JPH0371447A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プローブ電極によって記録再生を行う記録再
生装置における記録媒体に関し、更に詳しくは、対向電
極上に、電気メモリー効果を有する記録層とその記録層
上に微小孤立電極を設けた記録媒体に関する。

［従来の技術］ 近年、メモリー素子の用途はコンピュータ及びその関連
機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の開発も活発に進んでいる。メモリー素子に要求される
性能は一般的には１）メモリー容量が大きい ２）記録・再生の応答速度が速い ３）安定性に優れている ４）エラーレートが小さい ５）消費電力が少ない ６）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。

従来までは磁性体や半導体を素材とした磁気メモリー、
半導体メモリーが主流であったが、近年レーザー技術の
進展に伴い、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜
を用いた安価で高密度な光メモリー素子などが登場して
きた。

［発明が解決しようとする課題Ｊ しかしながら有機薄膜を記録層として用いた光メモリー
の場合、有機材料を用いているため非常に安価となり、
また、記録・再生にレーザー光を用いているので高密度
にはなるが、光（特に紫外線）に反応する材料を記録層
として用いているため、特に耐光性に劣り、安定性に問
題があった。

また、耐光性を向上させるために、有機材料自身に紫外
線吸収剤を混ぜたり、或は、紫外線吸収フィルムで記録
層をカバーするという方法などをとるが、この場合、逆
に光に対する反応性が悪くなるため、記録感度が劣って
しまい、例えば、通常と同じ記録パワーで書き込み再生
を行うとエラーレートが大きくなってしまうという問題
点があった。即ち、光を用いて記録・再生する様な光メ
モリーの場合、その特性上、どうしても耐光性つまり安
定性が悪い、或は、エラーレートが悪くなるという問題
点があった。

すなわち、本発明の目的とするところは、上述のような
問題点を解決した記録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段及び作用］本発明の特徴と
するところは、プローブ電極により素子に流れる電流を
検出する記録再生装置を構成する記録媒体に於て、該プ
ローブ電極と対向配置した対向電極を形成し、該対向電
極上に電気メモリー効果を有する記録層を有し、該記録
層上に導電性材料からなる１個或は複数個の微小孤立電
極を設けた記録媒体にある。また、前記記録層が、有機
化合物の単分子膜または該単分子膜を累積した累積膜か
ら成り、かかる単分子膜または累積膜の膜厚が、数Å〜
１０００人の範囲、好ましくは、１０Å〜１０００Åの
範囲、さらに好ましくは、５０Å〜５００人の範囲であ
ることにも特徴がある。また、かかる単分子膜または累
積膜が、ＬＢ法によって成膜した膜であり、さらに、前
記有機化合物が分子中にπ電子準位を持つ群とσ電子準
位を持つ群とを有する記録層を有する記録媒体をも特徴
とするものである。

すなわち、本発明の記録媒体は、対向電極上に電気メモ
リー効果を持つ記録層とその記録層上に微小孤立電極を
設けた構成をとり、プローブ電極から微小孤立電極を通
して電気的に記録及び再生を行うため、記録層自身に耐
光性を持った材料を使用することができ、なおかつ、記
録部位が微小孤立電極に覆われて保護されているため、
耐光性・安定性に非常に優れた記録媒体を提供すること
ができる。また、微小孤立電極１個ずつに情報を記録す
る方式をとるため、あらかじめ微小孤立電極を所望の通
りに規則正しく配置することにより、記録ビットすなわ
ち微小孤立電極自身でトラッキングを行うことも可能と
なる。これにより、案内溝を形成しなくても良くなるた
め、記録媒体の製造工程が簡単になる。また、微小孤立
電極の大きさを小さくすることによって、光ディスクと
同等、或はそれ以上の高密度化を図ることも可能である
。

ここで、本発明で用いる記録媒体は、π電子準位をもつ
群とσ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上
に積層した有機累積膜において、膜面に垂直な方向にプ
ローブ電極から微小孤立電極を通して電流を流すことに
より、従来とは異なる非線形電流電圧特性を発現するこ
とができる。

