JPH0359166A - 高特性炭素繊維の製造方法 - Google Patents

高特性炭素繊維の製造方法

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JPH0359166A
JPH0359166A JP19166589A JP19166589A JPH0359166A JP H0359166 A JPH0359166 A JP H0359166A JP 19166589 A JP19166589 A JP 19166589A JP 19166589 A JP19166589 A JP 19166589A JP H0359166 A JPH0359166 A JP H0359166A
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carbon fiber
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は炭素繊維の製造方法に関するものであり、より
詳しくは引張り強度及び引張り弾性率が向上した高特性
の炭素繊維の製造方法に関するものである。
(従来の技術) 炭素繊維は、比強度及び比弾性率が高い材料であり、高
性能複合材料のフィラー繊維として注目されている。
現在、炭素繊維はポリアクリロニトリル(PAN)を原
料とするPAN系炭素繊維とピッチ類を原料とするピッ
チ系炭素繊維が製造されているが、近年の複合材料の高
品質化の要求に応じて、いずれのタイプの炭素繊維も強
度、弾性率の高特性化の検討が種々なされている。
例えば、ピッチ系炭素繊維では従来紡糸原料として使用
されてきた等言質ピッチの代わりに異方性が発達した、
いわゆるメソフェーズピッチを使用する方法(特公昭4
9−、8634号公報)が提案されて以来、異方性の紡
糸原料の種々の改質検討が提案・報告されている一方、
既に炭素繊維となった状態のものを更に酸素含有雰囲気
下で特定温度で加熱することにより引張り強度並びに引
張り弾性率を同時に改良する方法(特開昭6L2157
16号公報)が知られている。
又PAN系炭素繊維においても特殊グレードの1000
℃焼成PAN系炭素繊維を空気流通下、特定温度で処理
することが報告されている。
(Polymer  Engineering  an
d  5cience 、 May 。
1984 Vol、 24 No、7.455〜459
)。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、これらは全て炭素繊維表面の性状を改質
することにより、マトリックスとの接着性を向上させる
ものか、あるいは表面上の大きな欠陥を除去しようとす
るものにすぎず、特性は改善されるものの、本質的な改
善とは言えず炭素繊維内の結晶構造を変化させることに
より、得られる炭素繊維の特性を更に向上しようとする
ものではなかった。
(課題を解決するための手段) そこで本発明者等は、従来の課題を解決すべく鋭意検討
した結果、特定量の電子線を炭素繊維に照射することに
より結晶内に微小な欠陥を生じせしめ、その結果引張り
強度及び引張り弾性率が向上することを見い出し、本発
明に到達した。
すなわち、本発明は引張り強度及び引張り弾性率の向上
した高特性炭素繊維を簡便に製造する方法を提供するも
のである。
そして、その目的は1000℃以上の温度で焼成して得
られた炭素繊維を500 kV以上の電子線で1000
 M r a d以上照射処理することを特徴とする特
性炭素繊維の製造方法により容易に遠戚される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明で用いる炭素繊維はピッチ系炭素繊維、PAN系
炭素繊維のいずれのものも使用することができる。
ピッチ系炭素繊維を得るための紡糸ピッチとしては、配
向しやすい分子種が形成されており、光学的に異方性の
炭素繊維を与えるものであればよい。
これら紡糸ピッチを得るための炭素質原料としては、例
えば、石炭系のコールタール、コールタールピッチ、石
炭液化物、石油系の重質油、タール、ピッチ等が挙げら
れる。゛・これらの炭素質原料には通常フリーカーボン
、未溶解石炭、灰分などの不純物が含まれているが、こ
れらの不純物は濾過、遠心分離、あるいは溶剤を使用す
る静置沈降分離などの周知の方法で予め除去しておく事
が望ましい。
また、前記炭素質原料を、例えば、加熱処理した後特定
溶剤で可溶分を抽出するといった方法、あるいは水素供
与性溶剤、水素ガスの存在下に水添処理するといった方
法で予備処理を行っておいても良い。
本発明においては、前記炭素質原料あるいは予備処理を
行った炭素質原料を、通常350〜500℃、好ましく
は380〜450℃で、2分〜50時間、好ましくは5
分〜5時間、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、
或いは、吹き込み下に加熱処理することによって得られ
る40%以上、好ましくは70%以上の光学的異方性組
