JPH0298972A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0298972A JPH0298972A JP25230688A JP25230688A JPH0298972A JP H0298972 A JPH0298972 A JP H0298972A JP 25230688 A JP25230688 A JP 25230688A JP 25230688 A JP25230688 A JP 25230688A JP H0298972 A JPH0298972 A JP H0298972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- pressure sensor
- diaphragm
- amorphous
- corner edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、起歪ダイヤフラムの圧力変化を抵抗変化とし
て検出する半導体圧力センサの製造方法に関する。
て検出する半導体圧力センサの製造方法に関する。
−Ｃに、シリコン半導体のピエゾ抵抗変化を利用したシ
リコン半導体圧力センサは第２図に示すように構成され
ている。この種圧力センサの製造方法について説明する
と、例えばシリコン基板１の中央部に肉薄部を設けるこ
とにより一方側の面に起歪ダイヤフラム（以下ダイヤフ
ラム部と称する）２を異方性エツチング等の手段を用い
て形成し、他方側の面には拡散技術によってシリコン基
板１と逆導電形の拡散抵抗層３を形成する。この後、シ
リコン基板１０周辺肉厚部（以下リム部と称する）４と
中央部に通気孔を有するシリコンまたはガラスからなる
台座５に接合部材６によって接合固定する。
リコン半導体圧力センサは第２図に示すように構成され
ている。この種圧力センサの製造方法について説明する
と、例えばシリコン基板１の中央部に肉薄部を設けるこ
とにより一方側の面に起歪ダイヤフラム（以下ダイヤフ
ラム部と称する）２を異方性エツチング等の手段を用い
て形成し、他方側の面には拡散技術によってシリコン基
板１と逆導電形の拡散抵抗層３を形成する。この後、シ
リコン基板１０周辺肉厚部（以下リム部と称する）４と
中央部に通気孔を有するシリコンまたはガラスからなる
台座５に接合部材６によって接合固定する。
このようにして製造された半導体圧力センサのダイヤフ
ラム部２に流体圧カフが印加されると、ダイヤフラム部
２の歪みに応じて拡散抵抗層３の抵抗値を変化させるこ
とができる。この拡散抵抗層３は、保護膜としてのＳｉ
Ｏ□膜８を介してＡＦ等の金属配線層９から結線１０に
よって接続（ハーフまたはフルブリッジ結合）されてい
るので、微弱な圧力変化を抵抗変化として検出すること
ができる。なお、起歪ダイヤフラムは、通常３００〜４
００μｍのシリコン基板１の中央部に形成するが、測定
する流体圧力に応じてシリコン基板１を掘り込んで−様
な薄さに加工する。例えば、１ｋｇ／ｃｕｔまでの流体
圧力を測定する場合には、’ｌ 顛Ｘ ２ｍの矩形ダイ
ヤフラムで厚さを５０μ鋼まで薄い寸法に設定すると、
拡散抵抗の抵抗変化はフル圧力で約３％を得ることがで
きる。
ラム部２に流体圧カフが印加されると、ダイヤフラム部
２の歪みに応じて拡散抵抗層３の抵抗値を変化させるこ
とができる。この拡散抵抗層３は、保護膜としてのＳｉ
Ｏ□膜８を介してＡＦ等の金属配線層９から結線１０に
よって接続（ハーフまたはフルブリッジ結合）されてい
るので、微弱な圧力変化を抵抗変化として検出すること
ができる。なお、起歪ダイヤフラムは、通常３００〜４
００μｍのシリコン基板１の中央部に形成するが、測定
する流体圧力に応じてシリコン基板１を掘り込んで−様
な薄さに加工する。例えば、１ｋｇ／ｃｕｔまでの流体
圧力を測定する場合には、’ｌ 顛Ｘ ２ｍの矩形ダイ
ヤフラムで厚さを５０μ鋼まで薄い寸法に設定すると、
拡散抵抗の抵抗変化はフル圧力で約３％を得ることがで
きる。
ところで、半導体圧力センサの性能は、シリコンダイヤ
フラムの寸法形状に大きく依存することから、シリコン
基板１を数μｍ程度の精度で掘り込む必要があり、この
ため例えばＫＯＨ等の強アルカリ系薬品による異方性シ
リコンエツチングが採用されることが多い。この異方性
シリコンエツチングはエツチング速度が結晶方向依存性
をもつから、第３図に示すようにダイヤフラム部２と周
辺リム部４とで形成されるコーナエツジ部２１がシャー
プエツジとなり、抵抗変化の直線性にすぐれた圧力セン
サチップが得られる。また、ダイヤフラム厚さ方向にシ
