要とし
、これが装置コストの低減および装置の小形化を阻む問
題となっていた。

また、反応速度が低いと言う問題があった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、エツチン
グ速度の向上を計ると共にコストの低減をはかることの
できるドライエツチング方法およびドライエツチング装
置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）そこで本発明では、反応容器内を大気圧または大気圧以
上の加圧状態にし、エツチングを行うようにしている。

このため、本発明のエツチング装置では大気圧または加
圧状態の反応容器内に反応性ガスまたはその活性種を導
き、一定圧力に保ち、排出する手段を具備するようにし
ている。

また、方向性エツチングをおこなうために、ノズル等を
用いて反応性ガスの活性種を被処理基体表面に向けて噴
出するようにしている。

さらにまた、反応性ガスとして、ＣＦ４３Ｆ６、ＮＦ３
等のフッ素Ｆを含むガスおよびこれらと酸素との混合ガ
スを用いる場合に、Ｈ２Ｏを添加する。

（作用）上記エツチング反応においては、大気圧または大気圧以
上の加圧状態でのエツチングであるため、ガスの導入は
高圧のガスボンベから減圧弁により所定の圧力にして反
応容器内に導入すればよく、一方ガスの排気は排気口を
解放し、自然に排出されるかまたは、減圧弁を利用して
排気ダクトへ排出すればよい。このため、コストの高騰
および装置の大型化の原因となっていた真空ポンプを必
要としない。

また、大気圧または大気圧以上の加圧状態でのエツチン
グであるため、反応性ガスの励起を効率よく行うことが
でき、また活性種を大量に生成することができ、高速の
エツチングを実現することができる。

さらに、方向性エツチングを行う場合には、活性種を被
処理基体に対して吹き付けるようにすれば、活性種の進
行方向に反応を進行せしめることができる。

また、種々の実験の結果、反応性ガスとして、ＣＦ４、
ＳＦ６、ＮＦ３等のフッ素Ｆを含むガスおよびこれらと
酸素との混合ガスを用いる場合に、Ｈ２Ｏを添加するこ
とにより、エツチング速度の大幅な向上をはかることが
できることがわかった。

また、酸素を添加する場合には、添加量に応じてエツチ
ング速度が変化し、最適値があるため、最適値を選ぶと
よい。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。

このドライエツチング装置は、第１図に概略構成図を示
すように、反応容器１と、反応容器１内に配設され被処
理基体２を載置するためのサセプタ３と、活性種を導入
するためのガス導入口４と、エツチング生成物等を排出
するための排出口５と、該ガス導入口４を介して反応容
器１に接続された放電管６とを具備し、この放電管の針
状電極６ａに電源７による高電界を印加し放電を生起せ
しめ、反応性ガスを励起して活性種８を生成し、反応容
器１内に活性種を噴出せしめるようになっている。

なお、反応性ガスは、レギュレータ９を介して所望の大
気圧以上の圧力でガス供給系１０から放電管に供給され
るようになっており、放電管で励起せしめられ、反応容
器内に高圧で噴出せしめられる。１１は、反応容器内の
圧力をモニタするための圧力計である。また、サセプタ
３は温度制御を行うように構成されており、被処理基体
の温度が良好にコントロールされるようになっている。

さらにまた、排気口は、真空装置を介することなく直接
排気ダクトまたは排ガス処理装置に接続されている。

次に、このエツチング装置を用いて、被処理基体として
シリコン基板上に形成された酸化シリコン膜をバターニ
ングした後のレジストの灰化（アッシング）処理を行う
方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、所定の素子領域の形
成されたシリコン基板１２表面に形成された酸化シリコ
ン膜１３を、ノボラック系のレジストからなるレジスト
パターンＲをマスクとしてエツチングによりパターニン
グしたものを被処理基体２として用意する。

