JPH0375748A - ホトマスクの欠陥修正方法及びホトマスク - Google Patents
ホトマスクの欠陥修正方法及びホトマスクInfo
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- JPH0375748A JPH0375748A JP1211374A JP21137489A JPH0375748A JP H0375748 A JPH0375748 A JP H0375748A JP 1211374 A JP1211374 A JP 1211374A JP 21137489 A JP21137489 A JP 21137489A JP H0375748 A JPH0375748 A JP H0375748A
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- JP
- Japan
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- defect
- photomask
- defects
- objective lens
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 112
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 17
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造に用いられるホトマスクの修正方
法及びそのホトマスクに関するものである。
法及びそのホトマスクに関するものである。
（従来の技術）
従来、ホトマスクの欠陥修正装置（以下、修正装置とい
う）における欠陥修正作業は、以下のように行っていた
。即ち、 まず、ホトマスクの比較欠陥検査袋Ｗ（以下、欠陥検査
装置という）によってホトマスクを走査して欠陥部分を
検索し、その欠陥のサイズ（例えば、Ｓ、 Ｍ、 Ｌ
）及びそれが存在する位置（座！りデータを、ＣＰＵ
（中央処理装置）に接続されるメモリに記憶する０次に
、その記憶したデータをもとに修正装置のステージを移
動させ、確認用対物レンズの中心に欠陥部分を合わせ、
その位置を確認してから修正を行う。
う）における欠陥修正作業は、以下のように行っていた
。即ち、 まず、ホトマスクの比較欠陥検査袋Ｗ（以下、欠陥検査
装置という）によってホトマスクを走査して欠陥部分を
検索し、その欠陥のサイズ（例えば、Ｓ、 Ｍ、 Ｌ
）及びそれが存在する位置（座！りデータを、ＣＰＵ
（中央処理装置）に接続されるメモリに記憶する０次に
、その記憶したデータをもとに修正装置のステージを移
動させ、確認用対物レンズの中心に欠陥部分を合わせ、
その位置を確認してから修正を行う。
つまり、欠陥検査装置での検査スタートポイントを、修
正装置のリファレンスポイントに指定する。その指定が
終了すると、押釦を押す毎に、ステージが自動的に欠陥
付近に順次移動する０次に、修正装置に付いている確認
用対物レンズを適当な倍率のものに交換して欠陥を検索
し、欠陥修正を行うようにしていた。
正装置のリファレンスポイントに指定する。その指定が
終了すると、押釦を押す毎に、ステージが自動的に欠陥
付近に順次移動する０次に、修正装置に付いている確認
用対物レンズを適当な倍率のものに交換して欠陥を検索
し、欠陥修正を行うようにしていた。
前記欠陥の確認は、確認用対物レンズの倍率（Ｘ５．
ｘｌＯ，ｘ５０． ｘ１５０等）を換えてピントを合わ
せＣＲＴ （モニタ）を見ながら行うようにしていた。
ｘｌＯ，ｘ５０． ｘ１５０等）を換えてピントを合わ
せＣＲＴ （モニタ）を見ながら行うようにしていた。
（発明が解決しようとする課！Ｉり
しかしながら、上記した従来のホトマスクの欠陥修正方
法では、欠陥検査装置による検査スタートポイント（位
置）と修正装置のリファレンスポイントとの位置決めを
マニュアルで指定しているため、微差などによりこの検
査スタートポイントとリファレンスポイントとの位置を
正確に合わせることができず、リファレンスポイント時
点で位置ズレが生じる。従って、欠陥検索時、確認用対
物レンズの中心に欠陥を位置させることができなかった
。
法では、欠陥検査装置による検査スタートポイント（位
置）と修正装置のリファレンスポイントとの位置決めを
マニュアルで指定しているため、微差などによりこの検
査スタートポイントとリファレンスポイントとの位置を
正確に合わせることができず、リファレンスポイント時
点で位置ズレが生じる。従って、欠陥検索時、確認用対
物レンズの中心に欠陥を位置させることができなかった
。
このことから、欠陥のサイズが小さい場合は、ステージ
は欠陥付近に移動するだけであって、欠陥はステージ中
心に位置しているわけではないので、低倍率の確認用対
物レンズでは、肉眼で欠陥を発見し難く、また高倍率の
ものでは逆に視野に入らないことが多いという問題点が
あった。
は欠陥付近に移動するだけであって、欠陥はステージ中
心に位置しているわけではないので、低倍率の確認用対
物レンズでは、肉眼で欠陥を発見し難く、また高倍率の
ものでは逆に視野に入らないことが多いという問題点が
あった。
要するに、ホトマスクに高倍率のｌｉ！認用対物レンズ
でしか確認できないような小さな欠陥のみが存在してい
