JPH03501097A - 流体媒質から強磁性物質を分離する装置 - Google Patents

流体媒質から強磁性物質を分離する装置

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JPH03501097A JP63506919A JP50691988A JPH03501097A JP H03501097 A JPH03501097 A JP H03501097A JP 63506919 A JP63506919 A JP 63506919A JP 50691988 A JP50691988 A JP 50691988A JP H03501097 A JPH03501097 A JP H03501097A
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ボルコフ,イゴール フセボロドビチ
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ウクラインスキ インスティテュト インジェネロフ ボドノゴ ホジアイストバ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 流体媒質から強磁性物質を分離する装置技術分野 本発明は流体媒質から強磁性物質を分離する装置に関するものである。
背景技術 流体媒質から強磁性物質を分離する装置はすでに知られている(例えば、SU、  A、 1029990)。この装置は外部には磁化系統を有し、内部には、有 孔板の形をした強磁性アタッチメントを内蔵する円筒形作用チャンバーからなる 。この作用チャンバーは浄化する流体媒質を取り入れる接続部と浄化した流体媒 質を排出する接続部とを備えている。
公知装置において、有孔板は作用チャンバーの全高にわたって等間隔に配設され 、浄化中の流体媒質の流れを通過させるためにそれらのを孔板どうしの間にギャ ップが形成されている。不均一磁界領域が生じる、それらの有孔板の開口縁部に おいて、浄化中の流体媒質から不純物が沈殿させられる。
しかしそれらの領域における異粒子に対して不均一磁界の磁力は実質的な作用を 及ぼさない。更には、不均一磁界のすべての領域は作用チャンバーの全容積にわ たってほぼ同一の不均一性を存し、これによって分散性の程度や磁気特性が相異 なる不純物を含む流体媒質が効果的に浄化されるのを防止されるが、これはかか る不純物を除去するには作用チャンバーの全容積にわたって磁界の不均一性が相 異っていなければならないからである。
更には、公知装置においては、有孔板は互いに剛着され、互いに他から変位する ことも分離することもできず、つまりこれによって、効果的な再生、従って有孔 板からの捕集不純物の定性的な洗い流しが妨げられる。
またこれとは別の公知技術として、流体媒質から強磁性物質を分離する装置が提 案されており(SU、A、1152618) 、この装置の作用チャンバーは多 数の板の形をしており、それらの板はその平面に対して角度をなして配向され、 整形された突起を周囲に備えている通し孔を有する強磁性アタッチメントと、ど の強磁性アタッチメントと相互に作用しかつそれを磁化するようになっている磁 化系統と、作用チャンバーにおいて浄化する流体媒質を送る取入接続部と、浄化 済みの流体媒質をそれがアタッチメントを通過した後受容する排出接続部とから なっている。
上記公知装置において、サイズの等しい孔を有する板は整形された突起を有し、 これらの突起は多数の不均一磁界領域を形成するものであって、その磁界の、そ れらの領域における値は突起のない孔を有する板よりも大きい。この装置は粒度 と磁気特性に差異のない異粒子を含む流体媒質を浄化するのに有効である。被浄 化媒質を変え、それが他の粒度と磁気特性とを有する異粒子を含む場合は、板状 アタッチメントを、他のサイズや間隔の、他の整形突起をもつ孔を有する板を備 えた別のアタッチメントに交換しなければならない。浄化の有効性やアタッチメ ントの選択には被浄化媒質の粒度も実質的な影響を及ぼす。サイズや間隔に差異 のない穴や突起を有する仮を使用しても、流体媒質浄化用装置においては、作用 チャンバーの全高にわたるアタッチメントの容積を部分部分に分けて見れば全部 分が等しい浄化をもたらす訳ではない。
つまり、下方部分(取入接続部に隣接した)は不純物による詰りか早く、中間部 分の詰りは遅く、また上方部分(排出接続部に隣接した)の詰りは更に遅い。こ の場合、2つの後続再生期間どうしの間の時間はアタッチメントの下方板層の動 作によって決る、すなわち、濾過サイクルが短縮することになる。
また、実際の、被浄化流体媒質の大多数は、粒度が0.01〜10jrm以上の 広い範囲で相異る異粒子を含んでいるが、例えば冶金における循環水または火力 発電所における復水等の流体媒質の浄化度は不純物残留含有量で全質量の10− 4〜10−9の範囲内であることが要求される。更には、不純物は様々な磁気特 性、すなわち常磁性から強磁性までの様々な磁気特性を有しており、被浄化流体 媒質は気体から異る粘度をもっ復水や油まで様々である。その構造的な特徴のた めに、公知装置は粒度や磁気特性に差異のある不純物を含む媒質を要求値に浄化 することができず、またアタッチメント全容積にわたって等しく有効な浄化条件 を確保することができない。
発明の要約 本発明の基本目的は、粒度や磁気特性に差異のある強磁性粒子を含有する、粘度 の異る流体媒質を低エネルギー消費にて浄化できるように構成された強磁性アタ ッチメントを備えた、流体媒質から強磁性物質を分離する装置を提供することに ある。本発明の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置は、作用チャンバーを 存し、このチャンバーは、多数の板の形をしているものであって、それらの板が その平面に対して角度をなして配向された、整形突起を周囲に有する通し孔をも っている強磁性アタッチメントと、この強磁性アタッチメントと相互に作用しか つそれを磁化するようになっている磁化系統と、作用チャンバーにおいて浄化す る流体媒質を送る取入接続部ゐ、浄化済みの流体媒質をそれがアタッチメントを 通過した後受容する排出接続部とを含んでおり、板面における穴の間隔、それら 穴のサイズおよび形態、突起のサイズおよび形状、板どうしの間の距離が、浄化 中の流体媒質に含まれる異粒子の磁気特性、それらの粒度(分散性)、流体媒質 の濃度および粘度に応じて、作用チャンバーの全容積にわたって可変であるよう に選択されていることを特徴とする。
