JPH036075A - 高調波発生装置 - Google Patents
高調波発生装置Info
- Publication number
- JPH036075A JPH036075A JP14051189A JP14051189A JPH036075A JP H036075 A JPH036075 A JP H036075A JP 14051189 A JP14051189 A JP 14051189A JP 14051189 A JP14051189 A JP 14051189A JP H036075 A JPH036075 A JP H036075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nonlinear crystal
- crystal structure
- incident
- reflection
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は例えばYAGレーザ光を透過することで基本波
(1,06μm)中に第2高調波(532nm)を発生
する高調波発生装置に関す(従来の技術) YAGレーザ光の第2高調波(532nm)を発生させ
るため、例えば第5図に示されるような、レーザ装置1
がある。このレーザ装置1はYAGレーザ発振部2およ
びこの発振部2から出力された基本波(1,06μm)
を第2高調波(532n m)に変換する非線形結晶体
3とを有している。
(1,06μm)中に第2高調波(532nm)を発生
する高調波発生装置に関す(従来の技術) YAGレーザ光の第2高調波(532nm)を発生させ
るため、例えば第5図に示されるような、レーザ装置1
がある。このレーザ装置1はYAGレーザ発振部2およ
びこの発振部2から出力された基本波(1,06μm)
を第2高調波(532n m)に変換する非線形結晶体
3とを有している。
上記YAGレーザ発振部2はYAGレーザロッド4とこ
れを励起するキセノンランプ5とを有し、上記レーザロ
ッド4の端部には高反射ミラー6と出力ミラー7とがそ
れぞれ対向されており、上記出力ミラー7から発振波長
(1,06μm以下λと記す)である基本波が出力され
るようになっている。この出力ミラー7からの出力光は
上記非線形結晶体3は入射光に対して位相整合のとれた
状態に設けられている。
れを励起するキセノンランプ5とを有し、上記レーザロ
ッド4の端部には高反射ミラー6と出力ミラー7とがそ
れぞれ対向されており、上記出力ミラー7から発振波長
(1,06μm以下λと記す)である基本波が出力され
るようになっている。この出力ミラー7からの出力光は
上記非線形結晶体3は入射光に対して位相整合のとれた
状態に設けられている。
そして、この非線形結晶体3を透過することで基本波(
1,06μm)の一部が第2高調波(532n m)に
変換される。つまり、非線形結晶体3からは基本波(1
,06μm)と第2高調波(532nm)の合成光が出
力される。
1,06μm)の一部が第2高調波(532n m)に
変換される。つまり、非線形結晶体3からは基本波(1
,06μm)と第2高調波(532nm)の合成光が出
力される。
このような非線形結晶体3はレーザ光の透過距離が長い
程、そして、光密度が高い程第2高調波の発生効率を高
めることができる。しかしながら、非線形結晶体3はレ
ーザ光が一度透過されたのみで変換を終了してしまうの
で、非線形結晶体3のレーザ光の透過方向の寸法分のみ
が波長変換に寄与するのみであり、効率の高い高調波発
生ができないものであった。
程、そして、光密度が高い程第2高調波の発生効率を高
めることができる。しかしながら、非線形結晶体3はレ
ーザ光が一度透過されたのみで変換を終了してしまうの
で、非線形結晶体3のレーザ光の透過方向の寸法分のみ
が波長変換に寄与するのみであり、効率の高い高調波発
生ができないものであった。
(発明が解決しようとする課題)
非線形結晶体は光の透過距離が長いほど、透過する光の
密度が高いほど高調波に変換される密度が高いという性
質をもっている。そして従来の高調波発生装置は透過方
向に1度透過されるのみなので、高い効率で高調波に変
換することができなかった。
密度が高いほど高調波に変換される密度が高いという性
質をもっている。そして従来の高調波発生装置は透過方
向に1度透過されるのみなので、高い効率で高調波に変
換することができなかった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、小型
でありながら透過光路長を延長して高い変換効率を得る
ことができる高調波発生装置を提供することを目的とす
る。
でありながら透過光路長を延長して高い変換効率を得る
ことができる高調波発生装置を提供することを目的とす
る。
(課題を解決するための手段)
光線が入射する入射部を設け、上記光線の基本波とこの
基本波の第2高調波とを反射する反射面を有して上記入