そして、この被処理基体２を反応容器１のサセプタ３上
に設置し、温度を２Ｏ０℃に保ち、反応性ガスとして酸
素０２を４５０　ＳＣＣＭ、フレオンＣＦ４を５０　Ｓ
ＣＣＭで放電管内に供給し、放電により励起して活性種
８を生成し、ガス導入口４を介してこの活性種８を反応
容器内に導入し、反応容器内の圧力を大気圧として第２
図（ｂ）に示すようにレジストパターンＲをエツチング
除去した。　このとき、エツチング速度は１μｍ／分で
あった。

比較のために、圧力のみを１　ｔｏｒｒの減圧状態とし
、他の条件は全く同様にして同様の実験を行った結果、
エツチング速度は０．３μｍ／分であった。

これらの結果の比較からも、本発明の方法によればエツ
チング速度を大幅に向上することができることがわかる
。

これは、エツチング生成物であるＣ０２やＣＯあるいは
ＣＨ４の蒸気圧が常温においても１気圧以上あるため、
エツチング速度は、エツチング種である活性Ｏ原子の供
給量に依存するためと考えられる。

また、この方法あるいは装置によれば、真空装置が不要
であるため、装置の大幅な小形化を計ることができる上
、真空装置の維持のためのコスト等も不要となり、コス
トの大幅な低減をはかることができる。

また、前記実施例では、反応性ガスとして酸素とＣＦ４
の混合ガスを用いたが、これらに限定されることなく、
他のガスを用いても良い。

（実施例２）次に、本発明の第２の実施例について説明する。

第３図は、本発明の第２の実施例として用いたプラズマ
エツチング装置の概略図である。

このエツチング装置は、第３図（ａ）に概略図、第３図
（ｂ）に要部拡大図を示すように、反応容器２１と、該
反応容器２１内に設置され、試料２２を載置し矢印Ａの
方向に走査するためのサセプタ２３と、先端に試料２２
の口径よりも幅の大きいスリット状のノズル２４を具備
してなる放電管２５とを具備し、この放電管の他端に設
けられたガス供給口２６を介して供給される反応性ガス
２７を電極２８に電源２９から高電界を印加して励起し
て、ガスプラズマ３０として被処理基体２２表面に噴出
せしめるように構成されている。

３１は圧力計、３２は排出口、３３は減圧弁である。

このプラズマエツチング装置を用いて、半導体基板３４
表面に形成された燐添加の多結晶シリコン［３５をレジ
ストパターン３６をマスクとしてパターニングする方法
について説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、半導体基板３４表面
の燐添加の多結晶シリコン膜３５上にレジストパターン
３６を形成したものを用意する。

次いで、反応性ガスとして、ＣＦ４を５００ＳＣＣＭ、
０２を５０　ＳＣＣＭとした混合ガスを用い、反応容器
内の圧力を１．５気圧となるように制御し、プラズマを
生起せしめ、サセプタを駆動し被処理基体を走査しなが
ら、レジストパターン３６から露呈する多結晶シリコン
膜３５を第４図（ｂ）に示すようにエツチングした。

この結果、基板表面が損傷を受けることなくほぼ垂直な
側面形状を有する多結晶シリコン膜３５のパターンを得
ることができる。また、通常のプラズマエツチングで受
けるような表面の損傷はほとんど皆無であった。

また、使用するガスとしてはＣ１２あるいはＣＩ２とＨ
ｅ等の混合ガスでも同様に加工することが可能である。

実施例３次に本発明の第３の実施例について説明する。

このエツチング装置は、第５図に示すように、反応容器
４１は前記第２の実施例と同様であるが、ガスの励起方
法が異なり、水銀ランプＬから窓Ｗを介して反応容器内
に紫外光４０を照射し、これにより反応性ガスの励起を
行うようにしたものである。ここで４２は被処理基体、
４３はサセプタ、４４は圧力計、４５は排気口、４６は
ガス導入口、４７は反応性ガスである。

