JPH0376530B2 - - Google Patents
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- JPH0376530B2 JPH0376530B2 JP58083478A JP8347883A JPH0376530B2 JP H0376530 B2 JPH0376530 B2 JP H0376530B2 JP 58083478 A JP58083478 A JP 58083478A JP 8347883 A JP8347883 A JP 8347883A JP H0376530 B2 JPH0376530 B2 JP H0376530B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば薄膜磁気再生ヘツドや垂直磁
気記録再生ヘツドなどのように基板上に薄膜状の
感磁層を形成した磁気ヘツドに係り、特にそれの
基板に関する。
気記録再生ヘツドなどのように基板上に薄膜状の
感磁層を形成した磁気ヘツドに係り、特にそれの
基板に関する。
この種磁気ヘツドは使用の際、磁気テープや磁
気デイスクなどの磁気記録媒体が磁気ヘツドの基
板端面に摺接するため、基板に耐摩耗性が要求さ
れる。この種磁気ヘツドの基板として、従来は合
成樹脂板やガラス板などが用いられていたが耐摩
耗性が十分でなく、基板の摩耗にともなつて感磁
層が損耗する欠点があつた。
気デイスクなどの磁気記録媒体が磁気ヘツドの基
板端面に摺接するため、基板に耐摩耗性が要求さ
れる。この種磁気ヘツドの基板として、従来は合
成樹脂板やガラス板などが用いられていたが耐摩
耗性が十分でなく、基板の摩耗にともなつて感磁
層が損耗する欠点があつた。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を
解消し、耐用寿命の長い、性能の安定した磁気ヘ
ツドを提供するにある。
解消し、耐用寿命の長い、性能の安定した磁気ヘ
ツドを提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、例えば合
成樹脂、ガラスあるいはセラミツクなどからなる
基板の表面に、例えば磁気抵抗効果素子あるいは
軟磁性材料などからなる薄膜状の感磁層を形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、前記基板の少なくと
も磁気テープあるいは磁気デイスクなどの磁気記
録媒体が摺接する表面に、非晶質構造の炭素膜が
形成されている。
成樹脂、ガラスあるいはセラミツクなどからなる
基板の表面に、例えば磁気抵抗効果素子あるいは
軟磁性材料などからなる薄膜状の感磁層を形成し
てなる磁気ヘツドにおいて、前記基板の少なくと
も磁気テープあるいは磁気デイスクなどの磁気記
録媒体が摺接する表面に、非晶質構造の炭素膜が
形成されている。
前記非晶質構造の炭化膜は、減圧化において炭
化水素系化合物に高周波電界を加えてプラズマ分
解させて、基板表面に析出させることによつて形
成することができる。
化水素系化合物に高周波電界を加えてプラズマ分
解させて、基板表面に析出させることによつて形
成することができる。
前記炭化水素系化合物としては、パラフイン系
炭化水素やオレフイン系炭化水素などの鎖式炭化
水素、あるいは芳族炭化水素や脂環式炭化水素な
どの環式炭化水素が用いられる。
炭化水素やオレフイン系炭化水素などの鎖式炭化
水素、あるいは芳族炭化水素や脂環式炭化水素な
どの環式炭化水素が用いられる。
次に本発明の実施例を図とともに説明する。第
１図ないし第３図は、第１実施例に係る薄膜磁気
再生ヘツドを説明するための図である。薄膜磁気
再生ヘツドは、ホルダ１と磁気抵抗効果素子組立
体２とから主に構成されている。第１図に示すよ
うにホルダ１の磁気テープ３と接触する側には窓
４を有し、それの裏側は開口凹部５となつてい
る。この開口凹部５から窓４の方向に向けて磁気
抵抗効果素子組立体２が挿入され、隙間に充填し
た接着剤６で固着される。
１図ないし第３図は、第１実施例に係る薄膜磁気
再生ヘツドを説明するための図である。薄膜磁気
再生ヘツドは、ホルダ１と磁気抵抗効果素子組立
体２とから主に構成されている。第１図に示すよ
うにホルダ１の磁気テープ３と接触する側には窓
４を有し、それの裏側は開口凹部５となつてい
る。この開口凹部５から窓４の方向に向けて磁気
抵抗効果素子組立体２が挿入され、隙間に充填し
