JPH0377915A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は液晶表示装置に関する。さらに詳しくは、カ
メラの高精細ファインダ表示やテレビジョンなどの投影
型表示に好適なアクティブマトリックス型液晶表示装置
の改良に関する。

（ｃｌ）従来の技術 従来から、液晶の電気光学効果を画素表示に利用した表
示装置としてマトリックス型液晶表示装置が開発されて
いる。この液晶表示装置は、基本的には、ドツト・マト
リックス状に多数配列された多数の画素電極と、各画素
電極と対向する対向電橋との間に印加されり電圧に応じ
て入射光を光学変調する液晶層とからなる。

かかるマトリックス型液晶表示装置の動作モードには、
前記液晶層として封入する液晶の種類あるいは電気光学
的性質の差異に応じて、ツィステッドネマティック（Ｔ
Ｎ）モード、スーパーツィステッドネマティック（Ｓ　
Ｔ　Ｎ　）モード、ゲスト・ホスト（ＧＨ）モード、ダ
イナミックスキャッタリング（ＤＳ）モード、相転移モ
ードなどの多くのモードが開発されている。また、それ
らの液晶層と画素電極とからなる個々の表示画素を個別
に制御する方法に関しても、（１）単純マトリックス方
式、（２）多重マトリックス方式、（３）非線形二端子
素子（例えば、ダイオード）を付加した方式、（４）ス
イッチング三端子素子［例えば、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）］を付加した方式などがあり、（３）、（４）は
アクティブマトリックス方式と総称される。

これらのうち、ＤＳモード、［Ｇ、Ｈ，Ｈｅｉ１ｍｅｉ
ｅｒ他：　Ｐｒｏｃ　ＩＥＥＥ　５６１１６２（１９６
８）コやホワイト・テーラ型ＧＨモード［Ｄ、Ｌ、　Ｗ
ｈＨｅ他：　Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。

４５４７１８（１９７４）］、］コレステリックーネマ
ティック相転移モード　Ｊ、Ｊ、Ｗｙｓｏｃｋｉ池：　
Ｐｒｏｃ、ＳＩＤ　１３／２１１５（１９８０）］等の
動作モードと、ＴＰＴを付加したアクティブマトリック
ス方式なる表示方式とを組合せた液晶表示装置は、偏向
フィルタを用いる必要がなく、表示明度の向上が図れる
ものである。

そしてこの組合せによる液晶表示装置においては、第５
図に示すように、ＴＰＴのドレイン電極に接続される画
素′ｒ４極（Ｃ２）と並列に、いわゆる信号蓄積キャパ
シタ（Ｃ１）を設けると共に、このキャパシタ（Ｃ５）
の容量を大きくして、電荷保持機能の改良が図られてい
る。

しかしながら、このような信号蓄積キャパシタを用いて
も原理的にＩ！電荷保持機能低下防止には限界があり、
また、高集積化されたマトリックス表示装置において、
充分な電気容量の信号蓄積キャパシタを多数のＴＦＴ毎
に設けるのは、ソースドライバー、ソースパスラインや
スイッチングＴＰＴに対する負荷を増すと共に、面積的
制約や製造技術面で困難であった。

一方、第６図に示すように、各液晶表示部が２つの液晶
層とこれらを接続する１つのスイッチング三端子素子と
から主として構成され、これらがマトリックス状に配設
されたアクティブマトリックス型液晶表示装置が知られ
ている〔ジャパンデイスプレィ（ＪＡＰＡＮ　ＤＩＳＰ
ＬＡＹ）のダイジェスト。

