JPH0366214A - 高周波電力増幅回路 - Google Patents
高周波電力増幅回路Info
- Publication number
- JPH0366214A JPH0366214A JP20308889A JP20308889A JPH0366214A JP H0366214 A JPH0366214 A JP H0366214A JP 20308889 A JP20308889 A JP 20308889A JP 20308889 A JP20308889 A JP 20308889A JP H0366214 A JPH0366214 A JP H0366214A
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- JP
- Japan
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- frequency power
- high frequency
- collector
- base
- gate
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- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波電力増幅回路に関するものである。
第２図は従来の高周波電力増幅回路の等価回路図である
。図において（１）は耐Ｊ周波電力増幅用トランジスタ
、（２）はコレクタ電圧供給端子、（５） ＋８＋は抵
抗、（６）はコレクタ用高周波コイル、（７）はバイパ
スコンデンサ、（９）はベース用高周波コイル、（１０
）は温度補償用ダイオードである。次に動作について説
明する。一般にバイポーラ型高周波電力増幅用トランジ
スタは、それへの入力電力が微小な場合、第２図のよう
な、抵抗分割によるＡＢ級動作をさせるのが通常である
。
。図において（１）は耐Ｊ周波電力増幅用トランジスタ
、（２）はコレクタ電圧供給端子、（５） ＋８＋は抵
抗、（６）はコレクタ用高周波コイル、（７）はバイパ
スコンデンサ、（９）はベース用高周波コイル、（１０
）は温度補償用ダイオードである。次に動作について説
明する。一般にバイポーラ型高周波電力増幅用トランジ
スタは、それへの入力電力が微小な場合、第２図のよう
な、抵抗分割によるＡＢ級動作をさせるのが通常である
。
すなわち、バイポーラ型の高周波電力増１陥用トランジ
スタ（１）には、コレクタ用高周波コイル（７）を通し
て、コレクタ電圧供給端子（２）から、コレクタ電圧が
印加される。また、抵抗＋５＋ ＋８１により、コレク
タ電圧が減圧されベースへ、ベース・バイアス電圧とし
て、コレクタ電圧供給端子（２）より印加される。
スタ（１）には、コレクタ用高周波コイル（７）を通し
て、コレクタ電圧供給端子（２）から、コレクタ電圧が
印加される。また、抵抗＋５＋ ＋８１により、コレク
タ電圧が減圧されベースへ、ベース・バイアス電圧とし
て、コレクタ電圧供給端子（２）より印加される。
従来の高周波電力増幅回路は以上のように構成されてい
るので、次のような問題点があった。高周波電力増１ｌ
１７ｉＩ回路の出力電力を調整する場合において、コレ
クタ電圧供給端子から供給されるコレクタ電圧を調整す
る必要がある。このコレクタ電圧を調整する場合には、
高周波電力増幅用トランジスタのコレクタ電圧およびベ
ース電圧が同時に変化し、このため、調整用の電流とし
ては、双方の電流が、コレクタ電圧供給端子から流れる
こととなり、電流が大きくなってしまうということであ
る。
るので、次のような問題点があった。高周波電力増１ｌ
１７ｉＩ回路の出力電力を調整する場合において、コレ
クタ電圧供給端子から供給されるコレクタ電圧を調整す
る必要がある。このコレクタ電圧を調整する場合には、
高周波電力増幅用トランジスタのコレクタ電圧およびベ
ース電圧が同時に変化し、このため、調整用の電流とし
ては、双方の電流が、コレクタ電圧供給端子から流れる
こととなり、電流が大きくなってしまうということであ
る。
この発明は、上記のような問題点を解消するためのもの
であり、微小電流にて出力電力の制御を可能とする高周
波電力増幅回路を得ることを目的とする。
であり、微小電流にて出力電力の制御を可能とする高周
波電力増幅回路を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波電力増幅回路は、高周波電力増幅
用トランジスタのコレクターベース間に電界効果トラン
ジスタを挿入することによるものである。
用トランジスタのコレクターベース間に電界効果トラン
ジスタを挿入することによるものである。
この発明における高周波電力増幅回路は、コレクターベ
ース間に挿入された電界効果トランジスタの、ゲート電
圧を変化させることにより、ベースへ流れる電流値を変
化させることができる。
ース間に挿入された電界効果トランジスタの、ゲート電
圧を変化させることにより、ベースへ流れる電流値を変
化させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は高周波電力増幅回路を示す等価回路図である。図に
おいて、ＴＩ） 、 ＋２） 、 ＋５）〜（７）は第
２次１の従来例に示したものと同等であるので説明を省
略する。高周波電力用トランジスタ（１）のコレクタと
ベースの間には、抵抗（５）を介し電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ］４１のドレインおよびソースが接続されて
いる。電界効果トランジスタ（４）のゲートには、ゲー
ト電圧供給端子（３）が設けられている。
図は高周波電力増幅回路を示す等価回路図である。図に
おいて、ＴＩ） 、 ＋２） 、 ＋５）〜（７）は第
２次１の従来例に示したものと同等であるので説明を省
略する。高周波電力用トランジスタ（１）のコレクタと
ベースの間には、抵抗（５）を介し電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ］４１のドレインおよびソースが接続されて
いる。電界効果トランジスタ（４）のゲートには、ゲー
ト電圧供給端子（３）が設けられている。
次に動作について説明する。コレクタ電圧供給端子（２
）から供給された電圧は、コレクタ用高周波コイル（６
