JPH0373910A - 光走査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、光走査装置に関する。

［従来の技術］ 光走査装置は光束の走査により情報の書込みを行うため
の装置として知られ、レーザープリンターやレーザーフ
ァクシジリ、レーザー製版機、デジタル複写機等に用い
られている。

従来の光走査装置には大別して、ｆθレンズを用いて等
速的な光走査を行う等速走査型のものと、ｆθレンズ等
の特殊な結像レンズ系を用いないポストオブジェクティ
ブ型光走査装置が知られている（例えば特開昭６０−１
３３４１４号公報）。

［発明が解決しようとする課題］ これら等速走査型の光走査装置においてもポストオブジ
ェクティブ型の光走査装置においても、近来、より高密
度でより広い走査領域を光走査することが意図されてい
る。このような高密度・広走査領域の光走査を良好に行
うためには走査領域を走査する光スポットのスポット径
が走査領域全域にわたって変動せず安定していることが
極めて重要である。

光スポットのスポット径を変動させる原因となるものは
、光スポットを結像させるための結像光学系による主・
副走査方向の像面湾曲である。

従来の光走査装置は等速走査型のものもポストオブジェ
クティブ型のものも、像面湾曲のうち主走査方向のもの
に就いては良好に補正されており、副走査方向の像面湾
曲も４ＱＯｄｐｉ程度のドツト密度の光走査に対しては
スポット径変動が問題とならない程度に補正されている
。

しかし主走査方向の像面湾曲を十分良好に補正した状態
に於いて４ＱＯｄｐｉよりも更に高いドツト密度での光
走査に対してスポット径変動が問題とならない程度に、
副走査方向の像面湾曲を補正することは結像光学系の設
計上極めて困難である。

本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、
その目的とする所は上記スポット径の変動を有効に軽減
し、印字品質に優れた良好な光走査が可能な新規な光走
査装置の提供にある。

［課題を解決するための手段］ 以下、本発明を説明する。

まず請求項１の光走査装置に就き説明する。

請求項１の光走査装置は「可変焦点半導体レーザー光源
と、コリメートレンズと、偏向手段と、第１および第２
の結像光学系と、制御手段」とを有する。

「可変焦点半導体レーザー光源」は、放射レーザー光束
の放射角を放射光軸に直交する特定の方向に於いて変化
させることができるレーザー光源である。放射光軸とは
放射されるレーザー光束の光束断面の中心を通り光束断
面に直交する軸を言う。この可変焦点半導体レーザー光
源は上記特定の方向（以下、放射角可変方向という）を
光走査に於ける副走査方向に対応させて配備される。従
って放射光軸とこの放射角可変方向とに直交する方向は
主走査方向に対応させられる。

「コーリメートレンズ」は、この可変焦点半導体レーザ
ー光源からの光束を、放射光軸と上記放射角可変方向と
に直交する方向、即ち主走査対応方向に於いて略平行化
する。従ってコリメートレンズから射出する光束は、主
走査対応方向に関しては略平行であり、副走査対応方向
に関しては集束性もしくは発散性である。

「偏向手段」は、コリメートレンズからの光束を偏向反
射面により反射させ、反射光束を主走査対応方向へ偏向
させる。偏向手段としては公知の回転多面鏡、ピラミダ
ルミラー、ガルバノミラ−等を用いることができる。

「第１の結像光学系ｊは、コリメートレンズと偏向反射
面との間に配備されてコリメートレンズからの光束を主
走査対応方向に於いて集束させる。

この第１の結像光学系は、後述する実施例の場合のよう
に２枚のシリンドリカルレンズで構成することもできる
し、球面レンズとシリンドリカルレンズの組合せでも良
く、あるいはアナモフィックな単レンズとすることも可
能である。

「第２の結像光学系」は、偏向反射面と被走査面との間
の被走査面よりの位置に配備され、偏向反射面位置と被
走査面位置を副走査方向に関して幾何光学的に略共役な
関係とする。この第２の結像光学系としては、後述の実
施例の場合のように長尺シリンドリカルレンズを用い得
るほか、トロイダルレンズ等を用いることができる。