ｐ、８０〜８３〕。

これは１つのスイッチング三端子素子のソース・ドレイ
ンにそれぞれ画素電極を接続し、それぞれの画素電極に
対向するようにレファレンス電極（Ｒ）とデータ電極（
Ｄ）とが設けられている。レファレンス電極（Ｒ）は接
地又は一定レベルの電圧に保たれ、データ電極（Ｄ）に
は表示すべき情報に応じて信号電圧が印加される。この
構成ではゲート電圧が旧ｇｈレベルになるとスイッチン
グ三端子素子がＯＮ状態になり、データ電極（Ｄ）→液
晶層−第１の画素電極−スイツチング三端子素子−第２
の画素電極−液晶層→レファレンス１ｉ極（Ｒ）という
閉回路が形成され、データ電極（Ｄ）と第１の画素電極
とが形成する容量及びレファレンス電極（Ｒ）と第２の
画素電極とが形成する容量が、信号電圧に応じて充電さ
れる。その後ゲート電圧がＬｏｗレベルに下げられると
、スイッチング三端子素子はＯＦＦ状態になり、前述の
２つの容量は電気的に切り離され、２つの容量に充電さ
れた電荷は液晶層及びスイッチング三端子素子のオフ抵
抗を通じて放電し、減衰していく。従ってこのような構
成では液晶層の比抵抗を十分高くしないと、液晶を駆動
するのに必要な電圧を保持することができなくなるとい
う問題がある。

この点に関し、本願出願人等は第４図に示すごとく、信
号電圧を保持する容量が液晶の容量と分離され、液晶を
駆動するためのエネルギーか対向電橋に接続された交流
電源から供給される＃！Ｉｔ造とすることにより、液晶
の比抵抗のいかんに拘わらず有効に駆動できる構成の液
晶表示装置を出願している（特願平１−９５５８１号）
。この出願に係る液晶表示装置は、ことに比抵抗が小さ
な液晶層を使用した場合においてら、そこでの放電によ
る表示動作への悪影響を防止でき、それにより偏向フィ
ルタを用いない高い表示明度を実現できる新しいＴＰＴ
を付加したアクティブマトリックス方式の液晶表示装置
である。

（ハ）発明が解決しようとする課題 この発明は、上記出願の液晶表示装置を更に改良して、
液晶層に直流成分が印加されることを防止し、ＴＰＴを
付加したアクティブマトリックス方式等の駆動方式に好
適な液晶表示装置を提供しようとするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 かくしてこの発明によれば、Ｘ−Ｙマトリックス状に配
設される液晶表示部群と、各液晶表示部に対応して設け
られるサンプルホールド回路とを備え、該回路から出力
される信号に基づいてマトリックス表示動作を行う液晶
表示装置であって、上記液晶表示部が、（ａ）　１対の
画素電極と、（ｂ）該Ｉ対の画素電極のそれぞれに液晶
層を介して対向して設けられかつ液晶駆動用交流電源に
接続される１対の対向電極と、（ｃ）上記１対の画素電
極の一方に接続されるソース、他方に接続されるドレイ
ン及び前記サンプルホールド回路に接続されるゲートを
有し、前記サンプルホールド回路からの出力に基づいて
、上記１対の画素電極間の導通を制御する制御素子から
なることを特徴とする液晶表示装置が提供される。

すなわちこの発明は、各画素毎に、ＴＰＴと信号蓄積キ
ャパシタにより構成されるサンプルホールド回路を備え
、かつ液晶層に直流成分の印加されない新規有用な駆動
方式を有する液晶表示装置であることを特徴とする。

なお、一般の電界効果型トランジスタにおいては、キャ
リアの供給側の電極をソースと呼び、キャリアの掃き出
し側をドレインと呼ぶ習慣となっているが、この発明の
液晶表示装置におけろ薄膜トランジスタではソースとド
レインの構造は、後述するごとく対称的でありチャンネ
ル間には双方向に電流を流すので、前述の習慣では区別
できない。

そこで本明細書中の従来例の説明では信号又は駆動電圧
の供給源に近い方をソースと呼び他方をドレインと呼ぶ
ことにするが、本発明の実施形態では！対の画素電極の
それぞれに対称的な交流電圧を印加するので、便宜的に
一方をソース、他方をドレインと呼ぶ。しかし両者に本
質的な違いはない。

