JPH0349986B2 - - Google Patents

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JPH0349986B2
JPH0349986B2 JP63122244A JP12224488A JPH0349986B2 JP H0349986 B2 JPH0349986 B2 JP H0349986B2 JP 63122244 A JP63122244 A JP 63122244A JP 12224488 A JP12224488 A JP 12224488A JP H0349986 B2 JPH0349986 B2 JP H0349986B2
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palladium
chemically
vapor
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Kaaru Kuraaku Toomasu
An Kauaku Kyarorin
Yangu Jungu Deii
Miingu Paaku Jei
Ronarudo Toomasu Richaado
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International Business Machines Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、たとえば、プリント回路板の製造時
に基板上に金属を付着させるときに使用する、有
機金属化合物の蒸気から金属シード層を付着させ
るための方法である。本発明は、後続の銅の無電
解めつき（electroless deposition）用のパラジ
ウム・シード層を形成するのに特に有用である。
Ｂ 従来技術およびその問題点 特定の金属が他の金属の無電解めつき用のシー
ド材として働くことは当技術では周知である。た
とえば、パラジウムは銅の無電解めつき用の周知
のシード材である。そのような金属シードの層を
プリント基板の表面に付着または形成し、続い
て、導体を形成する金属をシード層上に無電解め
つきすることにより、金属パターン、たとえば、
プリント回路板上に導線を形成させることがよく
行なわれる。
当技術では、シード層は湿式（液体）法または
乾式法により形成されてきた。湿式法では、まず
めつきする表面を増感させる。増感表面をシード
金属の化合物または錯体が均質に分布する液体に
さらす。化合物は、増感表面と反応する。溶媒を
除去すると、化合物が増感表面に物理的に付着す
るか、または化合物の成分金属のある化学種が表
面に付着する。次に、表面に付着している化合物
を、表面に付着する遊離金属に変換させる。遊離
金属は、続いて行なわれる別の金属の無電解めつ
き用のシード層として働く。シリニヤン
（Sirinyan）等に対する米国特許第4493861号は、
金属シード層を形成するためのそのような湿式法
について記載している。
金属シード層を付着させるための乾式法は、バ
ウム（Baum）等に対する米国特許第4574095号
に記載されている。この方法では、銅の選択的無
電解めつき用のパラジウム・シード層を形成す
る。基板をパラジウム化合物の蒸気と接触させ
る。化合物に選択的に光を照射させて、パラジウ
ムのシードを基板上に選択的に付着させる。次
に、銅をパラジウム・シード上に無電解めつきす
る。最初にレジスト型物質を基板上に付着させ、
エキシマ・レーザで照射してレジスト型物質を除
去すると共に、照射された基板部分にパラジウム
のシードを蒸着させることにより、パラジウム・
シードを基板上に選択的に付着させる。除去され
なかつたレジストは永久的なレジストとして残る
ことができ、後で無電解めつきされる銅線相互間
の絶縁体として働く。
上記の手法はどちらも問題がある。湿式法で
は、エポキシ／ガラス複合体等の基板の表面に活
性金属種を発生するように設計された、複雑な一
