JPH0353494A

JPH0353494A - 薄膜ｅｌ素子の構造

Info

Publication number: JPH0353494A
Application number: JP1184599A
Authority: JP
Inventors: Kazuto Kawada; 河田　和人
Original assignee: Kenwood KK
Current assignee: Kenwood KK
Priority date: 1989-07-19
Filing date: 1989-07-19
Publication date: 1991-03-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は薄膜＋７．１−、素子の構造に係り、特に。

発光体の発光効率を向トさせ、更に、低電圧駆動を可能
にした薄膜Ｅ　１．、素ｒの構造に関する。

（ロ）従来技術・発明が解決しようとする問題点従来の
ｔす膜Ｉ１．素−ｒの構造としては２例えば、る。

この第２図の薄膜Ｅし素子は、ガラス基鈑１の１−１に
第１の電極（透明電極）２をスパッタ等で膜形成して電
極パターンを構成し、次で、第１の絶縁層３を形成して
いる。さらに、この第１の絶縁層３の上にＺｎＳを発光
母体とする発光層４を蒸着またはスパッタ等で形成した
後、真空中熱処理を施し、第２の絶縁層５をスパッタ等
で形成する。

そして、この第２の絶縁層５の上に第２の電極（背面電
極）６を形成したものである。

しかし、上記した従来のものにおいては１発光閾値電圧
が１８０Ｖ、、前後であるため駆動電圧が高く、またＺ
、Ｓ　：　Ｍ、またはＺｎＳ　：　Ｔ、Ｆ、以外の発光
層は発光効率が低いという欠点があった。

この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、そ
のＩ］Ｉ的とするところは、発光体の発光効率を向」ニ
させ、更に、低電圧駆動を可能にした一９９膜［らＬ素
子の構造を提供することにある。

（ハ）問題を解決するための手段この発明の薄膜ＥＬ素子の構造は、ガラス基板の一ヒに
、透明電極と、第１の絶縁層と１発光層と、第２−の絶
縁層と、背面電極とを順次積層した薄膜ＥＬ、素ｒにお
いて、１１？１記発光層の発光母体はＺｏＳにＳｅを混
合したＺｎＳ、−２Ｓｅｘであり１発光中心はＭ、また
は希土類または希−Ｌ類化合物であり、発光層と第１の
絶縁層との間及び発光層と第２の絶縁層との間にはＺｎ
Ｓ、からなる電−ｒ加速層を設けたものである。

（ニ）作用この発明Ｉごよれば、ガラス基板のにに、透明電極と、
第１の絶縁層と、発光層と、第２の絶縁層と、背面電極
とを順次積層した薄膜ＥＬ素子において、前記発光層の
発光１：上体は／、ｏＳにＳ６を混合したＺ、Ｓｅ−、
Ｓｅ、であり、発光中心はＭ。または希−１一類または
希土類化合物であり、発光層と第１の絶縁層との間及び
発光層と第２の絶縁層との間にはＺ、Ｓｅからなるｉト
Ｆ加速層を設けたので、電子加速層は発光層内のホット
エレクトロンを加速させる。

また１発光層の発光母体と発光中心とは大部分間ｊｌｌ
ｉ鉛鉱構造となるからホットエレクトロンの動きを妨げ
るものが少なく、したがって、発光体の発光効率が向上
し、同時に発光層４＋′ｆ電圧が低）する。

（ホ）実施例この発明に係る％、’Ｊ膜ＩＦ、　Ｌ、素子の構造の実
施例を第１図に基づいて説明する。

なお、従来例と同一部分には同一符号を付してその説明
を省略する。

図中、７は第１の絶縁層３十に電子ビーム蒸着法で形成
した７、、、Ｓｅからなる膜厚１０００乃至１５００人
の電子加速層であり、この電子加速層７は閃亜鉛鉱型の
結晶成長を促すため真空熱処理が施される。

８は電子ビーム蒸着法またはスパッタ法等で形成した膜
厚４０００人の発光層であり、この発光層８の発光１：
上体はＺ、ＳにＳｅを混合したＺ、、Ｓｅ、Ｓｅ、、で
あり、発光中心はＭ。または希−Ｌ類または希に類化合
物である。

なお、Ｘの値は０旧乃至０．５が適当である。

９は発光層８と第２の絶縁層５との間に形成した電子加
速層であり、この電子加速層９は電子加速層７と同様な
条件と処理とにより膜形成される。

このように構成した薄膜Ｅ］−素ｆにおいて、電子加速
層７．９は発光層８内のホットエレクトロンを加速させ
る。

また、電子加速層７．９の結晶構造は閃亜鉛鉱型の結晶
構造であることにより、発光層８の発光母体であるＺｎ
５ｌ−ＸＳ−Ｘも大部分が閃亜鉛鉱型の結晶構造となり
、同様に、発光中心も大部分が閃亜鉛鉱型の結晶構造と
なる。

このため、ホットエレクトロンの動きを妨げるものが少
なくなり発光効率が向−ヒし、同時に１発光閾値電圧を
低下させることができる。

（へ）発明の効果この発明に係る薄膜［；、Ｌ素子の構造によれば上述の
ように構成したので１発光体の発光効率が向上し、更に
、低電圧駆動が可能になる。

また、低電Ｊ１駆動が可能であるから信頼性も向トし、
従来、用いていた（；ｉ頼性に乏しい強誘電体も使用す
る必要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る薄膜ｌミｌ、素−ｒの（Ｉη造
の実施例を示す断面図である。第２図は従来の実施例の断面図である。主要部分の符号の説明１ニガラス基板２：第１の電極（透明電極）３：第１の絶縁層５：第２の絶縁層６：第２の電極（背面電極）７．９・電子加速層　　　８：発光層

Claims

【特許請求の範囲】　ガラス基板の上に、透明電極と、第１の絶縁層と、発
光層と、第２の絶縁層と、背面電極とを順次積層した薄
膜ＥＬ素子において、前記発光層の発光母体はＺｎＳにＳｅを混合したＺｎＳ
＿１＿−＿ｘＳｅ＿ｘであり、発光中心はＭｅまたは希
土類または希土類化合物であり、発光層と第１の絶縁層
との間及び発光層と第２の絶縁層との間にはＺｎＳｅか
らなる電子加速層を設けたことを特徴とする薄膜ＥＬ素
子の構造。