JPH0365596A - 気相法ダイヤモンドのコーティング方法 - Google Patents
気相法ダイヤモンドのコーティング方法Info
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 9
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 20
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNSPFAOULBTYBI-UHFFFAOYSA-N [O].C#C Chemical group [O].C#C LNSPFAOULBTYBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N pranlukast Chemical compound C=1C=C(OCCCCC=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)NC(C=1)=CC=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C=1N=NNN=1 UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004583 pranlukast Drugs 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野J
本発明は超硬合金の表面に気相法ダイヤモンドをコーテ
ィングする方法に関し、より詳しくは超硬合金とダイヤ
モンドの密着性を高めるコーティング方法に関する。
ィングする方法に関し、より詳しくは超硬合金とダイヤ
モンドの密着性を高めるコーティング方法に関する。
〔従来の技術1
切削工具として用いられる超硬合金の表面にTic、
TiN等のコーティングを施す方法が行なわれている
が近年、物質中最高の硬度を有するダイヤモンドをコー
ティングすることが試みられている。
TiN等のコーティングを施す方法が行なわれている
が近年、物質中最高の硬度を有するダイヤモンドをコー
ティングすることが試みられている。
この場合、超硬合金の大部分が含有しているGo、 N
i、 Feが超硬合金とダイヤモンドの密着性を低下さ
せる傾向がある。従来これを防ぐため、超硬合金の表面
を酸処理によって表面からGOlNi、Fe等を溶解、
除去させたり、最近では超硬合金の表面をアルコール、
H,0、co、 co□等の含有した雰囲気で熱処理す
る方法(特願昭62−305233号)がある。
i、 Feが超硬合金とダイヤモンドの密着性を低下さ
せる傾向がある。従来これを防ぐため、超硬合金の表面
を酸処理によって表面からGOlNi、Fe等を溶解、
除去させたり、最近では超硬合金の表面をアルコール、
H,0、co、 co□等の含有した雰囲気で熱処理す
る方法(特願昭62−305233号)がある。
[発明が解決しようとする課題J
本件出願人が先に出願した燃焼炎法によるダイヤモンド
の合成法(特願昭63−71758号)でダイヤモンド
膜をコーティングする場合、酸処理によって表面からC
01Ni、 Fe等を溶解する手法は工程が複雑になり
時間と人手を必要とする他に、基板表面のミクロな傷を
消失させるためダイヤモンドの核発生密度が低下し、膜
の平坦性、付着強度が低下するという欠点があった。
の合成法(特願昭63−71758号)でダイヤモンド
膜をコーティングする場合、酸処理によって表面からC
01Ni、 Fe等を溶解する手法は工程が複雑になり
時間と人手を必要とする他に、基板表面のミクロな傷を
消失させるためダイヤモンドの核発生密度が低下し、膜
の平坦性、付着強度が低下するという欠点があった。
又特願昭62−30523:1号に示す超硬合金の表面
をアルコール、+1.0 、 Co、 Go□等の含
有した雰囲気で熱処理する手法では表面処理に時間がか
かり。
をアルコール、+1.0 、 Co、 Go□等の含
有した雰囲気で熱処理する手法では表面処理に時間がか
かり。
又エツチング効果もそれほど強くないので付着強度も不
十分であった。
十分であった。
本発明は上記の問題点を解決し、付着強度の高いダイヤ
モンド膜を効率よく合成することを目的とする。
モンド膜を効率よく合成することを目的とする。
[課題を解決するための手段1
本件発明者らは上記の目的を達成するために鋭意研究し
た結果、特願昭63−71758号に示された燃焼炎法
に先立ち、超硬合金の要所を酸素比率が高められた燃焼
炎の完全燃焼領域又は酸素炎にさらした後に、ダイヤモ
ンド合成領域である不完全燃焼領域に超硬合金を設置す
ることにより付着強度の高いダイヤモンド膜を効率よく