板どうしの間の距離を必要な値に変えるには、それらの板を可塑性材料で形成し 、それらを同一の湾曲した形状に形成しかつそれらの板どうしの間に弾性ライナ ーを設けるのが好ましい。また、その弾性ライナーとしては、製造が簡単で、ま た必要であれば、多数の板を圧縮する度合を変えることができしかも、磁界のオ ン、オフに応じて、隣接する板の整形された突起と表面とを接触させたり、離し たりできる部材を使用するのが適当である。
上記の仮圧縮(寄せ合い)の度合を調整するには、装置の作用チャンバーの外部 に少な(とも1つの磁界源を追加して、オン、オフ時に板状アタッチメントとの 磁気相互作用を生じさせる磁界ベクトルを作用チャンバーの中心線の沿って向け 、これによって、必要であれば、板をそれら板どうしの間の距離ができるだけ短 くなるように圧縮するか、板どうしを互いに他から離す、すなわち板どうしの間 の距離を必要な値にまで増大するのが好ましい。
特に再生のために板どうしを分離させるプロセスにおけるそれら板どうしの間の 距離を変更を容易にするには、板を作用チャンバーにおいて交互に、すなわち、 1枚を凸とすれば次を凹として取り付けるのが好ましい。
例えば、低濃度流体を要求値で微浄化するために高勾配磁界の領域数を増さねば ならない場合、整形突起を尖頭「ペタル(花弁)」の形に形成し、少くともその 一部に、「ベタル」の平面に対して角度をなして湾曲させた補助尖頭rペタル」 で縁取りした追加孔を設けるのが好ましいが、これらの追加孔を備えた主要「ベ タル」の個数を、取入接続部から排出接続部にかげて作用チャンバーの全長にわ たって多(するのが適当である。これによって、アタッチメント全容積が完全か つ均一に不純物で詰まってしまうまで装置を浄化モードで動作させ、かつこうし て濾過サイクルを拡張して、装置の吸収容量と経済性とを向上させることができ る。
強磁性アタッチメントの各板はその後端を次の仮の前端と接続してそれらの板を 作用チャンバーの中心線に沿ってジグザグ・リボン状に形成するのが好ましい。
多くの場合、板は互いに平行に配置してよくまた2枚の隣接する板どうしの間の 距離は取入接続部から排出接続部にかけて減少するようにしてよい。
この場合、整形突起の高さを2枚の隣接する板どうしの間の距離と等しくして、 先の板の突起の端部が次の板の表面に接触するようにしなければならない。
同様に、分散性の異る不純物の、アタッチメントの全高にわたる均一沈殿を防止 するためには、仮の孔のサイズの取入接続部から排出接続部にかけて小さくなる ように板を形成するの力1好ましい。
浄化プロセスを合理的かつ経済的ににするためには、整形突起をリング状に形成 し、可変断面を突起頂部から突起基部にかけて大きくなるようにするのが好まし い。
高勾配磁界の領域数を増すには、好ましくはリング状突起の表面にノツチを施す ことである。
また、不純物の沈殿面積を増すには、孔の中心に対して外向きに湾曲させたカラ ーの形に、孔の周囲に整形突起を形成するのが好ましい。
整形突起の高さは2枚の隣接する仮どうしの間の距離以下でよく、また仮そのも のは、孔の近くに配設されかつ板表面に対するその深さが、整形された突起の高 さと組合わさって、隣接する板の表面と確実に接触するような値となる凸状また は凹状部分で形成してもよい。
仮スタックの音度、板スタック全容積の透磁率およびアタッチメントと浄化中の 媒質の異粒子との間に相互作用する磁力を増すには、バー状に形成した整形突起 を板に追設してよい。
この場合は、偶数番の板に剛着させたバーの長さを2枚の最も互いに近い奇数番 の板どうしの間の距離に等しくてよい。
その他の場合では、バーの長さは2枚の最も互いに近い奇数番の板どうしの間の 距離以下でよい。
バーは弾性の強磁性フィラメントの束の形で形成してよい。
また、バーはその横断面を可変としてよい。
更に、バーは、アタッチメントの流体圧抵抗を低減させる管の形に形成してよい 。
磁化系統をソレノイドの形に形成する場合には、仮を平板なディスクの形に形成 して各板における整形突起の個数を周辺部からディスク中心にかけて増大するの が好ましい。
磁化系統を2極電位石の形に形成して、その極片を、浄化中の流体媒質の流れが 磁界誘導ベクトルを横断する方向に向けられる作用チャンバー表面に係止させる 場合は、電磁石の極片から最も遠くに配設された各板の領域における、整形突起 の個数が増大するように板上にそれらの整形突起を分布させるのが好ましい。
板は作用チャンバーと同軸の同心円筒面の形で形成してよいが、隣接する2枚の 板どうしの間の距離は取入接続部から排出接続部にかけて小さくなければならな い。
また、板は、横断面形状がスパイラルであって、隣接するスパイラル・ターンど うしの間の距離が取入接続部から排出接続部にかけて短くなる円筒面の形に形成 してもよい。
本発明による、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の利点は、強磁性アタッ チメントの板における孔の選択、形成、間隔付け、それらの孔のサイズと形態、 突起のサイズと形状、浄化中の流体媒質の中の強磁性異粒子の磁気特性、それら 異粒子の粒度および流体媒質の濃度と粘度に応じて、作用チャンバー全容積にわ たって変化する板どうしの間の距離により、また粒度や磁気特性に差異のある異 粒子を含み、粘度に高い、低いがある流体や気体の媒質をどちらでも、要求され た高い値にしかもできるだけ低いエネルギー消費にて浄化することができること にある。
弾性湾曲板をそれら板どうしの間に配設した弾性ライナーと共に使用することに よって、高度の再生プロセスを保証する、板の圧縮または分離(引き離し)を犠 牲にしてスタック中の板の密度を変えれば、エネルギー消費を削減できる。板ど うしを相互に接続してそれらが作用チャンバーの中心線の沿ってジグザグ・リボ ンを形成するようにした別途実施例によれば、アタッチメントの板スタックの密 度を例えば0.1〜0.6という広い範囲で特に容易に変えることができる。
本発明による、強磁性バーの形で形成した追加の整形突起が奇数番の板に配設か つ固定されている装置によって、アタッチメント板の密度、アタッチメントにお ける磁界の平均誘導、高勾配磁界領域の個数や流体媒質の浄化度を高めることが できる。
横断面においてスパイラルを形成する、同心円筒面あるいは円筒面のいずれかの 形をとる板を使用する実施例は取付けおよび取り外しの点で特に適している。
