JPH038413A - 排ガス中二酸化硫黄の還元方法 - Google Patents
排ガス中二酸化硫黄の還元方法Info
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- JPH038413A JPH038413A JP1143810A JP14381089A JPH038413A JP H038413 A JPH038413 A JP H038413A JP 1143810 A JP1143810 A JP 1143810A JP 14381089 A JP14381089 A JP 14381089A JP H038413 A JPH038413 A JP H038413A
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、排ガス中二酸化硫黄の還元方法に関するもの
で、さらに詳しくは５二酸化硫黄を含む排ガス中に還元
性ガスを添加し、触媒と低い反応温度で加圧下に接触せ
しめて排ガス中の二酸化硫黄を高選択率で単体硫黄に接
触還元する方法に係る。
で、さらに詳しくは５二酸化硫黄を含む排ガス中に還元
性ガスを添加し、触媒と低い反応温度で加圧下に接触せ
しめて排ガス中の二酸化硫黄を高選択率で単体硫黄に接
触還元する方法に係る。
従来、排ガス中の二酸化硫黄を還元除去する方法として
は、種々の方法が提案されている。
は、種々の方法が提案されている。
例えば、排ガス中の二酸化硫黄などの全硫黄分を触媒の
存在下に水素化還元してＨ，Ｓに転化し、これを吸収除
去し、吸収されたＨ２Ｓは再生操作により放散し、クラ
ウス装置に循環し単体硫黄として回収するスコツト法（
ＳＣＯＴ ＰｒｏｃｅｓＳ）、又は、排ガス中の二酸化
硫黄などを水素化して硫化水素とし、これを炭酸ソーダ
水溶液で吸収して、吸収された硫化水素を触媒の存在下
で空気酸化することにより、単体硫黄として除去するベ
ボン法（Ｂｅａｖｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などが知られ
ている。
存在下に水素化還元してＨ，Ｓに転化し、これを吸収除
去し、吸収されたＨ２Ｓは再生操作により放散し、クラ
ウス装置に循環し単体硫黄として回収するスコツト法（
ＳＣＯＴ ＰｒｏｃｅｓＳ）、又は、排ガス中の二酸化
硫黄などを水素化して硫化水素とし、これを炭酸ソーダ
水溶液で吸収して、吸収された硫化水素を触媒の存在下
で空気酸化することにより、単体硫黄として除去するベ
ボン法（Ｂｅａｖｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などが知られ
ている。
そして、ガス中の二酸化硫黄を還元性ガスの添加により
接触還元する方法に使用される触媒としては、酸化チタ
ンを主成分としモリブデン、ニッケル、コバルトなどの
遷移金属元素からなる４ｍが特開昭５６−３２３０８号
公報に記載されておリ、該触媒は、１５０〜５００℃の
温度で優れた活性を示すことが開示されている。
接触還元する方法に使用される触媒としては、酸化チタ
ンを主成分としモリブデン、ニッケル、コバルトなどの
遷移金属元素からなる４ｍが特開昭５６−３２３０８号
公報に記載されておリ、該触媒は、１５０〜５００℃の
温度で優れた活性を示すことが開示されている。
しかし、これらの方法は、吸収剤など排ガス処理のため
の費用が高くつくため、排ガス中の二酸化硫黄を還元性
ガスの添加により接触還元して直接に単体硫黄を得る方
法が検討されている。例えば特開昭５５−７９０４１号
公報には、還元反応温度４５０〜８００℃で二酸化硫黄
を炭化水素で還元して硫化水素及び／又は単体硫黄を得
る触媒として、γ−アルミナ担体に、銅及びバナジウム
を所定量含有せしめた触媒が開示されており、また、特
開昭６１−２０９９０５号公報には、亜硫酸ガス含有ガ
スに加熱下にメタノールを注入して、Ｃｏｏ−Ｍｏｂ、
系触媒の存在下に単体硫黄及び硫化水素に還元する方法
が開示されている。
の費用が高くつくため、排ガス中の二酸化硫黄を還元性
