JPH0359143B2 - - Google Patents

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JPH0359143B2
JPH0359143B2 JP58109711A JP10971183A JPH0359143B2 JP H0359143 B2 JPH0359143 B2 JP H0359143B2 JP 58109711 A JP58109711 A JP 58109711A JP 10971183 A JP10971183 A JP 10971183A JP H0359143 B2 JPH0359143 B2 JP H0359143B2
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Description

【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 本発明は無電解めつき液の組成を常に一定に維
持するための管理装置に関するものである。 〔従来技術〕 一般に、無電解めつき液は金属陽イオン、金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤等を主成分として含有してなるものであり、
時に汎用度の高い無電解銅めつき液を例にとつて
示せば次の組成を有するめつき液が代表的なもの
である。 CuSO4・5H2O(銅イオン供給剤) EDTA・4Na・4H2O(銅イオンの錯化剤) HCHO(還元剤) NaOH(PH調整剤) α−α′ジピリジル(安定剤) ポリエチレングリコール(界面活性剤) かかる組成を有する無電解銅めつき液において
は、めつきに伴ない次の主反応及び副反応が起こ
つているものと考えられる。 主反応 CuY-2+2HCHO+4OH-→Cu°+Y4-+2HC
OO-+2H2O+H2 副反応 2HCHO+OH-→CH3OH+HCOO-2Cu2++HCHO+5OH-→Cu2
O+HCOO-+3H2O Cu2O+H2O→Cu°+Cu2++2OH-CuY2-+HCOO-+3OH-→C
u°+Y4-+CO2- 3+2H2O ここに、YはEDTA(エチレンジアミン四酢
酸)、Cu°は吸着銅原子を表わす。 前記めつき反応を安定した状態で継続的に維持
するには、めつき液を構成する全ての成分が常に
一定であることが望ましい。しかしながら、前記
めつき反応を進行させつつめつき液の組成を常に
一定に保持するのは非常に難かしい。即ち、前記
めつき反応において、反応消耗成分であるCu2+
HCHO、OH-は夫々CuSO4・5H2O、HCHO、
NaOHとして補充すればよいか、反応で消耗せ
ず反応とともに増加していくSO2- 4、Na+、及び
HCHOの酸化生成物であるHCOO-、HCOO-
酸化生成物であるCO2- 3(空気中のCO2ガスの溶解
にもよる)はめつき反応の進行に伴ない蓄積イオ
ンとして蓄積されていき、また、かかる蓄積イオ
ンの増加はめつき品質に悪影響を与えることが一
般に知られている。従つて、めつき液の組成はめ
つき反応の進行に伴なつてその建浴当初から刻々
と変化していき、その結果、比較的短期間でめつ
き液のめつき能の低下を来たし、これに伴ないめ
つき品質も低下していくという欠点があつた。 かかる欠点に対し従来では、めつき液を一定期
間使用した後廃棄し再建浴する方法、または、め
つき液中の前記蓄積イオン量を一定以上に増加さ
せないようにめつき液の比重を管理しながら相当
量の新液補充を行なう方法によつていた。しか
し、前者の方法ではめつき液建浴当初の液組成を
維持するためにめつき液の再建浴を頻繁に行なう
必要があり、コスト高を招来するとともに作業性
も悪く、また、後者の方法によつても補充される
新液には反応消耗成分であるCu2+、HCHO、
OH-と当量のSO2- 4、HCOO-、Na+が含まれてい
るからこれらの組成をめつき液建浴当初と同じに
維持するためには極めて多量の新液を補充しなけ
ればならず、結局この方法によつてもコスト面、
作業性において実用的ではなかつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は前記従来の欠点を改良し、無電
解めつき液の組成をめつき反応の進行にかかわら
ず常に、そのめつき液の建浴当初の組成と同じに
維持し、もつて長期にわたりめつき品質の良好な
無電解のめつき液を供給し得る管理装置を提供す
るにある。 〔発明の構成〕 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。第1図は電解槽1の断面図を示し、電解槽1
は陽イオン交換膜2と陰イオン交換膜3とにより
3室A、B、Cに区画されている。室Aにはめつ
きに使用される金属陽イオン、例えば、銅イオ
ン、コバルトイオン、ニツケルイオン、パラジウ
ムイオン、白金イオン、銀イオン、金イオン等を
解離せしめる金属塩溶液が満たされている。ま
た、室Bには前記金属塩、その金属塩からの金属
陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、PH調
整剤としてのアルカリ金属水酸化物、めつき液の
安定性の向上、めつき皮膜の機械的性質の向上、
めつき速度の向上等のために用いられる添加剤を
含有する無電解めつき液が満たされており、錯化
剤としてはエチレンジアミン、ジエチレントリア
ミン、トリエチレンテトラアミン、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、N,N,N′,N′−テトラキス
−2−(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジア
ミン、クエン酸、酒石酸、1,3−プロパンジア
ミン、アンモニア、ロツシエル塩酸、N−ヒドロ
キシエチルエチレンジアミントリ酢酸のナトリウ
ム塩類(モノー、ジー、及びトリ−ナトリウム塩