本発明によるすべての実施例においては、異粒子によるアタッチメントの詰りか 均一であり、これに伴って、浄化度および、装置の浄化モードでの動作時間は、 突起の個数、それら突起の高さおよび板どうしの間の距離を作用チャンバーの全 高と全径にわたって変化させて、例えば、板どうしの間の距離を取入接続部から 排出接続部にかけて短くすることによって、増大させられる。
図面の簡単な説明 以下、添付図面に従って本発明を更に詳細に説明する。
第1図は多数の仮の形をした強磁性アタッチメントを含む、流体媒質から強磁性 物質を分離する装置の概略を示す縦断面図、 第2図は主要尖頭「ベタル」の形をしており、これらの主要尖頭「ベタル」の平 面に対して角度をなして曲げられた補助尖頭「ペタル」で縁取りされた孔を追設 されている、板の整形突起を示す、第1図のA部の拡大詳細図、第3図は高さと 幅が第2図に示すものより大きい、主要、補助尖頭「ペタル」を示す、第1図の B部の拡大詳細図、第4図は多数の湾曲板の形をした強磁性アタッチメントを含 む、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の概略を示す継断面図、 第5図は1つの湾曲板の尖頭「ベタル」の形をした整形突起が隣接板の表面に接 触しており、板の位置が浄化モードに対応している、第4図の0部の拡大詳細図 、第6図は、第5図同様、装置の再生プロセスに対応した板の位置を示す図、 第7図は湾曲板が交互に、1枚が凹であれば次が凸というように取り付けられて いる、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の概略を示す縦断面図、 第8図は尖頭「ベタル」の形をした、作用チャンバーの上部板の整形突起が、補 助尖頭「ペタル」で縁取りされた追加孔を含む、第7図のD部の拡大詳細図、第 9図は尖頭「ベタル」の形をした、作用チャンバーの下部板の整形突起に追加孔 が設けられていない、第7図のD部の拡大詳細図、 第10図は板が作用チャンバーの中心線に沿ってジグザグ・リボンを形成してい る、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の概略を示す縦断面図、 第11図は板が作用チャンバ・−の中心線に沿ってその平面を配向されており、 またそれらの板が交互に、1枚が凹であれば、次が凸というように配設されてい る、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の概略を示す縦断面図、第12図は バーの形をした形成突起が仮に追設されている、流体媒質から強磁性物質を分離 する装置の概略を示す縦断面図、 第13図は第12図のF部の拡大詳細図、第14図は波形外表面を有するバーの 概略図、第15図は、第14図と同様の平面図、第16図は円筒状の上下尖頭部 分を存しかつ板への固締部位において直径が小さくなっているバーの概略図、第 17図は弾性強磁性フィラメントの束の形に形成されたバーの概略図、 第18図はテーバ状上下尖頭部分を有しかつ板への固締部位において断面が拡大 しているバーの概略図、第19図は端面にノツチを有する管の形に形成されたバ ーの概略図、 第20図は、第19図と同様の平面図、第21図は、仮が複合構造になっており 、作用チャンバーの下方部分の板の部分が交互に、1枚が凸であれば、次が凹と いうように配設される一方、作用チャンバーの上部においては、すべての板が凹 状になっている、流体媒質から強磁性物質を分離する装置の概略を示す縦断面図 、第22図は、突起の頂部から基部にかけて大きくなる可変横断面を有している リング状突起の別実施例を示す縦断面図、第23図は端面にノツチが施されてい る、可変横断面を有するリング状突起の別の実施例を示す縦断面図、第24図は 孔の中心に対して外向きに曲げられたカラーの形をして、孔の周囲に沿5って設 けられた整形突起の実施例を示す継断面図、 第25図は、突起の高さが2枚の隣接する板どうしの間の距離以下でありまたそ れ自体に、孔が配設されている部位に配設された凸あるいは凹状の部分が設けら れている板を示す継断面図、 第26図は壁状の仮を示す縦断面図、 第27図はソレノイドの形をした磁化系統と、平坦なディスクの形をした板で作 られた強磁性アクソチメン[・とを備えた装置の実施例を示す横断面図、 第28図は、浄化中の流体媒質の流れが磁界誘導ベクトルを横断する方向に向け られる、作用チャンバーの側面に磁極が係止する電磁石の形をした磁化系統を備 えた装置の実施例を示す横断面図、 第29図は作用チャンバーと同軸の同心円筒面の形に形成された板からなる強磁 性アク2チメントを備えた装置の実施例を示す横断面図、 第30図は、横断面がスパイラルを形成する円筒面の形に形成された板からなる 強磁性アタツチメントを備えた装置を示す横断面図、 第31図は、6個の作用チャンバーを有し、電磁石がその側面においてチャンバ ーに係止し、それによって独立したモジュールを形成している、流体媒質から強 磁性物質を分離する装置を示すダイヤグラム、および、 第32図は、6個の作用チャンバーを有し、電磁石がその側面においてチャンバ ーに係止し、それによって環状磁気回路を形成している、流体媒質から強磁性物 質を分離する装置を示すダイヤグラム、である。
発明を実施するための最良の形態 本文および図面を通じて、同じ要素は同じ参照番号で示す。
第1図ないし第3図に示す本発明の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置は 1つの作用チャンバー1を含む。このチャンバー1は端蓋21付きの円筒ハウジ ング2から形成されており、多数の弾性平板4の形をした強磁性アタツチメント 3を内部に収容しており、これらの板4はそれらの平面に対して角度をなして向 けられている尖頭「ベタル」の形をした整形突起6を周囲に備えた通し孔5を有 している。更には、整形突起6の一部には補助尖頭「ベタル」7を有する通し孔 7が設けられている。板どうしの間には弾性ライナー8が配設されており、これ らの弾性ライナー8は耐水性、耐酸性のあるゴムや生ゴム等の材料で作るのが適 当であり、しかもその他の、弾性ライナーとして機能する公知の部材、器材を使 用してもよい。