ガスの添加により接触還元して直接に単体硫黄を得る方
法が検討されている。例えば特開昭５５−７９０４１号
公報には、還元反応温度４５０〜８００℃で二酸化硫黄
を炭化水素で還元して硫化水素及び／又は単体硫黄を得
る触媒として、γ−アルミナ担体に、銅及びバナジウム
を所定量含有せしめた触媒が開示されており、また、特
開昭６１−２０９９０５号公報には、亜硫酸ガス含有ガ
スに加熱下にメタノールを注入して、Ｃｏｏ−Ｍｏｂ、
系触媒の存在下に単体硫黄及び硫化水素に還元する方法
が開示されている。
しかし、従来の二酸化硫黄を還元性ガスの添加により直
接に単体硫黄として得る方法は、単体硫黄の生成割合が
少なく、硫化水素の生成割合が大きいため実用化に至っ
ていない。従来の二酸化硫黄の還元方法では、常圧（１
ｋｇ／ｄ（Ｇ）以下）の下で、一般に反応温度３００〜
８００℃、接触時間０．２〜５秒の範囲で行なわれてお
り、単体硫黄の生成率を増大させるためには反応温度を
高温にすることが必要であるが、しかし、反応温度を高
くすると硫化水素の生成率も増大するため、従来と同様
に生成した硫化水素を吸収除去するなどの処理を必要と
し、また、反応温度を低くすると、硫化水素の生成率は
減少するが二酸化硫黄の反応率も低下するという問題が
あった。また、従来の方法では還元性ガスとして一酸化
炭素、炭化水素などを使用した場合には、硫化水素のほ
かに硫化カルボニル、硫化炭素なども生成するため、こ
れらの硫化物をも処理することが必要であった。
接に単体硫黄として得る方法は、単体硫黄の生成割合が
少なく、硫化水素の生成割合が大きいため実用化に至っ
ていない。従来の二酸化硫黄の還元方法では、常圧（１
ｋｇ／ｄ（Ｇ）以下）の下で、一般に反応温度３００〜
８００℃、接触時間０．２〜５秒の範囲で行なわれてお
り、単体硫黄の生成率を増大させるためには反応温度を
高温にすることが必要であるが、しかし、反応温度を高
くすると硫化水素の生成率も増大するため、従来と同様
に生成した硫化水素を吸収除去するなどの処理を必要と
し、また、反応温度を低くすると、硫化水素の生成率は
減少するが二酸化硫黄の反応率も低下するという問題が
あった。また、従来の方法では還元性ガスとして一酸化
炭素、炭化水素などを使用した場合には、硫化水素のほ
かに硫化カルボニル、硫化炭素なども生成するため、こ
れらの硫化物をも処理することが必要であった。
本発明の目的は、二酸化硫黄を含有する排ガス中に還元
性ガスを添加して接触還元する方法において、硫化水素
、硫化カルボニルなどの硫化物の生成を抑制し、単体硫
黄を高収率で得る方法を提供することにある。さらに本
発明の他の目的は、二酸化硫黄を還元性ガスと触媒の存
在下に従来の還元反応温度よりも低温領域で触媒還元し
て高選択率で′単体硫黄に転化する方法を提供すること
にある。
性ガスを添加して接触還元する方法において、硫化水素
、硫化カルボニルなどの硫化物の生成を抑制し、単体硫
黄を高収率で得る方法を提供することにある。さらに本
発明の他の目的は、二酸化硫黄を還元性ガスと触媒の存
在下に従来の還元反応温度よりも低温領域で触媒還元し
て高選択率で′単体硫黄に転化する方法を提供すること
にある。
また１本発明は、二酸化硫黄を含有する排ガス中、特に
ＳＯよ濃度が比較的低い排ガス中に還元性ガスを添加し
て接触還元し、高転化率で単体硫黄に転化させ、硫化水
素などの硫化物の生成を抑制するため、後流で硫化物の
処理を必要としない方法を提供することを目的とする。
ＳＯよ濃度が比較的低い排ガス中に還元性ガスを添加し
て接触還元し、高転化率で単体硫黄に転化させ、硫化水
素などの硫化物の生成を抑制するため、後流で硫化物の
処理を必要としない方法を提供することを目的とする。
本発明に係る排ガス中二酸化硫黄の接触還元方法は、二
酸化硫黄を含む排ガス中に還元性ガスを添加して二酸化
硫黄を接触還元する方法において、二酸化硫黄を含む排
ガスと還元性ガスとを、アルミナ担体または酸化チタン
担体と周期律表ＶＩａ族、■族から選ばれた少なくとも