類)、ニトリロトリ酢酸及びそのアルカリ塩類、
グリコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールアミ
ン等が適する。また、還元剤としては、ホルムア
ルデヒド及びその早期硬化剤あるいは誘導体、例
えば、グリコールアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド、トリオキサン、ジメチルヒダントイン、グ
リオキザール及びその類似物、その他アルカリ金
属のボロハイドライド類、ボラン類が適用され
る。PH調整剤としては水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属の水
酸化物が使用される。更に、添加剤としてはα−
α′ジピリジル、ポリエチレングリコール、その他
のシアン化物、エトキシ界面活性剤、イオウ化合
物、希土類元素等が挙げられる。また、室Cには
室Bに満たされた無電解めつき液のPHを調整する
ため前記アルカリ金属水酸化物溶液が満たされて
いる。 室Aと室Cの各溶液中には、夫々電極4,5が
浸漬されており、各電極4,5間には第2図に示
すような定電流の方形波交流パルスが印加され
る。この波形のデユーテイは後述のようにめつき
条件により定められる。 〔実施例〕 続いて、本発明の一実施例を無電解銅めつき液
を例にとつて詳細に説明する。 本実施例では電解槽1の各室A、B、Cには
夫々次の組成を有する溶液が満たされる。 室A CuSO4・5H2O 1.0M/ H2SO4 0.1M/ Na2SO4 0.5M/ 室B CuSO4・5H2O 0.04M/ EDTA・4Na・4H2O 0.10M/ HCHO 5ml/ NaOH PHが12.3となる量 α−α′ジピリジル 20mg/ ポリエチレングリコール 5g/ 室C NaOH 1M/ このように構成された電解槽1の室Aと室Cに
浸漬された銅板電極4、白金板電極5に交流定電
流パルスがかけられ、各溶液中のイオンは陽イオ
ン交換膜2及び陰イオン交換膜3を介して移動す
る。かかる各イオンの移動状態を第3図、第4図
を参照し、(1)銅板電極4がプラス、白金板電極5
がマイナスになつた時、(2)銅板電極4がマイナ
ス、白金板電極5がプラスになつた時の2つの場
合に分けて説明する。 (1) 銅板電極4がプラス、白金板電極5がマイナ
スになつたとき。 第3図に示す如く、室AにおけるCu2+、H+
Na+は銅板電極4がプラスになつているため陽
イオン交換膜2を介して室Bに移動する。ま
た、室CにおけるOH-、SO2- 4、HCOO-
CO2- 3、CuY2-、Y4-は電極5がマイナスになつ
ているので陰イオン交換膜3を介して室Bに移
動するが、室CにおけるOHの濃度は他のイオ
ンSO2- 4、HCOO-、CO2- 3、CuY2-、Y4-の濃度
に比べて格段に高いので陰イオン交換膜2を介
して室Bに移動するのはほとんどOH-のみで
ある。このとき室B内では、Cu2+が無電解銅
めつき液中に当初から含有されていたEDTA
からのY4-と反応して錯体を形成し、CuY2-
イオンとして補捉される。また、OH-とH+
は互いに反応して消費される。 (2) 銅板電極4がマイナス、白金板電極5がプラ
スになつたとき。 このとき、室BからNa+が陽イオン交換膜2
を介して室Aに移動されるが、室B内における
陽イオンはNa+しか存在せず、従つてNa+は非
常に透過し易いので前記した(1)の場合において
室Aから室Bに陽イオン交換膜2を介して移動
するNa+の移動量よりも大きくなり、この結果
Na+は室Bから室Aに選択的に除去されること
になる。これにより銅板電極4と白金板電極5
間に交流定電流パルスをかけている間にわたり
室BにおけるNa+濃度はEDTA・4Na・4H2O
からNa+が過剰に生じてもほぼ一定に保持され
る。また、イオン交換膜に対するイオンの透過
性は一般的にイオンの価数が大きい程、また、
イオンが嵩高い程小さくなることから、室B内
における陰イオンのうちCuY2-、Y4-はSO2- 4
HCOO-、CO2- 3に比べて格段に陰イオン交換膜
を透過しにくいものであり、更に、室Bから室
Cへ移動するSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の移動量
は前記(1)の場合において室Cから室Bへ移動す
るときの移動量よりも大きく、従つて、SO2- 4
HCOO-、CO2- 3は両電極4,5間に交流定電流
パルスを流すことにより陰イオン交換膜3を介
して室Bから選択的に除去されることになる。
一方、室B内においてOH-は前記の如くめつ
き反応やH+との反応の消費されるので、室B
内におけるOH-の濃度はSO2- 4、HCOO、CO2- 3
の濃度よりもかなり低く、従つてOH-は室B
から室Cにほとんど移動されることはない。 以上2つの場合に分けて説明したように、本実
施例によれば銅板電極4と白金板電極5間に交流
定電流パルスをかけることにより陽イオン交換膜
2及び陰イオン交換膜3を介して、めつき反応に
必要なCu2+、OH-を選択的に室Bに補充せしめ
得るとともに、めつき反応の進行に伴なつて増加
するめつき反応に不要なNa+、SO2- 4、HCOO-
CO2- 3を室Bから選択的に除去し得るものである。
これより、めつき反応とともに消費される
HCHOとEDTA・4Na・4H2Oとを必要量だけ補
充すれば、室Bにおける無電解銅めつき液の組成
をめつき反応の進行にかかわらずめつき液の建浴
当初の組成と同じに維持することができる。な
お、交流定電流パルスのデユーテイは各成分の濃
度に基づいて設定する。 かかる電解槽1より構成される無電解銅めつき
液の管理装置は第5図に示すようなめつき装置に
組み込まれて使用される。同図において、室B内
で一定の組成に制御されためつき液は循環パイプ
6により無電解銅めつき浴7に送入される。めつ
き浴7内でめつきが行なわれた後、めつき液はポ
ンプ8により一担貯蔵槽9に移送され、貯蔵槽9