この発明の液晶表示装置（以下、この発明の装置という
）は、ことに前述したＤＳモード、ＧＨモード、コレス
テリック−ネマティック相転移モード等のように、偏光
フィルターを用いずかつ液晶層としてイオン性不純物を
含む低比抵抗のものを用いてその光吸収や光散乱特性に
ついての液晶電気光学効果を表示に利用する動作モード
と組合わせた場合に最も有効であり、プロジェクション
（投影）型の液晶表示装置に組合わせるのがさらに一つ
の好ましい態様である。

とくにこの発明の装置によれば、従来よりも導電性の高
い液晶層、ことにＩＯ＠Ωｍ以下の低比抵抗の液晶層を
用いた場合においてら、放電による表示動作への悪影響
を防止できるものである。従ってこの発明の装置におい
ては、１０°Ωｍ以下の低比抵抗の液晶層を用いるのが
好ましい態様である。

この発明の装置において、液晶表示部群は、Ｘ−Ｙマト
リックス状に配設される電極ラインＸと電極ラインＹと
で形成される各交点に対応して設けられる。上記ｉｉ画
シライン材料としては、ＩＴＯ，Ａｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ
、Ｍｏ、Ｃｒ、ｐ−５ｉ（ｎ”）（多結晶シリコン）等
の一般的配線材料を用いることができ、電極ラインの交
差部にはＳｒ’ｓ。

ＳｉＮｘ、Ｔａ＊Ｏｓ、Ａｌｔｏ３等の絶線膜が用いら
れて短絡か防止される。

この発明の装置において、上記液晶表示部毎にサンプル
ホールド回路が設けられる。該回路は、ソース、ドレイ
ン及びゲートを備えたスイッチング三端子素子と信号蓄
積キャパシタとを用いて構成することができる。すなわ
ち該回路は、ゲートに入力される電極ラインＹからの信
号により、ソースに入力される電極ラインＸからの信号
をドレインに接続されたキャパシタに蓄積すると共に液
晶表示部に出力するよう構成される。上記スイッチング
三端子素子としては、例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）が適しており、信号蓄積キャパシタとしても通常のア
クティブマトリックス方式に用いられるコンデンサ素子
を適用することができる。さらに具体的には、スイッチ
ング三端子素子としてはａ−９ｉ（アモルファスシリコ
ン）、ｐ−Ｓｉ。

Ｓｉ結晶、ＣｄＳｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ等からなるＴＰ
Ｔを用いることができる。また、Ｓｉ基板を用いたいわ
ゆるＭＯＳ型トランジスタアレイも反射型装置用として
適用可能である。信号蓄積キャパシタの具体例としては
上記配線材料と同様な導電体を電極とし絶縁体として上
記交差部絶縁材料と同様の材料を用いて形成したものが
適している。但し、信号蓄積キャパシタのもう一方の′
ｗｉ極はアースラインに接続する代わりに、隣接するゲ
ート電極に接続しても良い。また信号蓄積キャパシタは
、上記スイッチング三端子素子と別個の素子として設け
られてなくてもよく、このスイッチング三端子素子の内
在するコンデンサ成分を利用したもの、すなわちそのｌ
早道容量を利用した乙のであってもよい。なお、例えば
上記ＴＰＴの形成は、特開昭５８−１４７０６９号に記
載された手法に準じて行うことができる。

この発明の装置において、液晶表示部は、１対の画素電
極、１対の対向電極及びこれらの各画素電極と各対向電
極との間に設けられるそれぞれの液晶層、並びに、上記
１対の画素電極間を接続する制御素子から構成される。

ここで上記１対の画素電極及び１対の対向電極には当該
分野で公知の材料が用いられるが、１対の画素電極及び
１対の対向ｉｉｉでもって１画素が形成されるように設
けられる。上記画素ＩＩｉや対向電極には少なくとも一
方が透明の電極（例えばＳｎ０ｗ膜やＩＴＯと略称され
る５ｎＯｔがドープされたＩｎｇｏｔ膜）等が用いられ
、いわゆる反射型表示装置とする場合には他方はＡＩ、
Ａｕ等の金属電極が用いられる。