一般に有機材料の殆どは絶縁性もしくは半絶縁性を示す
ことから、適用可能なπ電子準位を持つ群を有する有機
祠料は著しく多岐にわたる。

本発明に好適なπ電子系を有する色素の構造として例え
ば、フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等の
ポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及び
クロコニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色
素及びキノリン、ベンゾデアゾール、ベンゾオキサゾー
ル等の２個の含窒素複素環をスクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基により結合したシアニン系類似の色素
、またはシアニン色素、アントラセン及びピレン等の縮
合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物が重合した
鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテト
ラシアノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの誘
導体、その類縁体及びその電荷移動錯体、またさらには
フェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の全１
ｍ体化合物が挙げられる。

本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリアクリ
ル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合体
、ナイロン等の開環重合体、バクテリオロドプシン等の
生体高分子が挙げられる。

有機記録層の形成に関しては、具体的には蒸着法やクラ
スターイオンビーム法等の適用も可能であるが、制御性
、容易性そして再現性から公知の従来技術の中ではＬＢ
法が極めて好適である。

このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚
みを有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄
膜を安定に供給することができる。

ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する構
造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を作製する方法である。

疎水性部位を構成する基としては、一般に広く知られて
いる飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及び
鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これ
らは各々単独又はその複数が組み合わされて疎水性部位
を構成する。一方、親水性部位の構成要素として最も代
表的なものは、例えばカルボキシル基、エステル基、酸
アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、更にはアミノ基
（１，２，３級及び４級）等の親水性基等が挙げられる
。これらも各々単独又はその複数が組み合わされて上記
分子の親水性部分を構成する。

これらの疎水性基と親水性基をバランス良く併有してい
れば、水面上で単分子膜を形成することが可能であり、
本発明に対して極めて好適な材料となる。

具体例としては、例えば下記の如き分子等が挙げられる
。

〈有機材料） ［Ｉ］クロコニックメチン色素 （以下余白） ５〉 ここでＲ１は前述のσ電子準位をもつ群に相当したちの
で、しかも水面上で単分子膜を形成しやすくするために
導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ≦
３０が好適である。

［ＩＩ　］スクアリリウム色素 ［Ｉ］で挙げた化合物のクロコニックメチン基を下記の
構造を持つスクアリリウム基で置き換えた化合物。

［用１ポリフィリン系色素化合物 １） ３ｒ Ｒは単分子膜を形成しやすくするために導入されたもの
で、ここで挙げた置換基に限るものではない。またＲ３
〜Ｒ，、Ｒは前述したσ電子準位をもつ群に相当してい
る。

［ＩＶ］ 縮合多環芳香族化合物 ３） ４） ５） ６） ［Ｖ］ ジアセチレン化合物 １４３ 一＋−ＣＲ２ ←Ｃ＝Ｃ Ｃ二Ｃ →弓１１□ ＋Ｔｘ Ｏ≦ｎ。

ｓ２０ 但し ｎ十β〉１０ Ｘは親木基で一般的には一〇〇〇Ｈが用いられるが一〇
Ｈ。

−ＣＯＮ８２等も使用できる。

［ＶＩ］ その他 ） Ｑｕｉｎｑｕｅｔｈｉｅｎｙｌ ２） 〈有機高分子材料〉 ［ ■ 〕 付加重合体 ） ポリアクリル酸 Ｒ１ ２） ポリアクリル酸エステル ３） アクリル酸コポリマー ４） アクリル酸エステルコポリマー ５）ポリビニルアセテート ６）酢酸ビニルコポリマー ［ＴＩ　］縮合重合体 １）ポリイミド ２）ポリアミド ３）ポリカーボネート １ ＋−０ＣＯ−ＣＨ−ＣＨ２→ ［１１１］開環重合体 １）ポリエチレンオキシド Ｒｏ ←→−ＣＩ（−ＣＨ，→ ここで、Ｒ，は水面上で単分子膜を形成し易くするため
に導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ
≦３０が好適である。

また、Ｒｓは短鎖アルキル基であり、炭素数ｎは１≦ｎ
≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ≦５０００が
好適である。