連の化学的処理が必要である。湿式法では、基板
を水溶液に繰り返し漬けることが必要であり、そ
のため、エポキシの吸湿に関連する問題が一層大
きくなる。エポキシが吸湿を起こすと、エポキシ
が可塑可され、一般に、そのガラス転移温度が低
下する。さらに、水溶液は一般にイオン性汚染物
質を含み、それらの汚染物質は水溶液での処理後
に基板表面に残る。そのようなイオン性汚染物質
があると、エポキシ表面の抵抗率が減少し、エポ
キシ表面上の金属線間に望ましくない漏洩電流路
を生じる恐れがある。さらに、これらの湿式法は
非常に敏感な化学反応を含んでおり、その原因を
判別し、矯正することがしばしば困難なため、障
害を起こしやすい。バウム等の特許の乾式法は、
生産ラインでの作業で実施するには複雑なレーザ
技術を使用しており、したがつてそうするには、
金属線を処理するためにプリント回路板を横切つ
てレーザ・ビームを歩進させるための補助装置に
大きな費用がかかることになる。それらとは対照
的に、本発明の方法は、通常の生産設備と通常の
種類の処理ステツプを使用して基板にシードを形
成する乾式法であり、そのような複雑さと費用が
避けられる。
本発明では、プリント回路板として有用なエポ
キシ等の基板を、基板表面に付着する化学的に活
性な部位（site）を設けて増感させる。増感表面
は有機金属化合物の蒸気と接触させる。化合物は
活性部位と化学的に反応して、増感表面に付着す
る化合物の成分金属のある化学種を形成させる。
本明細書で使用する場合、化合物の成分金属の
化学種（species）とは、(1)成分金属の化合物、
(2)非ゼロ酸化状態の成分金属、または(3)ゼロ酸化
状態の成分金属を意味する。金属が無電解めつき
用のシードとして働くには、本明細書で遊離金属
と呼ぶゼロ酸化状態になければならない。したが
つて、成分金属の化学種が成分金属の化合物であ
るか、または非ゼロ酸化状態の成分金属である場
合は、基板表面に付着して後続の無電解めつき用
のシード層として働くゼロ酸化状態の金属に変換
しなければならない。
有機金属化合物と酸等の化学的に活性な部位と
の化学反応は、当技術では周知である。たとえ
ば、J.Am.Chem.Soc.1981年、p.5253〜5255に所
載のM.D.ワード（Ward）、J.シユワルツ
（Schwartz）の論文；J.Am.Chem.Soc.1982年、
p.3244〜3245に所載のT.N.フアング（Huang）、
J.シユワルツの論文を参照されたい。有機金属化
合物には揮発性のものもあることも当技術では周
知である。たとえば、J.Am.Chem.Soc.1961年、
p.1601〜1607に所載のマクレラン（McClellan）
等の論文を参照されたい。
用途によつては、基板の選択された領域のみに
シード材を形成させることが望ましいこともあ
り、このためには、レジスト型の物質をマスクと
して使用する。次に、シード化された領域にのみ
金属を無電解めつきする。さらに、シード化され
ない領域にレジストを残すことが望ましいことも
ある。そのような永久レジストは、無電解めつき
された金属線間の絶縁体として働くことができ
る。永久レジストを使用する方法は、レジストを
除去するためのステツプが不要なので、それほど
複雑でなく、またあまり費用もかからない。さら
に、永久レジスト法によれば、レジストを除去す
るのに必要な処理ステツプに関連する処理欠陥が
なくなり、処理の歩留りが向上する。しかし、シ
ード層を形成するための従来技術の方法は、永久
レジストを形成するとき問題を生じる。
一般に、高度な回路板の無電解めつき用の従来
のシード化技術は、レジストの塗布前に回路板の
表面全体にシード材を付着させることを含んでい
る。次に、レジストにイメージが形成され、現像
して、回路を設けようとする選択されたシードで
覆われた基板の領域を露出させる。露出したシー
ド領域は、所期の回路パターンの無電解めつきが
可能であるが、レジストの下側の露出していない
シードは導電性があり、めつきした金属線間の電