一種の元素とを有する触媒の存在下に、温度１５０〜４
００℃の範囲で、圧力１．５〜３０にｇ／ａｄ（ゲージ
圧）の加圧下で接触させることを特徴とするものである
。
酸化硫黄を含む排ガス中に還元性ガスを添加して二酸化
硫黄を接触還元する方法において、二酸化硫黄を含む排
ガスと還元性ガスとを、アルミナ担体または酸化チタン
担体と周期律表ＶＩａ族、■族から選ばれた少なくとも
一種の元素とを有する触媒の存在下に、温度１５０〜４
００℃の範囲で、圧力１．５〜３０にｇ／ａｄ（ゲージ
圧）の加圧下で接触させることを特徴とするものである
。
以下１本発明に係る排ガス中二酸化硫黄の接触還元方法
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
本発明の排ガス中二酸化硫黄の接触還元反応では、二酸
化硫黄を含む排ガスと還元性ガスとをアルミナ担体また
は酸化チタン担体と周期律表Ｖｉａ族、■族から選ばれ
た少なくとも一種の元素とを含有する触媒の存在下に、
温度１５０〜４００℃、接触時間０．２〜５秒の範囲で
、圧力１．５〜３０Ｋｇ／ ａＪ （ゲージ圧）の加圧
下で接触還元し単体硫黄に転化することを特徴とする。
化硫黄を含む排ガスと還元性ガスとをアルミナ担体また
は酸化チタン担体と周期律表Ｖｉａ族、■族から選ばれ
た少なくとも一種の元素とを含有する触媒の存在下に、
温度１５０〜４００℃、接触時間０．２〜５秒の範囲で
、圧力１．５〜３０Ｋｇ／ ａＪ （ゲージ圧）の加圧
下で接触還元し単体硫黄に転化することを特徴とする。
従来、排ガス中二酸化硫黄の接触還元反応は、常圧下で
行なわれていたため、Ｈ２Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物の
生成割合が多く、単体硫黄の生成割合が少なかった。本
発明者らは、排ガス中二酸化硫黄の接触還元反応を加圧
下で行うと、Ｈ２Ｓ、ＣＯ８などの硫化物の生成を抑制
して高転化率で単体硫黄が生成することを見い出し本発
明を完成した。
行なわれていたため、Ｈ２Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物の
生成割合が多く、単体硫黄の生成割合が少なかった。本
発明者らは、排ガス中二酸化硫黄の接触還元反応を加圧
下で行うと、Ｈ２Ｓ、ＣＯ８などの硫化物の生成を抑制
して高転化率で単体硫黄が生成することを見い出し本発
明を完成した。
本発明方法における加圧下とは、１．５〜３０Ｋｇ／ｆ
ｆ１（Ｇ）を指すものであるが、該圧力が１．５Ｋｇ／
ａｌ（Ｇ）より小さい場合は低温で二酸化硫黄の反応率
が小さく、また単体硫黄への転化率が小さいため本発明
の所望の目的が達成されない。逆に該圧力が３０Ｋｇ／
ａｉ （Ｇ）より大きい場合は、生成したガス状の単
体硫黄が触媒上に沈積し触媒活性が低下する傾向にある
ので好ましくない。
ｆ１（Ｇ）を指すものであるが、該圧力が１．５Ｋｇ／
ａｌ（Ｇ）より小さい場合は低温で二酸化硫黄の反応率
が小さく、また単体硫黄への転化率が小さいため本発明
の所望の目的が達成されない。逆に該圧力が３０Ｋｇ／
ａｉ （Ｇ）より大きい場合は、生成したガス状の単
体硫黄が触媒上に沈積し触媒活性が低下する傾向にある
ので好ましくない。
本発明での反応圧力は、好ましくは５〜２５Ｋｇ／ｃＪ
（Ｇ）、さらに好ましくは１０〜２５Ｋｇ／ ａｉ
（Ｇ）の範囲が望ましい。
（Ｇ）、さらに好ましくは１０〜２５Ｋｇ／ ａｉ
（Ｇ）の範囲が望ましい。
また、本発明で使用される触媒としては、アルミナ担体
又は酸化チタン担体に周期律表Ｖｉａ族、■族から選ば
れる少なくとも一種の元素を担持した触媒は好適である
。特に、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする担体に
モリブデンを酸化物として２〜２０ｔｚｔ％、コバルト
及び／又はニッケルを酸化物として１〜１５ｗｔ％担持
した触媒は、本発明に使用してＨ，Ｓ、 ＣＯＳなどの
硫化物の生成が少なく、単体硫黄への転化率が高く触媒
寿命が長く好適である。また、アルミナ担体にモリブデ