以上、具体例として挙げた化合物は基本構造のみであり
、こららの化合物の種々の置換体も本発明に於いて好適
であるということは言うにおよばない。

尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機材料、有機高
分子材料であれば、本発明に好適なのは言うまでもない
。例えば近年研究が盛んになりつつある生体材料（例え
ばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ）や合成ポリ
ペプチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能である。

かかる両親媒性の分子は、水面上で親水基を下に向けて
単分子の層を形成する。このとき、水面上の単分子層は
二次元系の特徴を有し、分子がまばらに散開していると
きは、一分子当り面積Ａと表面圧πとの間に二次元理想
気体の式、πＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり、二次元固体の゛凝集膜（または
固体膜）”になる。凝集膜はガラスや樹脂の如き種々の
材質や形状を有する任意の物体の表面へ一層ずつ移すこ
とができる。この方法を用いて、単分子膜またはその累
積膜を形成し、記録層として使用することができる。

具体的な製法としては、例えば以下に示す方法を挙げる
ことができる。

所望の有機化合物をクロロホルム、ベンゼン、アセトニ
トリル等の溶剤に溶解させる。次に添付図面の第７図に
示す如き適当な装置を用いて、かかる溶液を水相８１上
に展開させて有機化合物を膜状に形成させる。

次に、この展開膜８２が水相８１上を自由に拡散して広
がり過ぎないように仕切り板（または浮子）８３を設け
、展開膜８２の展開面積を制限して膜物質の集合状態を
制御し、その集合状態に比例した表面圧πを得る。この
仕切板８３を動かし、展開面積を縮小して膜物質の集合
状態を制御し、表面圧を徐々に上昇させ、膜の製造に適
する表面圧πを設定することができる。この表面圧を維
持しながら、静かに清浄な基板８４を垂直に上昇又は下
降させることにより有機化合物の単分子膜が基板８４上
に移し取られる。このような単分子膜９１は第８ａ図ま
たは第８ｂ図に模式的に示す如く分子が秩序正しく配列
した膜である。

単分子膜９１は以上で製造されるが、前記の操作を繰り
返すことにより所望の累積数の累積膜が形成される。単
分子膜９１を基板８４上に移すには、上述した垂直浸漬
法の他、水平付着法、回転円筒法等の方法でも可能であ
る。尚、水平付着法は、基板を水面に水平に接触させて
単分子膜を移し取る方法であり、回転円筒法は円筒形の
基板を水面上を回転させて単分子膜を基板表面に移し取
る方法である。

前述した垂直浸漬法では、表面が親水性である基板を水
面を横切る方向に水中から引き上げるヒ有機化合物の親
水性部位９２が基板８４側に向いた有機化合物の単分子
膜９１が基板８４上に形成される（第８ｂ図）。前述の
ように基板８４を上下させると、各行程毎に一枚ずつ単
分子膜９１が積み重なって累積膜１０１が形成される。

成膜分子の向きが弓き上げ行程と浸漬行程で逆になるの
で、この方法によると単分子膜の各層間は有機化合物の
疎水性部位９３ａと９３ｂが向かい合うＹ型膜が形成さ
れる。（第９ａ図）。これに対し、水平付着法は、有機
化合物の疎水性部位９３が基板８４側に向いた単分子膜
９１が基板８４上に形成される（第８ａ図）。

この方法では、単分子膜９１を累積しても成膜分子の向
きの交代はなく全ての層に於いて、疎水性部位９３ａと
９３ｂが基板８４側に向いたＸ型膜が形成される（第９
ｂ図）。反対に全ての層において親水性部位９２ａ、９
２ｂが基板８４側に向いた累積膜１０１ばＺ型膜ヒ呼ば
れる（第９ｃ図）。

単分子膜９１を基板８４上に移す方法は、上記方法に限
定されるわけではなく、大面積基板を用いるときにはロ
ールから水相中に基板を押し出していく方法なども採り
得る。また、前述した親水性基及び疎水性基の基板への
向きは原則であり、基板の表面処理等によって変えるこ
ともできる。

