JPH0378268A - エキシマレーザの発振方法 - Google Patents
エキシマレーザの発振方法Info
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- JPH0378268A JPH0378268A JP21447389A JP21447389A JPH0378268A JP H0378268 A JPH0378268 A JP H0378268A JP 21447389 A JP21447389 A JP 21447389A JP 21447389 A JP21447389 A JP 21447389A JP H0378268 A JPH0378268 A JP H0378268A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 22
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 abstract 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はエキシマレーザの発振方法に関するものである
。
。
従来の技術
希ガスハロゲンエキシマレーザは紫外域で発振する高出
力・高効率のレーザ光源であり、超LSIリソグラフィ
ーやCVDをはじめとする様々な半導体・光化学プロセ
スの光源として、また穴開け・切断等の超微細加工用ツ
ールとして注目されている。
力・高効率のレーザ光源であり、超LSIリソグラフィ
ーやCVDをはじめとする様々な半導体・光化学プロセ
スの光源として、また穴開け・切断等の超微細加工用ツ
ールとして注目されている。
ところで、希ガスハロゲンエキシマレーザはレーザガス
に反応性の極めて高いハロゲンガスを用いるので、連続
運転時に、ハロゲンガスの減少とそれに伴い発生するレ
ーザガス以外の不純物の増大により、レーザ出力が徐々
に低下していくことが避は難い。このレーザガス寿命の
短さが、応用範囲の拡大を妨げる一つの原因となってお
り、早急な解決が望まれている。
に反応性の極めて高いハロゲンガスを用いるので、連続
運転時に、ハロゲンガスの減少とそれに伴い発生するレ
ーザガス以外の不純物の増大により、レーザ出力が徐々
に低下していくことが避は難い。このレーザガス寿命の
短さが、応用範囲の拡大を妨げる一つの原因となってお
り、早急な解決が望まれている。
従来より、レーザガス長寿命化のためにはレーザガス清
浄化装置を用いるのが一般的である。
浄化装置を用いるのが一般的である。
レーザガス清浄化装置の方式としては、レーザガスの一
部を廃棄すると同時に新しいレーザガスを供給する「交
換式」と、レーザガスの一部を取り出して、その中にあ
るハロゲンガス及び不純物を除去し、新たなハロゲンガ
スを加えてレーザ本体へ戻してやる「循環精製式」の二
つに大別される。
部を廃棄すると同時に新しいレーザガスを供給する「交
換式」と、レーザガスの一部を取り出して、その中にあ
るハロゲンガス及び不純物を除去し、新たなハロゲンガ
スを加えてレーザ本体へ戻してやる「循環精製式」の二
つに大別される。
発明が解決しようとする課題
希ガスハロゲンエキシマレーザの連続発振中に発生する
不純物の内では、レーザ放電への単位時間当りの入力に
比例して増大するものがレーザ出力低下に特に支配的な
影響を及ぼす。また、その発生源はレーザ放電管内材料
であるため、不純物は半永久的に発生し続けると考えら
れる。不純物増加率を式で表すと(1)式のようになる
。
不純物の内では、レーザ放電への単位時間当りの入力に
比例して増大するものがレーザ出力低下に特に支配的な
影響を及ぼす。また、その発生源はレーザ放電管内材料
であるため、不純物は半永久的に発生し続けると考えら
れる。不純物増加率を式で表すと(1)式のようになる
。
(dm/dt)+ =a ”・・(1)こ
こで、mは不純物濃度、aは不純物の単位時間当りの発
生率(一定)である。それに対し、レーザガス清浄化装
置による不純物除去率は、その時の不純物濃度及びガス
流量(循環量あるいは交換量)に比例する。式で表すと
(2)式のようになる。
こで、mは不純物濃度、aは不純物の単位時間当りの発
生率(一定)である。それに対し、レーザガス清浄化装
置による不純物除去率は、その時の不純物濃度及びガス
流量(循環量あるいは交換量)に比例する。式で表すと
(2)式のようになる。
(dm/d t)2=−mr/V −(2)ここで
、■はガスの全容積(一定)、rは単位時間当りのガス
流量(一定)である。ただし、ガス清浄化装置の方式が
「循環式」であれば、0式が成立するのは理想的な場合
、すなわち、ガス清浄化装置を通過したレーザガスから
すべての不純物が除去される場合のみである。
、■はガスの全容積(一定)、rは単位時間当りのガス
流量(一定)である。ただし、ガス清浄化装置の方式が
「循環式」であれば、0式が成立するのは理想的な場合
、すなわち、ガス清浄化装置を通過したレーザガスから
すべての不純物が除去される場合のみである。