ンを酸化物として２〜２０ｗｔ％、コバルト及び／又は
ニッケルを酸化物として１〜１５ｗｔ％担持した触媒は
、本発明に使用して低温領域で単体硫黄への転化率が高
く特に好適である。なお、これらの触媒は第３成分を含
有していてもよい。
又は酸化チタン担体に周期律表Ｖｉａ族、■族から選ば
れる少なくとも一種の元素を担持した触媒は好適である
。特に、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする担体に
モリブデンを酸化物として２〜２０ｔｚｔ％、コバルト
及び／又はニッケルを酸化物として１〜１５ｗｔ％担持
した触媒は、本発明に使用してＨ，Ｓ、 ＣＯＳなどの
硫化物の生成が少なく、単体硫黄への転化率が高く触媒
寿命が長く好適である。また、アルミナ担体にモリブデ
ンを酸化物として２〜２０ｗｔ％、コバルト及び／又は
ニッケルを酸化物として１〜１５ｗｔ％担持した触媒は
、本発明に使用して低温領域で単体硫黄への転化率が高
く特に好適である。なお、これらの触媒は第３成分を含
有していてもよい。
本発明で用いられる還元性ガスは、水素、−酸化炭素、
炭化水素あるいはこれらの混合ガスなどの通常二酸化硫
黄の接触還元に使用される還元性ガスを用いることがで
き、還元性ガスの添加量は、排ガス中の二酸化硫黄に対
しく還元性ガス／５ｏ２） １．０〜３．０モル比の範
囲が望ましい。還元性ガスの添加割合が１．０より少な
い場合は、二酸化硫黄の反応率が小さくなり、また、３
．０より多い場合は、硫化水素の生成率が増大し単体硫
黄の生成率が低下する傾向にある。
炭化水素あるいはこれらの混合ガスなどの通常二酸化硫
黄の接触還元に使用される還元性ガスを用いることがで
き、還元性ガスの添加量は、排ガス中の二酸化硫黄に対
しく還元性ガス／５ｏ２） １．０〜３．０モル比の範
囲が望ましい。還元性ガスの添加割合が１．０より少な
い場合は、二酸化硫黄の反応率が小さくなり、また、３
．０より多い場合は、硫化水素の生成率が増大し単体硫
黄の生成率が低下する傾向にある。
また１本発明での接触時間は通常０．２〜５秒の範囲で
行なわれ、還元反応温度は、１５０〜４００℃と従来の
還元反応温度に比較して低温で行なねれる。還元反応温
度が４００℃を超えると単体硫黄への転化率が低下し、
Ｈ２Ｓなどの硫化物への転化率が増大するため好ましく
ない。また。
行なわれ、還元反応温度は、１５０〜４００℃と従来の
還元反応温度に比較して低温で行なねれる。還元反応温
度が４００℃を超えると単体硫黄への転化率が低下し、
Ｈ２Ｓなどの硫化物への転化率が増大するため好ましく
ない。また。
還元反応温度が１５０℃より低い場合は、二酸化硫黄の
反応率が小さくなり、また単体硫黄への転化率も小さく
なるので好ましくない。本発明での還元反応温度は、好
ましくは２００〜３５０℃の範囲が望ましい。
反応率が小さくなり、また単体硫黄への転化率も小さく
なるので好ましくない。本発明での還元反応温度は、好
ましくは２００〜３５０℃の範囲が望ましい。
本発明の方法は、排ガス中二酸化硫黄の濃度が高い場合
にあるいは濃度が低い場合に適用して優れた効果を発揮
する。特に、二酸化硫黄の濃度が５ ＶｏＬ％以下、好
ましくは０．５〜２ ＶＯＬ％の範囲の排ガスに本発明
の方法を適用すると、単体硫黄への転化率が高く、Ｈ，
Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物の生成を抑制するために、後
流の排ガス中に含まれるＨ、Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物
は微量となり、硫化物を吸収除去するなどの特別な処理
を必要としない。従って、本発明の方法は、二酸化硫黄
の濃度が低い排ガスの場合は従来の方法に比較して安い
費用で処理することができる。
にあるいは濃度が低い場合に適用して優れた効果を発揮
する。特に、二酸化硫黄の濃度が５ ＶｏＬ％以下、好
ましくは０．５〜２ ＶＯＬ％の範囲の排ガスに本発明