射部から所定角度で入射した光線が複数回繰返して反射
するように一対の高反射ミラー部を設け、この高反射ミ
ラー部間で反射を繰返した光線が出射する出射部を設け
、この一対の高反射ミラー部間に反射を繰返す光線を位
相整合して透過させるように非線形結晶体を設けた高調
波発生装置にある。
基本波の第2高調波とを反射する反射面を有して上記入
射部から所定角度で入射した光線が複数回繰返して反射
するように一対の高反射ミラー部を設け、この高反射ミ
ラー部間で反射を繰返した光線が出射する出射部を設け
、この一対の高反射ミラー部間に反射を繰返す光線を位
相整合して透過させるように非線形結晶体を設けた高調
波発生装置にある。
(作 用)
入射部から所定の入射角度で入射された光線は、非線形
結晶体を透過しながら、上記一対の高反射ミラー部間で
複数回反射されることで透過光路距離を延長することが
できるので効率の高い高調波発生ができる。
結晶体を透過しながら、上記一対の高反射ミラー部間で
複数回反射されることで透過光路距離を延長することが
できるので効率の高い高調波発生ができる。
(実施例)
本発明における第1実施例を第1図および第2図を参照
して説明する。YAGレーザ発振装置によって出力され
たレーザ光11(基本波ω:1.06μm)が後述する
高調波発生装置9に入射されるようになっている。
して説明する。YAGレーザ発振装置によって出力され
たレーザ光11(基本波ω:1.06μm)が後述する
高調波発生装置9に入射されるようになっている。
そして、上記高調波発生装置9は以下に説明するように
なっている。所定距離をもって平行な状態に一対の高反
射ミラー12.13が配設されている。これらの高反射
ミラー12,13はともに長方形状のプレートであり、
対峙される反射面が基本波ωおよび第2高調波2ωに対
して高い反射率をもつ反射膜がコーティングされている
。
なっている。所定距離をもって平行な状態に一対の高反
射ミラー12.13が配設されている。これらの高反射
ミラー12,13はともに長方形状のプレートであり、
対峙される反射面が基本波ωおよび第2高調波2ωに対
して高い反射率をもつ反射膜がコーティングされている
。
そして、これら高反射ミラー12.13は互いの長手方
向の端部がずれた状態で配置されており、このずらされ
た部分が入射部14、および出射部15に形成されてい
る。
向の端部がずれた状態で配置されており、このずらされ
た部分が入射部14、および出射部15に形成されてい
る。
さらに、これら高反射ミラー12.13の間には矩形状
に形成されたβ−BaB204からなる非線形結晶体1
6が対峙する側面を高反射ミラー12.13の反射面に
平行にして設けられている。
に形成されたβ−BaB204からなる非線形結晶体1
6が対峙する側面を高反射ミラー12.13の反射面に
平行にして設けられている。
この非線形結晶体16は高反射ミラー12;13内で反
射される光線に対して位相整合がとれた状態に設けられ
ている。
射される光線に対して位相整合がとれた状態に設けられ
ている。
このように構成された高調波発生装置9はレーザ光が高
反射ミラー12.13の反射面に直行する非線形結晶体
16の側面に平行でかつ非線形結晶体16の光軸に僅か
に傾いて入射部14に入射されると、図中に示されるよ
うに、まず、非線形結晶体16に入射され、透過された
光の一部が第2高調波に変換される。そして、非線形結
晶体16から一旦出射された光は高反射ミラー12に反
射されて再度非線形結晶体16に入射される。
反射ミラー12.13の反射面に直行する非線形結晶体
16の側面に平行でかつ非線形結晶体16の光軸に僅か
に傾いて入射部14に入射されると、図中に示されるよ
うに、まず、非線形結晶体16に入射され、透過された
光の一部が第2高調波に変換される。そして、非線形結
晶体16から一旦出射された光は高反射ミラー12に反
射されて再度非線形結晶体16に入射される。
ここで、非線形結晶体16に入射された光はその都度所
定の屈折率で光軸が屈折されるが、図中では略している
。
定の屈折率で光軸が屈折されるが、図中では略している
。
このようにして、非線形結晶体16中を複数回透過しな
がらほぼ正反射を繰返すことで反射点を変えながら結晶
体16の長手方向に移動し、上記出射部15から出射さ
れる。このようにして、複数回にわたって非線形結晶体
16中をレーザ光が透過することで、透過光路長を延長
し変換効率を高めることができる。また、出射されるレ
ーザ光11a(ω+2ω)は入射されるレーザ光11(
ω)と略同−平面をなして出射される。
がらほぼ正反射を繰返すことで反射点を変えながら結晶
体16の長手方向に移動し、上記出射部15から出射さ
れる。このようにして、複数回にわたって非線形結晶体
16中をレーザ光が透過することで、透過光路長を延長
し変換効率を高めることができる。また、出射されるレ
ーザ光11a(ω+2ω)は入射されるレーザ光11(
ω)と略同−平面をなして出射される。
次に、本発明における第2実施例を第3図および第4図