時刻tにおける不純物濃度mの変化率dm/dtは、(
1) + (2)で表すことができるから、(3)式の
ような微分方程式になる。
1) + (2)で表すことができるから、(3)式の
ような微分方程式になる。
dm/d t=a−mr/V =(3)(3)
式を解(と、不純物濃度mの経時変化は(4)式で表せ
る。
式を解(と、不純物濃度mの経時変化は(4)式で表せ
る。
rrr=(aV/r)11−exp(−r/V)tl−
−(4)(ω式よりわかるように、不純物濃度mはt−
+ωで一定値(aV/r)に飽和する。極限的には、ガ
ス流量rを無限大にすればm=oとなり不純物の増大を
防げるわけであるが、非現実的である。
−(4)(ω式よりわかるように、不純物濃度mはt−
+ωで一定値(aV/r)に飽和する。極限的には、ガ
ス流量rを無限大にすればm=oとなり不純物の増大を
防げるわけであるが、非現実的である。
不純物濃度が飽和した後は、レーザガスの混合比を一定
に保つ方策を講じることによりレーザ出力の安定化を図
ることが可能である。第6図は従来のKrFエキシマレ
ーザの連続運転時における不純物濃度の増大とレーザ出
力の低下の様子の一例である。He=94.75%、F
2 =0.25%、Kr=5%をレーザ放電管に封入し
、ガス清浄化装置の流量H!/minでガス清浄化を行
いながらレーザを連続発振させた結果、不純物CF4の
濃度が約50ppmで飽和してレーザ出力が安定するま
でに500万ショット以上を要し、その間のレーザ出力
の低下は10数%に達した。このように、不純物が徐々
に増加しである値に飽和するまでの間のレーザ出力の低
下は防ぎようがな(、これが大きな問題となっていた。
に保つ方策を講じることによりレーザ出力の安定化を図
ることが可能である。第6図は従来のKrFエキシマレ
ーザの連続運転時における不純物濃度の増大とレーザ出
力の低下の様子の一例である。He=94.75%、F
2 =0.25%、Kr=5%をレーザ放電管に封入し
、ガス清浄化装置の流量H!/minでガス清浄化を行
いながらレーザを連続発振させた結果、不純物CF4の
濃度が約50ppmで飽和してレーザ出力が安定するま
でに500万ショット以上を要し、その間のレーザ出力
の低下は10数%に達した。このように、不純物が徐々
に増加しである値に飽和するまでの間のレーザ出力の低
下は防ぎようがな(、これが大きな問題となっていた。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
であり、レーザ運転初期の、不純物濃度が飽和するまで
の間のレーザ出力の低下を防止し、安定したレーザ出力
を得る方法を提供するものである。
であり、レーザ運転初期の、不純物濃度が飽和するまで
の間のレーザ出力の低下を防止し、安定したレーザ出力
を得る方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、レーザガス清浄化
装置を具備したエキシマレーザにおいて、し、−ザの発
振開始時から、レーザ発振中に生成される不純物濃度が
飽和値に達するまでの間、レーザ放電管内のエキシマを
形成するハロゲンガスの濃度を変化させるようにしたも
のである。
装置を具備したエキシマレーザにおいて、し、−ザの発
振開始時から、レーザ発振中に生成される不純物濃度が
飽和値に達するまでの間、レーザ放電管内のエキシマを
形成するハロゲンガスの濃度を変化させるようにしたも
のである。
作用
このような方法を用いれば、連続運転中に発生するレー
ザガス以外の不純物の濃度がガス清浄化装置の使用によ
って飽和するまでの間、不純物濃度の増大によるレーザ
出力の低下とハロゲンガス濃度の増大あるいは低下によ
るレーザ出力の増大が打ち消しあうため、レーザ出力は
レーザ運転初期に低下せず安定した状態を保つことがで
きる。
ザガス以外の不純物の濃度がガス清浄化装置の使用によ
って飽和するまでの間、不純物濃度の増大によるレーザ
出力の低下とハロゲンガス濃度の増大あるいは低下によ
るレーザ出力の増大が打ち消しあうため、レーザ出力は
レーザ運転初期に低下せず安定した状態を保つことがで
きる。
実施例
第1図は本発明の実施例であるエキシマレーザ装置の概
略図であり、レーザ発振器1、レーザガス供給装置2、
レーザガス清浄化装置3、F2ガス供給装置4より構成
されている。
略図であり、レーザ発振器1、レーザガス供給装置2、
レーザガス清浄化装置3、F2ガス供給装置4より構成
されている。
第4図はKrFエキシマレーザにおけるレーザ出力のF
2濃度依存性について、また第5図はKrFエキシマレ
ーザにおけるレーザ出力のCF4濃度依存性についてそ
れぞれ発明者が行った実験の結果を示したものである。
2濃度依存性について、また第5図はKrFエキシマレ
ーザにおけるレーザ出力のCF4濃度依存性についてそ
れぞれ発明者が行った実験の結果を示したものである。
このようにレーザ出力は、F2のある濃度において最大
値を示し、CF4濃度が高(なるにつれて低下する。