気的漏洩の原因になるので、除去しなければなら
ない。したがつて、この手法は、レジスト層を永
久レジストとして、すなわち、完成した回路板の
誘電体層として残すことができない。
従来のシード化技術とは対照的に、本発明では
永久レジストを使用し、永久レジストの下に金属
シードが残るという問題を回避することができ
る。基板を化学的に活性な部位で増感させた後、
増感表面上にレジスト型物質を付着させ、選択的
に除去する。次に、基板を有機金属化合物の蒸気
と接触させる。化合物の成分金属、非ゼロ酸化状
態の成分金属またはゼロ酸化状態の成分金属の化
学種を、レジストが除去された増感表面に付着さ
せる。成分金属種を遊離金属に変換させる。シー
ドは付着している基板の領域に別の金属を無電解
めつきする。
本発明の目的は、有棋金属化合物の蒸気から有
機金属化合物の成分金属のある化学種を基板表面
に付着させるための方法を提供することである。
本発明のもう１つの目的は、基板、特にポリマ
ーまたはエポキシ基板をシード化する改善された
方法を提供することである。
本発明のもう１つの目的は、従来技術の湿式法
に伴う問題を回避し、かつ従来技術の乾式法より
も安価で簡単な乾式法により、基板表面を選択的
にシード化するための方法を提供することであ
る。
本発明のもう１つの目的は、永久レジスト層を
使用する従来技術の方法に伴う問題を伴わずに、
永久レジスト型の物質を使用できる、基板表面を
選択的にシード化するための方法を提供すること
である。
本発明のもう１つの目的は、金属を基板上に無
電解めつきするための改善された方法を提供する
ことである。
Ｃ 問題点を解決するための手段 本発明は、その最も広い実施態様では、基板表
面に付着する化学的に活性な部位を形成するステ
ツプと、揮発性有機金属化合物をこれらの部位と
化学的に反応させるステツプから成る。化学的活
性部位を有する基板を、有機金属化合物が化学的
活性部位と反応してその成分金属のある化学種に
分解するのに十分なほど長い時間、揮発性有機金
属化合物の蒸気にさらす。化学的活性部位は基板
表面に付着するので、成分金属の化学種も基板表
面に付着する。
本明細書で使用する場合、化合物の成分金属の
化学種とは、(1)成分金属の化合物、(2)非ゼロ酸化
状態の成分金属、または(3)ゼロ酸化状態の成分金
属を意味する。
本発明のさらに具体的な実施態様によれば、金
属の化学種が、成分金属のゼロ酸化状態でない場
合は、それを基板に結合している成分金属のゼロ
酸化状態に変換させる。そのような変換を行なう
には、熱分解、化学的還元、基板を大気中の酸素
にさらす、および加熱した基板を大気中の酸素に
さらすことができる。基板表面に付着しているゼ
ロ酸化状態の金属成分は、通常の手段による同じ
金属または別の金属の無電解めつき用のシード層
として有用である。
本発明のもう１つのさらに具体的な実施態様に
よれば、基板表面上に化学的活性部位を形成させ
た後で、フオトレジスト等のレジスト型物質を基
板に付着させ、これらの部位を選択された位置で
露出させるようにパターン付けすることができ
る。次に、基板を有機金属化合物の蒸気にさらし
て、その蒸気を、基板表面上の露出した化学的活
性部位と選択的に反応させる。これらの領域で
は、有機金属化合物は成分金属のある化学種に分
解し、この化学種を次に、同じ金属または別の金
属の無電解めつき用の選択的シード層として働く
ことができる成分金属に変換させる。
パラジウムは、金属、特に銅の無電解めつき用
に特に有効なシード金属である。本発明を実施す
るための特に有用な揮発性有機金属化合物は、有
機パラジウム化合物、たとえば、（シクロペンタ
ジエニル）（アリル）パラジウム（）とその誘
導体、およびビス（アリル）パラジウムとその誘
導体である。
Ｄ 実施例 便宜上、選択的に付着されたパラジウム・シー
ド層上への銅の無電解めつき用のプリント回路板
の作成に関連して本発明を説明する。しかし、本
発明はその他の物質およびプリント回路板以外の