装置は更に磁化系統9を含んでおり、この磁化系統9はチャンバー1の外側に配 設され、またこれは所定実施例においてはソレノイド10として実施される、板 4どうしの間の距離を変えてアタツチメント3の仮スタック密度を調整するため に、作用チャンバー1には、このチャンバーの上M2’の上に配設されて、磁力 と板状アタッチメントとの相互作用を保証する磁気源11が追設されている。1 つの磁界源11の、板4に対する効果が十分でない、例えば、板4のスタックの 密度を要求通りに変えることができない場合、チャンバーの下蓋2′に第2の追 加磁界源(図示せず)が取り付けられる。磁界源11は強磁性コア12と電気コ イル13からなる電磁石の形で形成されている。また、磁界源11も、ハウジン グ2の直径が実質的なものである、例えば0.5m以上である場合、ソレノイド の形に形成してもよい。この場合には、追加磁界源11はこれと同心のハウジン グ2の側面にソレノイド10と同様にして適当に配設してよい。被浄化流体媒質 を作用チャンバー1に供給しかつ同所から浄化済み流体媒質を排出するために、 チャンバーには取入接続部14と排出接続部15とがそれぞれ設けられる。
第1図、第2図および第3図に示すように、板4は、互いに他と平行に配置され た平坦なディスクの形で形成されており、またそれらの板どうしの間の距離は取 入接続部14から排出接続部15にかけて小さくなっている。主要整形突起6よ び補助「ベタル」7の個数、それらの高さおよび孔5,5′のサイズも取入接続 部14から排出接続部15にかけて変化している。かかる構造的特徴によって、 アタッチメント3全容積にわたる異粒子による詰りか均一化し、これによって次 の再生まで効果的な浄化時間が増される。板どうしの間の距離は弾性ライナー8 によって変えられ、これらの弾性ライナー8は、追加磁界源11とソレノイド1 0によって磁化された板の力の作用で圧縮あるいは拡張される一方で、アタッチ メント3のの積層板の必要密度を保証しかつ突起6と板4の表面との接触の有無 を制御する。
アタッチメント3における磁界誘導の平均値や不均一磁界領域の個数は、整形突 起6の高さが減る、孔5と51の間隔が凍る、すなわち、板4の単位面積当りの 孔5および5′の個数が浄化中の媒質の流れの方向に増すと、第2図、第3図に 示すように、増大する。単位容積当りの板4の金属質量を変えずに、すなわち、 アクソチメント3全容積にわたって板4の積層密度を変えずに、整形突起6の主 要尖頭「ペタル」には、主要尖頭「ベタル」の平面に対して角度をなして曲げら れた補助尖頭「ペタル」7で縁取りされた追加孔5′を設けることで異粒子に対 する磁力の作用を高めるが、第1図、第2図および第3図に示すように、追加孔 5′を備えた主要突起6の個数は取入接続部14から排出接続部15にかててチ ャンバー1の全長にわたって増している。
第1図、第2図および第3図の実施例とは対称的に、第4図、第5図、第6図に 示す、本発明の装置の実施例は、湾曲した弾性板41 と、チャンバー1の外側 で下M2′の上に配設された電磁石の形をした第2の追加磁界源16とを含んで いる。上記磁界源】6はコア17と電気コイル18とを含んでおり、前記磁界源 11と極めて同様な態様で配置されている。仮4′は湾曲した形状のものであり 、同一の曲率を有し、そのチャンバー1の全高にわたって互いに他から等距離に 均一配置されている。浄化中の流体媒質の流れ方向において、板41の整形突起 6にはその突起6の平面に対して角度をなして曲げられた補助「ベタルj7で縁 取りされた追加の孔51が設けられており、主要突起6の個数が取入接続部14 から排出接続部15にかけてチャンバー1の全長にわたって大きくされている( 図示の簡明を期して第4図、第五図、第6図には孔51と突起7とを示さないが 、これはそれらが第2図の孔5′や突起7と形状が同一であるためである)。装 置の閉磁気回路を得るために、ソレノイド10が、環境への磁界損失を最小限に することができる強磁性シェル19で囲まれている。電磁石工6が設けられてい るので、板4Iを圧縮、拡張することによってアタッチメント3の板の積層密度 を必要に応じて調整することができる。また第2の追加磁界源16の設置は、ア タッチメント3の積層板の厚みが1.0m以上である場合および、例えば、仮4 Iの表面から高磁性不純物を除去するために板4Iの集中的揺動が必要である場 合にも最も通している。
第5図、第6図に示す板4Iは、浄化モード(第5図)および再生モード(第6 図)の位置にある。第五図が示すように、上部板4Iの尖頭rペタル」の形をし た整形突起6が下部板4′の表面と接触しており、これによって不純物が沈殿す る箇所に高勾配磁界の領域が形成される。整形突起6と板4’ (第6図)とが 、磁界源11 、16および弾性ライナー8の作用でそれらの接触点において分 離されると効果的な再生が得られる。
第7図、第8図および第9図は、湾曲板41が作用チャンバー1の中に交互に、 つまり1枚が凹とすれば次が凸であるように取り付けられており、また弾性ライ ナー8がそれらの板どうしの間に設けられている。弾性を特徴とする湾曲板41 のかかる相対的配置によって、アタッチメント3の積層板密度を広い範囲におい て変化づけ、整形突起6と板41との間の接触点を、従って不均一磁界の領域個 数を増減することは技術的観点から見て簡単である。チャンバー1における浄化 中の流体媒質の流れの方向においては、整形突起60個数が増している。例えば 、アタッチメント3の下方層にある整形突起6には孔51が追設されていないが 、板状アタッチメント3の層の高さ1/2のところから、追加孔51が整形突起 6に、従って尖頭rベタル」7の形の追加突起が設けられている。
第1図の実施例とは対称的に、第10図に示す装置の実施例は互いに接続された 整形突起6を有する板4を含んでいて、1つ前の各板4がその後端で1つ後の板 4の前端に、作用チャンバー1の中心線に沿って板4からジグザグ・リボンを形 成するように、接続されている。このジグザグ・リボンの形をした板状アタッチ メント3により、特に被浄化媒質が高濃度で含油度が高いものである場合、例え ば、密度が中程度の積層板や厚みの小さいアタッチメント3の板層と必要とする 循環水を浄化する場合には板4が効果的に分離されかつ、再生を必要な程度にす るのに有用な沈殿粒子が遊離される。