を参照して説明する。図中に示されるように高調波発生
装置17は直方体形状に形成された非線形結晶体18か
らなっている。この非線形結晶体18は例えばβ−Ba
B204から成っており、対向される2面は光学的平滑
面19.20に仕上げられ、さらに、これらの面19.
20には高い反射率をもつコーティング19a、20a
が施されている。
を参照して説明する。図中に示されるように高調波発生
装置17は直方体形状に形成された非線形結晶体18か
らなっている。この非線形結晶体18は例えばβ−Ba
B204から成っており、対向される2面は光学的平滑
面19.20に仕上げられ、さらに、これらの面19.
20には高い反射率をもつコーティング19a、20a
が施されている。
そして、これらコーティング19a、20aは非線形結
晶体18の対角位置を結ぶ一部を除いて施されており、
この部分がそれぞれ入射部21および出射部22となっ
ている。
晶体18の対角位置を結ぶ一部を除いて施されており、
この部分がそれぞれ入射部21および出射部22となっ
ている。
YAGレーザ光1光転1本波ω: 1.06μm)を非
線形結晶体18の光軸に対し直行する2方向においてそ
れぞれ若干傾けて入射部に入射させる。
線形結晶体18の光軸に対し直行する2方向においてそ
れぞれ若干傾けて入射部に入射させる。
入射されたレーザ光は上記コーティング19a。
20a部分間で反射位置を変えながら複数回連続反射し
、最終的に上記出射部22より出射される。
、最終的に上記出射部22より出射される。
入射したレーザ光11は ′ 非線形
結晶体18内において側面方向からみて段差をつけて進
行する。そして、上述のように複数回反射されることで
透過光路長を延長して高い効率で第2高調波(2ω:5
32nm)を発生することができる。
結晶体18内において側面方向からみて段差をつけて進
行する。そして、上述のように複数回反射されることで
透過光路長を延長して高い効率で第2高調波(2ω:5
32nm)を発生することができる。
なお、本発明は上記各実施例にのみ限定されるものでは
ない。また、入射される光はYAGレーザの基本波(ω
:1.06μm)であるが、これに限定されず例えば第
2高調波(2ω:532nm)を入射することで第4高
調波(4ω:226nm)を発生させることもできる。
ない。また、入射される光はYAGレーザの基本波(ω
:1.06μm)であるが、これに限定されず例えば第
2高調波(2ω:532nm)を入射することで第4高
調波(4ω:226nm)を発生させることもできる。
非線形結晶体を挾んで対峙する高反射ミラー部間で反射
位置が移動するように複数回反射するように構成するこ
とで、上記非線形結晶体中を透過する光路を延長できる
ので、従来構造に比較してより高い効率で高調波を発生
することができる。
位置が移動するように複数回反射するように構成するこ
とで、上記非線形結晶体中を透過する光路を延長できる
ので、従来構造に比較してより高い効率で高調波を発生
することができる。
第1図は本発明における第1実施例の高調波発生装置の
平面図、第2図は上記第1実施例の高調波発生装置の側
面図、第3図は本発明における第2実施例の高調波発生
装置の平面図、第4図は上記第2実施例の高調波発生装
置の側面図、第5図は従来におけるレーザ発振装置とこ
れに設けられた高調波発生装置を概略的に示す平面図で
ある。 12、’13・・・高反射ミラー 14・・・入射部、
15・・・出射部、16・・・非線形結晶体、18・・
・非線形結晶体、19a、20a・・・コーティング(
高反射ミラー)、21・・・入射部、22・・・出射部
。 第1 図 第2図 第3図 flJ因
平面図、第2図は上記第1実施例の高調波発生装置の側
面図、第3図は本発明における第2実施例の高調波発生
装置の平面図、第4図は上記第2実施例の高調波発生装
置の側面図、第5図は従来におけるレーザ発振装置とこ
れに設けられた高調波発生装置を概略的に示す平面図で
ある。 12、’13・・・高反射ミラー 14・・・入射部、
15・・・出射部、16・・・非線形結晶体、18・・
・非線形結晶体、19a、20a・・・コーティング(
高反射ミラー)、21・・・入射部、22・・・出射部
。 第1 図 第2図 第3図 flJ因
Claims (1)
- 光線が入射する入射部と、上記光線の基本波とこの基本
波の第2高調波とを反射する反射面を有し上記入射部か
ら所定の入射角度で入射された光線が反射点を変えなが
ら反射を複数回繰返す状態に対峙された一対の高反射ミ
ラー部と、この高反射ミラー部間で複数回反射された光
線が出射される出射部と、この高反射ミラー部間に上記
反射を繰返す光線を位相整合して透過させるように設け