）を通して、高周波電力増幅用トランジスタ（１）のコ
レクタに供給されるとともに、抵抗（５）および電界効
果トランジスタ（４）のドレイン−ソースを通して、ベ
ースに供給されるが、このベースへ供給される電圧は、
電界効果トランジスタ（４）のゲートに設けられたゲー
ト電圧供給端子（３）に印加される電圧により変化させ
ることができる。
）から供給された電圧は、コレクタ用高周波コイル（６
）を通して、高周波電力増幅用トランジスタ（１）のコ
レクタに供給されるとともに、抵抗（５）および電界効
果トランジスタ（４）のドレイン−ソースを通して、ベ
ースに供給されるが、このベースへ供給される電圧は、
電界効果トランジスタ（４）のゲートに設けられたゲー
ト電圧供給端子（３）に印加される電圧により変化させ
ることができる。
このようになされた発明によれば、電界効果トランジス
タのゲートへの電圧を変化させることにより、高周波電
力増幅用トランジスタのベースへの電圧値を制御できる
ことになり、このベース電圧の制御により、高周波電力
増幅用トランジスタの電力利得を制御できることになる
。このゲート電圧の変化は、例えば１ｍＡｌ２Ｌ下で可
能であり、このことから衛生電流にて、出力電力を制御
できる回路を得ることができる。
タのゲートへの電圧を変化させることにより、高周波電
力増幅用トランジスタのベースへの電圧値を制御できる
ことになり、このベース電圧の制御により、高周波電力
増幅用トランジスタの電力利得を制御できることになる
。このゲート電圧の変化は、例えば１ｍＡｌ２Ｌ下で可
能であり、このことから衛生電流にて、出力電力を制御
できる回路を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による高周波電力増幅回路
の等価回路図、第２図は従来の高周波電力増幅回路の等
価回路図を示す。図において（１）は高周波電力増幅用
トランジスタ、（２）はコレクタ電圧供給端子、（３）
はゲート電圧供給端子、（４）は電界効果トランジスタ
、（５）は抵抗、（６）はコレクタ用高周波コイル、
＋７１はバイパス・コンデンサ、である。 なお、図１中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
の等価回路図、第２図は従来の高周波電力増幅回路の等
価回路図を示す。図において（１）は高周波電力増幅用
トランジスタ、（２）はコレクタ電圧供給端子、（３）
はゲート電圧供給端子、（４）は電界効果トランジスタ
、（５）は抵抗、（６）はコレクタ用高周波コイル、
＋７１はバイパス・コンデンサ、である。 なお、図１中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- バイポーラ型の高周波電力増幅用トランジスタによる、
高周波電力増幅回路において、そのトランジスタのコレ
クタとベース間に、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の
ソースおよびドレイン電極を接続し、このＦＥＴのゲー
トに、コレクタへの電圧供給端子とは別の電圧供給端子
を設け、このゲートへの供給電圧を変化させることによ
り、バイポーラ型トランジスタのベースに印加される電
圧をコントロールすることを可能とする高周波電力増幅
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20308889A JPH0366214A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 高周波電力増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20308889A JPH0366214A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 高周波電力増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366214A true JPH0366214A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16468169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20308889A Pending JPH0366214A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 高周波電力増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366214A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008132819A1 (ja) | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Kenichi Tokuyama | カードケース |
| US8040286B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
| US9676541B2 (en) | 2012-09-25 | 2017-06-13 | Unicharm Corporation | Storage container |
-
1989
- 1989-08-05 JP JP20308889A patent/JPH0366214A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040286B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency module |
| WO2008132819A1 (ja) | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Kenichi Tokuyama | カードケース |
| US9676541B2 (en) | 2012-09-25 | 2017-06-13 | Unicharm Corporation | Storage container |
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