リコンエツジが均一なエツチングレートで進行するから
、エツチング制御を簡単に行うことができ、加工精度の
面からもすぐれた方法である。例えば、（１，００）面
のシリコン基板１にＫＯＨエツチング液で起歪ダイヤプ
ラムを形成すると、ダイヤフラム部２の（１００）面２
２と周辺リム部４の側壁（１１１，）の面２３とがなす
角度θは１２５ ’となり、コーナエツジ部２１は結晶
学的にみてきわめてシャープに形成される。この結果、
起歪ダイヤフラムに過大な流体圧力が印加された場合、
コーナエツジ部２１に応力集中が発生し易く、起歪ダイ
ヤフラムが破壊してしまうという問題があり、使用圧力
範囲の最大圧力に対し５倍以上の過大圧力が加わる場合
には使用に細心の注意が必要であった。
フラムの寸法形状に大きく依存することから、シリコン
基板１を数μｍ程度の精度で掘り込む必要があり、この
ため例えばＫＯＨ等の強アルカリ系薬品による異方性シ
リコンエツチングが採用されることが多い。この異方性
シリコンエツチングはエツチング速度が結晶方向依存性
をもつから、第３図に示すようにダイヤフラム部２と周
辺リム部４とで形成されるコーナエツジ部２１がシャー
プエツジとなり、抵抗変化の直線性にすぐれた圧力セン
サチップが得られる。また、ダイヤフラム厚さ方向にシ
リコンエツジが均一なエツチングレートで進行するから
、エツチング制御を簡単に行うことができ、加工精度の
面からもすぐれた方法である。例えば、（１，００）面
のシリコン基板１にＫＯＨエツチング液で起歪ダイヤプ
ラムを形成すると、ダイヤフラム部２の（１００）面２
２と周辺リム部４の側壁（１１１，）の面２３とがなす
角度θは１２５ ’となり、コーナエツジ部２１は結晶
学的にみてきわめてシャープに形成される。この結果、
起歪ダイヤフラムに過大な流体圧力が印加された場合、
コーナエツジ部２１に応力集中が発生し易く、起歪ダイ
ヤフラムが破壊してしまうという問題があり、使用圧力
範囲の最大圧力に対し５倍以上の過大圧力が加わる場合
には使用に細心の注意が必要であった。
そこで、従来の半導体圧力センサの製造方法においては
、ＫＯＪ１エツチング液による異方性エツチングを実施
した後、再度同一部位を弗酸と硝酸を主成分とする強酸
系エツチング液によって等方性エツチングを施し、コー
ナエツジ部２１に強制的にだれ（丸めエツジ）を生じさ
せるものも採用されている。
、ＫＯＪ１エツチング液による異方性エツチングを実施
した後、再度同一部位を弗酸と硝酸を主成分とする強酸
系エツチング液によって等方性エツチングを施し、コー
ナエツジ部２１に強制的にだれ（丸めエツジ）を生じさ
せるものも採用されている。
ところが、この種の半導体圧力センサの製造方法におい
ては、前記しただれを発生させるためにきわめて多大の
時間１例えば弗酸：硝酸＝１：３のシリコンエツチング
液で３分間以上の時間を費やし、生産性が低下するとい
う問題があった。また、異方性エツチング時に一旦高精
度に加工されたシリコンダイヤフラムの膜厚が薄くなり
、かつばらつきが増大し、製造上の信頼性が低下すると
いう問題もあった。
ては、前記しただれを発生させるためにきわめて多大の
時間１例えば弗酸：硝酸＝１：３のシリコンエツチング
液で３分間以上の時間を費やし、生産性が低下するとい
う問題があった。また、異方性エツチング時に一旦高精
度に加工されたシリコンダイヤフラムの膜厚が薄くなり
、かつばらつきが増大し、製造上の信頼性が低下すると
いう問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、生産
性のみならず製造上の信転性を向上させることができる
半導体圧力センサの製造方法を提供するものである。
性のみならず製造上の信転性を向上させることができる
半導体圧力センサの製造方法を提供するものである。
本発明に係る半導体圧力センサの製造方法は、起歪ダイ
ヤフラムを形成するにあたり、半導体基板に異方性エツ
チングによって起歪ダイヤフラム用の凹部を設け、この
凹部の内側面をイオン注入によって非晶質化した後、こ
の非晶質化層を弗酸および硝酸を生成分とする強酸系シ
リコンエツチング液でエツチング除去することにより凹
部の底面と壁面とが交差するコーナエツジ部を曲面形成
するものである。
ヤフラムを形成するにあたり、半導体基板に異方性エツ
チングによって起歪ダイヤフラム用の凹部を設け、この
凹部の内側面をイオン注入によって非晶質化した後、こ
の非晶質化層を弗酸および硝酸を生成分とする強酸系シ
リコンエツチング液でエツチング除去することにより凹
部の底面と壁面とが交差するコーナエツジ部を曲面形成