られた非線形結晶体とを具備する高調波発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14051189A JPH036075A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14051189A JPH036075A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 高調波発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036075A true JPH036075A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15270349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14051189A Pending JPH036075A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 高調波発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036075A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6041128A (en) * | 1994-01-31 | 2000-03-21 | Rion Kabushiki Kaisha | Battery receiving chamber and hearing aid |
US8345905B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-01-01 | Panasonic Corporation | Hearing aid |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14051189A patent/JPH036075A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6041128A (en) * | 1994-01-31 | 2000-03-21 | Rion Kabushiki Kaisha | Battery receiving chamber and hearing aid |
US8345905B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-01-01 | Panasonic Corporation | Hearing aid |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2721436B2 (ja) | 第2高調波発生装置 | |
US5091915A (en) | Semiconductor laser excited solid laser device | |
KR980006669A (ko) | 레이저 광 발생장치 | |
JP2009198606A (ja) | 波長変換装置 | |
KR100863199B1 (ko) | 고조파 빔 발생용 레이저 장치 및 방법 | |
JPH036075A (ja) | 高調波発生装置 | |
US20080304136A1 (en) | Optical parametric oscillator | |
JPS63121829A (ja) | 高調波発生装置 | |
JPH03148888A (ja) | 高調波発生装置 | |
JPH02126242A (ja) | 光波長変換装置 | |
JP2004241773A (ja) | 共振器内で周波数変換を行うレーザー光学系 | |
JPH0318833A (ja) | 高調波発生素子および高調波発生装置 | |
JP2751119B2 (ja) | 平行光作成装置 | |
JPH03234073A (ja) | 高調波発生用レーザ装置 | |
JP2000299520A (ja) | レーザ発振器 | |
JPH05323404A (ja) | 光波長変換素子 | |
JP3031740B2 (ja) | 高調波発生装置 | |
JP3074772B2 (ja) | 第2高調波発生装置 | |
RU70009U1 (ru) | Оптический параметрический генератор | |
JP2666350B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JPH03150887A (ja) | 高調波発生用レーザ装置 | |
JPH02257125A (ja) | 高調波発生素子 | |
JPS60112024A (ja) | 光波長変換装置 | |
JPS61208027A (ja) | 超音波光変調装置 | |
TW201027218A (en) | Wavelength conversion devices having multi-component output faces and systems incorporating the same |