JPH0374920A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH0374920A
JPH0374920A JP21199989A JP21199989A JPH0374920A JP H0374920 A JPH0374920 A JP H0374920A JP 21199989 A JP21199989 A JP 21199989A JP 21199989 A JP21199989 A JP 21199989A JP H0374920 A JPH0374920 A JP H0374920A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、弾性表面波装置に係るもので、特にスペクト
ラム拡散通信方式に用いられる弾性表面波コンボルバの
改良に関するものである。
[発明の概要] 本発明は、速度分散性をもつ圧電基板を用いた弾性表面
波コンボルバにおいて、動作周波数帯域内の各周波数成
分に対する実効的な積分時間長を等しくすることにより
1弾性表面波コンボルバの琵み込み積分動作を理想状態
に近づけ、スプリアス特性を教養するようにしたもので
ある。
[従来の技術] 弾性表面波(S A W )素子については、現在、幅
広い応用と研究開発がなされており、特に実時間間畳み
込み積分機能を持つSAWコンボルバは、例えば民生の
次世代通信方式ヒ期待されているスベグ1−ラム拡散(
S S)通俗方式の復調器における主要なデバイスとし
て注目されている。 このSS通信方式では、搬送波が
疑似鈍を符号(I)Ncode )によって広い周波数
帯域に拡散されるため、SAWコンボルバとしては、広
帯域の周波数特性を持ってり、Nることが要求される。
上記SAWコンボルバの県木的な構造は、第7図に示す
ように、圧電基板1上に形成した2つの入力くし型電極
2,2′と、モの間に形成されl辷出力ゲート電極3と
から成る2畳み込み積分動作は、2つの入力信号f(t
)、g(t)がそれぞれ入力くし型電極2,2′によっ
てSAWに変換され5亙いに逆方向に串カゲー]−電極
下部の相互作用領域を伝搬り1、弾性的非線形性あるい
は半導体の非線形性を利用して掛は算され、グー1−電
極によって積分することにより行われる。
ヒ記SAWフンボルバは、その構造から3棟類に大別さ
れ、弾性的非線形性を利用したエラスティックコンボル
バ、圧電体ヒ半遵体を微少ギャップを介して近接させ、
半溝体中の非線形性を利用するエアーギャップ型コンボ
ルバ、ぞして半通体基板Hに圧電薄膜を積層してモノリ
シック化したモノリシック型コンボルバとして知られて
いる。
この中で最も有利な構造は、高効率の得られる半導体の
非線形性を利用し、微少なギャップを不要とするモノリ
シック型であると考えられる。
[発明が解決しようとする課題] ところが、上記モノリシック型コンボルバの場合、膏速
の異なる複数種の材料で構成された層構造圧電基板が周
波数によってSAWの跨速が異なる速度分散性を持つブ
とめ、動作周波数帯域が制限され、広帯域化が難しいこ
いう問題がある。
更に従来構造のSAWコンボルバでは、積分動作を行う
出力ゲート電極が単一の矩形状あるいはSAWの伝搬方
向に並行し、かつ長さが等しい複数のストリップ状電極
であるため、広い周波数帯域では実効的な積分時間長が
周波数によって異なり、スプリアス特性わ劣化させる原
因ヒなっている。
これに対し、第8図に示すように5人力くし型電極指の
ピッチをSAWの伝搬方向に沿って連続的に変化させ、
周波数に対思してSAWの励振位置を変えたチャーブ型
電極2,2′を入力トランスデま・−ザとして速度分散
を補償する構造も提案されているが。本質的にすべての
帯域内周波数成分に対して同一の伝搬路を共有している
ため1.積分時間長が周波数によって異なる現象は回避
できない。
[発明の目的] 本発明は、h記問題についてなされたものであって、速
度分散性を持つ圧電基板を用いたSAWコンボルバにお
いて、理想豹な畳み込み積分動作が可能ヒなるようにし
た弾性表面波装置を得るここを目的としているものであ
る。
[課題を解決するための平段] 本発明は、1対の入力!・ランスデューサおよびその間
の出力ゲーi−電極を備え5弾性表面波の帝速が周波数
の関数V(ω)となる速度分散性を持った圧電基板を用
い、前記入力トランスデューサが速度分散性を補償し、
かつ弾性表面波伝搬方向と直角方向に弾性表面波の周波
数を分布させるように構成きれた弾性表面波コンボルバ
において。
上記1対の入力トランスデューサ間の距離が上記直角方
向で異なるようにすると共に、上記出力ゲート電極の弾
性表面波伝搬方向の長さが上記直角方向で異なるように
構成することにより、上述した問題点の解決を図ったも
のである。
[作用] 上記構成の弾性表面波装置においては、出力ゲート電極
の弾性表面波伝搬方向の長さが弾性表面波の伝搬方向と