値を示し、CF4濃度が高(なるにつれて低下する。
第1図において、レーザガス供給装置2が所定の混合比
のレーザガスをレーザ発振器1に供給する。この時、レ
ーザ出力が最大になる濃度より低めにF2濃度を設定す
る。レーザガスのレーザ発振器1への供給が終了した後
、レーザ発振器1のレーザ発振、レーザガス清浄化装置
3によるレーザガス清浄化、F2ガス供給装置4による
F2ガス供給を同時に始める。F2ガス供給装置4はレ
ーザガス清浄化に伴うF2ガスの減少分ならびに、放電
管内において化学変化や放電管内面への吸着によって消
費されるF2ガスの消費分を補うとともに、レーザガス
以外の不純物濃度の増大によるレーザ出力の低下を打ち
消すようにF2ガスをレーザ発振器1に供給する。
のレーザガスをレーザ発振器1に供給する。この時、レ
ーザ出力が最大になる濃度より低めにF2濃度を設定す
る。レーザガスのレーザ発振器1への供給が終了した後
、レーザ発振器1のレーザ発振、レーザガス清浄化装置
3によるレーザガス清浄化、F2ガス供給装置4による
F2ガス供給を同時に始める。F2ガス供給装置4はレ
ーザガス清浄化に伴うF2ガスの減少分ならびに、放電
管内において化学変化や放電管内面への吸着によって消
費されるF2ガスの消費分を補うとともに、レーザガス
以外の不純物濃度の増大によるレーザ出力の低下を打ち
消すようにF2ガスをレーザ発振器1に供給する。
第2図は、F2の初期濃度0.205%、ガス清浄化装
置の流量2f!/min、5%F2 (He希釈)供
給量113me/m i n、充電電圧28kV、繰返
し数200Hzで連続発振した時の、F2濃度とCF4
濃度と出力の経時変化を表したものである。CF4濃度
の増大によるレーザ出力の低下分とF2濃度の増大によ
る出力の増大分が打ち消し合う結果、レーザ出力が安定
している様子がわかる。CF4濃度がほぼ飽和した時点
で、F2供給量はF2ガスの減少分を補う分だけにすれ
ばF2濃度は一定値を保ち、レーザ出力は安定する。
置の流量2f!/min、5%F2 (He希釈)供
給量113me/m i n、充電電圧28kV、繰返
し数200Hzで連続発振した時の、F2濃度とCF4
濃度と出力の経時変化を表したものである。CF4濃度
の増大によるレーザ出力の低下分とF2濃度の増大によ
る出力の増大分が打ち消し合う結果、レーザ出力が安定
している様子がわかる。CF4濃度がほぼ飽和した時点
で、F2供給量はF2ガスの減少分を補う分だけにすれ
ばF2濃度は一定値を保ち、レーザ出力は安定する。
第3図はレーザ出力が最大になる濃度よりも高めにF濃
度を設定した場合の、F2濃度とCF4濃度と出力の経
時変化を表したものである。このときF2ガスの供給量
は、F2ガスの減少によるレーザ出力の増大とレーザガ
ス以外の不純物濃度の増大によるレーザ出力の低下とが
、ちょうど打ち消し合うような割合に設定する。
度を設定した場合の、F2濃度とCF4濃度と出力の経
時変化を表したものである。このときF2ガスの供給量
は、F2ガスの減少によるレーザ出力の増大とレーザガ
ス以外の不純物濃度の増大によるレーザ出力の低下とが
、ちょうど打ち消し合うような割合に設定する。
第4図は、F2の初期濃度0.305%、ガス清浄化装
置の流量2e/min、5%F2 (He希釈)供給
量101m+! /mi n、充電電圧28kV、繰返
し数200Hzで連続発振した時の、F2濃度とCF4
濃度と出力の経時変化を表したものである。CF4濃度
の増大によるレーザ出力の低下分とF2濃度の低下によ
る出力の増大分が打ち消し合う結果、レーザ出力が安定
している様子がわかる。CF4濃度がほぼ飽和した時点
で、F2供給量をF2ガスの減少分を補う分だけにすれ
ばF2濃度は一定値を保ち、レーザ出力は安定する。
置の流量2e/min、5%F2 (He希釈)供給
量101m+! /mi n、充電電圧28kV、繰返
し数200Hzで連続発振した時の、F2濃度とCF4
濃度と出力の経時変化を表したものである。CF4濃度
の増大によるレーザ出力の低下分とF2濃度の低下によ
る出力の増大分が打ち消し合う結果、レーザ出力が安定
している様子がわかる。CF4濃度がほぼ飽和した時点
で、F2供給量をF2ガスの減少分を補う分だけにすれ
ばF2濃度は一定値を保ち、レーザ出力は安定する。
以上の実施例は、不純物濃度が飽和するまでの間のハロ
ゲンガス注入量を一定とした例である。
ゲンガス注入量を一定とした例である。
レーザ出力を常にモニタし、その変動をハロゲンガス供
給装置にフィトバックすることによりハロゲンガス供給
量を調整してやれば、レーザ出力制御をさらに精度よく
行うことができる。
給装置にフィトバックすることによりハロゲンガス供給
量を調整してやれば、レーザ出力制御をさらに精度よく
行うことができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、エキシマレーザの
運転初期における、レーザガス以外の不純物濃度の増大
によるレーザ出力の低下を防止することができ、長時間