以上の如くして有機化合物の単分子膜９１またはその累
積膜ｌＯｌからなる有機化合物記録層が基板８４上に形
成される。

本発明において、上記の如き有機材料が積層された薄膜
を支持するための基板８４は、金属、ガラス、セラミッ
クス、プラスチックス材料等いずれの材料でもよく、更
に耐熱性の著しく低い生体材料も使用できる。

上記の如き基板８４は任意の形状でよく、平板状である
のが好ましいが、平板になんら限定されない。すなわち
前記成膜法（ＬＢ法）においては、基板の表面がいかな
る形状であってもその形状通りに膜を形成し得る利点を
有するからである。

本発明で用いる記録媒体の微小孤立電極の材料は、高い
導電性を有するものであればよく、例えばＡｕ、　Ｐｔ
、　Ａｇ、　Ｐｂ、　ＡＩ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、
　Ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファイト
やシリサイド、またさらには１丁０等の導電性酸化物を
始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本発明へ
の応用が考えられる。このような材料を用いた電極形成
法としても従来公知の薄膜形成技術で十分である。また
、微小孤立電極の電極形状についても、角型、丸型など
が考えられるが、これに限定することなく所望の形状を
選ぶことができる。さらに、微小孤立電極の大きさにつ
いても、種々の大きさを取ることができるが、記録密度
の点から鑑みて、なるべく小さいものが好ましく、例え
ば１１００００ｐ”以下、好ましくは光メモリーと同程
度以上の高密度となる１−Ｉｌ＋２以下が良く、記録層
自身が分子メモリーとして利用できるため分子の大きさ
程度まで電極の大きさを小さくしても購わない。

一方１本発明で用いられる対向電極の材料も高い導電性
を有するものであればよく、例えばＡｕ。

Ｐｔ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　ＡＰ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐ
ｂ、　Ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファ
イトやシリサイド、またさらにはＩＴＯなとの導電性酸
化物を始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本
発明への適用が考えられる。このような材料を用いた電
極形成法としても従来公知の薄膜形成技術で十分である
。但し、基板上に直接形成される電極材料は表面がＬＢ
膜形成の際、絶縁性の酸化物をつくらない導電材料、例
えば貴金属やＩＴＯなとの酸化物導電体を用いることが
望ましい。

また、プローブ電極の材料は、導電性を示して記録媒体
の微小孤立電極を通して記録層に電圧を印加することが
できれば何を用いてもよく、例えば、Ｐｔ、　Ｐｔ−Ｉ
ｒ　、　Ｗ　、　Ａｕ、　Ａｇ等が挙げられる。ブロー
ブ電極の先端は、微小孤立電極の大きさに合わせてでき
るだけ尖らせる必要がる。本発明では、針状の導電性材
料を電界研磨法を用い先端形状を制ｉ卸して、プローブ
電極を作製しているが、プローブ電極の作製方法及び形
状は何らこれに限定するものではない。

以上述べてきた材料及び成膜方法を用いて第４図に示し
たＭＩＭ構造の素子を作製したとき、第５図と第６図に
示すような電流電圧特性を示すメモリースイッチング素
子が得られ、２つの状態（ＯＮ状態とＯＦＦ状態）がそ
れぞれメモリ性を有することがすでに見い出されている
。これらのメモノースイツチング特性は数Å〜数１００
０人の層厚のものに発現されているが、本発明における
記録媒体としては１０Å〜１０００人の範囲の層厚のも
のがよく、最も好ましくは５０Å〜５００人の層厚をも
つものが良い。またＬＢ法で累積膜を形成して有機絶縁
層とする場合、その積層数は１〜５０程度が好ましい。

以上の暦数、層厚において、メモリー特性上好ましい抵
抗値としては、ＯＦＦ状態に於いて数ＭΩ以上が望まし
い。

第４図中８４は基板、４１はＡｕ電極、４２はＡＩ！電
極、４３は前述した単分子累積膜を表わしている。

第１図は本発明の記録媒体の構成図の１例である。第１
図中、対向電極２上に電気メモリー効果を持つ記録層３
が形成され、その上に導電性材料からなる島状の微小孤
立電極４が設けられている。