織を含み、かつキノリンネ溶分が40重量%以下、好ま
しくは35重量%以下のメソフェーズピッチが好適であ
る。
本発明でいうメソフェーズピッチの光学的異方性組織割
合は、常温下偏光顕微鏡でのメソフェーズピッチ試料中
の光学的異方性を示す部分の面積割合として求めた値で
ある。
具体的には、例えばメソフェーズピッチ試料を数恥角に
粉砕したものを常法に従って約2cm直径の樹脂の表面
のほぼ全面に試料片を埋込み、表面を研磨後、全体をく
まなく偏光顕微鏡(100倍率)下で観察し、試料の全
表面積に占める光学的異方性部分の面積の割合を測定す
る事によって求める。
上記の様な紡糸ピッチを用いて通常の方法に従って溶融
紡糸、不融化、炭化、更には必要に応じて黒鉛化して炭
素繊維を得る。又、PAN系炭素繊維としては従来より
公知のものが使用できる。具体的にはポリアクリロニト
リルを含有する紡糸原液を溶融紡糸後、耐炎化処理を行
ないピッチ系炭素繊維の場合と同様にして炭化処理、必
要に応じて黒鉛化処理を行ない炭素繊維を得る。
特に、本発明では1000℃以上の温度で焼成した炭素
繊維、好ましくは、1200〜3000 ’Cで10〜
400秒、特に好ましくは、1400から2000℃で
10〜300秒程度の温度で炭化あるいは黒鉛化処理し
た炭素繊維あるいは黒鉛繊維(以下、これらを「炭素繊
維」という。)が好適に使用される。
本発明においてかかる炭素繊維に対して500 kV以
上好ましくは500〜2000 kV更に好ましくは7
00〜2000 kVの電子線1000 M rad以
上、好ましくは1000〜10000 M rad更に
好ましくは1500〜10000 M radの照射量
を照射処理することが重要である。その際、照射量が1
00O100Oより少ないと得られた炭素繊維の引張り
強度及び引張り弾性率のいずれも改善されないので好ま
しくない。又あまりに照射量が多いと引張り強度が低下
する可能性が大きくなるのであまり好ましくない。照射
処理自体は通常の電子線照射装置により行われるのが具
体的には、電子線加速装置と、電子線照射領域に被照射
物を般送する装置とを備え、かつ、冷却装置を装備する
かまたは、照射、冷却を断続的に行うことができる照射
装置により行われ、その処理帯域の雰囲気としてはガス
種、圧力、温度について特に制限は無いが、被照射物の
温度が500℃以上に達する場合は、不活性ガス雰囲気
下で行なうのがよい。
以上の様に、特定の電子線照射により得られた炭素繊維
は繊維自体の強度、弾性率が改善される。
この原因は未だ十分には解明されていないが、臨界エネ
ルギー以上の電子線によって、結晶内部にフレンケル欠
陥のような微細な欠陥が取りこまれるとこによるものと
推定される。
(実施例) 以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明
の要旨を超えない限り、本発明は実施例に限定されるも
のではない。
実施例1 表1に示したように、PAN系、ピッチ系各2種の炭素
繊維に対して、搬送装置を有する電子線照射装置を用い
、750kVの加速電圧下で約20秒、照射した後冷却
する操作を72回繰返し、総照射量1800Mradと
した、雰囲気は空気中である。
PAN系並びにピッチ系の高特性炭素繊維各2種類につ
いて、照射前後の引張り強度と引張弾性率とを比較した
結果を表1に示した。
加速電圧750 kV、照射線量1800 M rad
の条件下では、引張り強度及び弾性率について増加が認
められた。
比較例1 実施例と同一の照射装置を用いて、750 kVの加速
電圧下で、約20秒照射した後冷却する操作を、4回及
び24回繰返し、総照射量100及び600 M ra
dとした。雰囲気は空気中である。
ピッチ系の2種類の試料についての照射前後の引張強度
並びに引張弾性率の値を表2に示した。
比較例2 170 kVの加速電圧下で約5秒照射した後冷却する
操作をioo回繰返し、総照射量2000 M rad
とした。雰囲気は空気中である。
ピッチ系の2種類の試料についての照射前後の引張強度
並びに引張弾性率の値を表3に示した。本条件では改善
の傾向は認められなかった。
(発明の効果) 本発明によれば、炭素繊維を構成する結晶内に微小な欠
陥を生ぜしめることにより、繊維自体の引張り強度及び
引張り弾性率を同時に向上した高特性の炭素繊維を製造
することができる。特に高特性ピッチ系炭素繊維は機械
的特性が優れているので各種繊維強化複合材に非常に有
用である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1000℃以上の温度で焼成して得られた炭素繊
    維に500kV以上の電子線で1000Mrad以上照
    射処理することを特徴とする高特性炭素繊維の製造方法
  2. (2)電子線が500〜2000kVで1000〜10
    000Mradの範囲で照射処理する請求項1記載の製
    造方法。
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