多くの用途に拡張できることも了解されたい。一
般に、本発明は、エポキシなどのポリマー、半導
体、セラミツクまたはシリカゲル等の適当な基板
に無電解めつきした付着金属被覆を施す、どのよ
うな用途にも適している。
本発明の実施に際しては、基板上に化学的活性
部位（site）を設けることが必要であり、次に、
基板を有機金属化合物の蒸気にさらす。これらの
部位は、有機金属化合物の蒸気と反応して、少な
くともそれを化合物の金属成分のある化学種に分
解しなければならない。この化学種は構成金属の
ゼロ酸化状態に変換できるものでなければならな
い。すなわち、この化学種は成分金属のゼロ酸化
状態になければならない。本発明では、有機金属
化合物の蒸気と反応して所期の反応を引き起こす
これらの部位は、基板上の任意の種類の局在領
域、または基板の全表面である。適当な化学的活
性部位の例は、酸官能基およびアンモニア官能基
である。
プリント回路板として使用される種類のエポキ
シ上に化学的活性部位を設けるための周知の方法
について以下に説明する。これらの回路板は少な
くとも片方の表面に銅クラツド層を有することが
しばしばある。このクラツド層は防食用銅フオイ
ルと呼ばれる。そのようなフオイル被覆基板はオ
ハイオ州、メントールのグールド（Gould）社に
より製造され、グールドTCフオイルとして市販
されている。防食用銅フオイルの片面は滑かであ
るが、基板表面に付着するもう一方の面はきめが
粗い。銅フオイルの粗い面は通常、エポキシへの
付着を促進する物質、たとえば、クロム酸化合物
で被覆される。銅フオイルの粗い面にエポキシを
貼りつけて、エポキシの表面を粗くする。続いて
銅フオイルをエツチングすると、粗いエポキシ表
面は、後で無電解めつきされる銅等の金属を基板
に堅固に付着させるのに必要な表面形状を呈す
る。防食用銅フオイルは、塩化第二銅CuCl2や塩
化第二鉄FeCl3等の化学薬品でエツチングして除
去する。これらの化学エツチヤントは、エポキシ
表面からクロム化合物を除去しない。エポキシ表
面のほぼ17％が、当技術でHxCrOyとして知られ
る一般式を有するクロム酸で覆われる（ｘおよび
ｙは、クロム・イオンの原子価状態に応じて変わ
る値を有する）。これらのクロム化合物は酸性で
あり、エポキシ表面上の化学的活性部位として働
く。
本発明では、昇華して蒸気相になる有機金属化
合物を使つて、エポキシ基板表面上の化学的活性
部位と反応する蒸気を発生させることができる。
次に、それを実行するための適当な装置および技
術について説明する。
化学的活性部位を有する基板を、排気手段を備
えたガラス製ジヤーまたはステンレス製ジヤー等
のチエンバ内に置く。有機金属化合物の昇華を容
易にするため、室内の圧力を大気圧よりも低くす
る。0.01トルで十分であることが判明している。
この値は例示的なものにすぎず、限定的なもので
はない。有機金属化合物は、基板を収容したチエ
ンバに連結するもう１つの隔離されたチエンバに
固体の形で保持する。有機金属化合物を収容した
チエンバを、基板を収容したチエンバに通じさせ
ると、後者は有機金属の蒸気で満たされる。基板
に接触した蒸気は化学的活性部位と反応する。
本発明の好ましい実施例は、揮発性有機パラジ
ウム化合物を使つてパラジウム金属をシードとし
て基板上に付着させ、続いて銅をシード上に無電
解めつきするものである。もちろん、有機パラジ
ウム化合物の使用は例示的なものにすぎず、限定
的なものでないことは言うまでもない。その金属
成分が効果的なシード材となるような他の有機金
属化合物を使用することができる。後続の銅の無
電解めつきを効果的に行なうのに十分なシード層
を得るには、基板を約５〜10秒間だけけ蒸気にさ
らせばよいことが判明していた。これらの時間は
例示的なものであり、限定的なものではない。
好ましい有機パラジウム化合物は、化学式
（C5H5）Pd（C3M5）で表わされる（シクロペンタ
ジエニル）（アリル）パラジウム（）と、化学
式（C3H5）Pd（C3H5）で表わされるビス（アリ