の方法を適用すると、単体硫黄への転化率が高く、Ｈ，
Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物の生成を抑制するために、後
流の排ガス中に含まれるＨ、Ｓ、 ＣＯ５などの硫化物
は微量となり、硫化物を吸収除去するなどの特別な処理
を必要としない。従って、本発明の方法は、二酸化硫黄
の濃度が低い排ガスの場合は従来の方法に比較して安い
費用で処理することができる。
なお、本発明の方法では、二酸化硫黄は排ガス中に含ま
れている一酸化炭素あるいは、還元性ガスとして添加さ
れる水素、−酸化炭素などと次のような反応が起きると
考えられる。
れている一酸化炭素あるいは、還元性ガスとして添加さ
れる水素、−酸化炭素などと次のような反応が起きると
考えられる。
Ｓｏ、＋３Ｈ，−＋Ｈ，Ｓ ＋２Ｈ２０（１）Ｓｏ２＋
３ＣＯ→ＣＯ８＋２ＣＯ，（２）Ｓｏ２＋２Ｈ２−＋
Ｓ ＋ ２Ｈ，Ｏ（３）Ｓｏ、＋２ＣＯ−＋ Ｓ
＋ ２ＣＯ，（４）そして、また、上記反応により生成
した生成物がさらに反応して次のような反応が起きるこ
とが考えられる。
３ＣＯ→ＣＯ８＋２ＣＯ，（２）Ｓｏ２＋２Ｈ２−＋
Ｓ ＋ ２Ｈ，Ｏ（３）Ｓｏ、＋２ＣＯ−＋ Ｓ
＋ ２ＣＯ，（４）そして、また、上記反応により生成
した生成物がさらに反応して次のような反応が起きるこ
とが考えられる。
Ｓｏ、＋３ＧＯ＋Ｈ，０４Ｈ，Ｓ＋３ＣＯ２（５）Ｓｏ
、＋２Ｈ２Ｓ →３Ｓ＋２Ｈ，Ｏ（６）Ｓｏ２＋
２ＣＯ８→２Ｓ＋２ＣＯ２（７）Ｓ ＋Ｈ，→Ｈ２Ｓ
（８）Ｓ ＋ＣＯ４ＣＯ３（９） この様な種々の反応において、温度１５０〜４００℃、
圧力１．５〜３０ｋｇ／Ｊ（Ｇ）の加圧下では、Ｈ，Ｓ
。
、＋２Ｈ２Ｓ →３Ｓ＋２Ｈ，Ｏ（６）Ｓｏ２＋
２ＣＯ８→２Ｓ＋２ＣＯ２（７）Ｓ ＋Ｈ，→Ｈ２Ｓ
（８）Ｓ ＋ＣＯ４ＣＯ３（９） この様な種々の反応において、温度１５０〜４００℃、
圧力１．５〜３０ｋｇ／Ｊ（Ｇ）の加圧下では、Ｈ，Ｓ
。
ＣＯＳの生成が抑制され、高転化率で単体硫黄に転化し
ているが、どの反応式によるものかは明らかでない。
ているが、どの反応式によるものかは明らかでない。
以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明する。
実施例１
酸化モリブデンをモノエタノールアミンを含む水溶液に
加えて溶解した溶液に直径１．６Ｗφの主としてアナタ
ーゼ型酸化チタンからなるチタニア球を浸種し、乾燥後
４００℃で５時間焼成して、酸化モリブデンを含むチタ
ニア球を得た。
加えて溶解した溶液に直径１．６Ｗφの主としてアナタ
ーゼ型酸化チタンからなるチタニア球を浸種し、乾燥後
４００℃で５時間焼成して、酸化モリブデンを含むチタ
ニア球を得た。
次いで、この酸化モリブデンを含むチタニア球を硝酸ニ
ッケルを溶解した溶液に浸種し、乾燥後ｓｏｏ℃で５時
間焼成して、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−ＴｉＯ□触媒を得た。
ッケルを溶解した溶液に浸種し、乾燥後ｓｏｏ℃で５時
間焼成して、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−ＴｉＯ□触媒を得た。
この触媒は、ＮｉＯを２，５ｖｔ％、Ｍｏｂ、を９゜０
ｗｔ％含んでいた。この触媒をＡとする。
ｗｔ％含んでいた。この触媒をＡとする。
実施例２
実施例１においてチタニア球の代りに直径１゜６Ｗφの
アルミナ球の担体を使用した以外は実施例１と同様の方
法で、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ ｆｌ ２０．触媒を調製
した。この触媒（Ｂ）はＮｉＯが２ 、６ｖｔ％１Ｍ０
０、が９．５ｖｔ％であった。
アルミナ球の担体を使用した以外は実施例１と同様の方
法で、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ ｆｌ ２０．触媒を調製
した。この触媒（Ｂ）はＮｉＯが２ 、６ｖｔ％１Ｍ０
０、が９．５ｖｔ％であった。