合成することを発見して本件発明を完成するに至った。
た結果、特願昭63−71758号に示された燃焼炎法
に先立ち、超硬合金の要所を酸素比率が高められた燃焼
炎の完全燃焼領域又は酸素炎にさらした後に、ダイヤモ
ンド合成領域である不完全燃焼領域に超硬合金を設置す
ることにより付着強度の高いダイヤモンド膜を効率よく
合成することを発見して本件発明を完成するに至った。
すなわち、本件発明の要旨は超硬合金表面をダイヤモン
ド析出用原料化合物の完全燃焼領域または該領域近傍の
酸化性雰囲気に保持した後に、ダイヤモンド析出用化合
物を不完全燃焼領域を有するように燃焼させ、該不完全
燃焼領域中または該領域近傍の非酸化性雰囲気中に超硬
合金基材を設置することにより、超硬合金基材にダイヤ
モンドをコーティングさせることを特徴とする気相法ダ
イヤモンドのコーティング方法にある。
ド析出用原料化合物の完全燃焼領域または該領域近傍の
酸化性雰囲気に保持した後に、ダイヤモンド析出用化合
物を不完全燃焼領域を有するように燃焼させ、該不完全
燃焼領域中または該領域近傍の非酸化性雰囲気中に超硬
合金基材を設置することにより、超硬合金基材にダイヤ
モンドをコーティングさせることを特徴とする気相法ダ
イヤモンドのコーティング方法にある。
この場合、例えば酸素−アセチレン炎では超硬合金表面
の前処理となる完全燃焼炎は可燃性ガスと酸素の比がC
,II□70□≦1で、この防炎の温度は3000℃以
上と最高となる。この炎の内部に超硬合金の基材を保持
すると、表面のGo、 Ni、 Feは高速にガス化し
、表面はダイヤモンドの形成しやすい状態となるばかり
か、表面が荒れ基板とダイヤモンド膜をつなぎとめるア
ンカーの役割を果たす。
の前処理となる完全燃焼炎は可燃性ガスと酸素の比がC
,II□70□≦1で、この防炎の温度は3000℃以
上と最高となる。この炎の内部に超硬合金の基材を保持
すると、表面のGo、 Ni、 Feは高速にガス化し
、表面はダイヤモンドの形成しやすい状態となるばかり
か、表面が荒れ基板とダイヤモンド膜をつなぎとめるア
ンカーの役割を果たす。
以上の表面処理に必要な時間はガスの流量に依存するが
通常は数分間と高速である。上記の表面処理後、酸素比
率を下げ不完全燃焼領域に基材を設置すれば、表面処理
の後、瞬時にダイヤモンド膜の合成に入ることができる
。
通常は数分間と高速である。上記の表面処理後、酸素比
率を下げ不完全燃焼領域に基材を設置すれば、表面処理
の後、瞬時にダイヤモンド膜の合成に入ることができる
。
本発明は特願昭63−71758号で示し、第35回応
用物理学関係連合講演会講演予稿集第2分冊29a−P
−1,434頁、°88で開示したダイヤモンド合成装
置と同一の装置で表面処理ができることを特徴としてい
る。すなわちダイヤモンド膜の合成中は第2図に示すよ
うに燃焼炎中の8で示される瓜元炎(内炎)と称される
酸素不足の領域に保持する。この領域は酸素不足で燃焼
炎中では比較的低温である。
用物理学関係連合講演会講演予稿集第2分冊29a−P
−1,434頁、°88で開示したダイヤモンド合成装
置と同一の装置で表面処理ができることを特徴としてい
る。すなわちダイヤモンド膜の合成中は第2図に示すよ
うに燃焼炎中の8で示される瓜元炎(内炎)と称される
酸素不足の領域に保持する。この領域は酸素不足で燃焼
炎中では比較的低温である。
これに対して本発明で表面処理に用いられる領域は第1
図に示す外炎3である。この領域は燃焼炎中では最も温
度が高く通常ダイヤモンドは合成できない。この領域で
表面処理を行った後、ダイヤモンドが形成する内炎に基
板を移す方法としてはバーナーを基板に近づけたり、逆
に基板をバーナーに近づけたりする手法が考えられるが
、−射的には可燃性ガスに対する酸素の比率を高めてお
いた後に適正な酸素比率にするのが最も簡単で適確であ
る。
図に示す外炎3である。この領域は燃焼炎中では最も温
度が高く通常ダイヤモンドは合成できない。この領域で
表面処理を行った後、ダイヤモンドが形成する内炎に基
板を移す方法としてはバーナーを基板に近づけたり、逆
に基板をバーナーに近づけたりする手法が考えられるが
、−射的には可燃性ガスに対する酸素の比率を高めてお
いた後に適正な酸素比率にするのが最も簡単で適確であ
る。
すなわち、アセチレンガスを例にとるとアセチレンガス
と酸素ガスを燃焼させた場合、ダイヤモンドが合成でき
る領域が形成するのはC,H210□〉lであるので、
基板を設置した状態でC,11,10□≦1とすると基
板は外炎にさらされ表面処理が行なわれる。この表面処
理後、酸素比率を下げると連続してダイヤモンド合成に
入れる。この表面処理に必要な時間はガス流量、酸素比
率によって異なるが、本件発明者の実験によるとアセチ