するものである。
本発明においては、イオン注入によって凹部の内側面を
非晶質化してから、強酸系シリコンエツチング液でエツ
チング除去することにより、短時間にコーナエツジ部を
曲面形成することができると共に、非晶質化層の厚さを
均一に加工することができる。
非晶質化してから、強酸系シリコンエツチング液でエツ
チング除去することにより、短時間にコーナエツジ部を
曲面形成することができると共に、非晶質化層の厚さを
均一に加工することができる。
〔実施例〕
以下、本発明を図に示す実施例によって詳細に説明する
。
。
第１図ｆａｌ〜（Ｃ１は本発明に係る半導体圧力センサ
（チップ）の製造方法を説明するための断面図で、同図
において第２図および第３図と同一の部材については同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
（チップ）の製造方法を説明するための断面図で、同図
において第２図および第３図と同一の部材については同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
先ず、結晶面（１００） 、厚さ４００μｍのシリコン
基板３１にＫＯＨエツチング液によって３５０ μｍの
異方性エツチングを施す。このとき、シリコン基板３１
には、隅部にシャープなコーナエツジ部２１を有し厚さ
５０μｍの起歪ダイヤフラム２ （ダイヤフラム面２２
）となる凹部Ａが設けられる。ここで、シリコン基板３
１上のエツチングマスク材３２としてはシリコン窒化膜
、シリコン酸化膜を使用する。次いで、純水によってＫ
ＯＨエツチング液を十分に洗浄除去してシリコン基板３
１を乾燥させ、凹部Ａの内側面をダイヤフラム面２２の
側から深さ０．１〜１μｍの部位に同図ｆａ）に矢印３
３で示すように高エネルギー（１５０ＫｅＶ以上）のイ
オン注入によって非晶質化する。ここで、イオン種とし
ては特に制限はないが、Ａｒを使用することがＳｉに対
して電気的に不活性であることから好ましい。しかる後
、シリコン基板３１の抵抗拡散側をホトレジスト、ワン
クス等で保護し、非晶質化層３４を弗酸：硝酸：酢酸：
水＝１：３：１：１０の混合比で調合したシリコンチャ
ント（強酸系の等方性シリコンエツチング液）で６０秒
間（非晶質化層３４は３０秒以内でエツチング除去され
る）シリコンエツチングを施して同図（ｂ）に示すよう
に凹部Ａの底面と壁面とが交差するコーナエツジ部２１
を曲面形成する。この曲面形成されたコーナエツジ部２
１は、最大でも曲率半径が数μｍ程度であり、圧力セン
サの電気的緒特性に影響はない。また、ダイヤフラム厚
も曲面形成によって数μ１１減少するだけであるから、
電気的緒特性への影響はない。そして、曲面形成後には
エツチングマスク材３２を除去し、同図（Ｃ１に示すよ
うな半導体圧力センサチップを得ることができる。
基板３１にＫＯＨエツチング液によって３５０ μｍの
異方性エツチングを施す。このとき、シリコン基板３１
には、隅部にシャープなコーナエツジ部２１を有し厚さ
５０μｍの起歪ダイヤフラム２ （ダイヤフラム面２２
）となる凹部Ａが設けられる。ここで、シリコン基板３
１上のエツチングマスク材３２としてはシリコン窒化膜
、シリコン酸化膜を使用する。次いで、純水によってＫ
ＯＨエツチング液を十分に洗浄除去してシリコン基板３
１を乾燥させ、凹部Ａの内側面をダイヤフラム面２２の
側から深さ０．１〜１μｍの部位に同図ｆａ）に矢印３
３で示すように高エネルギー（１５０ＫｅＶ以上）のイ
オン注入によって非晶質化する。ここで、イオン種とし
ては特に制限はないが、Ａｒを使用することがＳｉに対
して電気的に不活性であることから好ましい。しかる後
、シリコン基板３１の抵抗拡散側をホトレジスト、ワン
クス等で保護し、非晶質化層３４を弗酸：硝酸：酢酸：
水＝１：３：１：１０の混合比で調合したシリコンチャ
ント（強酸系の等方性シリコンエツチング液）で６０秒
間（非晶質化層３４は３０秒以内でエツチング除去され
る）シリコンエツチングを施して同図（ｂ）に示すよう
に凹部Ａの底面と壁面とが交差するコーナエツジ部２１
を曲面形成する。この曲面形成されたコーナエツジ部２
１は、最大でも曲率半径が数μｍ程度であり、圧力セン
サの電気的緒特性に影響はない。また、ダイヤフラム厚
も曲面形成によって数μ１１減少するだけであるから、
電気的緒特性への影響はない。そして、曲面形成後には
エツチングマスク材３２を除去し、同図（Ｃ１に示すよ
うな半導体圧力センサチップを得ることができる。
このようにして得られた半導体圧力センサにおいては、