第11図は、湾曲+ff4’が交互に、つまり、1枚を凹とすれば次が凸という ように取り付けられ、板4′はその平面が作用チャンバー1の中心線に沿って配 向されている、本発明の装置の実施例を示している。再生モードにおける板4I の分離と揺動とは作用チャンバー1の外面に配設した電磁石2oによって行われ る。各々がコア21と電気コイル22とを含んでいる電磁石20は作用チャンバ ー1の全長にわたって分布されており、互いに他とは無関係に動作させることが できる。この装置実施例において、ソレノイド10は作用チャンバー1の全長に わたって分布させた個別区間の形で形成されている。電磁石20のコア21はt ff14’ の平面に対して角度をなして配置され、ソレノイド10の区間どう しの間のギャップの中に設けろれ、それらの端面はチャンバー1の側面に係止し ている。再生プロセスにおいて電磁石をオン、オフするためにパルス・モードを 使用すると、仮4Iを間欠的に揺動でき、これによって板41が分離させられ、 沈殿粒子が遊離され、かつそれら粒子の除去が容易になる。
第12図、第13図に示す装置実施例は第1図に示すものとは次の点で異ってい る。すなわち、板4には、偶数番の板4に剛着された2枚の最も近い奇数番の各 板4どうしの間の距離に等しい長さをもったバーの形に形成された追加整形突起 23が設けられている。強磁性バー23は、外面に波形を有する尖頭固体バー2 4(第14図、第15図)の形または中心部が狭くかつ端部が広い可変横断面を 有する尖頭固体バー25(第16図)の形、あるいはニードル状バー26(第1 7図)の形、はたまた端面にノツチを有する管28(第19図、第20図)の形 のいずれで形成してもよい。
主として中サイズで粗分散不純物を含む高濃度の媒質を浄化するのにこの装置を 使用する場合、バー23の長さは互いに最も近い奇数番の板4(第12図、第1 3図)どうしの間の距離以下となる。下記の事実から、バーを有する複合板状ア タッチメント3を使用すれば有用である。この場合、バー23のない仮4上の孔 5の最大密度は、隣接する孔5どうしの間隔を、仮4の厚みや材料また仮4に孔 5を穿孔する条件によって決まる最小値まで小さくすれば、得ることができる。
主要孔5の直径より小さい直径の追加孔を孔5どうしの間に形成したランド部に 穿設してもよい。こうすれば、より小さいサイズの「ベタル」が形成され、従っ て、板4どうしの接触は主要(大きい)孔5の突起6を犠牲にして初めて形成さ れる。第12図、第13図に示す本発明の装置実施例においては、アタッチメン ト3の板4どうしの間の接触点の数はバー23と板4との間の追加接触点を犠牲 にして増大される、すなわち、不純物の磁気沈殿の有効領域の個数が増大される 。
更には、仮4にバー23を挿入することによってアタッチメントの積層板密度が 増大される、すなわち、アタッチメント30単位体積当りの強磁性物質の濃度が 高くなり、このために、外部磁界が同一強度である場合には、アタッチメント3 の透磁率(μ)が増大し、従って磁界誘導や、沈殿中の不純物に対する磁力の作 用が増大し、これによって最終的には純化プロセスの効率を改善するものであっ て、このことは例えば火力発電所や原子力発電所における廃水等の、高分散不純 物を含む媒質を純化する場合に特に有益である。
磁界分布の不均一(磁極や磁化系統として電磁石を使用している部域、またソレ ノイドを同じ目的に使用している壁および中心領域における)をなくすためには 、バー23は磁気特性の異る材料で作られる。すなわち、これによって、磁界が アタッチメント3の全容積にわたって分布した場合にその磁界の偏差が補償され る。例えば、磁界強度の高いアタッチメント3の領域においては、バー23は低 カーボンで磁気的にはソフトな鋼で作ったものを使用するが、磁界強度の低い領 域においては、使用バー23の材料は5,000〜50,000という透磁率を もったものとする。不均一磁界を有する領域を形成し、透磁率を高めるには、固 体バー25(第16図)の端部の厚みを増せばよい。高勾配磁界の局部領域が生 じるのは、磁気的純化度を上げるのに寄与する固体バー25の横断面が変えられ る部位である。このために、その固体バー24(第14図、第15図)の表面に は波形が施され、そして管状バー28(第19図、第20図)の端面にはノツチ が施され、その尖端には不均一磁界領域が形成される。またニードル状バー27 (第18図)は板4の表面に接触すると、若干磁性を帯びた不純物を沈殿させる 極めて不均一な磁界の領域を生じさせる。更には、このニードル状バー27は実 際には純化中の媒質の流れに対して全く抵抗を与えない。
偶数番の仮4の剛着されかつ、ある場合には、その端部が奇数番の板4と接触し 、またその他の場合にはそのような接触のないバー23の設置も、アタッチメン ト3の全容積にわたって沈殿プロセス条件を等化させる必要性に左右される。例 えば、バー23は隣接した板4に接触するのを防止するために短くされてアクチ メント3の、磁界が最大強度を示す領域に取り付けられるが、これとは別の場合 には、バー23は、板4との接触を確保するために長くされており、磁界強度の より低いアタッチメント3の領域に取付けられる。
また端面にノツチを施した管状バー28(第19図、第20図)を設けることに よって、純化中の媒質と接触する、アタッチメント30部材の表面と、鋭縁部の 個数(つまり、高勾配磁界を誘導する磁界濃度)が増大される。管状バー28の 孔もアタッチメント3の自由領域の増大により濾過率の低減、すなわち、沈殿中 の不純物に対する磁気作用の持続時間を増大するものである。
高分散で若干の磁性を帯びた不純物を含む流体媒質を純化するためには、純化中 の媒質の流れの方向における外部磁界の強度は大きさの増大順に設定され、この ことは、例えば同一方向にソレノイド10のコイルの巻数を増大し、同一方向に アタッチメント3の板41の積層密度を増大することによって確実に行われる。
この場合、+H4,’ と接触しない突起6において純化中の媒質からは相異粒 子が沈殿させられ、一方、突起6が板41の表面と接触する部域で高分散不純物 が沈殿させられる。高勾配磁界領域を拡大するために、形態が異った整形突起6 、例えば、突起29の頂部からその基部に向かって大きさが増す可変横断面を有 しかつ周囲に沿って隣接の板に接触するリング状突起29(第22図)を有する 板4′が使用される。第23図に示す整形突起30の差異は、その端面に、それ に沿って突起30が隣接の仮4と接触するいくつかの円を形成するノツチがもう けられ、それによって実質的個数の不均一磁界領域が得られることにある。第2 4図に示す突起31は、。孔5の周囲に沿、。