ル）パラジウム（）である。これらの化合物は
共に揮発性である。これらの化合物の揮発性誘導
体も適している。これらの化合物の誘導体では、
２つの有機配位子、すなわち、アリル基およびシ
クロペンタジエニル基の水素原子の全てまたは任
意の組合せが、任意の有機または無機の置換基で
置換されている。化合物が昇華して蒸気になりさ
えすればよい。
本発明の方法により金属の無電解めつき用のシ
ード層を形成するのに有用な有機金属化合物は揮
発性でなければならず、その成分金属は、無電解
めつきされる金属に対する活性シードでなければ
ならない。ニツケル、銅およびパラジウムが銅等
の金属の無電解めつき用の活性シードである。
ニツケルカルボニルおよびジアリルニツケル
（）が、本発明を実施してニツケル・シードを
蒸着するのに有用な揮発性有機金属化合物の例で
ある。ニツケルカルボニルは化学式Ni（CO）4で
表わされる。ジアリルニツケル（）は化学式
（η3−C3H5）2Ni（）で表わされる。本発明を実
施するのに有用な揮発性有機銅化合物は、銅（シ
クロペンタジエニル）（トリエチルホスフイン）
（）であり、化学式（η5−C5H5）（Ｐ｛C2H5｝3）
Cu（）で表わされる。項ηxは、有機配位子のｘ
個の炭素原子が金属に結合されていることを示
す。これらの化合物およびその揮発性誘導体は、
水素原子の全てまたは任意の組合せを有機または
無機の置換基で置換することによつて形成され、
上記の有機パラジウム化合物と同様な方法で化学
的に反応する。
有機パラジウム化合物からのパラジウム金属の
付着は、パラジウムと有機配位子の間の結合が本
来弱い性質のため、容易に行なわれる。この結合
は、非常に弱く、種々の方法で切断できる。たと
えば、有機パラジウム化合物は酸性物質との反応
により容易に分解して別の化学種を生成すること
ができる。通常、この結果、飽和した有機配位子
と、化学的または物理的に、または他の形で表面
に付着する金属塩が形成される。この種の反応で
常に金属の完全な還元が起こるわけではない。こ
の場合は、この反応は、適切に処理された表面に
金属塩を固定するのに有用である。後続の処理ス
テツプを用いて金属塩を金属成分に還元して、金
属成分を化学的または物理的に、または他の形で
表面に付着させる。この金属は、後続の銅、コバ
ルト、パラジウム、ニツケル、銀、金等の別の金
属の無電解めつき用に効果的なシード層である。
プリント回路板にとつて好ましい金属は銅であ
る。
好ましいパラジウム化合物である（シクロペン
タジエニル）（アリル）パラジウム（）および
ビス（アリル）パラジウム（）は、分解のため
に必要な有機配位子およびかなりの揮発性をも有
する。
酸官能基を基板表面に形成するために銅被膜エ
ポキシから始める必要はない。クロム酸等の酸化
性水溶液でエポキシ表面を処理することにより、
酸官能基をその表面に形成することができる。こ
れにより、クロム酸が化学的または物理的にエポ
キシ表面に付着し、あるいは、エポキシの酸化に
よつて有機酸が表面に形成される。
周知の有機金属の化学作用は、以下の化学反応
で表わされる。ただし、Ｍは金属種、Ｌは有機配
位子、ｎは有機配位子の数、ｘはフツ素、塩素、
臭素およびヨウ素のうちのある元素、RCO2Hは
有機酸、Si−OHはシリカゲルを表わす。
MLo＋HX→MLo-1Ｘ＋LH MLo＋RCO2H→MLo-1(RCO2)＋LH MLo＋Si−OH→Ｍ(Si-O)（Lo-1）＋LH 第１図は、基板を増感させ、メタライズするた
めの主な方法ステツプを概略的に示した図であ
る。ステツプ１で、基板表面に化学的活性部位を
形成する。化学的活性部位は第１図ではAHで表
わされている。ただし、Ｈは水素原子であり、Ａ
は基板表面に付着する活性部位の化学的成分であ
る。ステツプ２では、増感させた基板を（R1）
M1（R2）で表わされる有機金属化合物の蒸気に
さらす。ただし、R1およびR2は有機配位子であ
り、M1は成分金属である。化学的活性部位は
AHは蒸気（R1）M1（R2）と化学的に反応して、
