JPH0369872A - 逆止弁 - Google Patents

逆止弁

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JPH0369872A
JPH0369872A JP20414489A JP20414489A JPH0369872A JP H0369872 A JPH0369872 A JP H0369872A JP 20414489 A JP20414489 A JP 20414489A JP 20414489 A JP20414489 A JP 20414489A JP H0369872 A JPH0369872 A JP H0369872A
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中沢 正彦
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道雄 山路
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毅 谷川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は逆止弁の改良に関するものであり、主として半
導体製造プラント等の高純度ガス設備に利用されるもの
である。
(従来の技術) 半導体製造プラント等に於いては所謂高純度ガスが多く
使用されており、且つその使用圧力も165kg/ad
程度の高圧から0.02kg/d以下の低圧まで、幅広
い圧力範囲に亘っている。
而して、前記高純度ガス設備に於いて使用する逆止弁は
、所謂逆圧時に安定したシール性が迅速に確保されねば
ならないことは勿論のこと、流体の置換特性が良好なこ
とや摩耗等による不純物の発生が無いこと等の特殊な特
性が必要とされる。
第3図は半導体用ガス設備等で従来から広く利用されて
いる逆止弁を示すものであり、ボディ22とボディ23
からなる弁箱内腔内ヘディスク24゜グランド19、シ
ートパツキン20及びスプリング21等を配設すること
により構成されており。
矢印方向の逆圧が負荷された場合にはディスク24がシ
ートパツキン20へ接当し、流体流路が閉塞される。
しかし、上述の如き構造の逆止弁に於いては。
逆圧負荷時のディスク24の受圧径をシート径と同程度
にしか取れず、シート面圧を十分に上げることが困難と
なる。その結果、シール性が不安定になったり、或いは
シート材としてゴム等の柔軟質のものしか使用できない
という問題がある。
また、従前の逆止弁に於いては、コイルスプリングの線
材同士の接触やディスク24とグランド19の如き金属
摺動部があるため、摩耗による異物の発生を避けること
が出来ないうえ、摩耗によりディスク24の摺動性が低
下する。その結果、ガス純度の低下を招いたり、或いは
逆圧時のシール応答性を高め難いという問題が起生ずる
更に、従前の逆止弁に於いては、ディスク24とグラン
ド19間の隙間の如き所謂デッドスペースが比較的大き
いうえ、コイルスプリングの収納用に比較的大きなスペ
ースを必要とする。その結果、所謂弁の流体置換特性が
悪化し、ガス純度の低下を招くという問題がある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、従前のこの種高純度ガス設備用の逆止弁に於
ける上述の如き問題、即ち(イ)摩耗による異物の発生
が避けられないこと、(ロ)シール応答性が低いこと、
(ハ)流体置換性が低いこと等の問題を解決せんとする
ものであり、シール応答性に優れ、しかもガス純度の低
下を招くことの無い逆止弁を提供するものである。
(課題を解決するための手段) 本件発明は、流体入口通路8と、上流側弁室Aと、前記
通路8と弁室A間を連通ずる連絡通路9と、上流側弁室
Aの底面側に設けた弁座6と、上流側弁室Aの開放側に
設けたダイヤフラム保持面1aとを備えた主弁箱1と:
流体出ロ通路10と、これに連通ずる下流側弁室Bと、
下流側弁室Bの開放側に設けたダイヤフラム保持面2a
とを備えた副弁箱2と;外周縁部を前記両弁箱1,2の
ダイヤフラム保持面1a、2a間に気密状に挟圧保持す
ることにより、前記両弁室A、B間に配設されたダイヤ
フラム4と:前記ダイヤフラム4の中央部に固着され、
前記弁座6へ当離座することにより弁室Aとその中央部
に貫孔された流体通路14間を遮断又は連通する弁体5