る場合、もちろん低倍率の確認用対物レンズでは確認で
きないので、確認用対物レンズの倍率を上げることにな
る。しかし、欠陥がもともとモニタの中心にないため、
高倍率の確認用対物レンズに切り換えた時点でモニタか
ら外れ（視野に入らず）、結局、高倍率の確認用対物レ
ンズで隅から隅まで走査検査＜ｍ！！＞するという作業
が必要となり、多くの時間を要していた。
でしか確認できないような小さな欠陥のみが存在してい
る場合、もちろん低倍率の確認用対物レンズでは確認で
きないので、確認用対物レンズの倍率を上げることにな
る。しかし、欠陥がもともとモニタの中心にないため、
高倍率の確認用対物レンズに切り換えた時点でモニタか
ら外れ（視野に入らず）、結局、高倍率の確認用対物レ
ンズで隅から隅まで走査検査＜ｍ！！＞するという作業
が必要となり、多くの時間を要していた。
本発明は、以上述べたホトマスク欠陥修正作業時の欠陥
ｉｉ！時に、欠陥サイズが小さい場合、低倍率の対物レ
ンズでは肉眼で発見し難いという問題点を除去し、高倍
率の対物レンズで欠陥を発見することができ、欠陥修正
作業時の欠陥検索を迅速、かつ的確に行い得るホトマス
クの欠陥修正方法及びホトマスクを提供することを目的
とする。
ｉｉ！時に、欠陥サイズが小さい場合、低倍率の対物レ
ンズでは肉眼で発見し難いという問題点を除去し、高倍
率の対物レンズで欠陥を発見することができ、欠陥修正
作業時の欠陥検索を迅速、かつ的確に行い得るホトマス
クの欠陥修正方法及びホトマスクを提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、半導体製造に用
いるホトマスク製造工程におけるホトマスクの欠陥修正
方法において、予めホトマスクに比較的大きなサイズの
擬似欠陥を形成し、欠陥検査装置により全ての欠陥のサ
イズ及び位置を記憶し、欠陥検査装置における検査スタ
ートポイントを欠陥修正装置のリファレンスポイントに
位置決めし、低倍率の対物レンズを用いて大きいサイズ
の欠陥を検索して修正し、更に、小さいサイズの欠陥が
存在する場合には、前記擬似欠陥を基準にして欠陥修正
装置のステージの位置を補正し、高倍率の対物レンズに
交換し、小さいサイズの欠陥を検索して修正するように
したものである。 また、ホトマスクの欠陥検査範囲内
に欠陥確認を行うための比較的大きなサイズの擬似欠陥
を形成するようにしたものである。
いるホトマスク製造工程におけるホトマスクの欠陥修正
方法において、予めホトマスクに比較的大きなサイズの
擬似欠陥を形成し、欠陥検査装置により全ての欠陥のサ
イズ及び位置を記憶し、欠陥検査装置における検査スタ
ートポイントを欠陥修正装置のリファレンスポイントに
位置決めし、低倍率の対物レンズを用いて大きいサイズ
の欠陥を検索して修正し、更に、小さいサイズの欠陥が
存在する場合には、前記擬似欠陥を基準にして欠陥修正
装置のステージの位置を補正し、高倍率の対物レンズに
交換し、小さいサイズの欠陥を検索して修正するように
したものである。 また、ホトマスクの欠陥検査範囲内
に欠陥確認を行うための比較的大きなサイズの擬似欠陥
を形成するようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、ホトマスクの欠陥修
正作業時における欠陥検索時において、修正するホトマ
スクのデバイス機能に問題のない箇所に比較的大きな擬
似欠陥（目印となるパターン）を設ける。これにより、
低倍率の対物レンズのでは発見不可能な小さな欠陥が存
在する場合でも、高倍率のｖｌ認用対物レンズにホトマ
スク上に設けた擬似欠陥をステージ中心に位置補正する
ことにより、小さな欠陥もステージ中心に移動させるこ
とができる。つまり、高倍率の対物レンズにした場合で
も、小さな欠陥を確実に視野内に入れることができ、迅
速、かつ的確にその欠陥を検索することができる。
正作業時における欠陥検索時において、修正するホトマ
スクのデバイス機能に問題のない箇所に比較的大きな擬
似欠陥（目印となるパターン）を設ける。これにより、
低倍率の対物レンズのでは発見不可能な小さな欠陥が存
在する場合でも、高倍率のｖｌ認用対物レンズにホトマ
スク上に設けた擬似欠陥をステージ中心に位置補正する
ことにより、小さな欠陥もステージ中心に移動させるこ
とができる。つまり、高倍率の対物レンズにした場合で
も、小さな欠陥を確実に視野内に入れることができ、迅
速、かつ的確にその欠陥を検索することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す比較的大きな擬似欠陥を
形成したホトマスクの平面図である。
形成したホトマスクの平面図である。
図中、１はホトマスク、２はマスクパターン、３は修正
装置のリファレンスポイント（欠陥検査装置のスタ、−
トポインド）、４は本発明の特徴であるホトマスクのデ
バイス機能に問題のない箇所に形成される比較的大きな
擬似欠陥（目印となるパターン）、例えば寸法２０〜３
０μｍ０．５は小さな欠陥である。
装置のリファレンスポイント（欠陥検査装置のスタ、−
トポインド）、４は本発明の特徴であるホトマスクのデ
バイス機能に問題のない箇所に形成される比較的大きな
擬似欠陥（目印となるパターン）、例えば寸法２０〜３
０μｍ０．５は小さな欠陥である。
なお、ここで、ホトマスク上に低倍率の確認用対物レン