「制御手段」は、可変焦点半導体レーザー光源に於ける
放射角可変方向の放射角を光走査に同期して制御する。

上記「偏向反射面」は主走査対応方向に曲率を有してい
る。コリメートレンズからの光束は主走査対応方向に関
しては上記第１の結像光学系と偏向反射面の曲率による
結像作用で被走査面上に結像し、副走査対応方向に関し
ては上記第１および第２の結像光学系の結像作用で被走
査面上に結像する。換言すれば、このような結像条件を
満たすように、第１．第２の結像光学系、偏向反射面相
互の関係が定められている。

制御手段による可変焦点半導体レーザー光源の放射角制
御は、副走査方向の像面湾曲を補正するようにを行われ
る。即ち制御手段によるこの制御は、被走査面に入射す
る光束が偏向手段による偏向角に拘らず常に副走査方向
に於いて被走査面上に結像するように行われる。

なお、情報書込みの際の各ドツト間相互の等間隔性は書
込み信号の画像クロックを電気的に補正して実現する。

次ぎに請求項２の光走査装置に就き説明する。

請求項２の光走査装置は「可変焦点半導体レーザー光源
と、コリメートレンズと、偏向手段と、第１および第２
の結像光学系と、制御手段」とを有する。これらのうち
「可変焦点半導体レーザー光源」と「コリメートレンズ
」は請求項１に於けるものと同様のものが同様の態様で
用いられる。

従ってコリメートレンズから射出する光束は請求項２の
光走査装置に於いても主走査対応方向に関しては略平行
であり、副走査対応方向に関しては集束性もしくは発散
性である。

「偏向手段」は、コリメートレンズからの光束を偏向反
射面により反射させ、反射光束を主走査対応方向へ偏向
させる。偏向手段としては公知の回転多面鏡、ビラミダ
ルくラー、ガルバノミラ−等を用いることができる。し
かし請求項２の光走査装置に於いて偏向手段の偏向反射
面は曲率を持っている必要はない。

「第１の結像光学系」は、コリメートレンズヒ偏向反射
面との間に配備されてコリメートレンズからの光束を主
走査対応方向に長い線像として結像させる。この線像は
ビームラ主ストによるものであり幾何光学的な像ではな
い。

「第２の結像光学系」は、偏向反射面と被走査面との間
に配備され、偏向反射面位置と被走査面位置を副走査方
向に関して幾何光学的に略共役な関係とする。

勿論、コリメートレンズと第１および第２の結像光学系
の作用により被走査面上に光スポットが得られる。

「制御手段」は、可変焦点半導体レーザー光源に於ける
放射角可変方向の放射角を光走査に同期して制御する。

制御手段による可変焦点半導体し−ザー光源の放射角制
御は、副走査方向の像面湾曲を補正するようにを行われ
る。即ち制御手段によるこの制御は、被走査面に入射す
る光束が偏向手段による偏向角に拘らず常に副走査方向
に於いて被走査面上に結像するように行われる。

請求項２の光走査装置の場合、第２の結像光学系として
ｆθレンズ系を用いれば画像クロックの電気的補正は必
ずしも必要ない。

光走査装置では、被走査面上における光スポツト形状を
所望の形状とするためにコリメートレンズからの光束を
規制するアパーチュアの使用が慣用されているが、請求
項１．２の光走査装置においても、この種のアパーチュ
アを用いることができる。

［作　　用コ 請求項１の光走査装置に於いて、光束は主走査対応方向
に関しては第１の結像光学系により被走査面に向かって
集束するが、集束の途上に於いて偏向手段により偏向さ
れる。偏向手段の偏向反射面が平面であると結像点は偏
向の起点を中心として略円弧上を移動し被走査面と合致
しない。そこで主走査方向に関して上記結像点が実質的
に被走査面と合致するように、偏向反射面の曲率が設定
される。これにより光束は主走査方向に関しては第１の
結像光学系と偏向反射面の曲率による結像作用で、実質
的に常に被走査面上に結像する。