から再び室B内に送られて一定の組成に制御され
る。また、室A内の液は循環パイプ10により貯
蔵槽11からポンプ12を介して貯蔵槽13に移
送された後再び室Aに戻るように循環されてい
る。このように循環されている間に、室A内の液
は撹拌されるとともに室Bから陽イオン交換膜2
を介して移動してくるNa+の濃度が希釈され、低
濃度に抑えられる。同様に、室C内の液も循環パ
イプ14により貯蔵槽15からポンプ16を介し
て貯蔵槽17に移送され、その後室C内に戻るよ
うに循環されている。このとき室C内の液は撹拌
されるとともに室Bから陰イオン交換膜3を介し
て移動してくるSO2- 4、HCOO-、CO2- 3の濃度が
希釈されて低濃度に抑えられる。 かかるように構成されためつき装置を使用し、
次の条件でめつきを行なつたところ、表に示すよ
うな結果が得られた。 (めつき条件) めつき浴操業時間 1時間 めつき欲負荷 1dm2/ めつき速度 2μ/hr. めつき浴容積 50 有効膜面積 8.24dm2 めつき浴温度 75℃ 室Bの温度 50℃
〔発明の効果〕
本発明は以上説明した通り、無電解めつき液の
組成を常に一定に維持し得、もつて長期にわたり
良好なめつき被膜が得られる無電解めつき液を調
整しうる管理装置を提供し得、その奏する効果は
大である。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すものであり、第
1図は電解槽の断面図、第2図は交流定電流パル
スの波形図、第3図及び第4図は電極間に交流定
電流パルスをかけときの各イオンの移動状態を示
す説明図、第5図は本実施例の管理装置を使用し
ためつき装置の模式図、第6図は本実施例に使用
される交流定電流パルスの波形図である。 図中、1は電解槽、2は陽イオン交換膜、3は
陰イオン交換膜、4は銅板電極、5は白金板電極
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 陽イオン交換膜と陰イオン交換膜とによつて
    陽イオン膜側の室、陰イオン膜側の室、及び中間
    室の三槽に区分され、かつ、前記陽イオン膜側の
    室には金属塩溶液を、前記陰イオン膜側の室には
    アルカリ金属水酸化物溶液を、また、中間室には
    金属陽イオンの錯化剤、金属陽イオンの還元剤、
    PH調整剤としてのアルカリ金属の水酸化物を主成
    分とする無電解めつき液を満たした電解槽と、 前記陽イオン膜側の室、及び陰イオン膜側の室
    に設けられた電極と、 前記電極に交流電流を与える電源とを備え、 前記電極に前記電源により交流電流を与えるこ
    とにより、陽イオン膜側の室の金属陽イオン、陰
    イオン膜側の室の水酸イオンを中間室に透過せし
    め、中間室の金属陽イオンの対陰イオン、還元剤
    の酸化生成物イオンを陰イオン膜側の室に透過せ
    しめるようにしたことを特徴とする無電解めつき
    液の管理装置。
JP10971183A 1983-06-17 1983-06-17 無電解めっき液の管理装置 Granted JPS602669A (ja)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63303078A (ja) * 1987-06-01 1988-12-09 Tokuyama Soda Co Ltd 化学ニツケルメツキ液の処理方法
FR2721309B1 (fr) * 1994-06-21 1996-09-13 Centre Nat Rech Scient Procédé et dispositif de diffusion d'ions cuivriques pour le traitement d'un milieu liquide salé.
EP2867173A1 (en) * 2012-06-27 2015-05-06 Koninklijke Philips N.V. Apparatus and method of preparing a solution containing cations and anions
CN104411644A (zh) * 2012-06-27 2015-03-11 皇家飞利浦有限公司 制备包含阳离子和阴离子的溶液的装置和方法
CN104591351B (zh) * 2015-02-13 2016-05-18 中新环科(天津)科技有限公司 一种处理化工生产废水的离子膜电解槽装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289597A (en) * 1979-03-05 1981-09-15 Electrochem International, Inc. Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products
JPS58109710A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 有限会社新城製作所 ピアスナツト

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289597A (en) * 1979-03-05 1981-09-15 Electrochem International, Inc. Process for electrodialytically regenerating an electroless plating bath by removing at least a portion of the reacted products
JPS58109710A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 有限会社新城製作所 ピアスナツト

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