本明細書では成分金属の化学種と呼び、AM1
（R2）で表わす有機金属化合物の化学種を形成す
る。この化学種は、基板表面に付着する。R1H
で表わされる飽和有機配位子が、この化学反応の
副生成物である。ステツプ３で、成分金属の化学
種を、同様に基板表面に付着するゼロ酸化状態の
成分金属に変換する。層M1は、別の金属M2をシ
ード層M1上に無電解めつきする（ステツプ４）
ための触媒シードとして働く。
クロム酸で増感させて基板表面を（シクロペン
タジエニル）（アリル）パラジウムにさらす場合、
以下の化学反応のどちらか一方または両方が起こ
ると考えられる。
HxCrOy＋(C5H5)pd(C3H5) →(C5H5)Pd（Hx-1CrOy）＋C3H6 HxCrOy＋(C5H5)Pd(C3H5) →(C3H5)Pd（Hx-1CrOy）＋C5H6 反応生体物のパラジウム塩が基板表面に付着す
る。アリル配位子が陽子を付加されてプロピレン
になり、またはシクロペンタジエニル配位子が陽
子を付加されてシクロペンタジエンになる。
基板をビス（アリル）パラジウムの蒸気にさら
す場合は、シクロペンタジエニル配位子の代わり
にアリル配位子が用いられる点以外は、化学反応
は同じである。Hx-1CrOy成分が基板表面に付着
してから、有機パラジウム化合物の塩が基板表面
に付着する。
有機パラジウム塩を、パラジウムが銅等の金属
の無電解めつき用の触媒シードとして働くための
正しい酸化状態であるゼロ酸化状態のパラジウム
金属に変換する。この変換を行なうには、化学的
還元、熱分解、または大気中の酸素にさらす。本
発明の好ましい実施例では、エポキシ基板を50℃
から60℃の温度に加熱しながら基板表面を大気中
の酸素にさらす。加熱により、有機パラジウム塩
のパラジウム金属への変換が加速される。
上述のように、基板をガラス・ジヤー内で有機
パラジウム蒸気にさらした。次に基板を保持する
チエンバに固体有機パラジウム化合物を連結する
通路を閉じる。ガラス製ジヤー上の止めコツクを
用いて有機パラジウムの蒸気を除去し、大気中の
酸素をポンプでガラス・ジヤーに送り込む。次
に、基板を通常の赤外線ランプで照射して、基板
変形温度よりも低い、好ましくは、50℃から60℃
の範囲の温度に加熱させる。本明細書では、基板
変形温度とは基板が劣化、すなわち、物理的に変
化する温度、たとえば、基板の融点として定義す
る。もちろん、これらの温度は例示的なものであ
り、限定的なものではないことは言うまでもな
い。基板の加熱手段としては、どんな手段を使用
してもよい。
パラジウム金属シードを付着させた後、当技術
で周知の無電解めつき法法により銅、コバルト、
パラジウム、ニツケル、銀または金をシード上に
めつきする。
基板表面に化学的活性部位を形成させるための
もう１つの技術は、基板を酸素プラズマにさらす
ことである。その好ましい具体例は、電力密度１
cm2当たり0.3ワツト、圧力100ミリトルの酸素プラ
ズマである。もちろん、これらの条件は例示的な
ものであり、限定的なものでないことは言うまで
もない。
エポキシ基板は有機物質である。酸素プラズマ
にさらされると、エポキシ表面上に化学的活性部
位が形成される。これらの部位は、RCO2Hで表
わすことができる１種の有機酸である。ただし、
Ｒはエポキシの有機成分を表わす。CO2H成分は
酸性であり、基板表面に化学的に結合される。表
面をこのように増感させ（シクロペンタジエニ
ル）（アリル）パラジウム等の有機パラジウム化
合物の蒸気にさらすと、以下の化学反応のどちら
か一方または両方が起こると考えられる。
RCO2H＋（C5H5）Pd（C3H5） →（RCO2）Pd（C5H5）＋C3H6 RCO2H＋（C5H5）Pd（C3H5） →（RCO2）Pd（C3H5）＋C5H6 基板をビス（アリル）パラジウムの蒸気にさら
す場合は、シクロペンタジエニル配位子の代わり
にアリル配位子が用いられる点以外は、化学反応
は同じである。CO2H成分が基板表面に結合され
てから、有機パラジウム化合物の塩が基板表面に