た接着剤６で固着される。
磁気抵抗効果素子組立体２は第２図および第３
図に示すように、基板７と、その基板７の表面で
かつ磁気テープ３と接触するように端部に形成さ
れた磁気抵抗効果素子８と、基板７の表面に形成
され一端が磁気抵抗効果素子８の端部にそれぞれ
接続されて他端が基板７の後方まで延びた２つの
リード部９と、前記磁気抵抗効果素子８ならびに
リード部９を覆う保護膜１０（第３図参照）とか
ら構成されている。
図に示すように、基板７と、その基板７の表面で
かつ磁気テープ３と接触するように端部に形成さ
れた磁気抵抗効果素子８と、基板７の表面に形成
され一端が磁気抵抗効果素子８の端部にそれぞれ
接続されて他端が基板７の後方まで延びた２つの
リード部９と、前記磁気抵抗効果素子８ならびに
リード部９を覆う保護膜１０（第３図参照）とか
ら構成されている。
前記基板７は例えば合成樹脂、ガラスあるいは
セラミツクなどからなり、それの磁気テープ３と
接触する側の端面には磁気抵抗効果素子８および
リード部９を形成する前に、非晶質構造の炭素膜
１１が全面にわたつて形成されている。この炭素
膜１１は次のようにして設けられる。
セラミツクなどからなり、それの磁気テープ３と
接触する側の端面には磁気抵抗効果素子８および
リード部９を形成する前に、非晶質構造の炭素膜
１１が全面にわたつて形成されている。この炭素
膜１１は次のようにして設けられる。
すなわち、誘導結合型のプラズマ分解析出装置
（径が50mmの石英管）内に所定の大きさの基板７
を入れ、容器内を10-4〜10-5Torrに減圧する。
次にその容器内に純度98.3体積％のプロパンガス
を40ｍTorrになるように導入し、同周波13.56M
Hz、電力20Wで高周波電界を印加する。これによ
つてプラズマ状に分解し、基板７の表面に炭素が
順次析出し、厚さ約10μｍの炭素膜１１が形成さ
れる。
（径が50mmの石英管）内に所定の大きさの基板７
を入れ、容器内を10-4〜10-5Torrに減圧する。
次にその容器内に純度98.3体積％のプロパンガス
を40ｍTorrになるように導入し、同周波13.56M
Hz、電力20Wで高周波電界を印加する。これによ
つてプラズマ状に分解し、基板７の表面に炭素が
順次析出し、厚さ約10μｍの炭素膜１１が形成さ
れる。
炭素膜１１の堆積速度は約100〜200Å／mmであ
り、炭素膜１１はＸ線回折の結果炭素の回折線は
見られず非晶質であることが確認された。またこ
の炭素膜１１の赤外線スペクトルをとつてみたと
ころ2900cm-1、1460cm-1および1380cm-1にそれぞ
れＣ−Hoの伸縮振動、Ｃ−H2、Ｃ−H3の変角振
動による強い吸収が観察され、その結果この非晶
質炭素には水素が強く結合していることが解明さ
れた。さらにこの炭素膜１１をマイクロピツカー
ス硬度計を用いて硬度測定をしたところ、ダイヤ
モンド圧子の圧痕は見られず測定不可能であつ
た。このことから析出形成された炭素膜１１、極
めて高硬度であることが分かる。
り、炭素膜１１はＸ線回折の結果炭素の回折線は
見られず非晶質であることが確認された。またこ
の炭素膜１１の赤外線スペクトルをとつてみたと
ころ2900cm-1、1460cm-1および1380cm-1にそれぞ
れＣ−Hoの伸縮振動、Ｃ−H2、Ｃ−H3の変角振
動による強い吸収が観察され、その結果この非晶
質炭素には水素が強く結合していることが解明さ
れた。さらにこの炭素膜１１をマイクロピツカー
ス硬度計を用いて硬度測定をしたところ、ダイヤ
モンド圧子の圧痕は見られず測定不可能であつ
た。このことから析出形成された炭素膜１１、極
めて高硬度であることが分かる。
このようにして炭素膜１１形成したのち、公知
の方法によつて磁気抵抗効果素子８、リード部
９，９ならびに二酸化ケイ素からなる保護膜１０
が順次形成されて磁気抵抗効果素子組立体が得ら
れる。この組立体のリード部９，９に第１図に示
す如くリード線１２，１２が半田付けされ、その
後ホルダ１に組込まれて薄膜磁気再生ヘツドとな
る。この再生ヘツドの使用時には、第２図に示す
ように磁気抵抗効果素子８の端面と炭素膜１１と
が走行する磁気テープ３と接触して、信号の読取
りがなされる。
の方法によつて磁気抵抗効果素子８、リード部
９，９ならびに二酸化ケイ素からなる保護膜１０
が順次形成されて磁気抵抗効果素子組立体が得ら
れる。この組立体のリード部９，９に第１図に示
す如くリード線１２，１２が半田付けされ、その