上記液晶層は、イオン性不純物を含む低比抵抗ものから
構成されていても同等支障はなく、この構成は動作モー
ドに応じて適宜遣損される。例えばＤＳモードを適用す
る場合には、中性、又は弱い正の誘電異方性若しくは弱
い負の誘電異方性を有したネマティック化合物及びイオ
ン性不純物が用いられる。該ネマティック化合物として
は、例えば、 （式中、Ｒ，Ｒ’は各々独立してＣ８〜Ｃ６のアルキル
基：Ｘは水素原子またはフッ素原子）等が挙げられる。

上記液晶層にはこれらのネマティック化合物を含有しか
つ系全体として負の誘電異方性を有し正の導電率異方性
を有する混合液晶組成物として用いることが好ましい。

一方、イオン性不純物としては、 （以下余白） ／ Ｎ０７ （式中、ｍは１〜１６の整数、Ｒ，、Ｒ２は水素原子、
メチル基又はベンジル基）等の化合物（峰崎他：応物学
会（１９７９）春期講演会３０Ｐ−Ｂ−１３）が好適な
ものとして挙げられる。

また、ホワイトテーラ型ＧＨモードの場合には、正の誘
電異方性を有するコレステリック液晶化合物や正の誘電
異方性を有したネマティック液晶化合物と光学活性化合
物とからなるものが挙げられる。またこのモードの場合
には、用いる二色性染料として、Ｔ、Ｕｃｈｉｄａらの
文献［Ｔ、Ｕｃｈｉｄａ他；Ｍｏ１Ｃｒｙｓｔ　ａｎｄ
　Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、６３１９（１９８ｔ）コに記載
があるように、下記アゾ染料； へ やアントラキノン染料が一般的なものとして挙げられる
が、これらの染料以外のクマリン系染料等の蛍光染料や
その他の染料でも適用可能である。

上記ｌ対の画素電極間を接続する制御素子としてはソー
ス、ドレイン及びゲートを備えたスイッチング三端子素
子が用いられるが、これには前述したものと同様なもの
を用いることができる。この制御素子は、そのソースが
１対の画素電極の一方に接続される共に、そのドレイン
が同画素電極の他方に接続され、さらにゲートが前記サ
ンプルホールド回路に接続される。これにより、サンプ
ルホールド回路から出力される信号の有無によりゲート
をＯＮ・ＯＦＦして１対の画素電極間の導通を制御する
こととなる。

また上記１対の対向電極は液晶駆動用交流電源に接続さ
れる。このような構成とすることにより、上記制御素子
はゲートを中央部としてソース・ドレインが交互に反転
してその区別がなくなり、該制御素子がソースフォロア
ーのような動作を行うことを防ぐことができる。この場
合！対の対向電極のそれぞれが別々の交流電源に接続さ
れても良く、また１対の対向電極が同一の交流電源に接
続されてもよい。いずれの場合ら液晶層に直流成分が印
加されないような交流電圧が選択される。前者の接続の
場合は各対向電極に印加される各交流電圧は、互いに等
しくかつ１周期内で正負対称な交流電圧であり、これら
を互いに逆位相となるように印加すればよい。また後者
の場合は１対の対向電極間に印加される交流電圧は、１
周期内で正負対称な交流電圧となるように調節され、交
流電源の中点の電位に対してサンプルホールド回路に供
給される各信号レベルが設定される。上記１周期内で正
負対称な交流電圧としては、例えばアースレベルに対し
て対称的な交流電圧であれば、短波波、正弦波もしくは
それ以外の波形であってもよく、その周期や位相はサン
プルホールド回路を動作させるフレーム周期とは必ずし
も一致させろ必要は無い。

なお、この発明の装置において、液晶表示部は１対の画
素電極と１対の対向電極からなるが、対向電極には共通
の交流電圧を印加するので、装置全体の中で２組にグル
ープ分けするだけでよい。

