JPH0366278B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0366278B2 JPH0366278B2 JP55113958A JP11395880A JPH0366278B2 JP H0366278 B2 JPH0366278 B2 JP H0366278B2 JP 55113958 A JP55113958 A JP 55113958A JP 11395880 A JP11395880 A JP 11395880A JP H0366278 B2 JPH0366278 B2 JP H0366278B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- pulling
- crystal
- axis
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、モリブデン酸鉛単結晶の製造方法
に関し、融液から種結晶を用いて単結晶を引上げ
る方法の改良に関するものである。
に関し、融液から種結晶を用いて単結晶を引上げ
る方法の改良に関するものである。
近年レーザーを利用した応用機器の実用化、例
えば、レーザフアクシミリ、レーザプリンタ等の
実用化が急速に進んでいる。レーザフアクシミリ
やレーザプリンタ等の高速分解能レーザ記録装置
に用いるレーザ光変調素子としては、現在のとこ
ろ、使い易さ、コストの面、安定性の点からし
て、超音波光変調効果を利用するものがほとんど
である。その際用いられる超音波光変調用媒体と
して、モリブデン酸鉛単結晶が知られている。モ
リブデン酸鉛単結晶は、非水溶性の超音波光変調
用媒体であり、光偏光効率、音速、音波の吸収の
大きさ等超音波光変調特性の面で、また、光学的
に均質な大形結晶を得やすく比較的安価である等
の理由で優れた材料である。
えば、レーザフアクシミリ、レーザプリンタ等の
実用化が急速に進んでいる。レーザフアクシミリ
やレーザプリンタ等の高速分解能レーザ記録装置
に用いるレーザ光変調素子としては、現在のとこ
ろ、使い易さ、コストの面、安定性の点からし
て、超音波光変調効果を利用するものがほとんど
である。その際用いられる超音波光変調用媒体と
して、モリブデン酸鉛単結晶が知られている。モ
リブデン酸鉛単結晶は、非水溶性の超音波光変調
用媒体であり、光偏光効率、音速、音波の吸収の
大きさ等超音波光変調特性の面で、また、光学的
に均質な大形結晶を得やすく比較的安価である等
の理由で優れた材料である。
モリブデン酸鉛単結晶の結晶構造は正方晶系で
あり、ｃ軸のまわりに対象な結晶である。ｃ面間
隔は12.110Å、ａ面間隔およびｂ面間隔は等しく
5.435Åである。従つて、単結晶の引上げの際に
ｃ軸方向に引上げる場合即ち、ｃ軸に垂直な面を
切出し、この面を引上げ面とした場合は、育成さ
れる面内での異方性はないが、ａ軸方向に引上げ
る場合即ち、ａ軸に垂直な面を切出し、この面を
引上げ面とした場合、育成される結晶面はｃ軸方
向とｂ軸方向とに異方性がある。
あり、ｃ軸のまわりに対象な結晶である。ｃ面間
隔は12.110Å、ａ面間隔およびｂ面間隔は等しく
5.435Åである。従つて、単結晶の引上げの際に
ｃ軸方向に引上げる場合即ち、ｃ軸に垂直な面を
切出し、この面を引上げ面とした場合は、育成さ
れる面内での異方性はないが、ａ軸方向に引上げ
る場合即ち、ａ軸に垂直な面を切出し、この面を
引上げ面とした場合、育成される結晶面はｃ軸方
向とｂ軸方向とに異方性がある。
得られたモリブデン酸鉛単結晶は、ａ軸と垂直
な面１００を光入射面として使用される。
な面１００を光入射面として使用される。
モリブデン酸鉛単結晶が超音波光変調媒体に用
いられる場合、育成された結晶に欠陥があると、
媒体中の屈折率が局所的に異なる等光学的に不均
質性が生じるため、レーザー光が散乱されたり、
回折効率の悪化や、消光比の低下を招く等の不都
合が生じる。モリブデン酸鉛単結晶は比較的均質
で大形な結晶が得られやすい結晶であるが、光変
調媒体として要求される条件は非常にきびしく、
わずかな屈折率の変化が、局部的にまたは分散し
て存在する場合、レーザー光が散乱され、消光比
の劣化を招くことになる。そのため、光学的に均
質な結晶を、大量に、定常的に歩留良く製造する
場合、育成装置の保温構造育成条件等の管理を厳
密に行なわれなければならない。
いられる場合、育成された結晶に欠陥があると、
媒体中の屈折率が局所的に異なる等光学的に不均
質性が生じるため、レーザー光が散乱されたり、
回折効率の悪化や、消光比の低下を招く等の不都
合が生じる。モリブデン酸鉛単結晶は比較的均質
で大形な結晶が得られやすい結晶であるが、光変
調媒体として要求される条件は非常にきびしく、
わずかな屈折率の変化が、局部的にまたは分散し
て存在する場合、レーザー光が散乱され、消光比
の劣化を招くことになる。そのため、光学的に均
質な結晶を、大量に、定常的に歩留良く製造する