ズで確認できるものと、できないものとが混在している
場合は、初めに確認できる大きな欠陥の確認時点で、ス
テージ位置補正を行っておき、その後、確認できない小
さな欠陥（例えば、１μｍ０位のサイズの欠陥）を確認
するようにしている。このステージ位置補正に際しては
、確認用対物レンズ（モニタ）に設けられている合わせ
マーク（中心位置マーク）（×印等）に、大きな欠陥の
中心を合わせるようにすればよい。
ズで確認できるものと、できないものとが混在している
場合は、初めに確認できる大きな欠陥の確認時点で、ス
テージ位置補正を行っておき、その後、確認できない小
さな欠陥（例えば、１μｍ０位のサイズの欠陥）を確認
するようにしている。このステージ位置補正に際しては
、確認用対物レンズ（モニタ）に設けられている合わせ
マーク（中心位置マーク）（×印等）に、大きな欠陥の
中心を合わせるようにすればよい。
次に、本発明の実施例を示すホトマスクの欠陥修正方法
について、第２図を参照しながら詳細に説明する。
について、第２図を参照しながら詳細に説明する。
（１）まず、ホトマスク１に比較的大きなサイズの擬似
欠陥４を形成したホトマスクを用意する（ステップ■）
。
欠陥４を形成したホトマスクを用意する（ステップ■）
。
（２）欠陥検査装置により、全ての欠陥のサイズ及び位
置を記憶する（ステップ■）。
置を記憶する（ステップ■）。
（３）記憶したデータを欠陥修正装置に入力し、欠陥検
査装置における検査スタートポイントを、修正装置のリ
ファレンスポイント３に位置決めする（ステップ■）、
つまり、欠陥検査装置での検査スタートポイントを、修
正装置のリファレンスポイントに指定する。
査装置における検査スタートポイントを、修正装置のリ
ファレンスポイント３に位置決めする（ステップ■）、
つまり、欠陥検査装置での検査スタートポイントを、修
正装置のリファレンスポイントに指定する。
（４）低倍率の確認用対物レンズを用いて、修正装置に
設けられた押釦を操作し、前記した欠陥検査装置により
得られた位置データに基づいて、自動的に順次、大きい
サイズの欠陥を検索して修正する（ステップ■）。
設けられた押釦を操作し、前記した欠陥検査装置により
得られた位置データに基づいて、自動的に順次、大きい
サイズの欠陥を検索して修正する（ステップ■）。
なお、もともと大きいサイズの欠陥であれば発見し易く
、つまり検索も容易であり、修正も問題なく行うことが
できる。
、つまり検索も容易であり、修正も問題なく行うことが
できる。
〈５〉更に、小さいサイズの欠陥が存在するか否かを判
断する（ステップ■）。
断する（ステップ■）。
（６）その結果、小さいサイズの欠陥が存在する場合に
は、前記擬似欠陥４を基準にして修正装置のステージの
位置決めを行い、修正装置（ステージ）の位置を補正す
る（ステップ■）。
は、前記擬似欠陥４を基準にして修正装置のステージの
位置決めを行い、修正装置（ステージ）の位置を補正す
る（ステップ■）。
（７）高倍率のｌｉ１！認用対動用対物レンズする（ス
テップ■）。
テップ■）。
（８〉修正装置に設けられる押釦を操作し、前記欠陥検
査装置により得られた位置情報に基づいて、小さいサイ
ズの欠陥を検索して修正する（ステップ■）。
査装置により得られた位置情報に基づいて、小さいサイ
ズの欠陥を検索して修正する（ステップ■）。
このように、欠陥検査装置での検査スタートポイントを
修正装置のリファレンスポイントに指定すると、最初の
欠陥が存在する位置へステージが移動する。ホトマスク
上に存在するある欠陥が、低倍率の対物レンズでは発見
し難い場合、まず、擬似欠陥にステージを移動させ、低
倍率の確認用対物レンズで確認し、擬似欠陥と１！認用
対物レンズ内にみられる合わせマーク（図示なし）とを
−致させてステージの位置を補正し、その後、確認用対
物レンズを高倍率に切り換え、ステージ中心に位置を補
正をする。続いて、前回発見できながった小さな欠陥５
にステージを移動させる。これにより、高倍率の確認用
対物レンズで小さい欠陥を確実に発見することが可能と
なる。
修正装置のリファレンスポイントに指定すると、最初の
欠陥が存在する位置へステージが移動する。ホトマスク
上に存在するある欠陥が、低倍率の対物レンズでは発見
し難い場合、まず、擬似欠陥にステージを移動させ、低
倍率の確認用対物レンズで確認し、擬似欠陥と１！認用
対物レンズ内にみられる合わせマーク（図示なし）とを
−致させてステージの位置を補正し、その後、確認用対
物レンズを高倍率に切り換え、ステージ中心に位置を補
正をする。続いて、前回発見できながった小さな欠陥５
にステージを移動させる。これにより、高倍率の確認用
対物レンズで小さい欠陥を確実に発見することが可能と
なる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ホトマ
スク上に比較的大きな擬似欠陥を設けることにより、ホ
トマスクの欠陥修正作業時における欠陥検索時において
、小さな欠陥をも迅速、かつ的確に検索することができ
る。従って、ホトマスクの欠陥修正作業効率、及び信頼
性の向上を図ることができる。
スク上に比較的大きな擬似欠陥を設けることにより、ホ
トマスクの欠陥修正作業時における欠陥検索時において
、小さな欠陥をも迅速、かつ的確に検索することができ