と;前記下流側弁室B内に配設され、弁体5を弁座6側
へ押圧する磁石7とを発明の基本構成とするものである
(作用) 磁石7による弁体5の押圧力より高い流体圧が矢印(イ
)方向に加わると、弁体5が矢印(イ)方向へ押圧され
、弁体部5bが弁座6から離座し、弁室Aと通路14と
が連通して流体が流通する。
また、矢印(ロ)方向の逆圧が弁体5にかかった場合に
は、弁体部5bが弁座6側へ押付けられ、通路14と弁
室A間の連通が遮断され、流体の矢印(ロ)方向への流
通が遮断される。
この場合、弁体5のクランプ部材5aの外径を適宜に選
定することにより、逆圧時の所謂受圧径が任意に調整可
能となる。また弁体5をその中央部に支持するダイヤフ
ラム4は、両弁箱1,2のダイヤフラム保持面1a、l
bに形成したガイド部1c、2cによって面内↓こ支持
され、ダイヤフラム4には局部的な応力が−切かからな
い。
(実施例) 以下1図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の実施例に係る逆止弁の縦断面図である
。図に於いて1は主弁箱、2は副弁箱。
3は締込用ナツト、4はダイヤフラム、5は弁体、6は
弁座、7は磁石、8は流体入口通路、9は連絡通路、1
0は出口通路、Aは上流側弁室、Bは下流側弁室であり
、流体通路14を備えた弁体5を中央部に固設したダイ
ヤフラム4を、主弁箱1と副弁箱2の各ダイヤフラム挟
持部1b、2b間にパツキン11を介設して挟着し、締
付ナツト3によって両弁箱2,3を締付は固着すること
により、逆止弁が構成されている。
尚1本実施例に於いては、締付ナツト3によって両弁箱
2,3を締付は固着するようにしたが、ボルトとナツト
によって両弁箱2,3を締付は固着するようにしても良
い。
主弁箱1はステンレス鋼(SUS 316)等によりほ
ぼT型に形成されており、流体入口通路8、連絡通路9
、上流側弁室A、弁座6、カップリング用ねじ12及び
継手用ねじ13が夫々形成されている。
また、主弁箱1の弁室A側の側面即ちダイヤフラム保持
面1aは、ダイヤフラム4を挟圧するための平面状の挟
持部1bと、ダイヤフラム4の横方向移動を面内に受は
止めるための断面が波形の外表面を有するガイド部1c
とから形成されており、ガイド部1cとダイヤフラム4
との間には僅かな間隙Gが設けられている。
前記ダイヤフラム保持面1aのガイド部1cの外表面を
、断面形状が波形の凹・凸面とすることにより、後述す
る如く高ガス圧がかがった場合のダイヤフラム4の変形
や破壊が有効に防止されることになる。
尚1本実施例に於いては前記弁座6を主弁箱lと一体的
に形成しているが、上流側弁室Aの底面側に弁座嵌着孔
を穿設し、ここに樹脂や他の金属、ゴムコーティング金
属等によって別に形成したシート部を嵌合することも可
能である。
また、本実施例では、主弁箱lの前記ダイヤフラム保持
面1aのガイド部1cを、断面形状が波形となる凹・凸
面に仕上げているが、使用ガス圧が低圧の場合には前記
ガイド部1cを平面状にすることも可能である。
副弁箱2は、ステンレス鋼(SUS 316)によって
前記主弁箱lと対称状に形成されており、中央部に下流
側弁室Bとこれに連通ずる流体出口通路lO1継手用ね
じ15が夫々形成されている。
また、副弁箱2の弁室B側の側面即ちダイヤフラム4の
保持面2aには、前記主弁箱1の保持面1aと同様に、
平面状の挟持部2bと断面形状が波形の凹・凸面のガイ
ド部2cとが設けられている。尚、前記主弁箱lのガイ
ド部1cを平面状とした場合には、副弁箱2のガイド部
2cも平面状とすることは勿論である。
ダイヤフラム4は0.05〜0.12!5mmの厚さの
ステンレス鋼又はインコネル系メタルによって形成され
ており、その外表面には、前記両弁箱1゜2のガイド部
1c、2cの各外表面の波形間・凸に合致する断面が波
形の凹・凸が形成されている。
又、当該ダイヤフラム4の中央部には、弁体5が後述す
る如き方法によって固設されており、更にダイヤフラム
4の外径は弁体5の外径の2〜3倍に選定されている。
尚9本実施例に於いては、ダイヤフラム4を断面が波形
を呈する凹・凸状の外表面を有する円板体としているが
、使用ガス圧が低い場合には、所謂コルゲート加工を省
略して平滑な外表面のダイヤフラム板としてもよい。
弁体5は、クランプ部材5aとこれに固着したディスク
部5bとから形成されており、中央部には流体通路1.