て、孔5の中心に対して外向きに曲げられたカラーの形で形成されている。かか る突起形状はストリームライン化されプ、・生産に通用でき、また突起31を有 する板4は、粗分散不純物を含む極めて汚染度の高い媒質を純化するのに用いて 有益である。仮4と接触させた場合、孔の周囲に沿って形成されたカラーの形を した、第24図に示す突起は接触点となり、また粗分散、高磁性不純物が沈殿さ せられる部位に外向きに曲げられたカラーの鋭縁部に近接した不均一磁界領域と なる。
アタッチメント3の板の積層密度および透磁率を増大するために、板4の整形突 起32(第25図)の高さは2枚の隣接した板4どうじの間の距離より小さくさ れ、板4は整形されそして、整形突起32の高さと組合わされると、それら突起 の、次の板4との接触を確保できるような深さを板4の平面に対して有する凸ま たは凹状部分とともに孔5が設けられている部位に設けられる。この場合、アタ ッチメント3を通して流れる流体媒質の経路の長さは連続して配設された板4に 千鳥格子的に孔5を設けることによって増大してもよい。高い磁性を帯びた媒質 を大量に純化するには、アタッチメント3を通る媒質の流路は、突起35を有す る追加仮仕切り34を間に有する波状(波形)板33(第26図)を使用するこ とにで不均一磁界領域を維持することによって延長してもよい。
高生産能力のある装置において磁化系統9としてソレノイド10(第27図)を 使用する場合は、容積で20〜30%を占めるソレノイドの軸方向領域における 磁界の低誘導は、その領域における各板の整形突起をもった孔5の配置密度を容 積で20〜30%だけ、ソレノイドの周辺領域に比べ増大することによって補償 してもよい。磁化系統9(第28図)として2極電位石36を使用し、その極片 が、純化中の媒質の流れ方向が磁界のベクトルに対して横断して配向されている 、作用チャンバー1の側面に係止している場合は、整形突起は各板4の上に、電 磁石36の極片から最も離れた仮4の領域におけるそれらの個数が極片に隣接す る領域と比べ20〜30%だけ増大するように分布される。
第29図に示す本発明の装置の実施例における強磁性アク・2チメント3は同軸 円筒面の形をした仮37で形成されており、板37どうじの間の距離は、チャン バー1の高さの172に相当する高さのところにチャンバー1の側面に配設され た取入接続部14からチャンバー1の端面に配設された排出接続部15にかけて 短くなっている。第30図に示す装置の実施例においては、アタッチメント3は 円筒面の形をした仮38からなり、その円筒面の横断面はスパイラルを形成し、 このスパイラルの隣接ターンどうしの距離は、第29図に関連して述べた別途実 施例の場合と同じように配設された取入接続部14から排出接続部15にかけて 短くなっている。
周囲環境への磁束損失を最小限にするために、本発明の装置の作用チャンバー1  (第31図)は2つのチャンバー1と電磁石36によって組合わされてモジュ ール39となっており、例えば、3つの自蔵かつ独立式モジュール39からなる コンプレックスを形成している。例えば、2つのモジュール39は浄化モードで 、1つは再生モードで、それぞれ動作する。
また作用チャンバー1(第32図)は別のスキームを使用して電磁石36と接続 して、例えば、6つのチャンバー1から環状磁気回路を形成し、電磁石36はそ のコアの表面が作用チャンバー1のハウジングに係止させてもよい。
液体あるいは気体の流体媒質は取入接続部14(第1図)を通じて作用チャンバ ー1に入る。このチャンバー1の中には前記のように、整形突起6を周囲に備え た通し孔5をもった多数の板4の形で形成された強磁性アタッチメント3が設け られている。多層ソレノイド19形で形成された磁化系統9によって発生させら れた磁界の作用で、強磁性板状アタッチメント3は磁化され、高勾配磁界領域が 整形突起6が板4と接触する点や線上において発生させられる。それらの部域に おいては、磁力F=H−gted H(ここで、Fは磁力、Hは磁界強度、gr edはその磁界の勾配)の作用で流体媒質から不純物が沈殿させられる。
整形突起6および補助尖頭rベタル」7の個数を変えることによって流体媒質浄 化度を要求される設計値にすることができる。追加の補助尖頭rベタル」7を形 成することによって、接触点や線の個数を3〜4倍増加させることができる。
不純物を除去した流体媒質をアタッチメント3全体にわたって通過させるた後、 不純物は接続部15を通じて排出される。
異粒子の粒度に応じて、それらの磁気特性や浄化中の媒質の粘度、本発明の装置 における整形突起の個数、板4どうじの間の距離、整形突起6の高さおよびそれ ら突起の形態は、取入接続部から排出接続部にかけての、浄化済み媒質の流れ方 向に広い範囲で変えられる。例えば、アタッチメントの仮の積層密度は0.05 から0.6以上までの範囲で変えられる。更には、孔5や整形突起60個数は装 置において、作用チャンバー1の全高のみならず個別の仮4(第27図、第28 図)の平面全体にわたって可変設定される。
例えば、若干の磁性を帯び、高分散の不純物を主として含む流体媒質を浄化する 場合は、第1図、第2図、第3図、第12図に示す装置実施例を使用すれば有益 である。この場合、アク・ノチメントの積層板の厚みを0.4から0.6に変え るとよい。こうすれば、アタッチメント3における平均磁界誘導は1.2〜1. 6Tに達しよう。また、磁性が高く、粗分散の不純物を主として含む流体媒質を 浄化するには、第7図、第8図、第9図、第10図、第11図、第21図に示す 装置実施例を使用するとよい。この場合には、アタッチメント3の積層板の厚み を0.1から0.3に変えるとよい。アタッチメント3の平均磁界誘導はこれに よって0.4〜0.7Tとなる。
粘度の高い媒質を浄化するには、揺動と振動を効果的に与えて板4を分離させる ことが必要になる。従って、湾曲弾性板41と板4とを、ジグザグ・リボンを形 成するように接続している装置実施例(第4図、第7図、第10図、第11図、 第21図に示す)を使用するとよい。
アタッチメント3を再生するには、磁化系統9はオフにされ、浄化中の媒質が予 備作用チャンバー1 (第31図のモジュール39)に供給される。再生中の作 用チャンバー1に追加磁界源10 、16 、20は周期的にパルス・モードで オン、オフされる。持続時間の短い強い磁界の作用で、板4は磁界源11 、1 6゜20の極片に引き寄せられ、そしてコイル13 、18 、22がオフにさ れた後、弾性と重力の作用下にある板4は元の位置に戻される。これらのオン、 オフ動作は何度か反復して行わねばならない。そうすれば、突起6は隣接する仮 4がらそれらの接触点および線において分離させられ、不純物の沈殿物が遊離さ れる。板4の弾性変形によって、その板の残留磁化が低減され、同磁化の大きさ を磁界の作用誘導と釣り合った値にすることができる。また圧縮空気または水・ 空気混合物が接続部15を通じて供給して不純物の遊離沈殿物と廃水系統へ洗い 流す。
