JPH0362984A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0362984A JPH0362984A JP19876989A JP19876989A JPH0362984A JP H0362984 A JPH0362984 A JP H0362984A JP 19876989 A JP19876989 A JP 19876989A JP 19876989 A JP19876989 A JP 19876989A JP H0362984 A JPH0362984 A JP H0362984A
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- Japan
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- semiconductor laser
- light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザ素子の光強度をモニタすること
が可能な受光機能を具備する半導体レーザ装置に関する
。
が可能な受光機能を具備する半導体レーザ装置に関する
。
（従来の技術）
従来の半導体レーザ装置では一般に半導体レーザ素子の
片方の端面から放射されるレーザ光を受光素子を用いて
受光し、その受光素子の出力で半導体レーザの出力光の
強度をモニタする方式が用いられており、このレーザ光
強度モニタ方式は市販のＣＤ光源で実用化されている。
片方の端面から放射されるレーザ光を受光素子を用いて
受光し、その受光素子の出力で半導体レーザの出力光の
強度をモニタする方式が用いられており、このレーザ光
強度モニタ方式は市販のＣＤ光源で実用化されている。
また半導体レーザ素子（Ｌ Ｉ）素子）と受光素子とし
てのホトダイオード（１）Ｄ素子）とをモノリシックに
Ｂｇする補遺も用いられている〈例えば、ＩＥＥＥ Ｊ
ｏｕｒｎａｏｆ ＱｕａｎｔｕｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ、２４．２１７０（１９８８））。
てのホトダイオード（１）Ｄ素子）とをモノリシックに
Ｂｇする補遺も用いられている〈例えば、ＩＥＥＥ Ｊ
ｏｕｒｎａｏｆ ＱｕａｎｔｕｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｓ、２４．２１７０（１９８８））。
（発明が解決しようとする課題）
以上に述べた半導体レーザ装置ではどちらも受光素子か
らの戻り光の影響を免れることはできず、受光素子が雑
音増大の原因となっている。また半導体レーザ素子と受
光素子とを個別に実装する前者の方式では受光素子を実
装するために多くの工数がかかる上に、受光感度の補正
を行なう必要がある。半導体レーザ素子と受光素子とを
モノリシックに集積する後者の方式では、実装の手間は
かからないが、半導体レーザ素子の出射面をへき開で形
成しないから、ドライプロセスやその後のアニールなと
プロセス技術を注意深く適用する必要があり、製造が非
常に難しい。
らの戻り光の影響を免れることはできず、受光素子が雑
音増大の原因となっている。また半導体レーザ素子と受
光素子とを個別に実装する前者の方式では受光素子を実
装するために多くの工数がかかる上に、受光感度の補正
を行なう必要がある。半導体レーザ素子と受光素子とを
モノリシックに集積する後者の方式では、実装の手間は
かからないが、半導体レーザ素子の出射面をへき開で形
成しないから、ドライプロセスやその後のアニールなと
プロセス技術を注意深く適用する必要があり、製造が非
常に難しい。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、簡単にレーザ光の光強度をモニタすることを可能とす
る半導体レーザ装置を提供することにある４ （課題を解決するための手段） 本発明では、ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて
、クラッド層と、レーザ光に対して非透明な電流ブロッ
ク層とがｐｎ接合を形成しており、このｐｎ接合に電圧
を印加する電極が前記電流ブロック層に設けてあること
を特徴としている。
、簡単にレーザ光の光強度をモニタすることを可能とす
る半導体レーザ装置を提供することにある４ （課題を解決するための手段） 本発明では、ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて
、クラッド層と、レーザ光に対して非透明な電流ブロッ
ク層とがｐｎ接合を形成しており、このｐｎ接合に電圧
を印加する電極が前記電流ブロック層に設けてあること
を特徴としている。
（作用）
このような構造をとることにより、クラッド層に対して
透明な半導体レーザのレーザ光が電流ブロック層により
吸収されるとき、ブロック層の光吸収により電子ホール
対が生成され、拡散した少数キャリアがクラッド層との
接合面近傍の空乏層をドリフトするから、ｐｎ接合に対
する逆方向電流が流れる。そこで、本発明の半導体レー
ザ装置では、電流ブロック層に形成された電極によりそ
の逆方向電流をモニタしてレーザ光の強度を知ることが
できる。
透明な半導体レーザのレーザ光が電流ブロック層により
吸収されるとき、ブロック層の光吸収により電子ホール
対が生成され、拡散した少数キャリアがクラッド層との
接合面近傍の空乏層をドリフトするから、ｐｎ接合に対