直角方向に異なる構成となっているので、実効的な積分
時間長は全動作周波数帯域内でほぼ一定とされる。
[実施例] 以下、本発明を各種の実施例を示す図面に基づいて具体
的に説明する。
第1A図は本発明の一実施例を示す、ここで圧電基板1
は、例えば圧電膜/絶縁膜/半導体の層状構造で、速度
分散性を持つ。
本実施例では、第1A図および第1B図に示すように、
全体の動作周波数帯域を分割し、それぞれの周波数領域
の中心ω1.ω2.ω、を中心周波数とする入力くし型
電極5a・5a’、5b・5b’5c・5c’ を図示
の如く、それぞれ”21#QN923の距離で配置する
ことで、周波数成分の異なるSAWの伝搬路をチャネル
に分離する、いわゆるフィルタバンク型の構成を用いて
いる。また、出力ゲート電極6はSAW伝搬方向の長さ
がチャネル毎に、L工、L、、L、 と異なる。
ここで、SAWの音速を周波数ωの関数V(ω)として
表せば、同一中心周波数を持つ入力くし型電力5 a5
 a’間、5b−5b’間、 5 c・5 c’間の距
離Q1.Q、、Q、は ■(ω1)■(ω2)■(ω、) (ただし、では所望の遅延時間長)となるように決定さ
れ、これにより速度分散による遅延時間特性を補償する
ことができる。また、これと同時に、各チャネル上の出
力ゲート電極長り、、L2.L、も(ただし、Tは所望
の積分時間)となるように決められ、これにより実効的
な積分時間長を全動作周波数帯域内でほぼ一定とするこ
とができる。
本実施例では、説明を容易にするため、チャネル数を少
なくしているが、分割数を多くするほど速度分散の補償
効果および実効的な積分時間長の帯域内均一性は向上す
る。
前記実施例では、出力ゲート電極6の端部を段階状に変
化させたものであるが、形状を単純化するために、第1
C図に示すように、ゲート電極6′の端部を連続に変化
させても、少なくともチャネル中央部での端部間距離が
、前述した条件を満たせば、前記と同等の効果を得られ
る。
また、第1D図および第1E図に示すように。
出力ゲート電極をチャネル毎に分離し、複数のストリッ
プ状構造とした電極6”、6”′にすれば、導波効果に
よって、チャネル間のクロストークの抑圧効果を得るこ
とができる。
第2A図は、入力トランスデューサとしてSAWの伝搬
方向に直角な方向に連続的に電極指のピッチが変化する
、いわゆる斜め電極指7,7′を用いた実施例を示す、
この場合、電極指で励振されるSAWの周波数は、図中
y方向に連続的に分布し、w (y)として表すことが
できる。ここで。
電極7,7′の中心線をSAW伝搬方向に平行に結んだ
距離Q (y)が。
處(y) v (w(y)) (ただし、τは所望の遅延時間)となるように、電極指
の中心を傾斜させることで、速度分散性を補償すること
が可能であるが、同時に出力ゲート電極8のSAW伝搬
方向の端部を。
v  (w(y)) (ただし、Tは所望の積分時間)となるように変化させ
ることにより、前記第1実施例と同様に、帯域内の積分
時間長を均一にすることができる。
本実施例の場合も、第2B図に示すように、出力ゲート
電極端部をy方向に沿って不連続に変化させた電極8′
の使用が可能であり、その場合、L (y)が一定とな
る領域はSAW伝搬方向に平行であり、かつL(y)は
その領域の中心のyに対するSAWの周波数w (y)
に対して更に、前記第1実施例と同様に、出力ゲート電
極をSAWの伝搬方向と平行な領域に分離し、導波効果
による領域間のクロス!−−−りを抑圧する効果を利用
するこヒも有効である、 第3A図は、速度分散の補償および広帯域化の効果をね
らったチャープ型電極9a・9a’、9b・91)′ 
を入力トランスデューサとして用い、第3B図に示すよ
うに、周波数帯域をずらして2つ並列配置1ノた入力電
極を利用した実施例である。なお、11..1−2はそ
れぞれ入力電極9a・9a’9b・9b’の周波数特性
を示す、この場合、出力ゲート電極10のSAW伝搬方
向の長さLl、L。
は、2つのチャネルを伝搬するSAWそれぞれの周波数
領域の中心での周波数wi、 W、に対してv  (w
、)    v  (w鰍)さなるように決め亀れる。
また、前記第1実施例と同様に、出力ゲート電極に対し
、第1C図、第1D図、第1E図に示した形状が可能で
あり、チャネルの分割数も2つ以」二であればよい。
第4図は、傾斜型チャープ電極13.1.3′を用いた
実施例であり、出力ゲート電極14については、第2A
図および第2B図の実施例と同様な記述が適用される。
前述した各実施例において、出力ゲー(・電極のSAW
入射端は、いずれもの場合もSAW伝搬方向に直角な方
向に直線状となっていないため、SAW波面が歪む可能
性がある。そこで1例えば第5図および第6図に示すよ
うに、出力ゲート電極15.16において、そのy方向
に直線状をなし、SAWの伝搬路上での金属部分の長さ
が、いずれのチャネルでも一定となり、かつ出力ゲート
電極上は接触しないダミー電極17.17’18.18