また副走査対応方向に関しては光束は第１、第２の結像
光学系の結像作用により被走査面上に結像するが、この
結像に関しては像面湾曲が存在する。この副走査方向の
像面湾曲が制御手段による可変焦点半導体レーザー光源
の放射角制御で補正されるのである。

請求項２の光走査装置でも、被走査面上に得られる光ス
ポットはコリメートレンズと第１及び第２の結像光学系
による光源の像である。その際、第２の結像光学系に対
する直接の光源は主走査対応方向に対しては物体側の無
限遠にあるが、副走査対応方向に対しては第１の結像光
学系による線像が直接の光源である。この線像に対応す
る幾何光学的な光源の位置は偏向反射面近傍にある。

第２の結像光学系による副走査方向の結像に関して存在
する像面湾曲を可変焦点半導体レーザー光源の放射角制
御で補正する。

ここで、本発明の特徴の一端をなす可変焦点半導体レー
ザー光源に就き説明する。

可変焦点半導体レーザーは「電子技術総合研究清報　Ｖ
ＯＬ、５２．９５号　８２〜８３頁」の記載等により既
に知られている。

第４図（１）を参照すると、周知の如く半導体レーザー
ＩＡからは楕円形の光束断面を持つ発散性の光束が放射
される。この楕円形の光束断面の長軸方向をＸ方向、短
軸方向をＹ方向とすると、Ｘ方向は最大発散角θ８に対
応する方向であり、Ｙ方向は最小発散角θ、に対応する
方向である。

可変焦点半導体レーザー光源１は、第３図（ＩＩ）に示
すように半導体レーザー１Ａの放射端面にレンズ部ＩＣ
と電極部ＩＢとを装備してなり、放射レーザー光束の放
射角θ′Ｙ（第４図（Ｉ）の最小発散角θ７に対応する
方向）を電極部ＩＢに外部から印加される電気信号に応
じて変化させることができる。

放射光軸はＸ軸とＹ軸の交点を通り、これら両軸に直交
する軸である。従って第３図（ＩＩ）に於けるＹ方向が
放射角可変方向であり、Ｘ方向は放射角可変方向と放射
光軸とに直交する方向である。

放射角可変方向の放射角θｌを外部からの電気信号に応
じて変化させることができると言うことは、Ｙ方向に就
いての光束即ち放射レーザー光束をＸ方向から見た状態
に於いて光束の発散の実質的起点を光軸方向に変位させ
得ることを意味する。

第４図（ＩＩ）に於いて符号Ｑで示すのが上記発散の実
質的起点であり、以下これを可変焦点半導体レーザー光
源の「焦点」と称する。

放射角θｌを変化させるとこの焦点Ｑが放射光軸上で変
位する。第４図（ＩＩ）では焦点Ｑは可変焦点半導体レ
ーザー光源１の外部に存在するが、場合によ２では焦点
が光源内部に仮想的に存在することもある。

上記放射角可変方向は請求項１．２の発明とも副走査方
向に対応しており、放射角の制御により「焦点」を変位
させるとコリメートレンズと第１および第２の結像光学
系による副走査対応方向の結像作用による像位置は被走
査面の近傍で光軸方向へ変位する。この変位を利用して
副走査方向の像面湾曲の補正を行うのである。

［実施例］ 以下、具体的な実施例に即して説明する。

第１図は、請求項１の発明の１実施例を略示している。

第１図（Ｉ）は、可変焦点半導体レーザー光源１から被
走査面１０に到る光束光路を展開し、これを主走査方向
が上下方向となるように描いたものである。第１図（Ｉ
Ｉ）は、上記展開状態を副走査方向が上下方向となるよ
うに描いたものである。