イオン注入によって凹部Ａの内側面を非晶質化してから
、強酸系のシリコンエツチング液でエツチング除去する
ことにより、短時間にコーナエツジ部２１を曲面形成す
ることができると共に、非晶質化層の厚さを均一に加工
することができる。
イオン注入によって凹部Ａの内側面を非晶質化してから
、強酸系のシリコンエツチング液でエツチング除去する
ことにより、短時間にコーナエツジ部２１を曲面形成す
ることができると共に、非晶質化層の厚さを均一に加工
することができる。
また、本発明においては、ダイヤフラムの破壊強度が曲
面形成しない場合のものと比較して電気的緒特性を犠牲
にすることなく３〜５倍アップする。
面形成しない場合のものと比較して電気的緒特性を犠牲
にすることなく３〜５倍アップする。
以上説明したように本発明によれば、起歪ダイヤフラム
を形成するにあたり、半導体基板に異方性エツチングに
よって起歪ダイヤフラム用の凹部を設け、この四部の内
側面をイオン注入によって非晶質化した後、この非晶質
化層を弗酸および硝酸を主成分とする強酸系シリコンエ
ツチング液でエツチング除去することにより凹部の底面
と壁面とが交差するコーナエツジ部を曲面形成するので
、短時間にコーナエツジ部を曲面形成することができる
と共に、非晶質化層の厚さを均一に加工することができ
、生産性のみならず製造上の信頼性を向上させることが
できる。
を形成するにあたり、半導体基板に異方性エツチングに
よって起歪ダイヤフラム用の凹部を設け、この四部の内
側面をイオン注入によって非晶質化した後、この非晶質
化層を弗酸および硝酸を主成分とする強酸系シリコンエ
ツチング液でエツチング除去することにより凹部の底面
と壁面とが交差するコーナエツジ部を曲面形成するので
、短時間にコーナエツジ部を曲面形成することができる
と共に、非晶質化層の厚さを均一に加工することができ
、生産性のみならず製造上の信頼性を向上させることが
できる。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明に係る半導体圧力センサ
の製造方法を説明するための断面図、第２図は半導体圧
力センサの一般的構造を示す断面図、第３図は従来の半
導体圧力センサの製造方法によって形成されたダイヤフ
ラム形状を示す断面図である。 ２・・・・ダイヤフラム部、２１・・・・コーナエツジ
部、３１・・・・シリコンＭｕｆｆ、３４・・・・非晶
質化層、Ａ・・・・凹部。 代 理 人 大 岩 増 雄第１ 図 ３４； 碕Ｙ晶 を虻イヒ漕 Ａ；回前 第２ 図 “１ 第３ 図
の製造方法を説明するための断面図、第２図は半導体圧
力センサの一般的構造を示す断面図、第３図は従来の半
導体圧力センサの製造方法によって形成されたダイヤフ
ラム形状を示す断面図である。 ２・・・・ダイヤフラム部、２１・・・・コーナエツジ
部、３１・・・・シリコンＭｕｆｆ、３４・・・・非晶
質化層、Ａ・・・・凹部。 代 理 人 大 岩 増 雄第１ 図 ３４； 碕Ｙ晶 を虻イヒ漕 Ａ；回前 第２ 図 “１ 第３ 図
Claims (1)
- 半導体基板の一方側の面に形成された起歪ダイヤフラム
と、他方側の面に形成された前記半導体基板と逆導電形
の拡散抵抗層とを有する半導体圧力センサの製造方法に
おいて、前記起歪ダイヤフラムを形成するにあたり、前
記半導体基板に異方性エッチングによって起歪ダイヤフ
ラム用の凹部を設け、この凹部の内側面をイオン注入に
よって非晶質化した後、この非晶質化層を弗酸および硝
酸を主成分とする強酸系シリコンエッチング液でエッチ
ング除去することにより前記凹部の底面と壁面とが交差
するコーナエッジ部を曲面形成することを特徴とする半
導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25230688A JPH0298972A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25230688A JPH0298972A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298972A true JPH0298972A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17235416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25230688A Pending JPH0298972A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264292B1 (ko) * | 1990-09-26 | 2000-08-16 | 이누이 도모지 | 구조체와 그 제조방법 |