このようなグループ分けの例としては、例えば第２図に
示すように、相互に噛み合った櫛の歯状のパターン（イ
ンタディジタル形状）が挙げられる。

櫛の歯の方向は！対の画素電極の配置によって縦か横か
が決められる。

（以下余白） （ホ）作用 電極ラインＸ及びＹによって選択されたサンプルホール
ド回路からの出力により、制御素子のゲートに電圧が付
与されて１対の画素電極間が導通され、一方の対向電極
−一方の液晶層→一方の画素ｉｔｔ！１１→制御素子の
ソース→制御素子のドレイン−他方の画素電極−他方の
液晶層−他方の対向電極という閉回路が形成され、液晶
表示部の対応する画素電極部位に液晶駆動用電源から電
圧が印加されて表示動作が行われる。

この際、電極ラインＸ及びＹの選択は一定の短いフレー
ム周波数下での走査により行われるが、対応するサンプ
ルホールド回路により延長されて制御素子のゲートに次
の信号がサンプリングされるまで電圧が印加され、該素
子のＯＮ状態が保持される。

一方、制御素子のＯＮ状態が保たれる状態においては、
液晶層で放電が生じても液晶駆動用電源からの電荷が連
続して供給されるため、放電による悪影響ら生じない。

従って液晶層に比抵抗の低いらのを用いても液晶のマト
リックス表示動作が確保されることとなる。

また、上記１対の対向電極のそれぞれに、１周期内で正
負対称な交流電圧を互いに逆位相で印加するか、又は、
上記１対の対向電極間に、１周期内で正負対称な交流電
圧を印加することにより、極性反転に対してほぼ完全に
正負対称の動作を行うので、液晶層に直流成分が印加さ
れないこととなる。

以下実施例によりこの発明の詳細な説明するが、これに
よりこの発明は限定されるものではない。

（へ）実施例 第１図は、この発明の一実施例のマトリックス型液晶表
示装置におけるマトリックスの一表示単位の構成を示す
等価回路図である。また第２図は、この発明の一実施例
のパスライン、画素電極対、対向電極対（破線で示され
ている）の位置関係を示す要部平面構成説明図である。

これらの図中、Ｘ、、ｘｔ・・・・・・はＸ−Ｙマトリ
ックス状電極におけるデータ信号パスライン（１極ライ
ンＸ）を、Ｙ＋、Ｙｔ・・・・・・は同じく走査信号パ
スライン（電極ラインＹ）を各々示すものであり、これ
らの交差部は絶縁膜で隔離されている。この交差部の近
傍には各々第１の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ、）が配設
されてそのゲートは電極ラインＹ（Ｙｌ）に、ソースは
電極ラインＸ（Ｘ、）に各々接続されている。そして図
に示すごと＜ＴＰＴのドレインは制御素子となる第２の
薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｆ　Ｔ　＊　）のゲートに接続
されてその途中には信号蓄積キャパシタとなるコンデン
サ（Ｃ９）が接続されている。

一方、ＴＦＴｔのソース及びドレインはそれぞれ、多数
の画素電極対（ａ及びａ′）（第２図ではａｌとａ′１
１．　ａ＋！とａ１７．・・・・・・がそれぞれ対にな
っている）と対向電極対（ｂ及びｂ′）との間に液晶層
を配置せしめた液晶表示部（Ｃｔ及びＣ′、）における
一対の画素電極（ａ及びａ′）に接続されており、対向
電極（ｂ及びｂ’）は液晶駆動用の交流電源（ＶＣ）に
接続されている。

かかる実施例の装置において、Ｔ　Ｐ　Ｔ　＋　と信号
蓄積コンデンサとして働くＣＩとはサンプルホールド回
路を構成し、その出力はＴ　Ｆ　Ｔ　ｔのゲートに印加
される。ＴＦＴｔは液晶駆動用交流電圧を液晶表示部（
Ｃ，）の所定位置の液晶層に印加するための制御素子（
一種のバッファトランジスタ）として働く。