にわたって安定したレーザ出力を維持できるという優れ
た特徴を有するエキシマレーザ装置を提供するものであ
る。
運転初期における、レーザガス以外の不純物濃度の増大
によるレーザ出力の低下を防止することができ、長時間
にわたって安定したレーザ出力を維持できるという優れ
た特徴を有するエキシマレーザ装置を提供するものであ
る。
第1図は本発明の実施例を表す概略図、第2図と第3図
は連続発振時のF2濃度とCF4濃度と出力の経時変化
を表した図、第4図はレーザ出力のF2濃度依存性を表
した図、第5図はレーザ出力のCF2濃度依存性を表し
た図、第6図は従来のエキシマレーザの不純物濃度の増
大とレーザ出力の低下の様子を表した図である。 1・・・・・・レーザ発振器、2・・・・・・レーザガ
ス供給装置、3・・・・・・ガス清浄化装置、4・・・
・・・ハロゲンガス供給装置。
は連続発振時のF2濃度とCF4濃度と出力の経時変化
を表した図、第4図はレーザ出力のF2濃度依存性を表
した図、第5図はレーザ出力のCF2濃度依存性を表し
た図、第6図は従来のエキシマレーザの不純物濃度の増
大とレーザ出力の低下の様子を表した図である。 1・・・・・・レーザ発振器、2・・・・・・レーザガ
ス供給装置、3・・・・・・ガス清浄化装置、4・・・
・・・ハロゲンガス供給装置。
Claims (1)
- レーザガス清浄化装置を具備したエキシマレーザにおい
て、レーザの発振開始時から、レーザ発振中に生成され
る不純物濃度が飽和値に達するまでの間、レーザ放電管
内のエキシマを形成するハロゲンガスの濃度を変化させ
ることを特徴とするエキシマレーザの発振方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21447389A JPH0378268A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | エキシマレーザの発振方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21447389A JPH0378268A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | エキシマレーザの発振方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0378268A true JPH0378268A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16656310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21447389A Pending JPH0378268A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | エキシマレーザの発振方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0378268A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6627843B2 (en) * | 2000-10-06 | 2003-09-30 | Arms Komatsu Ltd. | Casing for laser device, production method and cleaning method of the same |
JP2009064449A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-03-26 | Nintendo Co Ltd | コントローラおよびコンピュータシステム |
US10238978B2 (en) | 2005-08-22 | 2019-03-26 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP21447389A patent/JPH0378268A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6627843B2 (en) * | 2000-10-06 | 2003-09-30 | Arms Komatsu Ltd. | Casing for laser device, production method and cleaning method of the same |
US10238978B2 (en) | 2005-08-22 | 2019-03-26 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
JP2009064449A (ja) * | 2005-08-24 | 2009-03-26 | Nintendo Co Ltd | コントローラおよびコンピュータシステム |
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