可変焦点半導体レーザー光源１からの発散性のレーザー
光束はコリメートレンズ３に入射する。

このコリメートレンズ３は、入射してくる発散性の光束
を放射角の変化しない方向に於いて平行化する機能を持
っている。可変焦点半導体レーザー光源ｌは放射角の変
化しない方向（第４図のＸ方向）を主走査方向に対応さ
せているので主走査対応方向に就いて見ると、第５図（
Ｉ）に示すようにコリメートレンズ３から射出する光束
は略平行光束である。副走査対応方向に就いては、コリ
メートレンズ３に入射する光束の放射角即ち第４図のθ
′、が小さいのでコリメートレンズ３から射出する光束
は第５図（ＩＩ）に示すように集束性の光束となる。

第１図に於いて、コリメートレンズ３から射出した光束
は続いてアパーチュア４により光束径を規制され、第１
の結像光学系５に入射する。

第１の結像光学系５は、２枚のシリンドリカルレンズ５
Ａ、　５Ｂにより溝底されている。シリンドリカルレン
ズ５Ａは副走査対応方向にのみ正のパワーを有し、シリ
ンドリカルレンズ５Ｂは主走査対応方向にのみ正のパワ
ーを有する。

第１の結像光学系５を透過した光束は偏向反射面７によ
り反射され、第２の結像光学系９を介して被走査面１０
に入射する。

なお、この実施例に於いて偏向手段としては回転多面鏡
が使用されている。偏向反射面７は主走査対応方向に於
いて、即ち副走査方向から見た形状が曲率を持ち、光束
は主走査対応方向に於いては第１の結像光学系５のシリ
ンドリカルレンズ５Ｂと偏向反射面７の曲率による結像
作用により被走査面１０上に結像する。

前述のようにシリンドリカルレンズ５Ｂと偏向反射面７
の曲率は主走査方向の像面湾曲が良好に補正されるよう
に設定されている。

第２の結像光学系９は、副走査対応方向にのみ正のパワ
ーを持つ長尺シリンドリカルレンズである。

光束は、副走査方向に関してはコリメートレンズ３によ
る線像を直接の光源として第１および第２の結像光学系
５．９の作用により結像するが、第１図（ＩＩ）に実線
で示すように光束が走査領域の中央部に入射するとき被
走査面１０上にスポット状に結像する。従って光束が偏
向反射面７の回転により偏向すると副走査方向には、第
１図（ＩＩＩ）に実線で示すような円弧状の像面湾曲４
１が生ずる。

なお幾何光学的に見ると、第２の結像光学系９は副走査
対応方向に関して偏向反射面７による偏向の起点と被走
査面位置とを互いに共役関係としており、これにより偏
向手段における面倒れの補正を行っている。波面光学的
に見た場合の第１の結像光学系５による集束光束の、副
走査対応方向に於けるビームウェスト位置は偏向反射面
７よりもずっと第２の結像光学系９よりにあり、かなり
大きいため図にはそれと現れていない。しかしこのビー
ムウェストに対応する第２の結像光学系９に対する幾何
光学上の直接の光源位置は偏向反射面７の近傍にある。

さて第５図（ＩＩ）に於いて点Ｐは、第１図（ＩＩ）に
光束を実線で示した状態に於いてシリンドリカルレンズ
５Ａと長尺シリンドリカルレンズ９とにより被走査面１
０と幾何光学的に共役な関係にある点を示している。即
ち第１図（ＩＩ）の上記状態に於いて被走査面１０上に
は点Ｐの像が幾何光学的には結像している。今、可変焦
点半導体レーザー光源１の放射角可変方向の放射角の変
化により焦点が放射光軸方向へ変位した結果、点ＰがＰ
゛の位置までΔの距離を変位したとすると副走査方向に
おける結像位置はシリンドリカルレンズ５Ａと長尺シリ
ンドリカルレンズ９の合成横倍率βを用いて、周知の如
くΔ′・β２△だけずれる。

従って円弧状の像面湾曲４１を偏向角θの関数として、
−Ｗ（θ）と表すと Δ′＝ｗ（θ） を満足するように可変焦点半導体レーザー光源ｌの放射
角制御を行えば副走査方向の像面湾曲を第４図の破線４
２のように良好に補正することができる。