4が形成されている。
又、前記ディスク部5bには合成樹脂、ゴムコーティン
グをしたメタル等が使用され、弁座6側の材質や使用ガ
ス圧との関係で適当な材質が選定される。
更に、前記クランプ部材5aは、第2図に示す如く受金
具16と押え金具17とから形成されており、環状リン
グ18を介設してステンレス(SO8316)製の両金
具16.17間にダイヤフラム4の内側端縁4aを挾み
、押え金具17を受金具16側へ押し付けた状態で両者
を溶接することにより、ダイヤフラム4がクランプ部材
5aへ挟着保持されている。
尚、本実施例ではダイヤフラム4の内側端縁4aをクラ
ンプ部材5aによって挟着保持する構成としているが、
ダイヤフラム4と弁体5とを溶接によって固着してもよ
いことは勿論である。
磁石7は弁体5を弁座6側へ押圧するためのものであり
、一対の磁極N−8が弁体5側と副弁箱2側に夫々固設
されている。
尚、本実施例では磁石7によって弁体5を弁座6側へ押
圧する構成としているが、磁石7に替えてコイルスプリ
ング1や円錐状の板バネを使用することも可能である。
次に、本発明に係る逆止弁の作動について説明する。
磁石7による弁体5の押圧力より高い流体圧が矢印(イ
)方向に加わると、弁体5が矢印(イ)方向へ押圧され
、弁体部5bが弁座6から離座し、弁室Aと通路14と
が連通して流体が流通する。
また、矢印(ロ)方向の逆圧が弁体5にかかった場合に
は、弁体部5bが弁座6側へ押付けられ。
通路14と弁室A間の連通が遮断される。
この場合、弁体5のクランプ部材5aの外径を適宜に選
定することにより、逆圧時の所謂受圧径が任意に調整可
能となる。また、弁体5をその中央部に支持するダイヤ
フラム4は、両弁箱1,2のダイヤフラム保持面1a、
lbに形成したガイド部1c、2cによって面的に支持
され、ダイヤフラム4には局部的な高応力はかからない
(発明の効果) 本発明に於いては、中央部に流体通路14を設けた弁体
5をダイヤフラム4の中央に設け、弁体5を弁座6へ当
離座せしめることにより、通路14と上流側弁室Aとを
連通又は遮断する構成としている。その結果、逆圧負荷
時の弁体5の受圧径を任意の寸法に選定することが可能
となり、ディスク部5bと弁座面との押圧力(シート面
圧)を十分に上げることが出来、シール性が安定すると
共に、弁座6やディスク部5bの使用部材が前記押圧力
の面から制約されなくなる。
また、弁体5をダイヤフラム4によって保持する構成と
しているため、所謂金属同士の摺接部が殆んど無くなる
。その結果、金属粉等の異物の発生が皆無となり、これ
によるガス純度の低下等が生じない、特に、弁体5の押
圧力を磁石7によって得る場合には、前記異物の発生が
ほぼ零となる。
更に、ダイヤフラム4の外表面に波形の凹・凸を形成す
ると共に、両弁箱1,2のダイヤフラム保持面1a、2
aに、前記ダイヤフラム4の波形間・凸に合致する凹・
凸面を備えたダイヤフラムガイド部1c、2cを設けた
場合には、ダイヤフラム4が前記ガイド部1c、2cに
よって面的に支持ガイドされることになり、仮りに高ガ
ス圧がかかった場合でも、これによってダイヤフラム4
が容易に変形したり或いは破損したりすることが無い。
そのうえ、本発明では、逆圧の印加によって弁体5が作
動する際に、弁体5に摩擦抵抗が作用すると云うことが
全く無いため、弁体5は極めて円滑に作動し、シール時