場合、育成装置の保温構造育成条件等の管理を厳
密に行なわれなければならない。
モリブデン酸鉛単結晶育成の際に現われる散乱
原因となる代表的欠陥としては、気泡とサブグレ
インバウンダリーがある。引上げ軸をａ軸とし
て、即ち、種結晶のａ軸に垂直な面を切り出し、
この面を引上げ面として、これ等欠陥が引上軸に
垂直な面（ａ面）内に表われる場合の模式図を第
１図に示す。気泡は、第１図ａに示すように、結
晶中央部に表われる。また、ａ軸方向への引上げ
の場合に現われるサブグレインバウンダリーの種
類は、大きく分けて、第１図ｂに示すように、結
晶周辺にできるものと、第１図ｃに示すように、
ｂ面にほぼ平行なストリエーシヨン状に現われる
ものとがある。これら欠陥のうち、気泡および結
晶周辺にできるサブグレインバウンダリーの発生
については、育成条件を変えることにより、比較
的容易に抑えることができる。しかしながら、ｂ
面に平行なストリエーシヨン状サブグレインバウ
ンダリーは、同一保温構造で、同一育成条件で育
成した場合であつても、わずかな育成環境の変化
により現われることが多く、従つてストリエーシ
ヨン状サブグレインバウンダリーは制御しにく
く、良質な単結晶の育成にあたつて歩留を下げる
原因になつている。
原因となる代表的欠陥としては、気泡とサブグレ
インバウンダリーがある。引上げ軸をａ軸とし
て、即ち、種結晶のａ軸に垂直な面を切り出し、
この面を引上げ面として、これ等欠陥が引上軸に
垂直な面（ａ面）内に表われる場合の模式図を第
１図に示す。気泡は、第１図ａに示すように、結
晶中央部に表われる。また、ａ軸方向への引上げ
の場合に現われるサブグレインバウンダリーの種
類は、大きく分けて、第１図ｂに示すように、結
晶周辺にできるものと、第１図ｃに示すように、
ｂ面にほぼ平行なストリエーシヨン状に現われる
ものとがある。これら欠陥のうち、気泡および結
晶周辺にできるサブグレインバウンダリーの発生
については、育成条件を変えることにより、比較
的容易に抑えることができる。しかしながら、ｂ
面に平行なストリエーシヨン状サブグレインバウ
ンダリーは、同一保温構造で、同一育成条件で育
成した場合であつても、わずかな育成環境の変化
により現われることが多く、従つてストリエーシ
ヨン状サブグレインバウンダリーは制御しにく
く、良質な単結晶の育成にあたつて歩留を下げる
原因になつている。
従つて、本発明の目的は散乱原因となる欠陥の
ない良質のモリブデン酸鉛単結晶を提供すること
である。
ない良質のモリブデン酸鉛単結晶を提供すること
である。
本発明は、モリブデン酸鉛単結晶を融液から種
結晶を用いて引き上げることによつて製造する方
法において、種結晶のａ軸から１〜9゜傾いた方向
に垂直に平面を切り出して、該切出面を引上げ面
としたことを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶の
製造方法である。
結晶を用いて引き上げることによつて製造する方
法において、種結晶のａ軸から１〜9゜傾いた方向
に垂直に平面を切り出して、該切出面を引上げ面
としたことを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶の
製造方法である。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図は、本発明の実施のために用いる種結晶
の切出し法の例を示している。第２図において、
種結晶１は、対向する２つの面即ち面ABCDと
面EFGHがａ面、他の対向する２つの面即ち面
ADHEと面BCGFとがｃ面で、残りの対向する
２つの面、即ちABFEと面DCGHとがａ軸に対
して5゜傾いた面で構成されるように切出され、引
上げ面はａ面に対して5゜傾斜している。この種結
晶を通常の単結晶引上げ装置の引上げ機構に支持
させれば、種結晶の引上げ方向は、その辺CGの
方向（方向１）となるから、引上げ方向を、種結
晶のａ軸から5゜傾けて設定する、即ち、ａ面に対
して5゜傾斜した引上げ面を融液面に平行とし、こ
の面に垂直方向に引上げを行うことができる。
の切出し法の例を示している。第２図において、
種結晶１は、対向する２つの面即ち面ABCDと
面EFGHがａ面、他の対向する２つの面即ち面
ADHEと面BCGFとがｃ面で、残りの対向する
２つの面、即ちABFEと面DCGHとがａ軸に対
して5゜傾いた面で構成されるように切出され、引
上げ面はａ面に対して5゜傾斜している。この種結
晶を通常の単結晶引上げ装置の引上げ機構に支持
させれば、種結晶の引上げ方向は、その辺CGの
方向（方向１）となるから、引上げ方向を、種結
晶のａ軸から5゜傾けて設定する、即ち、ａ面に対
して5゜傾斜した引上げ面を融液面に平行とし、こ
の面に垂直方向に引上げを行うことができる。
第２図の種結晶２は、面A′B′C′D′と面
E′F′G′H′がａ面、面A′B′F′E′と面D′C′G′H′
がｂ
面で、残りの面A′D′H′E′と面B′C′G′F′がａ軸と