後ホルダ１に組込まれて薄膜磁気再生ヘツドとな
る。この再生ヘツドの使用時には、第２図に示す
ように磁気抵抗効果素子８の端面と炭素膜１１と
が走行する磁気テープ３と接触して、信号の読取
りがなされる。
第４図は、本発明の第２実施例に係る垂直磁気
記録再生ヘツドを説明するための図である。この
ヘツドは、軟磁性材からなる主磁極２１と補助磁
極２２とから主に構成される。主磁極２１は、ガ
ラスやポリイミドなどの基板２３の片面にスパツ
タリングによつて約1μｍ厚に形成される訳であ
るが、この主磁極２１を形成する前に基板２３の
磁気デイスク２４と対向する側の端面に非晶質構
造の炭素膜２５が形成される。この炭素膜２５の
形成方法は第１実施例で説明した方法と同様であ
るので、ここではその説明を省略する。前記補助
磁極２２には、励磁コイル２６が所定ターン数巻
回される。
記録再生ヘツドを説明するための図である。この
ヘツドは、軟磁性材からなる主磁極２１と補助磁
極２２とから主に構成される。主磁極２１は、ガ
ラスやポリイミドなどの基板２３の片面にスパツ
タリングによつて約1μｍ厚に形成される訳であ
るが、この主磁極２１を形成する前に基板２３の
磁気デイスク２４と対向する側の端面に非晶質構
造の炭素膜２５が形成される。この炭素膜２５の
形成方法は第１実施例で説明した方法と同様であ
るので、ここではその説明を省略する。前記補助
磁極２２には、励磁コイル２６が所定ターン数巻
回される。
主磁極２１と補助磁極２２との間に配置される
磁気デイスク２４はベースフイルム２７と磁性層
２８とから構成され、この磁性層２７が主磁極２
１の端面ならびに炭素膜２５と摺接するようにな
つている。
磁気デイスク２４はベースフイルム２７と磁性層
２８とから構成され、この磁性層２７が主磁極２
１の端面ならびに炭素膜２５と摺接するようにな
つている。
前記励磁コイル２６に記録されるべき信号電流
を流して主磁極２１を補助磁極２２側から励磁す
ると、主磁極２１の先端付近に強い垂直磁界が発
生する。これによつて磁性層２８がそれの厚さ方
向に磁化されて、所望の磁気記録がなされる。
を流して主磁極２１を補助磁極２２側から励磁す
ると、主磁極２１の先端付近に強い垂直磁界が発
生する。これによつて磁性層２８がそれの厚さ方
向に磁化されて、所望の磁気記録がなされる。
前述した非晶質の炭素膜はダイヤモンドとほぼ
同等の硬度、耐摩耗性を有しているから、この炭
素膜でヘツド基板の少なくとも磁気記録媒体と摺
接する表面を覆つておけば、基板の耐摩耗性が向
上し、結局、磁気ヘツドの長寿命化が図れる。ま
た、炭素膜の形成によつて耐摩耗性が向上するか
ら、基板の材質は特に限定されず選択範囲が拡張
され、コストの低減が図れる。
同等の硬度、耐摩耗性を有しているから、この炭
素膜でヘツド基板の少なくとも磁気記録媒体と摺
接する表面を覆つておけば、基板の耐摩耗性が向
上し、結局、磁気ヘツドの長寿命化が図れる。ま
た、炭素膜の形成によつて耐摩耗性が向上するか
ら、基板の材質は特に限定されず選択範囲が拡張
され、コストの低減が図れる。
第１図ないし第３図は本発明の第１実施例に係
る薄膜磁気再生ヘツドを説明するための図で、第
１図はその再生ヘツドの縦断面図、第２図はその
ヘツドに用いられる磁気抵抗効果素子組立体の保
護膜形成前の平面図、第３図はその組立体の保護
膜形成後の正面図、第４図は本発明の第２実施例
に係る垂直磁気記録再生ヘツドの使用態様を示す
断面図である。 ３……磁気テープ、７……基板、８……磁気抵
抗効果素子、１１……炭素膜、２１……主磁極、
２３……基板、２４……磁気デイスク、２５……
炭素膜。
る薄膜磁気再生ヘツドを説明するための図で、第
１図はその再生ヘツドの縦断面図、第２図はその
ヘツドに用いられる磁気抵抗効果素子組立体の保
護膜形成前の平面図、第３図はその組立体の保護
膜形成後の正面図、第４図は本発明の第２実施例
に係る垂直磁気記録再生ヘツドの使用態様を示す
断面図である。 ３……磁気テープ、７……基板、８……磁気抵
抗効果素子、１１……炭素膜、２１……主磁極、
２３……基板、２４……磁気デイスク、２５……
炭素膜。
Claims (1)
- １ 基板上に薄膜状の感磁層を形成してなる磁気
ヘツドにおいて、前記基板の少なくとも磁気記録
媒体が摺接する表面に非晶質構造の炭化膜が形成
され、前記炭化膜は、減圧化のプロパンガス中に
おいて、炭化水素系化合物に高周波電界を印加し
て、プラズマ分解させて析出した水素結合炭化膜
であることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347883A JPS59210520A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347883A JPS59210520A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210520A JPS59210520A (ja) | 1984-11-29 |
| JPH0376530B2 true JPH0376530B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13803570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347883A Granted JPS59210520A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210520A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2611970B1 (fr) * | 1987-03-06 | 1989-05-26 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces et application a une tete d'enretistrement/lecture |
| US5331493A (en) * | 1992-08-21 | 1994-07-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Bidirectional thin-film magnetoresistive tape head assembly |
| US5644455A (en) * | 1993-12-30 | 1997-07-01 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| WO1995018442A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-07-06 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
| US5658470A (en) * | 1995-12-13 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon for ion milling magnetic material |
| US5640292A (en) * | 1996-01-17 | 1997-06-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5334898A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-31 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
| JPS53132322A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-18 | Nec Corp | Magnetic head |
-
1983
- 1983-05-14 JP JP8347883A patent/JPS59210520A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5334898A (en) * | 1976-08-23 | 1978-03-31 | Gen Electric | Process for preparing silicone compound |
| JPS53132322A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-18 | Nec Corp | Magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59210520A (ja) | 1984-11-29 |
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