レン1.5I2/分、酸素1.5β/分で外炎を形成し
、超硬基板を設置すると約2〜3分後には表面のCo、
Ni、Fe成分はガス化し、また表面が数μオーダー
で荒れアンカー効果が高かった。またこの表面の荒れ方
は超硬金属基板の寸法精度を狂わせるほどではなかった
。
と酸素ガスを燃焼させた場合、ダイヤモンドが合成でき
る領域が形成するのはC,H210□〉lであるので、
基板を設置した状態でC,11,10□≦1とすると基
板は外炎にさらされ表面処理が行なわれる。この表面処
理後、酸素比率を下げると連続してダイヤモンド合成に
入れる。この表面処理に必要な時間はガス流量、酸素比
率によって異なるが、本件発明者の実験によるとアセチ
レン1.5I2/分、酸素1.5β/分で外炎を形成し
、超硬基板を設置すると約2〜3分後には表面のCo、
Ni、Fe成分はガス化し、また表面が数μオーダー
で荒れアンカー効果が高かった。またこの表面の荒れ方
は超硬金属基板の寸法精度を狂わせるほどではなかった
。
上記に示した完全燃焼炎、又は酸化炎でCo、Ni、
Feが除去されるメカニズムは定かではないが、不完全
燃焼炎に比べると高温であるためGo、Ni、 Feが
直接気化すること、また不完全燃焼炎に比べると多く含
まれるCo2.1120によってCo。
Feが除去されるメカニズムは定かではないが、不完全
燃焼炎に比べると高温であるためGo、Ni、 Feが
直接気化すること、また不完全燃焼炎に比べると多く含
まれるCo2.1120によってCo。
Ni、 FeがCo(COl4、N1(COl、 、F
e(CO)5等のカルボニル化合物を形成して気化する
ことが考えられる。
e(CO)5等のカルボニル化合物を形成して気化する
ことが考えられる。
〔実流例]
第1図に示す装置を用い原料ガスとしてアセチレン及び
酸素を用い本発明を実施した。即ちアセチレン用バーナ
ーを先端部を下に固定し、バナーノズルより2Onon
の距離に水冷した基板支持台、その上にl 0mm角、
厚さ3mmの超硬基板(組成1IC94重量%、Co
6重量%)を設置した。バーナーにアセチレン1.5I
2/分、酸素1.i/分を流し、白心、外炎から成る完
全燃焼炎を形成し、この内部に5分間超硬基板を保持し
た。その後、酸素比率を下げアセチレン 1.5I2/
分、酸素1.1/分として白心、還元炎(アセチレンフ
ェザ−)、外炎からなる炎を形成し、第2図に示すよう
に基板を還元炎内に保持し、ダイヤモンドをコーティン
グした。
酸素を用い本発明を実施した。即ちアセチレン用バーナ
ーを先端部を下に固定し、バナーノズルより2Onon
の距離に水冷した基板支持台、その上にl 0mm角、
厚さ3mmの超硬基板(組成1IC94重量%、Co
6重量%)を設置した。バーナーにアセチレン1.5I
2/分、酸素1.i/分を流し、白心、外炎から成る完
全燃焼炎を形成し、この内部に5分間超硬基板を保持し
た。その後、酸素比率を下げアセチレン 1.5I2/
分、酸素1.1/分として白心、還元炎(アセチレンフ
ェザ−)、外炎からなる炎を形成し、第2図に示すよう
に基板を還元炎内に保持し、ダイヤモンドをコーティン
グした。
合成後、ダイヤモンド膜の密着性を調べるため、先端が
直径200μmの半球状で頂角120°のダイヤモンド
膜ロックウェル圧子を用い、これをダイヤモンド膜表面
に圧入して剥離するまでの荷重を求めた。その結果約3
5kgでダイヤモンド膜が剥離した。
直径200μmの半球状で頂角120°のダイヤモンド
膜ロックウェル圧子を用い、これをダイヤモンド膜表面
に圧入して剥離するまでの荷重を求めた。その結果約3
5kgでダイヤモンド膜が剥離した。
[比較例1]
実施例と同様の装置を用い、完全燃焼炎による表面処理
を行わずにダイヤモンド膜の合成を行なった。すなわち
第2図に示すようにアセチ171M21分、酸素1.2
ff/分の条件で還元炎内に30分間基板を保持した。
を行わずにダイヤモンド膜の合成を行なった。すなわち
第2図に示すようにアセチ171M21分、酸素1.2
ff/分の条件で還元炎内に30分間基板を保持した。
合成後、実施例と同様にダイヤモンド膜が剥離するまで
の荷重を調べたところ、約20kgであった。
の荷重を調べたところ、約20kgであった。
[比較例21
直径20cm、高さ15cn+、容積4.5eの熱フィ
ラメント法CVD反応装置内に実施例と同じ超硬堰板を
基板支持台上に置き、CO: 20SCCM、 CO
□:20SCCM、 II2: 5SC(Jlの混合ガ
ス中でフィラメント温度2000℃、基板温度800℃
、反応圧力50Torrで1時間表面処理を行なった。
ラメント法CVD反応装置内に実施例と同じ超硬堰板を
基板支持台上に置き、CO: 20SCCM、 CO
□:20SCCM、 II2: 5SC(Jlの混合ガ