なお、ここで、ガスは被処理基体と平行となるように導
入するようにしても良い。

このエツチング装置を用いて、前記第２の実施例と同様
にレジストパターンをマスクとして、銅のエツチングを
行うことも可能である。

ここでは、反応性ガスとしてＣＯを用い、３〜４気圧程
度の加圧雰囲気中で反応性ガスの励起を行うことにより
、常温で高精度のエツチングを行うことが可能となる。

これは、蒸気圧の高い銅カルボニルを生成させることに
より、常温でのエツチングを可能にするものである。

銅の加工は従来、反応性イオンエツチングで僅かに報告
があるが、銅のハロゲン化物の蒸気圧は極めて低いため
、基板を３００℃程度まで加熱しなければならない等、
加工が難しいとされていた。

しかしながら、本発明では、減圧下では生成し得なかっ
た銅カルボニルが、高圧にすることにより、常温で生成
でき、微細加工を行うことが可能となる。従って、熱に
弱いレジストを用いたバターニングも可能となり、微細
な配線パターンの形成が可能となる。

また、反応性ガスの励起方法としては、この他、Ｘ線や
電子ビームなどの励起ビームを照射する方法や、熱励起
方法、火花放電による方法なども有効である。

例えば、第６図（ａ）に示すように、反応性ガス５０の
供給管５１をこの周りに巻回されたヒータ５２によって
加熱し、熱励起することによって活性種５３を生成する
ようにしても良い。ここで５４は電源である。

また、第６図（ｂ）に示すように、放電管６ｏ内に配設
された電極６１に、テスラコイルを用いて高電圧を印加
し、火花放電を発生させて、反応性ガスを励起するよう
にしてもよい。この場合、多数の電極を並列に配列する
ことにより、大量の活性種を形成することができる。

実施例４次に、本発明の第４の実施例として、量産装置について
説明する。

このエツチング装置は、第７図に示すように、サセプタ
７０上に被処理基体７１を配列し、この上を所定の間隔
をおいて、走査型の処理装置７２を矢印Ａの方向に駆動
し、走査するように構成されている。この処理装置は、
底部にガイド部７３を介して開口が形成され、放電管７
４およびフレキシプルな排出管７５を備えた反応容器７
６を具備してなるものである。

そして、放電管の他端に配設されたフレキシブルな供給
管７７から反応性ガス７８が放電管に供給されると、放
電電極７９を介して供給された高電界によって該反応性
ガスが励起され活性種として被処理基体表面に供給され
る。そして非処理基体表面との反応によって生成された
反応生成物は、ガイド部７３と被処理基体との間の隙間
から入り込む空気と共にガスの流れにのって容器７６内
に入り込み、フレキシブルな排出管７５を介して排出さ
れるようになっている。

このようにして、反応容器を走査しながら順次エツチン
グを行っていく。この装置ではサセプタが反応容器の外
部にあるため、温度制御を容易に行うことができる。

この装置は、隙間から空気を引き込み、反応性ガスとい
っしょに排気するように構成されているため、ゲートバ
ルブ等も不要で、極めて小形であり、かつ高速のエツチ
ングが可能である。

実施例５次に、本発明の第５の実施例として、他の量産装置につ
いて説明する。

このエツチング装置は、第８図に示すように、ベルトコ
ンベア８０上に被処理基体８１を配列し、この上に所定
の間隔をおいて、処理装置８２が設置されており、ベル
トコンベア８０の駆動により被処理基体が矢印Ａの方向
に走査されるように構成されている。この処理装置は、
底部にガイド部８３を介して開口が形成され、放電管８
４および排出管８５を備えた反応容器８６を具備してな
るものである。

そして、放電管の他端に配設された供給管８７から反応
性ガス８８が放電管に供給されると、放電管内で該反応
性ガスが励起され活性種として被処理基体表面に供給さ
れる。そして非処理基体表面との反応によって生成され
た反応生成物は、反応容器のガイド部８３と被処理基体
との間の隙間から入り込む空気と共にガスの流れにのっ
て容器８６内に入り込み、排出管８５を介して排出され
るようになっている。

この装置によれば装置構成はさらに簡略化される。しか
しながら、反応容器内の圧力は大気圧より若干高い領域
までしか使用できないため、高圧で使用する場合には内
圧に耐え得るような構成にする必要がある。