比較例
実施例１においてチタニア球の代りに直径１゜６ｍｍφ
のシリカ球の担体を使用した以外は実施例１と同様の方
法で、Ｍｏｂ、−ＮｉＯ−５ｉＯ□触媒を調製した。こ
の触媒（Ｃ）はＮｉＯが２ 、５ｗｔ％、Ｍｏｂ、が９
．０ｗｔ％であった。
のシリカ球の担体を使用した以外は実施例１と同様の方
法で、Ｍｏｂ、−ＮｉＯ−５ｉＯ□触媒を調製した。こ
の触媒（Ｃ）はＮｉＯが２ 、５ｗｔ％、Ｍｏｂ、が９
．０ｗｔ％であった。
実施例３
実施例１〜２および比較例で調製した触媒Ａ。
Ｂ及びＣを用いて二酸化硫黄の接触還元反応を行った。
各触媒は１反応管に充填した後、Ｈ２Ｓ ３．０ＶｏＬ
％、 Ｈ，１，０ＶｏＬ％、残りがＮ２でバランスする
ガスを２５０℃で通し、触媒層通過後のＨ，Ｓ濃度が触
媒層通過前のＨ２Ｓ濃度と等しくなるまで還元処理をし
た。
％、 Ｈ，１，０ＶｏＬ％、残りがＮ２でバランスする
ガスを２５０℃で通し、触媒層通過後のＨ，Ｓ濃度が触
媒層通過前のＨ２Ｓ濃度と等しくなるまで還元処理をし
た。
次いで、第１表に示す組成のガスを空間速度（ＳＶ）３
５００ｈｔ” （接触時間１．０３秒）で触媒層に通し
、反応温度２５０℃で第２表に示した圧力の条件下に接
触還元反応を行った。
５００ｈｔ” （接触時間１．０３秒）で触媒層に通し
、反応温度２５０℃で第２表に示した圧力の条件下に接
触還元反応を行った。
その結果を第２表および第１図に触媒（Ａ）についての
反応圧力に対するＳＯ２反応率およびＳ生成率の関係を
示す。
反応圧力に対するＳＯ２反応率およびＳ生成率の関係を
示す。
第１表
（以下余白）
実施例４
実施例１で調製したＭｏｂ、−Ｎｉｐ−Ｔｉｅ、触媒（
Ａ）を用い、第１表に示す組成のガスを実施例３と同様
にしてＳＶ ３５００ｈｒ−’で反応温度２００，２５
０，３００゜３５０．４００℃と変化させ、反応圧力、
常圧（０〜１ｋｇ／ｃｉ（Ｇ））及び１３ｋｇ／ｃｊ（
Ｇ）でＳＯ□還元反応を実施した。その結果を第３表お
よび第２図に示す。
Ａ）を用い、第１表に示す組成のガスを実施例３と同様
にしてＳＶ ３５００ｈｒ−’で反応温度２００，２５
０，３００゜３５０．４００℃と変化させ、反応圧力、
常圧（０〜１ｋｇ／ｃｉ（Ｇ））及び１３ｋｇ／ｃｊ（
Ｇ）でＳＯ□還元反応を実施した。その結果を第３表お
よび第２図に示す。
第３表および第２図かられかるように本発明の方法で実
施した場合は、常圧で実施した場合に比較してＳＯ２の
反応率が高く、しかもＨ２Ｓ、 ＣＯ８の生成率が小さ
く、単体硫黄の生成率、選択性が高い。
施した場合は、常圧で実施した場合に比較してＳＯ２の
反応率が高く、しかもＨ２Ｓ、 ＣＯ８の生成率が小さ
く、単体硫黄の生成率、選択性が高い。
第３表
実施例５
実施例２で調製したＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ Ｑ 、０．
触媒（Ｂ）ジ用いて、第１表に示す組成のガスを実施例
４と同様にしてＳＶ ３５００ｈｒ”で反応温度２’０
０，２５０，３００．３５０，４００℃と変化させて１
反応圧力、常圧（０〜１ ｋｇ／ｃｎｆ（Ｇ））及びｔ
３ｋｇ／ｃｍ２（Ｇ）でＳＯ２還元反応を行った。反応
試験結果を第４表および第３図に示す。
触媒（Ｂ）ジ用いて、第１表に示す組成のガスを実施例
４と同様にしてＳＶ ３５００ｈｒ”で反応温度２’０
０，２５０，３００．３５０，４００℃と変化させて１
反応圧力、常圧（０〜１ ｋｇ／ｃｎｆ（Ｇ））及びｔ
３ｋｇ／ｃｍ２（Ｇ）でＳＯ２還元反応を行った。反応
試験結果を第４表および第３図に示す。
第４表および第３図かられかるように本発明の方法で実
施した場合は、常圧で実施した場合に比較して低温領域
でＳＯ□の反応率が高く、しかも、 ＣＯＳの生成率が
小さく、単体硫黄の生成率、選択性が非常に高い。
施した場合は、常圧で実施した場合に比較して低温領域
でＳＯ□の反応率が高く、しかも、 ＣＯＳの生成率が
小さく、単体硫黄の生成率、選択性が非常に高い。
本発明の方法による二酸化硫黄の接触還元反応では、第