この構成においては、コンデンサＣＩは高インピーダン
スのＴＰＴ、のゲートに接続されており、液晶表示部（
Ｃｔ及びＣ′りに直接接続されていないため放電し難く
、そこに蓄積した電荷は、ＴＰＴ、がＯＦＦ状態となっ
た後にも従来に比して長時間ＴＰＴ、をＯＮ状態に保つ
よう作用する。

従って比抵抗が小さく放電し易い液晶層を用いた場合に
おいても、この放電によりＴＰＴ、が必要とする時間（
通常、フレーム周波数の周期）よりも短時間でＯＦＦに
なる現象が防止され、所望の液晶のマトリックス表示動
作を行うことができる。

また上記装置において、交流電源Ｖｃは、１周期内で正
負対称の交流電圧を１対の対向電極間に印加するよう構
成されている。このような交流電源の印加により、上記
各液晶表示部では制御素子の極性反転に対してほぼ完全
に正負対称の動作が行われろこととなる。

この実施例の装置において１対の対向電極す及びｂ′は
、１対の画素電極の並べ方に応じて、ゲートライン方向
又はソースライン方向に配列されたストライブ状電極が
１つおきに接続されたインクディジタル形状を有してい
る。第２図には１対の画素電極が横方向に並置され、対
向電極か縦方向のストライプの例が示されているが、設
計上の都合により縦・横を入れ換えても差し支えない。

１本のストライブ状電極は、１対の画素ＩＩｔ！！ｉ！
の一方とそれに隣接する池の対の画素ｔｉの一方とにま
たがるように形成されている。

上記回路構成を採用して下記の条件で、偏光フィルタを
用いないＤＳＳモード−プロジグクンジンアクティブマ
トリックス液晶表示装置を構成した。

（以下余白） ｌ）液晶表示方法：プロジェクション型２）光　　　　
源：メタルハライドランプ３）パネル寸法：対角３″ ４）パネル画素数＋２４０Ｘ３ｇ４ドツト５）パネル基
板：コーニング７０５９ガラス１．１　ｔ６）ＴＰＴ、
、ＴＰＴドアモルファスシリコン　ＴＰＴゲート材料Ｔ
ａ、ゲート酸化膜Ｔａ＊Ｏｓ／Ｓ　ｉＮｘ半導体材料Ｐ
−ＣＶＤによるａ−Ｓｉ ソースドレイン材料ｎ　　ａ−Ｓｔ／Ｔｉ重層膜７）　
　Ｃ１：Ｔａ／Ｔａ＊０ｓＳｉＮ、／Ｔｉ８）Ｃ，：Ｉ
ＴＯ／液晶／ＩＴＯ （液晶層厚は７μｍのプラスチックビーズスベー号を使
用）９）液　晶　層：　ＣＨ，０−Ｇ−ＣＨ＝Ｎ−◎−
Ｃ４Ｈｓ　　　５９．５ｗｔ／％ＣｔＨｓＯ−ｔＱ−Ｃ
Ｈ＝Ｎ−Ｑ−Ｃ＊Ｈｓ　　　４０　　ｗｔ／％からなる
混合液晶 １１）駆動交流電圧：　　６ＧＨｚ矩形波　　±７．５
ｖなお、上記液晶層の比抵抗（ρ）は１０７Ωｍであっ
た。

かかる液晶表示装置によりスクリーン上に表示を行った
ところ、同一光源を用いて従来のＴＮモードの約２倍の
明るさ（１００ｒＬ）の表示（白表示状態での比較）を
得ることが可能となった。

また、第３図にこの発明の池の実施例の第１図相当図を
示す。第１図の装置との相違点は、信号蓄積キャパシタ
ＣＩの一方の電極を隣接ゲートラインとしたことである
。このような構成とすることによりアースラインを省略
することができる。

（ト）発明の効果 この発明の液晶表示装置によれば、液晶層の比抵抗が低
く実質的に電荷保持機能がないものを用いた場合におい
ても、液晶層への電圧印加が時間的に確保され、所望の
液晶マトリドックス表示を行うことが可能となる。