’ をゲート電極と入力電極間に配置した構造によって
、前記波面の歪みを防ぐことが可能である。
[発明の効果] 速度分散性を持つ基板を利用したSAWコンボルバに対
して、SAWの周波数に応じた励振位置の変化による補
償のみでは、理想的なコンボルバの動作は実現しないが
、本発明によれば、全動作周波数帯域で各周波数成分に
対する積分時間長が均一化されることにより、理想的な
企み込み積分動作が可能となる。
ルバの平面図、第1B図はくし型電極の周波数特性、第
1C図、第1.D図および第1E図は出力ゲート電極の
変形例を示す平面図、第2A図は他の実施例を示すSA
Wコンボルバの平面図、第2B図は出力ゲート電極の変
形例を示す平面図、第3A図は他の実施例を示すSAW
コンボルバの平面図、第38図はSAWの波形図、第4
図は他の実施例を示すSAWコンボルバの平面図、第5
図および第6図はそれぞれ出力ゲート電極にダミー電極
を組み付けた場合の平面図、第7図は従来の基本約SA
Wコンボルバの斜視図、第8図はチャープ型電極を用い
たSAWコンボルバの平面図である。
1、−−−−−−−−−圧電基板、5 a 、 5 a
’、 5 b 、 5 b’5c、5c’・・・・・・
・・・くし型電極、6.6’ 、6”6”’、8,10
.14,15.16・・・・・・・・・出力ゲート電極
、7,7′・・・・・・・・・斜め電極指、9a、9a
″9b、9b’・・・・・・・・・チャープ型電極、1
3.13’・・・・・・・・・傾斜型チャープ電極、1
7.17’ 、16゜16′・・・・・・・・・ダミー
電Ili。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1対の入力トランスデューサおよびその間の出力
    ゲート電極を備え、弾性表面波の音速が周波数の関数v
    (ω)となる速度分散性を持った圧電基板を用い、前記
    入力トランスデューサが速度分散性を補償し、かつ弾性
    表面波伝搬方向と直角方向に弾性表面波の周波数を分布
    させる弾性表面波コンボルバにおいて、前記1対の入力
    トランスデユーサ間の距離が前記直角方向で異なるよう
    に構成され、かつ前記出力ゲート電極の弾性表面波伝搬
    方向の長さが前記直角方向で異なるように構成されてい
    ることを特徴とする弾性表面波装置。
  2. (2)1対の入力トランスデューサおよびその間の出力
    ゲート電極を備え、弾性表面波の音速が周波数の関数v
    (ω)となる速度分散性を持った圧電基板を用い、前記
    入力トランスデューサが速度分散性を補償し、かつ弾性
    表面波伝搬方向と直角方向に弾性表面波の周波数を分布
    させる弾性表面波コンボルバにおいて、前記入力トラン
    スデューサが、並設された複数組のトランスデューサで
    形成され、各組の左右入力トランスデューサ間の距離は
    異なり、入力トランスデューサ間に配置された出力ゲー
    ト電極は弾性表面波の伝搬方向の直角方向で長さが異な
    るように構成されていることを特徴とする弾性表面波装
    置。
  3. (3)1対の入力トランスデューサおよびその間の出力
    ゲート電極を備え、弾性表面波の音速が周波数の関数v
    (ω)となる速度分散性を持った圧電基板を用い、前記
    入力トランスデューサが速度分散性を補償し、かつ弾性
    表面波伝搬方向と直角方向に弾性表面波の周波数を分布
    させる弾性表面波コンボルバにおいて、前記1対の入力
    トランスデューサ間の距離が前記直角方向で異なるよう
    に構成され、かつ前記出力ゲート電極の長さが前記直角
    方向で異なると共に形状が見掛け上、矩形状となるよう
    に両側にダミー電極が配置されていることを特徴とする
    弾性表面波装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235235A (en) * 1991-05-24 1993-08-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multiple-frequency acoustic wave devices for chemical sensing and materials characterization in both gas and liquid phase
JP2005217709A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd Sawマッチドフィルタ、及びこれを用いた送信機と受信機

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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