JPH0376221A - ウエハの研磨方法 - Google Patents
ウエハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH0376221A JPH0376221A JP1213564A JP21356489A JPH0376221A JP H0376221 A JPH0376221 A JP H0376221A JP 1213564 A JP1213564 A JP 1213564A JP 21356489 A JP21356489 A JP 21356489A JP H0376221 A JPH0376221 A JP H0376221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- thickness
- apex
- wafer thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はウェハ厚を正確に制御するウェハの研磨方法
に関するものである。
に関するものである。
従来のウェハ厚の制御は装置の性能によって決まってお
り、従って従来のウニ／Ｘの研磨は装置の性能によって
決まっていた。正確なウエノ）厚を得るための研磨はあ
まり必要としなかった。
り、従って従来のウニ／Ｘの研磨は装置の性能によって
決まっていた。正確なウエノ）厚を得るための研磨はあ
まり必要としなかった。
従来のウェハの研磨方法は以上のように構成されていた
ので、正確なウェハ厚は得ることができないという問題
点があった。この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、正確なウェハ厚を研磨で得るこ
とを目的とする。
ので、正確なウェハ厚は得ることができないという問題
点があった。この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、正確なウェハ厚を研磨で得るこ
とを目的とする。
この発明に係るウェハの研磨方法は研磨する反対の面か
ら制御して異方性エツチングを行い、研磨中に現在のウ
ェハ厚が判るようにしたものである。
ら制御して異方性エツチングを行い、研磨中に現在のウ
ェハ厚が判るようにしたものである。
この発明におけるウェハの研磨方法は、異方性エツチン
グが開口部の面積によって深さが決まることを研磨する
反対の面に適用し、ウェハ厚が判るようにした。
グが開口部の面積によって深さが決まることを研磨する
反対の面に適用し、ウェハ厚が判るようにした。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図〜第４図はこの発明の一実施例であるウェハの研
磨工程を示す断面図で、図において、（１）は研磨する
反対の面に形成した異方性エツチングのマスク、（２）
はウェハ、（３）は異方性エツチングが向かい合う面で
あたったところで止まった時にできる頂点、（４）はウ
ェハ厚規格上限値に設定したエツチング深さ、（５）は
ウェハ厚規格下限値に設定したエツチング深さである。
磨工程を示す断面図で、図において、（１）は研磨する
反対の面に形成した異方性エツチングのマスク、（２）
はウェハ、（３）は異方性エツチングが向かい合う面で
あたったところで止まった時にできる頂点、（４）はウ
ェハ厚規格上限値に設定したエツチング深さ、（５）は
ウェハ厚規格下限値に設定したエツチング深さである。
第１図は研磨する反対の面に異方性エツチングのマスク
（１）を形成した図で、異方性エツチングは角度を持っ
て進み向かい合う面があたった所で止まるため、マスク
（１）の開口部の大きざでエツチング深さを制御できる
。図の場合はウェハ厚規格より若干大きい所に第一のエ
ツチング頂点（３）、ウェハ厚上限値（４）に第２のエ
ツチング頂点（３）、ウェハ厚下限値（５）に第３のエ
ツチング頂点（３）かくるようにマスク開口部の大きざ
を決めである。
（１）を形成した図で、異方性エツチングは角度を持っ
て進み向かい合う面があたった所で止まるため、マスク
（１）の開口部の大きざでエツチング深さを制御できる
。図の場合はウェハ厚規格より若干大きい所に第一のエ
ツチング頂点（３）、ウェハ厚上限値（４）に第２のエ
ツチング頂点（３）、ウェハ厚下限値（５）に第３のエ
ツチング頂点（３）かくるようにマスク開口部の大きざ
を決めである。
第２図は異方性エツチングを行った図である。
エツチング（１）はマスク開口部の最も大きい部分が頂
点（３）に達した所で終了する。その他の部分のエツチ
ングは頂点（３）に達し止まっている。
点（３）に達した所で終了する。その他の部分のエツチ
ングは頂点（３）に達し止まっている。
第３図はエツチングマスク（１）を除去しウェハ（２）
を荒削りした図である。
を荒削りした図である。
第４図はウェハ厚規格上限値１４）、ウェハ厚規格下限
値（５）のエツチング頂点（３）を見ながら鏡面ＩＨＬ
。
値（５）のエツチング頂点（３）を見ながら鏡面ＩＨＬ
。
研磨を行った図である。
このエツチングマークはウェハ（２）の周辺に４カ所は
ど入れて置くとよい、研磨量はウェハ面内均一でなく、
ウェハ内で傾きがあるためである。
ど入れて置くとよい、研磨量はウェハ面内均一でなく、
ウェハ内で傾きがあるためである。
尚、上記実施例ではウェハ厚規格上限（４）、下限（５
）のみにエツチング頂点をつくった場合を示したが、規
格より若干大きいところより数μ扉ずつエツチング頂点
を形成してもよい。
）のみにエツチング頂点をつくった場合を示したが、規
格より若干大きいところより数μ扉ずつエツチング頂点
を形成してもよい。
以上のようにこの発明によれば、ウェハにエツチングで
マークを付けることによって、簡単に精度よくウェハの
研磨ができる。
マークを付けることによって、簡単に精度よくウェハの
研磨ができる。
第１図〜第４図はこの発明のウェハの研磨工程の一実施
例を示す断面図である。 図において、（１）はエツチングマスク、（２）はウェ
ハ、（３）はエツチング頂点、（４）はウェハ厚規格上
限、（５）はウェハ厚規格下限を示す。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
例を示す断面図である。 図において、（１）はエツチングマスク、（２）はウェ
ハ、（３）はエツチング頂点、（４）はウェハ厚規格上
限、（５）はウェハ厚規格下限を示す。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 異方性エッチングは開口部の面積によって、最大エッチ
ング深さが決まることを利用し、研磨する面の反対から
目標ウェハ厚の上限、下限の厚さになるよう制御してエ
ッチングを行いウェハ周辺にマークをつけ、このマーク
によってウェハ厚を制御することを特徴とするウェハの
研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213564A JPH0376221A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ウエハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213564A JPH0376221A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ウエハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376221A true JPH0376221A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16641300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213564A Pending JPH0376221A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ウエハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095567A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-04 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Kontrolle des dickenabtrags von einem scheibenverbund und teststruktur zur abtragskontrolle |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213564A patent/JPH0376221A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095567A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-04 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Kontrolle des dickenabtrags von einem scheibenverbund und teststruktur zur abtragskontrolle |
| US7598098B2 (en) | 2003-04-17 | 2009-10-06 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Monitoring the reduction in thickness as material is removed from a wafer composite and test structure for monitoring removal of material |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
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