なお上記Δは、コリメートレンズ３の物体側主点と可変
焦点半導体レーザー光源１の発光端面との間の距離をａ
、コリメートレンズ３の後側焦点距離をｆｌ、副走査対
応方向における同光源１からの光束の発散角即ち放射角
をφ、同光源１の放射角可変方向の、発光端面における
光束径を２ｈとし光束を主走査領域の中央部へ集光させ
るときの上記放射角φがＯであるとすると、 △＝（ｆ子・ｔａｎφ）／　（ｈ＋　（ａ−ｆ　ｔ　）
　ｔａｎφ）て゛与えられる。

そこで光走査の同期を取る画像クロックと偏向角θとを
関連づけて、可変焦点半導体レーザー光源１に於ける放
射角の変化が補正すべき像面湾曲−Ｗ（θ）に対して上
記Δ′・Ｗ（θ）を満足するような変位内用を実現する
指令を制御回路２に記憶させて置き、光走査に同期して
可変焦点半導体レーザー光源１の放射角φを制御する。

このようにして被走査面１０を略一定したスポット径で
良好に光走査することができる。

以下、請求項２の発明の詳細な説明する。

なお煩雑を避けるため混同の恐れがないと思われるもの
に就いては第１図に於けると同一の符号を用いる。

第２図（Ｉ）は可変焦点半導体レーザー光源ｊ、がら被
走査面１０に到る光ビーム光路を展開し、主走査方向が
上下方向となるようにして描いた図である。第２図（Ｉ
Ｉ）は可変焦点半導体レーザー光源１から被走査面１０
に到る光ビーム光路を展開し、副走査方向が上下方向と
なるようにして描いた図である。

この実施例で用いられている可変焦点半導体レーザー光
源１からの放射光束は、副走査対応方向に就いて見ると
第２図（エエ）に示すように一旦Ｑ点に線状に集束した
のち強い発散性の光束となる。

強い発散性の光とは、主走査対応方向に於ける光束の発
散角より大きな発散角を持つという意味である。

可変焦点半導体レーザー光源１からのレーザー光束は発
散しつつコリメートレンズ３に入射する。

この例では上述のようにコリメートレンズ３に入射する
段階に於いて光束の発散の度合いは副走査対応方向の方
が強い。

コリメートレンズ３は入射してくる発散性の光束を主走
査対応方向に於いて平行化する。従ってコリメートレン
ズ３から射出する光束は主走査対応方向では略平行であ
り（第２図（Ｉ））、副走査対応方向に就いて見ると第
２図（ＩＩ）に示すように若干発散性である。

コリメートレンズ３から射出した光束は続いて第１の結
像光学系としてのシリンドリカルレンズ５Ｃに入射する
。シリンドリカルレンズ５Ｃは副走査対応方向にのみパ
ワーを有する。従って、第２図（Ｉ）に示すように主走
査対応方向に関しては光束はシリンドリカルレンズ５Ｃ
をそのまま透過して偏向反射面７Ａにより反射され第２
の結像光学系としてのアナモフィックなｆθレンズ９Ａ
に入射し、同レンズ９Ａの作用にて被走査面１０上に結
像する。

この実施例に於いて偏向手段は、通常の回転多面鏡であ
る。

副走査対応方向においては、コリメートレンズ３からの
光束はシリンドリカルレンズ５Ｃに入射すると同レンズ
５Ｃにより集束され、偏向反射面７Ａの近傍に集束する
。即ち光束は、この集束位置に於いて主走査対応方向に
長い線像として結像する。

そして発散性の光束となってｆθレンズ９Ａに入射し、
同レンズ９Ａの作用により被走査面１（ｌ上に結像する
。かくしてレーザー光束は被走査面１０上に光スポット
として結像する。