例1゜ 20〜200μg / kgの比較的低い濃度の不純物を含む火力発電所や原子 力発電所の復水を浄化した(要求浄化度は10x/kg)この例では、不純物の 範囲(粒度)は0.01〜5μmであり、不純物はそれらの磁気特性が相異る。
試験結果の示すところでは、かかる復水の最適濾過率は150〜300 m /  11であり、アタッチメント3の長さは0.8〜1.2mに等しい。かかる比 較的「クリーン」な復水を浄化するには、接触点における磁界強度を400〜8 00kA/mに設定することが必要である。アタッチメント3の全長にわたって そのアタッチメント3を不純物で等しくかつ均一に詰らせるのに、アタッチメン トの積層板の可変密度および高勾配磁界領域の可変個数をアタッチメント3のお よび全長にわたって設定した。すなわち、積層板の密度および高勾配磁界領域個 数は浄化中の媒質の流れ方向に大きくなるようにした。
この場合、アタッチメント3の積層板をアタッチメント3の全高にわたって3〜 4領域に任意に分割した。流体媒質の流れ方向における第1領域においては、積 層音度を0.3に等しく、第2領域では0.4、第3頭域では0.5、第4領域 では0.6に羊れぞれ等しくした。積層板の密度を0.6以上に上げると、有効 チャンネルにおける流体媒質の流量が高くなってしまう(流体力学の役割の重要 性が増す)、それによって、積層板の密度を増大する効果および従ってアタッチ メント3全体の透磁率の効果が低下してしまう。積層板の設計密度に応じて、板 4に孔5(円形または三角形あるいは多角形)が穿設される。この例においては 、孔は、整形突起6が尖頭化されかつ長さが相異るような形に穿設された。例え ば、孔5の穿設は横断面が五角形あるいは多角形の穿孔ダイスを用いて行う、あ るいはサイズの相異る歯を有するリングを孔5の周囲にスポット溶接した。第3 、第4の領域においては、板4の整形突起6に「ペタル」7を有する追加の孔5 ′を形成した。この場合、粗分散不純物の沈殿はアタッチメント3の下方領域に 生じ、かかる不純物の沈殿には磁界強度が第1領域におけるそれと同じほど高い ことが必要であった。中粒度の不純物の沈殿はアタッチメント3の中間領域にお いて生じ、また最も微細な粒度(ミクロンの何分の−)の不純物は上方領域にお いて沈殿した。同時に、アク・ノチメント3の全容積にわたり、はぼ均一の詰り か生じ、これによって濾過サイクルの拡張(すなわち、連続する再生プロセスど うしの間の時間の延長)と、再生によるダウンタイムの短縮が得られた。
アタッチメント3を再生するために、磁界をオフしそして弾性ライナー80作用 にて板4の分離を行った。電磁石11をパルス・モードでオン、オフすると、板 4が上下に動き、それによって沈殿不純物が遊離し、これと同時に水・空気媒質 を、廃水系統へ沈殿粒子を洗い出すために接続部15を通じて供給した。
例2゜ 冶金生産における圧延機の循環水を浄化するために(この場合は、不純物濃度が 6,000〜120.000 n/kgである)、アタッチメント3の積層板の 要求密度は前記例の場合より低く、その密度は0.1〜0.35の範囲から選択 し、媒質流量を400〜1.200m/hと等しく設定し、アタッチメント3の 長さを0.2〜0,4mに等しくした。これらのデータを上まわる場合、アタッ チメント3の領域における板4の整形突起6の個数は作用チャンバー1の全容積 にわたって計算した。そして、浄化中の媒質の流れの方向において、作用チャン バー1に1つの形の整形突起6を有する板4を設け、例えば、リングの形をした (第22図)突起30を有する板を下方部分に設け、カラー31の形をした(第 24図)整形突起6を中間部分に設けそして尖頭ファン状突起32(第25図) を有する板4を上方部分に設けた。濾過サイクルと吸収容量は30〜40%増大 し、浄化効率は30〜40%増大する。
産業上の利用分野 本発明の流体媒質から強磁性物質を分離する装置は化学、冶金、機械製造工業、 火力発電の分野や、廃水やガスの浄化、また特に、例えば、復水、循環水、油、 アンモニア、アルカリ、蒸気、ガス、また機器腐食の生成物、機械や機構の摩耗 生成物および分散したスケール等からのその他の流体媒質を浄化するのにも利用 できる。
手続補正書C方式) 平成2年12月6日

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.作用チャンバー(1)を含んでおり、このチャンバー(1)が、多数の板( 4)の形をしており、それらの板はその平面に対して角度をなして配向された、 整形突起(6)を周囲に備えた孔を有する強磁性アタッチメント(3)を内部に 収容する作用チャンバー(1)と、この強磁性アタッチメント(3)と相互に作 用しかつそれを磁化するようになっている磁化系統(9)と、作用チャンバー( 1)において浄化する流体媒質を送る取入接続部(14)と、浄化された流体媒 質をそれがアタッチメント(3)を通過した後受容する排出接続部(15)とを 内部に有する、流体媒質から強磁性物質を分離する装置において、板(4)面に おける穴(5)の間隔、それらの穴(5)のサイズおよび形態、突起(6)のサ イズおよび形状、板(4)どうしの間の距離が、浄化中の流体媒質に含まれる異 粒子の磁気特性、それらの粒度、流体媒質の濃度および粘度に応じて、作用チャ ンバー(1)の全容積にわたって可変である、流体媒質から強磁性物質を分離す る装置。
  2. 2.板(41)が可塑性材料で形成され、それら板(41)が同一の湾曲形状を 有し、そしてそれらの板(41)どうしの間に弾性ライナー(8)が設けられて いる、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置 。
  3. 3.整形された突起(6)が尖頭「ペタル」(花弁)」の形状を有し、少くとも その一部に、「ペタル」の平面に対して角度をなして湾曲させた補助の尖頭「ペ タル」で縁取りした追加孔(51)が形成され、これらの追加孔を備えた主要「 ペタル」(7)の個数が取入接続部から排出接続部にかけて流体媒質の流れの方 向に多くなっている、上記請求の範囲第1項または第2項に記載の、流体媒質か ら強磁性物質を分離する装置。