実施例６次に本発明の第６の実施例について説明する。

このエツチング装置は、エツチング装置内で反応性ガス
の励起を行うようにしたもので、第９図に示すように、
レギュレータ９７、ゲートバルブ９６を介して反応容器
９１内のガス供給口９４からアンード電極となるガス導
入板９５を介して均一にガスが噴出せしめられるように
なっており、被処理基体９２を載置してなるカソード電
極９３との間に高周波電源９８から高周波電力が印加さ
れてこれら電極間でグロー放電を生ぜしめ反応性ガスの
励起を行い、ここで生成された活性種によって被処理基
体表面のエツチングを行うように構成されたものである
。ここで、ガスは、排気口９９、ゲートバルブ１００、
レギュレータ１０１を介して排気ダクトに排出される。

ここで、反応容器内の圧力は、これら２つのレギュレー
タによって調整される。１０２は圧力計である。

このエツチング装置では、ガスを流しながら、反応容器
内を大気圧以上の加圧状態に保ち、エツチングを行うよ
うにすることができる。

この装置では、ガス圧は大気圧以上に設定されるため放
電に因って形成されるシースの幅は極めて狭く、被処理
基体に誘起される陰極降下電圧も低い。このため、酸化
膜に対する多結晶シリコンの選択エツチングに際し、良
好な選択比を得ることが可能となる。

この場合、まず、反応容器内を真空排気した後、反応性
ガスを供給するようにしたほうが良い。あるいは、初め
に励起することなく反応性ガスを流入するだけにし、反
応容器内の空気が反応性ガスに十分に置換されたときガ
スの励起を開始するようにすることも可能である。

また、反応容器内を一定の加圧状態に保つ手段として、
所望の温度で蒸気圧が大気圧以上の液化ガスを反応容器
内に封入し、該液化ガスの温度を制御することで加圧状
態を作り出すこともできる。

なお、ガスの導入は連続的である必要はなく、封入と排
気とを繰り返しながらエツチングを行うようにしても良
い。

・なお、第１０図（ａ）および第１０図（ｂ）（第１０
図（ａ）は第１０図（ｂ）の放電管の平面図）に示すよ
うに、被処理基体の上方に多数のノズル１０５を設け、
放電管１．０６からのノズル１０５を介して、被処理基
体１０７上に均一に活性種を噴出するようにしても良い
。ここで、１０８はサセプタである。

実施例７次に、本発明の第７の実施例として、第３図に示したも
のと同様の装置を用い、実施例２と同様に半導体基板３
４表面に形成された燐添加の多結晶シリコン膜３５をレ
ジストパターン３６をマスクとしてバターニングするに
際し、反応性ガスに水蒸気（Ｈ２Ｏ）を添加した場合に
ついて説明する。

まず、反応性ガスとして六フッ化イオウ（ＳＦｓ）に酸
素（０２）ガスを添加したものを考える。

まず、第４図（ａ）に示したのと同様に、半導体基板３
４表面の燐添加の多結晶シリコン膜３５上にレジストパ
ターン３６を形成したものを用意する。

次いで、反応性ガスとして、ＳＦ６を３００ＳＣＣＭと
しこれに０２の流量比を変化させた混合ガスを用い、反
応容器内の圧力を１気圧となるように制御し、プラズマ
を生起せしめ、サセプタを駆動し被処理基体を走査しな
がら、レジストパターン３６から露呈する多結晶シリコ
ン膜３５を第４図（ｂ）に示下のと同様にエツチングし
た。

この場合、試料とガス放電部との位置は、約２Ｏｃ膳と
する。

そしてこの混合ガスに数１０Ｔｏｒｒの分圧でＨ２Ｏを
添加した場合の酸素流量比とエツチング速度との関係を
第１１図に示す。

第１１図からも明らかなように、Ｈ２Ｏを添加した場合
のエツチング速度は添加しない場合に比べて１桁以上も
大きくなっていることが分かる。

また、酸素の添加量にによってもエツチング速度が変化
する。そして、酸素の添加量には大きなピーク最適値が
あり、この場合、５Ｆ６１０２−１の条件で、エツチン
グ速度は最大となる。この場合、ガスの混合比はガス流
量、放電条件等により変化するため、その条件で最適値
をみいだす必要がある。