5゜傾いた面となるように切出され、引上げ面はや
はりａ面に対して5゜傾斜している。この種結晶２
を通常の単結晶引上げ装置の引上げ機構に支持さ
せれば、引上げ方向は、その辺A′E′の方向（方
向２）となり従つて引上げ方向は、引上げ面を融
液面と平行とし、これに垂直方向に引上げるの
で、結晶のａ軸から5゜傾くことになる。
E′F′G′H′がａ面、面A′B′F′E′と面D′C′G′H′
がｂ
面で、残りの面A′D′H′E′と面B′C′G′F′がａ軸と
5゜傾いた面となるように切出され、引上げ面はや
はりａ面に対して5゜傾斜している。この種結晶２
を通常の単結晶引上げ装置の引上げ機構に支持さ
せれば、引上げ方向は、その辺A′E′の方向（方
向２）となり従つて引上げ方向は、引上げ面を融
液面と平行とし、これに垂直方向に引上げるの
で、結晶のａ軸から5゜傾くことになる。
このように引上げ軸をａ軸から5゜傾けて従来と
同様のモリブデン酸鉛単結晶の引上げを行なつた
ところ、従来のようにａ軸を引上げ軸とした場合
に比して、ストリエーシヨン状サブグレインバウ
ンダリーの発生を抑制することができ、品質の良
い単結晶を歩留良く得ることができた。特に引上
げ軸が結晶のｃ面上でａ軸から5゜傾いた、即ち、
引上げ面がａ面と5゜傾いている種結晶１を用いた
場合、結晶のｂ面に平行に発生するサブグレイン
バウンダリーの抑制に効果がある。
同様のモリブデン酸鉛単結晶の引上げを行なつた
ところ、従来のようにａ軸を引上げ軸とした場合
に比して、ストリエーシヨン状サブグレインバウ
ンダリーの発生を抑制することができ、品質の良
い単結晶を歩留良く得ることができた。特に引上
げ軸が結晶のｃ面上でａ軸から5゜傾いた、即ち、
引上げ面がａ面と5゜傾いている種結晶１を用いた
場合、結晶のｂ面に平行に発生するサブグレイン
バウンダリーの抑制に効果がある。
引上げ軸の傾斜する方位は、ｃ面上およびｂ面
上に限定されるものではなく、第３図に示すよう
にａ軸の周りならいずれの方位でも良く、同図の
斜線領域であれば、方位により多少の差はある
が、同様の効果があり、特にストリエーシヨン状
サブグレインバウンダリーの少ないモリブデン酸
鉛単結晶が得られることが確認された。
上に限定されるものではなく、第３図に示すよう
にａ軸の周りならいずれの方位でも良く、同図の
斜線領域であれば、方位により多少の差はある
が、同様の効果があり、特にストリエーシヨン状
サブグレインバウンダリーの少ないモリブデン酸
鉛単結晶が得られることが確認された。
このようにして得られた単結晶の引上軸に垂直
な面に近いａ面をＸ線回折法で探し出し、ａ面を
露出させて鏡面研磨をし、目視により、またはレ
ーザー光束中に試料を入れて、その結晶内部を観
察した結果、ストリエーシヨン状サブグレインバ
ウンダリーは結晶周辺わずかに残る場合がある
が、結晶中央部には散乱源が全くない、均質な結
晶であることを確認した。結晶周辺部にサブグレ
インバウンダリーがわずかに残つても、この部分
は媒体として直方体に切出す際に、捨てる部分で
あり問題はない。
な面に近いａ面をＸ線回折法で探し出し、ａ面を
露出させて鏡面研磨をし、目視により、またはレ
ーザー光束中に試料を入れて、その結晶内部を観
察した結果、ストリエーシヨン状サブグレインバ
ウンダリーは結晶周辺わずかに残る場合がある
が、結晶中央部には散乱源が全くない、均質な結
晶であることを確認した。結晶周辺部にサブグレ
インバウンダリーがわずかに残つても、この部分
は媒体として直方体に切出す際に、捨てる部分で
あり問題はない。
また、この方法で得られた単結晶は引上軸がａ
軸から10℃以上ずれた場合に比べ、ａ，ｂおよび
ｃ面にそつて平行に切断し直方体状の超音波光変
調媒体を切出す際に、Ｘ線回折測定等切出し操作
が簡単であり、さらに切りしろとして捨てる部分
が少ないので無駄が少なく、使用した原料を有効
に生かすことができる。したがつて引上軸がａ軸
から10゜以上ずれた場合に比べ、10゜以下のずれを
もつて育成した場合、コストが下げられる等実用
的にも有利である。
軸から10℃以上ずれた場合に比べ、ａ，ｂおよび
ｃ面にそつて平行に切断し直方体状の超音波光変
調媒体を切出す際に、Ｘ線回折測定等切出し操作
が簡単であり、さらに切りしろとして捨てる部分
が少ないので無駄が少なく、使用した原料を有効
に生かすことができる。したがつて引上軸がａ軸
から10゜以上ずれた場合に比べ、10゜以下のずれを
もつて育成した場合、コストが下げられる等実用
的にも有利である。
以上述べたように、本発明によれば、ａ軸方向
から１〜9゜傾いた方向に、垂直に平面を切り出し
て、該切出面を引上げ面としたために、得られる
モリブデン酸鉛単結晶は、ａ軸方向から１〜9゜傾
斜しているため、引上げ軸が10゜以上傾斜した単
結晶よりもａ面、ｂ面及びｃ面に沿う切り出しに
おいても収率が良いとともに、この引上げ面がａ
軸方向から1゜以上傾斜しているので、ａ面を引上
げ面とした場合に得られるモリブデン酸鉛単結晶