ス中でフィラメント温度2000℃、基板温度800℃
、反応圧力50Torrで1時間表面処理を行なった。
この表面処理済みの超硬基板を同じく第2図に示すよう
にアセチレン1.5β/分、酸素1.212/分の条件
で還元炎内に30分間基板を保持した。
にアセチレン1.5β/分、酸素1.212/分の条件
で還元炎内に30分間基板を保持した。
ダイヤモンド合成後、実施例と同様にダイヤモンド膜が
剥離するまでの荷重を調べたところ約25kgであった
。
剥離するまでの荷重を調べたところ約25kgであった
。
[発明の効果]
本発明は超硬合金の表面処理とダイヤモンド膜のコーテ
ィングを一連の作業で行ない得るとともに、強靭な付着
力を有するダイヤモンドのコーテイング膜を合成できる
。
ィングを一連の作業で行ない得るとともに、強靭な付着
力を有するダイヤモンドのコーテイング膜を合成できる
。
第1図は超硬基板の表面処理をする例の正面図、第2図
はダイヤモンドコーテイング膜を合成する例を示す正面
図である。
はダイヤモンドコーテイング膜を合成する例を示す正面
図である。
Claims (1)
- 超硬合金表面をダイヤモンド析出用原料化合物の完全燃
焼領域または該領域近傍の酸化性雰囲気に保持した後に
、ダイヤモンド析出用化合物を不完全燃焼領域を有する
ように燃焼させ、該不完全燃焼領域中または該領域近傍
の非酸化性雰囲気中に超硬合金基材を設置することによ
り、超硬合金基材にダイヤモンドをコーティングさせる
ことを特徴とする気相法ダイヤモンドのコーティング方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20213389A JP2709150B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 気相法ダイヤモンドのコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20213389A JP2709150B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 気相法ダイヤモンドのコーティング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0365596A true JPH0365596A (ja) | 1991-03-20 |
JP2709150B2 JP2709150B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=16452511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20213389A Expired - Fee Related JP2709150B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 気相法ダイヤモンドのコーティング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2709150B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996030557A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-03 | Trustees Of Boston University | Enhanced adherence of diamond coatings employing pretreatment process |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20213389A patent/JP2709150B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996030557A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-03 | Trustees Of Boston University | Enhanced adherence of diamond coatings employing pretreatment process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2709150B2 (ja) | 1998-02-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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