する逆方向電流が流れる。そこで、本発明の半導体レー
ザ装置では、電流ブロック層に形成された電極によりそ
の逆方向電流をモニタしてレーザ光の強度を知ることが
できる。
（実施例）
以下、屈折率導波型のＡＩＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ装置を実施の１として挙げ、本発明を一層詳しく説
明する。
ーザ装置を実施の１として挙げ、本発明を一層詳しく説
明する。
第１図は本発明の一実施例である半導体レーザ装置の断
面図である。この実施例の作成においては、まず、有機
金属気相成長法を用いて、ＧａＡｓ基板９土にｎ型（Ａ
１ ｏ、ａ Ｇ ａｏ２） ｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ第２
クラッド層２を０．８μｍ、ｎ−（Ａ Ｉ（＋、４ Ｇ
ａｏ、ａ ） ０．５１ ｒｌｏ、ｓ Ｐ第１クラッド
層３を０ 、３ μｍ、 Ｇ ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ活性層４を０．０５μｍ、ｐ型（Ａ １Ｇ、４ Ｇ
ａｏ、ａ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層
５を０．３μｍ、Ｐ型（Ａ Ｉ ｏ、ｓ Ｇａｏ２）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第２クラッド層７を０．８μ
ｍ、ｐ型ＧａＡｓキャ・７１層８を０．５μｍ順次に成
長する。
面図である。この実施例の作成においては、まず、有機
金属気相成長法を用いて、ＧａＡｓ基板９土にｎ型（Ａ
１ ｏ、ａ Ｇ ａｏ２） ｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ第２
クラッド層２を０．８μｍ、ｎ−（Ａ Ｉ（＋、４ Ｇ
ａｏ、ａ ） ０．５１ ｒｌｏ、ｓ Ｐ第１クラッド
層３を０ 、３ μｍ、 Ｇ ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ活性層４を０．０５μｍ、ｐ型（Ａ １Ｇ、４ Ｇ
ａｏ、ａ ）ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層
５を０．３μｍ、Ｐ型（Ａ Ｉ ｏ、ｓ Ｇａｏ２）
ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第２クラッド層７を０．８μ
ｍ、ｐ型ＧａＡｓキャ・７１層８を０．５μｍ順次に成
長する。
次に、Ｓ ｉ Ｏを膜をマスクとして、ｐ−第１クラッ
ド層表面までメサ状に残してエツチングした後に、エツ
チングに用いたＳｉＯｚＭを選択成長用のマスクとして
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓブロック層６を１．２μｍ成長す
る。５ｆＯｚ＃を除去した後、ｐ−ＧａＡｓ層９を２μ
ｍ成長する。成長温度は７００″Ｃ，ｐ型ドーパントと
してＺｎ、ｎ型ドーパントとしてＳｉを用いた。ｐ側表
面にＴｉ ＰｔＡｕ電極１０、ｎｆｆ１表面にＡ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ ’Ｓ極１１を形成する（ＳＰＩＥ 、
８９８．８４（１９８８））。
ド層表面までメサ状に残してエツチングした後に、エツ
チングに用いたＳｉＯｚＭを選択成長用のマスクとして
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓブロック層６を１．２μｍ成長す
る。５ｆＯｚ＃を除去した後、ｐ−ＧａＡｓ層９を２μ
ｍ成長する。成長温度は７００″Ｃ，ｐ型ドーパントと
してＺｎ、ｎ型ドーパントとしてＳｉを用いた。ｐ側表
面にＴｉ ＰｔＡｕ電極１０、ｎｆｆ１表面にＡ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ ’Ｓ極１１を形成する（ＳＰＩＥ 、
８９８．８４（１９８８））。
’Ｉ’ｉｒ’ｔＡｕ電極１０とその下部の成長層のｎブ
ロック層６の途中までをイオンミリングにより取り除い
た後、取り除いた層の表面からＡｕＧｅＮｉを蒸着する
。蒸＠１＆、ＴｉＰｔＡｕ電極とキャップ層と電流ブロ
ック層の電極を分離するためにイオンミリングを行なっ
て第１図のｖｉ３Ｇが得られる。
ロック層６の途中までをイオンミリングにより取り除い
た後、取り除いた層の表面からＡｕＧｅＮｉを蒸着する
。蒸＠１＆、ＴｉＰｔＡｕ電極とキャップ層と電流ブロ
ック層の電極を分離するためにイオンミリングを行なっ
て第１図のｖｉ３Ｇが得られる。
電極とその下部のエピタキシャル成長層をエツチングす
る方法はＲＩＢＥなど他の方法でもよい。
る方法はＲＩＢＥなど他の方法でもよい。
素子を駆動する場合、ｐ−’ｒヤツ１層からｎブロツツ
ク層に電流が流れないように、電極１２にバイアスをか
ける必要がある。また、電子のＰ−クラッド４へのオー
バーフロー電流は光電流に対して十分小さく、熟視する
ことができる。
ク層に電流が流れないように、電極１２にバイアスをか
ける必要がある。また、電子のＰ−クラッド４へのオー
バーフロー電流は光電流に対して十分小さく、熟視する
ことができる。
（発明の効果）
本発明の半導体レーザ装置の構造では、半導体レーザ素
子の作成と同時受光Ｒ能をもった部分が形成されるから
、格別な注意を要するプロセスを経ることなしに半導体