さらに、この装置を用いて、試料とガス放電部との距離
を変化させた場合のエツチング速度との関係を測定した
。この結果を第１２図に示す。

ここでは、５Ｆｓ−５００ｓｃｃ肩、５Ｆ６１０２−１
、圧カフ　６０　Ｔｏｒｒの条件で同様に多結晶シリコ
ンのエツチングを行った。

この場合、Ｈ２Ｏを添加しない場合は、放電部から９ｃ
ＩＩも離れると、はとんどエツチングされなくなるのに
対し、Ｈ２Ｏを添加した場合は、放電部から１６ｅｍｌ
！ｌれた位置でも十分なエツチング速度を得ることがで
きた。このように、Ｈ２Ｏを添加することによって、大
気圧下においても活性種が十分に遠距離まで輸送されて
いることがわかる。

第１３図は、同様にＣＦ４＋０２をエツチングガスとし
て用いる場合に、数１０Ｔｏｒｒの分圧でＨ２Ｏを添加
した場合の酸素流量比とエツチング速度との関係測定し
た結果を示す図である。ここではＣＦ４２Ｏ１／ｈｒ、
圧カフ　６０　Ｔｏｒｒとした。

第１３図からも明らかなように、この場合もＨ２Ｏを添
加した場合のエツチング速度は添加しない場合に比べて
１桁以上も大きくなっていることが分かる。

また、酸素の添加量にによってもエツチング速度が変化
する。従ってこの場合も最適値を選ぶ必要がある。

さらに、この装置を用いて、試料とガス放電部との距離
を変化させた場合のエツチング速度との関係を測定した
。この結果を第１４図に示す。

ここでは、ＣＦ４−２Ｏ１　／ｈ　ｒ、０２−１０Ｍ　
／　ｈ　ｒとし、同様に多結晶シリコンのエツチングを
行った。

この場合、Ｈ２Ｏを添加しない場合は、放電部から９Ｃ
Ｉｍも離れると、はとんどエツチングされなくなるのに
対し、Ｈ２Ｏを添加した場合は、放電部から１６ｃｍ離
れた位置でも十分なエツチング速度を得ることができた
。このように、Ｈ２Ｏを添加することによって、ＣＦ４
　＋０２の混合ガスを用いた場合にも大気圧下において
活性種が十分に遠距離まで輸送されていることがわかる
。

なお、前記実施例では、反応性ガスとしてＣＦ４　＋０
２の混合ガスおよびＳＦ６＋０２の混合ガスを用いた場
合について説明したが、この他ＣＦ４、ＳＦ６、ＮＦ３
等のフッ素Ｆを含むガスおよびこれらと酸素との混合ガ
ス等を用いる場合にも、Ｈ２Ｏの添加は有効である。

さらに、Ｈ２Ｏに代えて水素（Ｈ２）やアルコールを添
加した場合にも、エツチング速度は大幅に向上する。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の方法によれば、大気
圧または大気圧以上の加圧状態でのエツチングであるた
め、低コストでエツチング速度の高いエツチングを行う
ことが可能となる。