第２図は本発明の記録媒体に記録・再生を行うための装
置の略図である。第２図中、５は記録媒体に電圧を印加
するためのプローブ電極であり、このプローブ電極から
微小孤立電極を通して記録層に電圧を印加することによ
って記録・再生を行う。６はＸＹＺ方向移動制御機構で
あり、これにより任意の位置の微小孤立電極へプローブ
電極の位置を移動して記録・再生を行える。また７はパ
ルス電源、８は信号読み取り器であり、パルス電源によ
り記録媒体に電圧を印加して記録を行ったり、信号読み
取り器により記録媒体に流れる電流を検知して再生を行
っている。

［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って説明する。

及鳳立ユ 光学研磨したガラス基板（基板）を中性洗剤およびトリ
クレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒを真空
蒸着（抵抗加熱）法により厚さ５０人堆積させ、更にＡ
ｕを同法により４００人蒸着し、対向電極を形成した。

次に５ＯＡＺを濃度０．２ｍｇ／ｍｆで溶かしたクロロ
ホルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち、かかる単分子膜の表
面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、更にこれを一定に保ちな
がら前記電極基板を水面に横切るように速度５ｍｍ／分
で静かに浸漬し、更に引き上げて、２ＮのＹ形単分子膜
の累積を行った。この操作を適当回数繰り返すことによ
って、前記対向電極上に８層の累積膜を形成して、記録
層３とした。

その後、５ＯＡＺ−ＬＢ膜からなる記録層上に、微小孤
立電極４として厚さ５００人大きさ５０ＩＬｍ角の複数
個のＡｆ電極を真空マスク蒸着（抵抗加熱）法により形
成することにより。本発明の記録媒体を作製した。

次に、上述した方法により作製した記録媒体に、第２図
に示した記録・再生装置を用いて記録・再生、消去の実
験を行った。ただし、プローブ電極５として電界研磨法
によって作製した白金／ロジウム製のプローブ電極を用
いており、このプローブ電極５は記録層３上の微小孤立
電極４を通して記録媒体に電圧を印加できるように、圧
電素子により、その距離（Ｚ）が制御されている。さら
に移動制御機構６は上記機能を持ったまま、面内（Ｘ、
Ｙ）方向にも移動制御できるように設計されている。よ
って、この移動制御機構６によりプローブ電極５で任意
の位置の微小孤立電極の記録・再生及び消去を行うこと
ができる。

５ＯＡＺ８層を累積した記録層３を持つ記録媒体を記録
・再生装置にセットし、先ず目視によりプローブ電極５
の位置を決め、しっかりと固定した。次にＡｕ電極２と
微小孤立電極となるＡＩ２電極４の間に電圧が印加でき
るようにプローブ電極５の位置を移動制御機構６によっ
て調整した。プローブ電極５からＡβ電極とＡｕ電極と
の間に電気メモリー効果を生じるしきい値電圧を越えて
いない電圧である１、５ｖの読み取り用電圧を印加して
、信号読み取り器８で電流値を測定したところ、紗Ａ以
下でＯＦＦ状態を示した。次に、パルス電源７により、
ＯＮ状態を生じるしきい値電圧Ｖｔｈ−ｏＮ以」二の電
圧である第３図に示した波形を持つ三角波パルス電圧を
印加した後、再び１．５　Ｖの電圧を電極間に印加して
電流を測定したところ、０．７ｍＡ程度の電流が流れ、
ＯＮ状態となっていたことを示した。

すなわち、ＯＮ状態が記録された。

次に、ＯＮ状態からＯＦＦ状態へ変化するしきい値電圧
Ｖｔｈ−８□以上の電圧であるピーク電圧５■、パルス
幅Ｌ　Ｈ，ｓｅｃの三角波パルス電圧を印加した後、再
び１，５Ｖを印加したところ、この時の電流値はμＡ以
下でＯＦＦ状態に戻ることが確認された。