レーザ素子の出力光強度のモニタ機能が造り付けられる
。従って、本発明の補遺の採用により、出力光強度のモ
ニタができ、しかも製作が容易で、受光素子の実装も必
要でない半導体レーザ装置が得られる。
子の作成と同時受光Ｒ能をもった部分が形成されるから
、格別な注意を要するプロセスを経ることなしに半導体
レーザ素子の出力光強度のモニタ機能が造り付けられる
。従って、本発明の補遺の採用により、出力光強度のモ
ニタができ、しかも製作が容易で、受光素子の実装も必
要でない半導体レーザ装置が得られる。
第１図は本発明の半導体レーザの断面図である。
図において、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ（Ａ Ｉｏ
、ａ Ｇａｏ、ｔ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第２
クラッド層、３はｎ （Ａ Ｉ （１，４Ｇ ａｏ６
） ｏ、５Ｉｎａ、Ｐ第１クラッド層、４はＧ ａ 。 ｌｎｏ、ｓＰ活性層、５はＰ （Ａ Ｉ。、４ Ｇ
ａｏ、ａンｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層、
６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７はｐ （Ａｌｏ
、５ＧａＯ，２） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ第２クラ
ッド層、８はＰ−ＧａＡｓキャップ層、９もｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層、１０はＴｉＰｔＡｕ１極、１１，１２．
１３はＡｕＧｅＮｉ電＆である。
、ａ Ｇａｏ、ｔ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第２
クラッド層、３はｎ （Ａ Ｉ （１，４Ｇ ａｏ６
） ｏ、５Ｉｎａ、Ｐ第１クラッド層、４はＧ ａ 。 ｌｎｏ、ｓＰ活性層、５はＰ （Ａ Ｉ。、４ Ｇ
ａｏ、ａンｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ第１クラッド層、
６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７はｐ （Ａｌｏ
、５ＧａＯ，２） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、５ Ｐ第２クラ
ッド層、８はＰ−ＧａＡｓキャップ層、９もｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層、１０はＴｉＰｔＡｕ１極、１１，１２．
１３はＡｕＧｅＮｉ電＆である。
Claims (1)
- ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて、クラッド
層とレーザ光に対して非透明な電流ブロック層とがｐｎ
接合を形成しており、このｐｎ接合に電圧を印加する電
極が前記電流ブロック層に設けてあることを特徴とする
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19876989A JPH0362984A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19876989A JPH0362984A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362984A true JPH0362984A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16396625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19876989A Pending JPH0362984A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362984A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244551A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Sony Corp | パルセーションレーザ |
| JP2001251012A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Sony Corp | パルセーションレーザ |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19876989A patent/JPH0362984A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244551A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Sony Corp | パルセーションレーザ |
| JP2001251012A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Sony Corp | パルセーションレーザ |
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