| JP2016159421A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体デバイス、電子機器および移動体 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25230688A patent/JPH0298972A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264292B1 (ko) * | 1990-09-26 | 2000-08-16 | 이누이 도모지 | 구조체와 그 제조방법 |
| JP2016159421A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体デバイス、電子機器および移動体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5283459A (en) | Semiconductor sensor including an aperture having a funnel shaped section intersecting a second section | |
| US5484073A (en) | Method for fabricating suspension members for micromachined sensors | |
| EP0394664B1 (en) | Improved semiconductor pressure sensor means and method | |
| JP3506932B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2508928B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2000155030A (ja) | 角速度センサの製造方法 | |
| JPH0298972A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS6013314B2 (ja) | 圧力−電気信号変換装置 | |
| JP2000022168A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| CN108760100A (zh) | 一种差压压力传感器的制备方法 | |
| JPH08248061A (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPS6260270A (ja) | 圧力センサのダイアフラム形成法 | |
| JPH06221945A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP3055508B2 (ja) | 圧力検出器の製造方法 | |
| JPS59169184A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH07101743B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH03284871A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5852882A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH01261872A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH10111202A (ja) | 複合メサ構造並びにその形成方法、及びこれを用いた複合メサ型ダイアフラム並びに圧力センサ | |
| JP3122494B2 (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH1098201A (ja) | 圧力センサー用基板とその製造方法及びそれに用いるマスク | |
| JPS6083335A (ja) | ウエハ−の加工法 | |
| JPH05335197A (ja) | 半導体結晶基板の位置合わせ方法と合わせマーク形状 | |
| JPH06307955A (ja) | 圧力センサ用ダイヤフラム及びその製造方法 |