次に、プローブ電極５の位置を移動制御機構６によって
、上記とは別の微小孤立電極に移動して、先はどと同様
の記録・再生・消去の実験を行ったところ、全く同様の
結果が得られ、本発明の記録媒体が、有効であることが
確認された。

以上述べた方法でＯＮ状態及びＯＦＦ状態を作成した後
、本発明の記録媒体に光照射を行い、再度記録した部位
に１．５■の電圧を印加し再生を行ったヒころ、光照射
前にＯＮ状態を示した部分は光照削後もサブｍＡオーダ
ーの電流が流れ、ＯＦＦ状態の部分は０以下の電流しか
流れず、光照射による記録情報の変化は認められず、耐
光性すなわち安定性に優れていることが分かった。また
、ＯＮ状態及びＯＦＦ状態の両状態とも、少なくとも３
ケ月もの長期保存が可能であった。

また、上記とは別に、記録層の層数を、２．４．１２．
２０．３０．４０．６０層というように変えた７種類の
記録媒体を作製して、この記録媒体についても、先はど
と同様の記録・再生実験を行った。その評価結果を表ｉ
に示す。

評価は、記録書き込みパルス及び消去電圧を印加した後
の記録性及び消去性の良否、更に記録状態と消去状態で
の電流値の比較（０Ｎ１０ＦＦ比）及び安定性により総
合的に判定し、特に良好なものを０、良好なものを器５
他のものと比較していくぶん評価の低いものを△とした
。

なお、５ＯＡＺ　１層あたりの厚さは、小角Ｘ線回折法
により求めたところ、約ｉ５人であった。

及思立ユ 実施例１で用いた５ＯＡＺ記録層の代わりにポリイミド
を用いた以外は実施例１と同様の記録媒体を作製した。

この記録媒体についても実施例１と同様に、記録・再生
、消去の実験を行った。記録性、０Ｎ１０ＦＦ比、消去
性の結果は表１にまとめて示した。５ＯＡＺと同様に、
記録層にポリイミドを用いた場合も、データ信号の記録
・再生ができ、光照射によるデータ信号の変化は認めら
れず、耐光性に優れた記録媒体を提供できることが分か
った。

なお、ポリイミド膜の形成方法は下記の通りである。

ポリアミック酸（分子量約２０万）を濃度１×ｌ０−３
％（ｇ／ｇ）で溶かしたジメチルアセトアミドＣ容液を
、水温２０℃の純水の水相上に展開し、水面上に単分子
膜を形成した。この中分子膜の表面圧を２５ｍＮ／ｍま
で高め、更にこれを一定に保ちながら、前記基板を水面
に横切るように５　ｍｍ７分で移動させて浸漬、引き上
げを行い、Ｙ型単分子膜の累積を行った。かかる操作を
繰り返すことによって、１２．１８．２４．３０．３６
．４２．６０層の７種類の累積膜を作製した。更にこれ
らの膜を３００　℃で１層分加熱を行うことによりポリ
イミドにした。

なお、ポリイミド１Ｎあたりの厚さは、エリプソメトリ
−法により約４人と求められた。

（以下余白） 表　　１ 裏遊ｌ引旦 実施例１で用いた５ＯＡＺ記録層の代わりにルテチウム
ジフロシアニン［ＬｕＨ（ＰＣ）　２］のｔ−ブチル誘
導体を用いた以外は実施例１と同様にして実験を行った
。但し、記録層の暦数は５ＯＡＺ記録層と同様に２．４
．８．１２．２０．３ｏ、４ｏ、６０層の８種類とした
。

この時の記録性、０Ｎ１０ＦＦ比、消去性及び耐光性の
結果は５ＯＡＺ記録膜の時と全く同じとなり、５ＯＡＺ
と同様に、ルテチウムジフロシアニン［ＬｕＨ（ＰＣ）
　２］のｔ−ブチル誘導体においても、データ信号の記
録・再生ができ、光照射によるデータ信号の変化は認め
られず、耐光性に優れていることが分かった。