２〜４表および第１〜３図かられかるように常圧で接触
還元反応を行う場合に比較して、低温で高いＳＯ□反応
率、高いＳ生成率を示し、しかも、Ｈ，Ｓ、 ＣＯ５な
どの生成率が小さい特徴を有する。特に、反応圧力が１
０ｋｇ／ｃｍ２（Ｇ）以上では低温で高いＳＯ２反応率
を示し、又、高いＳ生成率を示す。Ｍｏｂ、−Ｎｉｐ−
Ｔｉｅ、触媒またはＭｏＯ、−ＮｉＯ−Ａ Ｑ 、０．
触媒は第２表の結果かられかるように、 Ｍｏｂ、−Ｎ
ｉｐ−５ｉｎ、触媒に比較してＳＯ２反応率、Ｓ生成率
が高く、また、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ Ｉ２２０．触媒
は第４表および第３図に示すように反応温度２００℃で
も、ＳＯ２反応率９７％、Ｓ生成率８９％と高い値を示
し、Ｈ，Ｓの生成率は小さいことがわかる。
２〜４表および第１〜３図かられかるように常圧で接触
還元反応を行う場合に比較して、低温で高いＳＯ□反応
率、高いＳ生成率を示し、しかも、Ｈ，Ｓ、 ＣＯ５な
どの生成率が小さい特徴を有する。特に、反応圧力が１
０ｋｇ／ｃｍ２（Ｇ）以上では低温で高いＳＯ２反応率
を示し、又、高いＳ生成率を示す。Ｍｏｂ、−Ｎｉｐ−
Ｔｉｅ、触媒またはＭｏＯ、−ＮｉＯ−Ａ Ｑ 、０．
触媒は第２表の結果かられかるように、 Ｍｏｂ、−Ｎ
ｉｐ−５ｉｎ、触媒に比較してＳＯ２反応率、Ｓ生成率
が高く、また、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ Ｉ２２０．触媒
は第４表および第３図に示すように反応温度２００℃で
も、ＳＯ２反応率９７％、Ｓ生成率８９％と高い値を示
し、Ｈ，Ｓの生成率は小さいことがわかる。
第１図は、反応圧力とＳＯ２反応率及びＳ生成率の関係
を示すグラフ。 第２図は、Ｍｏｂ、−Ｎｉｐ−Ｔｉｅ、触媒における反
応温度とＳＯ２反応率及びＳ生成率の関係を反応圧力の
比較で示すグラフ。 第３図は、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ Ｑ ２０．触媒にお
ける反応温度とＳＯ２反応率及びＳ生成率の関係を反応
圧力の比較で示すグラフ。 第１図 第２図 □反応圧力［：ｋｇ７ｃｍ２（Ｇ）） □反応温度Ｃ’Ｃ）
を示すグラフ。 第２図は、Ｍｏｂ、−Ｎｉｐ−Ｔｉｅ、触媒における反
応温度とＳＯ２反応率及びＳ生成率の関係を反応圧力の
比較で示すグラフ。 第３図は、ＭｏＯ，−ＮｉＯ−Ａ Ｑ ２０．触媒にお
ける反応温度とＳＯ２反応率及びＳ生成率の関係を反応
圧力の比較で示すグラフ。 第１図 第２図 □反応圧力［：ｋｇ７ｃｍ２（Ｇ）） □反応温度Ｃ’Ｃ）
Claims (1)
- １、二酸化硫黄を含む排ガス中に還元性ガスを添加して
二酸化硫黄を接触還元する方法において、二酸化硫黄を
含む排ガスと還元性ガスとを、アルミナ担体または酸化
チタン担体と周期律表VIａ族、VIII族から選ばれる少な
くとも一種の元素とを有する触媒の存在下に、温度１５
０〜４００℃の範囲で、圧力１．５〜３０Ｋｇ／ｃｍ＾
２（ゲージ圧）の加圧下で接触させることを特徴とする
排ガス中二酸化硫黄の接触還元方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143810A JPH0829220B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 排ガス中二酸化硫黄の還元方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143810A JPH0829220B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 排ガス中二酸化硫黄の還元方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038413A true JPH038413A (ja) | 1991-01-16 |