に生じるｂ面に平行なサブグレインバウンダリを
除去することができ、レーザービームが透過した
際に発生する回折効率の悪化、消光比不良のない
高品質な光変調媒体としてのモリブデン酸鉛単結
晶を製造する方法を提供することができる。
から１〜9゜傾いた方向に、垂直に平面を切り出し
て、該切出面を引上げ面としたために、得られる
モリブデン酸鉛単結晶は、ａ軸方向から１〜9゜傾
斜しているため、引上げ軸が10゜以上傾斜した単
結晶よりもａ面、ｂ面及びｃ面に沿う切り出しに
おいても収率が良いとともに、この引上げ面がａ
軸方向から1゜以上傾斜しているので、ａ面を引上
げ面とした場合に得られるモリブデン酸鉛単結晶
に生じるｂ面に平行なサブグレインバウンダリを
除去することができ、レーザービームが透過した
際に発生する回折効率の悪化、消光比不良のない
高品質な光変調媒体としてのモリブデン酸鉛単結
晶を製造する方法を提供することができる。
第１図ａ，ｂ，ｃは、モリブデン酸鉛単結晶を
ａ軸〈100〉引上げを行つた場合に表われる代表
的欠陥と結晶方位との関係を表わす図であり、第
１図ａは結晶中央部に表われる気泡を示し、第１
図ｂは結晶周辺部に表われるサブグレインバウン
ダリーを示し、第１図ｃはｂ面にほぼ平行に表わ
れるストリエーシヨン状サブグレインバウンダリ
ーを示す。第２図は、本発明の実施例で用いた種
結晶の２つの例についてその切り出し方法と引上
方向を示す図である。第３図は、本発明で有効で
あると認められる引上方位を示す図である。
ａ軸〈100〉引上げを行つた場合に表われる代表
的欠陥と結晶方位との関係を表わす図であり、第
１図ａは結晶中央部に表われる気泡を示し、第１
図ｂは結晶周辺部に表われるサブグレインバウン
ダリーを示し、第１図ｃはｂ面にほぼ平行に表わ
れるストリエーシヨン状サブグレインバウンダリ
ーを示す。第２図は、本発明の実施例で用いた種
結晶の２つの例についてその切り出し方法と引上
方向を示す図である。第３図は、本発明で有効で
あると認められる引上方位を示す図である。
Claims (1)
- １ モリブデン酸鉛単結晶を融液から種結晶を用
いて引き上げることによつて製造する方法におい
て、種結晶のａ軸から１〜9゜傾いた方向に垂直に
平面を切り出して、該切出面を引上げ面としたこ
とを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11395880A JPS5738399A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Manufacture of lead molybdate single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11395880A JPS5738399A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Manufacture of lead molybdate single crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5738399A JPS5738399A (en) | 1982-03-03 |
| JPH0366278B2 true JPH0366278B2 (ja) | 1991-10-16 |
Family
ID=14625463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11395880A Granted JPS5738399A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Manufacture of lead molybdate single crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5738399A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4975500A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-22 | ||
| JPS6057978B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1985-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 副組立部分を設けた治具盤による被組立体の組立方法 |
-
1980
- 1980-08-21 JP JP11395880A patent/JPS5738399A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5738399A (en) | 1982-03-03 |
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