なお、ＬｕＨ（Ｐｃ）　ｚのｔ−ブチル誘導体の累積条
件は下記の通りでる。

溶　媒：クロロホルム／トリメチルベンゼン／アセトン
（１／１／２） 濃　　度：　　０．５　　ｍｇ／＋ｎｉ’水　相二純水
、水温２０℃ 表面圧：　２０　ｍ　Ｎ　／　ｍ　＋基板上下速度３　
ｍｍ／分免髪皿ま二１ 記録層としてポリイミドを用い、表２に示した電極材料
を使用して記録媒体を作製し、実施例１と同様の実験を
行ったところ、表２に示す結果を得た。表中０印で示し
た様に全ての記録媒体に関し、十分な記録・再生特性と
耐光性が得られた。

なお、ポリイミドＬＢ膜の暦数は全て２４層である。ま
た、Ａｕ電極は抵抗加熱法、Ｐｔ電極はＥＢ法を、ＩＴ
Ｏはスパッタ法を用いてそれぞれ真空蒸着した。

表　　２ 以上述べてきた実施例中では有機化合物記録層の形成に
ＬＢ法を使用してきたが、極めて薄く均一な膜が作製で
きる成膜法であればＬＢ法に限らず使用可能であり、具
体的にはＭＢＥやＣＶＤ法等の成膜法が挙げられる。

対向電極や微小孤立電極の形成法に関しても既に述べて
いるように、均一な薄膜を作製しうる成膜法であれば使
用可能であり、真空蒸着法に限られるものではない。

更に基板材料やその形状も本発明は何ら限定するもので
はない。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明の記録媒体によれば、 ■光記録に比べて安定性、特に耐光性に非常に優れた記
録媒体を提供することができた。

■単分子膜の累積によって記録層を形成するため、分子
オーダー（数Å〜数１０人）による膜厚制御が容易に実
現できた。また、制御性が優れているため記録層を形成
するとき再現性が高い。

■記録層が薄くて良いため、生産性に富み安価な記録媒
体を提供できる。

といったような効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いた記録媒体の構成図である。 第２図は本発明に用いた記録・再生装置の構成略図であ
る。 第３図は記録信号波形である。 第４図はＭＩＭ素子の構成略図で、第５図と第６図は第
４図の素子で得られる電気的特性を示す特性図である。 第７図は累積膜の成膜装置の模式図である。 第８ａ図と第８ｂ図は単分子膜の模式図であり、第９ａ
図、第９ｂ図、第９Ｃ図は累積膜の模式図である。 ６・・・ｘｙｚ方向移動制御機構 ７・・・パルス電源 ８・・・信号読み取り器 ４１・・・Ａｕ電極 ４２・・・へ２電極 ９１・・・単分子膜 ９２、９２ａ、　９２ｂ−−−親水性部位９３、９３ａ
、　９３ｂ・−疎水性部位１０１・・・累積膜

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）プローブ電極により素子に流れる電流を検出する
   記録再生装置を構成する記録媒体に於て、該プローブ電
   極と対向配置した対向電極を形成し、該対向電極上に電
   気メモリー効果を有する記録層を有し、該記録層上に導
   電性材料からなる１個或は複数個の微小孤立電極を設け
   たことを特徴とする記録媒体。
2. （２）前記記録層が、有機化合物の単分子膜または該単
   分子膜を累積した累積膜を有していることを特徴とする
   請求項１記載の記録媒体。
3. （３）前記単分子膜または累積膜の膜厚が、数Å〜１０
   ００Åの範囲であることを特徴とする請求項２記載の記
   録媒体。
4. （４）前記単分子膜または累積膜の膜厚が、１０Å〜１
   ０００Åの範囲であることを特徴とする請求項２記載の
   記録媒体。
5. （５）前記単分子膜または累積膜の膜厚が、５０Å〜５
   ００Åの範囲であることを特徴とする請求項２記載の記
   録媒体。
6. （６）前記単分子膜または累積膜が、ＬＢ法によって成
   膜した膜であることを特徴とする請求項２記載の記録媒
   体。
7. （７）前記有機化合物が分子中にπ電子準位を持つ群と
   σ電子準位を持つ群とを有することを特徴とする請求項
   ２記載の記録媒体。