| JPH0829220B2 JPH0829220B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=15347501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143810A Expired - Fee Related JPH0829220B2 (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 排ガス中二酸化硫黄の還元方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0829220B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430230A (en) * | 1991-04-30 | 1995-07-04 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for disposing of organohalogen compounds by oxidative decomposition |
| JPH08192055A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Daelim Eng Co Ltd | 亜硫酸ガスの還元用触媒、その製造方法およびこれを利用した硫黄の回収方法 |
| CN1107536C (zh) * | 2000-09-07 | 2003-05-07 | 北京大学 | 一种同时消除混合气中二氧化硫和氮氧化物的催化剂 |
| WO2011070755A1 (ja) | 2009-12-07 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632308A (en) * | 1979-08-20 | 1981-04-01 | Babcock Hitachi Kk | Sulfur dioxide reducing method |
| JPS6265720A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-25 | ジ−グフリ−ド・ペ−タ− | ＳＯｘ及び／又はＮＯｘの除去方法 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1143810A patent/JPH0829220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632308A (en) * | 1979-08-20 | 1981-04-01 | Babcock Hitachi Kk | Sulfur dioxide reducing method |
| JPS6265720A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-03-25 | ジ−グフリ−ド・ペ−タ− | ＳＯｘ及び／又はＮＯｘの除去方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH08192055A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Daelim Eng Co Ltd | 亜硫酸ガスの還元用触媒、その製造方法およびこれを利用した硫黄の回収方法 |
| CN1107536C (zh) * | 2000-09-07 | 2003-05-07 | 北京大学 | 一种同时消除混合气中二氧化硫和氮氧化物的催化剂 |
| WO2011070755A1 (ja) | 2009-12-07 | 2011-06-16 | パナソニック株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0829220B2 (ja) | 1996-03-27 |
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