ｆθレンズ９Ａは主走査方向の像面湾曲を良好に補正さ
れているが、副走査方向には像面湾曲を有している。

さて第６図に示すように可変焦点半導体レーザー光源１
からの放射光束の副走査対応方向における発散の実質的
起点が光軸方向へ６゜たけ変化すると、上記「線像」の
結像位置は図の如く△。だけ光軸方向へ変位する。

この「線像」はコリメートレンズ３とシリンドリカルレ
ンズ５Ｃの合成光学系による上記「Ｑ点における線状の
集束部」の像であるから、この合成光学系による結像の
横倍率をβ。とすると周知の如く、 △０＝β３・δ。である。

上記線像の変位△。はｆθレンズ９Ａによる副走査方向
の結像位置に就いてＺの変位を惹起する。

このＺとΔとの関係はｆθレンズ９Ａの横倍率をγとし
て、Ｚ＝γ２・△であり、従ってδ。とは、２＝γ２・
βトδ。

の関係にある。

そこで、補正すべき像面湾曲量を像高りに対して−Ｗ（
ｈ）とするとき、可変焦点半導体レーザー光源１におけ
る副走査方向の発散の実質的起点となる上記Ｑ点の変位
量δ。を、δ。（ｈ＝ｏ）＝ｏとしてＷ（ｈ）／（γ２
・β呂） とすれば副走査方向の像面湾曲を完全に補正できる。像
高りは光走査における同期を定める同期クロックとの対
応により定まるので、光走査の同期クロックと上記Ｗ（
ｈ）／（γ２・β３）を実現する電気信号との関係を制
御手段としての制御回路１２に記憶させて置き、同期ク
ロックに応じて記憶内容に従って可変焦点半導体レーザ
ー光源１に於ける副走査方向の放射角の制御を行うこと
により像面湾曲を除去した良好な光走査を実現できる。

「可変焦点半導体レーザー光源ｌに於ける副走査方向の
放射角の制御」は必ずしも正確にｗ（ｈ）バチ２・β３
）に従う必要は無く、これを近似的に満足する、より簡
単な制御で代替しても良い。この点は請求項１の光走査
装置でも同様であり、請求項１の光走査装置における可
変焦点半導体レーザー光源１に於ける放射角制御は、副
走査方向の像面湾曲（第１図（ＩＩＩ）の曲線４１）を
近似的に除去するような制御でも良い。

第３図は請求項２の光走査装置の別の実施例を示してい
る。

この実施例では第１の結像光学系はシリンドリカルレン
ズ５Ｄであり、第２の結像光学系は球面レンズによるｆ
θレンズ９Ｂと正のパワーを持つシリンドリカルレンズ
９Ｃとにより構成されている。

第２の結像光学系における主走査方向の像面湾曲は良好
に補正されている。

第２図の実施例との相違点は、副走査対応方向に於いて
コリメートレンズ３とシリンドリカルレンズ５Ｄによる
「線像」の結像位置が偏向反射面７Ａの近傍になくｆθ
レンズ９Ｂの像側に存在していることである。この場合
のビームウェスト径は大きいため図には殆ど現れていな
い。

コリメートレンズ３からの光束は、主走査対応方向に関
してはｆθレンズ９Ａの作用により被走査面１０上に結
像するが、副走査対応方向に関してはシリンドリカルレ
ンズ５Ｄ、９Ｃ，ｆθレンズ９Ｂの作用により被走査面
上に結像する。勿論、第２の結像光学系を構成するｆＯ
レンズ９Ｂとシリンドリカルレンズ９Ｃとは副走査方向
に関して偏向反射面の位置と被走査面位置とを幾何光学
的に略共役な関係としており、シリンドリカルレンズ５
Ｄによる線像の結像も幾何光学的には偏向反射面７Ａの
位置が第２の結像光学系に対する物点となるように行わ
れるのであ−る。像面湾曲の除去は、第２図の実施例の
場合と同様にして行うことができる。