の応答性が著しく向上する。
加えて1本発明の逆止弁に於いては、弁室A。
B内の所謂デッドスペースが従前の逆止弁の場合に比較
して著しく小さくなり、その結果弁のガス置換特性が著
しく向上する。特に弁体5の押圧力を磁石7によって得
る場合には、弁室Bそのものの大幅な減容化が可能とな
り、ガス置換特性の向上と云う点で極めて好都合である
更に、本発明では弁体5の中央部に流体通路14を形成
し、リング状のディスク部5bを弁座のシート部6aへ
当座させる構成としているため、小さな弁体押圧力でも
って極めて緊密にディスク部5bがシート部6aへ密接
することになり、高いシール性能が得られる。
本発明は上述の通り優れた実用的効用を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係る逆止弁の縦断面図である。 第2図はダイヤフラムと弁体との固着機構を示す部分縦
断面図である。 第3図は従前の逆止弁の一例を示す縦断面図である。 1 a b C a b C a b a 4 主弁箱 ダイヤフラム保持面 ダイヤフラム挟持部 ダイヤフラムガイド部 副弁箱 ダイヤフラム保持、面 ダイヤフラム挟持部 ダイヤフラムガイド部 締込用ナツト ダイヤフラム 弁体 クランプ部材 ディスク部 弁座 シート部 磁石 上流側弁室 下流側弁室 流体通路 第 図 一一一一一〒 2図 第3図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)流体入口通路(8)と、上流側弁室(A)と、前
    記通路(8)と弁室(A)間を連通する連絡通路(9)
    と、上流側弁室(A)の底面側に設けた弁室(6)と、
    上流側弁室(A)の開放側に設けたダイヤフラム保持面
    (1a)とを備えた主弁箱(1)と;流体出口通路(1
    0)と、これに連通する下流側弁室(B)と、下流側弁
    室(B)の開放側に設けたダイヤフラム保持面(2a)
    とを備えた副弁箱(2)と;外周縁部を前記両弁箱(1
    )、(2)のダイヤフラム保持面(1a),(2a)間
    に気密状に挟圧保持することにより、前記両弁室 (A),(B)間に配設されたダイヤフラム(4)と;
    前記ダイヤフラム(4)の中央部に固着され、前記弁座
    (6)へ当離座することにより弁室(A)とその中央部
    に貫孔された流体通路(14)間を遮断又は連通する弁
    体(5)と;前記下流側弁室(B)内に配設され、弁体
    (5)を弁座(6)側へ押圧する磁石(7)とより構成
    した逆止弁。
  2. (2)ダイヤフラム(4)を断面が波形の凹・凸を有す
    る円板体とすると共に、両弁箱(1),(2)の前記ダ
    イヤフラム保持面(1a),(2a)に、前記ダイヤフ
    ラムの凹・凸に合致する断面が波形の凹・凸を外表面に
    有し、且つ挟持されたダイヤフラム(4)との間に一定
    の間隙(G)を有するダイヤフラムガイド部(1c),
    (2c)を夫々設けるようにした請求項(1)に記載の
    逆止弁。
  3. (3)コイルバネ若しくは板バネにより弁体(5)を弁
    座(6)側へ押圧する構成とした請求項(1)に記載の
    逆止弁。
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