従って、偏光フィルタを用いずに階調表示、高コントラ
スト表示、高速応答表示が可能なりＳモードやホワイト
テーラ型ＧＨモードなどを液晶の電気光学的モードとし
て採用して理想的な高い表示明度のアクティブマトリッ
クス表示を行うことができる。

さらに、中間調を表示する場合にも、液晶表示部に印加
される電圧が正負対称となり、直流成分が無視できる程
度に小さくなり、フリッカの発生、液晶の電気分解、画
素電極の腐食が抑制され、良好な表示品位と高い信頼性
を得ることができる。

そして、ことにこの発明の液晶表示装置は、高温動作と
高光利用効率を同時に満足させる必要のあるプロジェク
ション型の表示装置のライトバルブとして有効であるか
、屋外使用の高精細デイスプレィ、例えばＶＴＲモニタ
、ＬＣＴＶ、ビューファインダ等へも有効に利用・でき
、また車載用や航空機表示への応用にも適している。さ
らに、透過型のみならず反射型表示装置へも適用するこ
とができる。

また、液晶表示モードとしては、液晶材料の比抵抗が１
０＠Ωｍ以下の低い値の場合に特に顕著な効果があるが
、一般のＴＮモードやＳＴＮモード、ＥＣＢモード、５
ＳＦＬＣモードといった液晶表示モードへも適用できる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の液晶表示装置における一
表示単位の等価回路図、第２図はこの発明の一実施例の
液晶表示装置の画素電極と対向電極の位置関係を示す要
部平面構成説明図、第３図はこの発明の他の例の第１図
相当図、第４図はこの発明の発明者等の先願に係る液晶
表示装置の一例の第１図相当図、第５５Ａ及び第６図は
それぞれ従来の液晶表示装置の第１図相穀図である。 Ｘｔ、Ｘｔ・・・・・・電極ラインＸ１Ｙ、、Ｙ、・・
・・・・電極ラインＹ１ＴＰＴ、・・・・・・第１の薄
膜トランジスタ、Ｔ　Ｆ　Ｔ　ｔ・・・・・・第２の薄
膜トランジスタ（制御素子）、 ＣＩ・・・・・・コンデンサ（信号蓄積キャパシタ）、
Ｃ２・・・・・・液晶表示部の容量、 ユ、ａ′・・・・・・画素電極、　ｂ、ｂ’・・・・・
・対向電極、Ｖｃ・・・・・・交流電源、　　Ｅ・・・
・・・アースライン。 笛 １ 団 第 霞 第 図 第 図 第 田 笥 ぽ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｘ−Ｙマトリックス状に配設される液晶表示部群と
   、各液晶表示部に対応して設けられるサンプルホールド
   回路とを備え、該回路から出力される信号に基づいてマ
   トリックス表示動作を行う液晶表示装置であって、 上記液晶表示部が、 （ａ）１対の画素電極と、 （ｂ）該１対の画素電極のそれぞれに液晶層を介して対
   向して設けられかつ液晶駆動用交流電源に接続される１
   対の対向電極と、 （ｃ）上記１対の画素電極の一方に接続されるソース、
   他方に接続されるドレイン及び前記サンプルホールド回
   路に接続されるゲートを有し、前記サンプルホールド回
   路からの出力に基づいて、上記１対の画素電極間の導通
   を制御する制御素子 からなることを特徴とする液晶表示装置。 ２、各１対の対向電極のうちの一方の電極を１組として
   相互に接続し、かつ他方の電極を１組として相互に接続
   してなる請求項１の液晶表示装置。 ３、液晶表示部の液晶層の比抵抗が、動作温度範囲内で
   １０＾■Ωｍ以下である請求項１の液晶表示装置。 ４、液晶駆動用交流電源が、１対の対向電極のそれぞれ
   に、１周期内で正負対称な交流電圧を互いに逆位相で印
   加しうる交流電源である請求項１〜３のいずれかの液晶
   表示装置。