る。従って、ホトマスクの欠陥修正作業効率、及び信頼
性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の実施例を示す比較的大きな擬似欠陥を
形成したホトマスクの平面図、第２図は本発明の実施例
を示すホトマスクの欠陥修正方法を示すフローチャート
である。 ・１・・・ホトマスク、２・・・マスクパターン、３・
・・修正装置のリファレンスポイント（欠陥検査装置の
スタートポイント）、４・・・比較的大きな擬似欠陥（
目印となるパターン）、５・・・小さな欠陥。
形成したホトマスクの平面図、第２図は本発明の実施例
を示すホトマスクの欠陥修正方法を示すフローチャート
である。 ・１・・・ホトマスク、２・・・マスクパターン、３・
・・修正装置のリファレンスポイント（欠陥検査装置の
スタートポイント）、４・・・比較的大きな擬似欠陥（
目印となるパターン）、５・・・小さな欠陥。
Claims (2)
- （１）半導体製造に用いるホトマスク製造工程における
ホトマスクの欠陥修正方法において、（ａ）予めホトマ
スクに比較的大きなサイズの擬似欠陥を形成し、 （ｂ）欠陥検査装置により全ての欠陥のサイズ及び位置
を記憶し、 （ｃ）前記欠陥検査装置における検査スタートポイント
を欠陥修正装置のリファレンスポイントに位置決めし、 （ｄ）低倍率の対物レンズを用いて大きいサイズの欠陥
を検索して修正し、 （ｅ）更に、小さいサイズの欠陥が存在する場合には、
前記擬似欠陥を基準にして前記欠陥修正装置のステージ
の位置を補正し、 （ｆ）高倍率の対物レンズに交換し、 （ｇ）小さいサイズの欠陥を検索して修正することを特
徴とするホトマスクの欠陥修正方法。 - （２）ホトマスクの欠陥検査範囲内に欠陥確認を行うた
めの比較的大きなサイズの擬似欠陥を具備することを特
徴とするホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211374A JPH0375748A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ホトマスクの欠陥修正方法及びホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211374A JPH0375748A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ホトマスクの欠陥修正方法及びホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375748A true JPH0375748A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16604905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211374A Pending JPH0375748A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | ホトマスクの欠陥修正方法及びホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150133893A1 (en) * | 2010-03-26 | 2015-05-14 | Terumo Kabushiki Kaisha | Method of indwelling a needle assembly |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1211374A patent/JPH0375748A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150133893A1 (en) * | 2010-03-26 | 2015-05-14 | Terumo Kabushiki Kaisha | Method of indwelling a needle assembly |
| US9265915B2 (en) * | 2010-03-26 | 2016-02-23 | Terumo Kabushiki Kaisha | Method of indwelling a needle assembly |
| US9700671B2 (en) * | 2010-03-26 | 2017-07-11 | Terum Kabushiki Kaisha | Indwelling assembly |
| US11229742B2 (en) * | 2010-03-26 | 2022-01-25 | Terumo Kabushiki Kaisha | Indwelling assembly |
| US20220096741A1 (en) * | 2010-03-26 | 2022-03-31 | Terumo Kabushiki Kaisha | Indwelling assembly |
| US11779700B2 (en) * | 2010-03-26 | 2023-10-10 | Terumo Kabushiki Kaisha | Indwelling assembly |
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