請求項１．２の光走査装置に用いられる制御回路２，１
２は具体的にはマイクロコンピュータ−で実現できる。

［発明の効果コ 一以上、本発明によれば新規な光走査装置を提供できる
。請求項１．２の光走査装置は上記の如き構成となって
いるので光スポットのスポット径を安定させて高密度の
良好な光走査が可能である。

またｆθレンズ等は主走査方向の像面湾曲のみを良好に
補正するように設計できるようになるため、これらレン
ズの設計も容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は請求項１の発明のｌ実施例を説明するための図
、第２図は請求項２の発明のｌ実施例を説明するための
図、第３図は請求項２の発明の別実施例を説明するため
の図、第４図は可変焦点半導体レーザー光源を説明する
ための図、第５図及び第６図は像面湾曲補正を説明する
ための図である。 １００．可変焦点半導体レーザー光源、３．、、、コリ
メートレンズ、５．５Ｃ，５Ｄ、　、　、第１の結像光
学系としてのシリンドリカルレンズ、７．７Ａ、　、　
、偏向反射面、９、９Ａ、　９Ｂ、　９Ｇ、　、　、第
２の結像光学系、１０．、、、被走査面、旭Ｚ 籐δ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、放射レーザー光束の放射角を放射光軸に直交する特
   定の方向に於いて変化させることができ、上記特定の方
   向を副走査方向に対応させて配備される可変焦点半導体
   レーザー光源と、 この可変焦点半導体レーザー光源からの光束を、放射光
   軸と上記特定の方向とに直交する方向に於いて略平行化
   するコリメートレンズと、 コリメートレンズからの光束を偏向反射面により反射さ
   せ、反射光束を主走査対応方向へ偏向させる偏向手段と
   、 上記コリメートレンズと偏向反射面との間に配備され、
   コリメートレンズからの光束を主走査対応方向に於いて
   集束させる第１の結像光学系と、上記偏向反射面と被走
   査面との間の被走査面よりの位置に配備され、偏向反射
   面位置と被走査面位置を副走査方向に関して幾何光学的
   に略共役な関係とする第２の結像光学系と、 上記可変焦点半導体レーザー光源に於ける上記特定方向
   の放射角を光走査に同期して制御する制御手段とを有し
   、 上記偏向反射面が主走査対応方向に曲率を有し、コリメ
   ートレンズからの光束が、主走査対応方向に関しては上
   記第１の結像光学系と偏向反射面の曲率による結像作用
   で被走査面上に結像し、副走査対応方向に関しては上記
   第１および第２の結像光学系の結像作用で被走査面上に
   結像するようにし、上記制御手段により副走査方向の像
   面湾曲を補正するように可変焦点半導体レーザー光源の
   放射角制御を行うことを特徴とする光走査装置。 ２、放射レーザー光束の放射角を放射光軸に直交する特
   定の方向に於いて変化させることができ、上記特定の一
   方向を副走査方向に対応させて配備される可変焦点半導
   体レーザー光源と、 この可変焦点半導体レーザー光源からの光束を、放射光
   軸と上記特定の方向とに直交する方向に於いて略平行化
   するコリメートレンズと、 コリメートレンズからの光束を偏向反射面により反射さ
   せ、反射光束を主走査対応方向へ偏向させる偏向手段と
   、 上記コリメートレンズと偏向反射面との間に配備され、
   コリメートレンズからの光束を主走査対応方向に長い線
   像として集束させる第１の結像光学系と、 上記偏向反射面と被走査面との間に配備され、偏向反射
   面位置と被走査面位置とを副走査方向に関して幾何光学
   的に略共役な関係とする第２の結像光学系と、 上記可変焦点半導体レーザー光源に於ける上記特定方向
   の放射角を光走査に同期して制御する制御手段とを有し
   、 上記コリメートレンズと第１及び第２の結像光学系の作
   用により被走査面上に光スポットが結像されるようにし
   、 上記制御手段は、偏向光束による光走査に同期して上記
   第２の結像光学系による副走査方向の像面湾曲を補正す
   るように可変焦点半導体レーザー光源の放射角制御を行
   うことを特徴とする光走査装置。