また、本発明のエツチング装置では、大気圧または大気
圧以上の加圧状態でのエツチングであるため、真空装置
等も不要となり、小形化およびコストの低減を計ること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例のエツチング装置を示す
図、第２図（ａ）乃至第２図（Ｃ）は第１図に示したエ
ツチング装置を用いてレジストマスクを除去する工程を
示す図、第３図は本発明の第２の実施例のエツチング装
置を示す図、第４図（ａ）乃至第４図（ｂ）は第３図に
示したエツチング装置を用いて多結晶Ｓｔのパターンを
形成する工程を示す図、第５図は本発明の第３の実施例
のエツチング装置を示す図、第６図は励起手段の変形例
を示す図、第７図は本発明の第４の実施例のエツチング
装置を示す図、第８図は本発明の第５の実施例のエツチ
ング装置を示す図、第９図は本発明の第６の実施例のエ
ツチング装置を示す図、第１０図（ａ）および第１０図
（ｂ）は本発明のさらに他の実施例のエツチング装置を
示す図、第１１図乃至第１４図本発明の第７の実施例の
実験結果を示す図である。１・・・反応容器、２・・・被処理基体、３・・・サセ
プタ、４・・・ガス導入口、５・・・排出口、６・・・
放電管、６ａ・・・針状電極、７・・・電源、８・・・
活性種、９・・・レギュレータ、１０・・・ガス供給系
、１１・・・圧力計、１２・・・シリコン基板、１３・
・・酸化シリコン膜、２１・・反応容器、２２・・・試
料、２３・・・サセプタ、２４・・・ノズル、２５・・
・放電管、２６・・・ガス供給口、２７・・・反応性ガ
ス、２８・・・電極、２９・・・電源、３０・・・ガス
プラズマ、３１・・・圧力計、３２・・・排出口、３３
・・・減圧弁、３４・・・半導体基板、３５・・・多結
晶シリコン膜、３６・・・レジストパターン、４０・・
・紫外光、４１・・・反応容器、Ｌ・・・水銀ランプ、
Ｗ・・・窓、４２・・・被処理基体、４３・・・サセプ
タ、４４・・・圧力計、４５・・・排気口、４６・・・
ガス導入口、４７・・・反応性ガス、５０・・・反応性
ガス、５１・・・供給管、５２・・・ヒータ、５３・・
・活性種、５４・・・電源、６０・・・放電管、６１・
・・電極、７０・・・サセプタ、７１・・・被処理基体
、７２・・・処理装置、７３・・・ガイド部、７４・・
・放電管、７５・・・排出管、７６・・・反応容器、７
７・・・供給管、７８・・・反応性ガス、７つ・・・放
電電極、８０・・・ベルトコンベア、８１・・・被処理
基体、８２・・・処理装置、８３・・・ガイド部、８４
・・・放電管、８５・・・排出管、８６・・・反応容器
、８７・・・供給管、８８・・・反応性ガス、９１・・
・反応容器、９２・・・被処理基体、９３・・・カソー
ド電極、９４・・・ガス供給口、９５・・・（アノード
電極）ガス導入板、９６・・・ゲートバルブ、９７・・
・レギュレータ、９８・・・高周波電源、９９・・・排
気口、１００・・・ゲートバルブ、１０１・・・レギュ
レータ、１０２・・・圧力計、１０５・・・ノズル、１
０６・・・放電管、１０７・・・被処理基体。第１図（Ｑ）（ｂ）第２図（Ｑ）第４図第５図（Ｑ）テスラコイル（ｂ）第６図第９図（（１）（ｂ）第１０図放電部かうの距離（ｃｍ）第１２図第１３図方又電邪かうのに４賎（ｃｍ）第１４図手続補正書（方式）％式％事件の表示平成１年特許願第２７０７４６号２゜発明の名称エツチング方法およびこれに用いられるエツチング装置
３゜補正をする者事件との関係（３０７）株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被処理基体の配置された反応容器内に、大気圧以
上の圧力で反応性ガスを導入する工程と、前記反応性ガ
スを活性化し活性種を生成する活性化工程と、前記活性種を被処理基体表面に供給する供給工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
（２）前記供給工程は、前記活性種を被処理基体表面に
対して方向性を持たせて供給する工程であることを特徴
とする工程であることを特徴とする請求項（１）記載の
エッチング方法。
（３）前記反応性ガスは、ＣＦ＿４、ＳＦ＿６、ＮＦ＿
３等のフッ素Ｆを含むガスおよびこれらと酸素との混合
ガスにＨ＿２Ｏを添加したものであることを特徴とする
請求項（１）記載のエッチング方法。
（４）被処理基体の配置された反応容器内に、大気圧以
上の圧力で反応性ガスを導入する反応性ガス導入手段と
、前記反応性ガスを励起し活性種を生成する励起手段と、前記活性種を被処理基体表面に導く活性種供給手段とを具備したことを特徴とするエッチング装置
。