  4. 4.作用チャンバー(1)において板(41)が交互に、1枚を凸とすれば次を 凹として取り付けられている、上記請求の範囲第2項に記載の、流体媒質から強 磁性物質を分離する装置。
  5. 5.作用チャンバー(1)の外部に少なくとも1つの磁界源(11)を追加して 、上記磁界源の磁界ベクトルが作用チャンバー(1)の中心線の沿って向けられ るようにしている、上記請求の範囲第1項、第2項または第3項に記載の、流体 媒質から強磁性物質を分離する装置。
  6. 6.強磁性アタッチメント(3)の各板(4)がその後端を次の板(4)の前端 と接続されてそれらの板(4)が作用チャンバー(1)の中心線に沿ってジグザ グ・リボンを形成している、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質からの強 磁性物質を分離する装置。
  7. 7.板(4)が互いに平行に配置され、また2枚の隣接する板どうしの間の距離 は取入接続部(14)から排出接続部にかけての方向で減少する、上記請求の範 囲第1項、第2項または第3項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装 置。
  8. 8.整形された突起(6)の高さが2枚の隣接する板(4)どうしの間の距離と 等しく、先の板(4)の突起(6)の端部が次の板(4)の表面に接触している 、上記請求の範囲第7項に記載の、流体媒質からの強磁性物質を分離する装置。
  9. 9.板(4)の孔(5)のサイズが取入接続部(14)から排出接続部にかけて の方向で小さくなっている、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質から強磁 性物質を分離する装置。
  10. 10.整形された突起(29)をリング状に形成し、その可変横断面が突起(2 9)の頂部から基部にかけて大きくなっている、上記請求の範囲第1項または第 2項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  11. 11.リング状突起(30)の端面にノッチが施されている、上記請求の範囲第 10項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  12. 12.孔(5)の中心に対して外向きに湾曲させたカラーの形状に、孔(5)の 周囲に沿って、整形突起(31)が形成されている、上記請求の範囲第1項に記 載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  13. 13.整形された突起(32)の高さは2枚の隣接する板(4)どうしの間の距 離以下であり、また板(4)そのものは、偶数番および奇数番の板(4)におけ る、板(4)の平面に対するその深さが、整形された突起(32)の高さと組合 わさって、隣接する板(4)の表面と確実に接触するような値である凸状または 凹状部分を伴って孔(5)が設けられている部位に設けられている、上記請求の 範囲第1項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  14. 14.板(4)に、バー(23)の形に形成した整形突起が追設されている、上 記請求の範囲第1項または第2項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する 装置。
  15. 15.上記バー(23)は偶数番の板(4)に剛着されており、2枚の隣接奇数 番板(4)どうしの間の距離に等しい長さを有している、上記請求の範囲第14 項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  16. 16.バー(23)の長さが2枚の追加偶数番板(4)どうしの間の距離以下で ある、上記請求の範囲第14項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装 置。
  17. 17.上記バーが弾性の強磁性フィラメント(26)の束での形で形成されてい る、上記請求の範囲第14項に記載の、流体媒質からの強磁性物質を分離する装 置。
  18. 18.上記バー(25)が、横断面を可変に形成されている、上記請求の範囲第 14項に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  19. 19.上記バーが管(28)の形に形成されている、上記請求の範囲第14項に 記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  20. 20.磁化系統(9)がソレノイド(10)の形に形成されており、板(4)が 平板なディスクの形に形成され、各板(4)における整形された突起(6)の個 数が周辺部からディスク中心にかけて大きくなっている、上記請求の範囲第1項 に記載の、流体媒質から強磁性物質を分離する装置。
  21. 21.磁化系統が2極電磁石(36)の形に形成され、その極片が、浄化中の流 体媒質の流れが磁界誘導ベクトルを横断する方向に向けられる作用チャンバー( 1)表面に係止しており、電磁石の極片から最も遠くに配設された各板(4)の 領域における、整形された突起(6)の個数が増大するように板(4)上にそれ らの整形突起(6)が分布している、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質 から強磁性物質を分離する装置。
  22. 22.板(38)は作用チャンバー(1)と同軸の同心円筒面の形で形成され、 隣接する2枚の板(37)どうしの間の距離は取入接続部(14)から排出接続 部にかけて小さくなっている、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質から強 磁性物質を分離する装置。
  23. 23.板(38)が、横断面形状がスパイラルであって、隣接するスパイラル・ ターンどうしの間の距離が取入接続部(14)から排出接続部にかけて短くなる 円筒面の形に形成されている、上記請求の範囲第1項に記載の、流体媒質から強 磁性物質を分離する装置。
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