化学的に結合される。有機パラジウム塩は上述の
ようにパラジウム・シード層に変換される。
有機金属蒸気と相互作用する官能部位を、エポ
キシ基板以外の基板に形成することができる。た
とえば、シリカゲルは、シリカゲル表面でケイ素
原子と化学的に結合した水酸基（OH）を有す
る。これらのOH基は酸性官能部位として働き、
有機パラジウム化合物の蒸気がそれと反応して有
機金属塩を形成することができる。上記有機酸の
例を参照すると、シリカゲル表面にある水酸基の
水素原子は、有機酸の水素原子と同じように作用
する。パラジウム金属塩は水酸基の酸素原子に化
学的に結合され、遊離の飽和有機配位子が形成さ
れる。この塩は、上記と同じ方法でパラジウム金
属シードに変換される。
シリカゲルおよびエポキシ等の有機基板上に化
学的活性部位を形成させることに関連して本発明
を説明してきたが、当業者なら気がつく通り、半
導体やセラミツク等の他の基板表面に水酸基等の
化学的活性部位を形成することもできる。
アンモニア・プラズマは、窒素官能基、主とし
てNH−−およびNH2−を基板表面に付与するこ
とにより、基板表面に化学的活性部位を形成させ
ると考えられる。これらの窒素官能基は、化学的
または物理的に、または他の形で基板表面に結合
される。基板を有機パラジウム化合物の蒸気にさ
らす。表面にあるアンモニア官能基は、有機パラ
ジウム化合物のパラジウム原子と配位化合物を形
成することができる。アンモニア・イオンが基板
表面に付着してから、このパラジウム配位化合物
が基板表面に付着する。次、配位化合物を、化学
還元、熱分解、大気中の酸素にさらす、または基
板を加熱して大気中の酸素にさらすことにより、
ゼロ酸化状態のパラジウム金属に変換する。次
に、通常の無電解めつき技術によりパラジウム・
シード金属上に銅等の金属をめつきする。
第２図は本発明の特定の１つの好ましい変形を
概略的に示した図である。ステツプ１、２、３、
４は第１図と同じである。第２図で使用する記号
は第１図と同じ意味である。第２図では、化学的
活性部位で増感させた後、基板をフオトレジスト
またはポリマー等のレジスト型物質で被覆するこ
とを含む追加のステツプ1Aが含まれる。当技術
で周知の手段によりレジストを選択的に除去す
る。したがつて、増感させた基板の選択された領
域または部分のみが露出される。基板を有機金属
化合物、特に有機パラジウム化合物の蒸気にさら
すと、露出領域にのみ有機金属化合物の塩が付着
する。このために、レジストを永久的誘電体層と
して基板上に残す場合は、酸官能基等の化学的活
性部位を含まないレジスト型物質を使用しなけれ
ばならない。有機パラジウム化合物をパラジウム
金属シードに変換すると、シードは、有機金属の
蒸気に選択的にさらされた領域に付着する。次
に、銅等の金属を通常の手段によりパラジウム金
属シード上に無電解めつきして、基板表面に金属
線を形成させる。パラジウム金属はレジスト上に
も、レジストの下側にも付着しないので、銅の金
属線間には望ましくない抵抗経路は生じない。残
留レジストは、付着された金属線間で誘電体とし
て働く。
銅の金属線パターンを形成するために使用する
レジストは、永久レジストとして残す必要はな
い。選択的に付着されたパラジウム・シード上に
銅等の金属を無電解めつきした後に、当技術で周
知の方法によりレジストを除去することができ
る。
非永久レジストを使用するときは、銅の無電解
めつきに先立つてレジストを除去することができ
る。レジスト・パターンを用いて基板上にめつき
すると、かなり良質の矩形金属線が得られる。レ
ジストの除去後、パラジウム・シード・パターン
が基板上に残され、その上に銅を無電解めつきす
ることができる。この場合は、レジスト材料は酸
官能基を有することができる。パラジウム金属が
レジスト上に形成されることになる。しかし、そ
うしても、レジストを除去すると、その上にパラ
ジウム金属も除去されるので、望ましくない影響
は生じないはずである。リストン（Riston）（デ
ユポン社の登録商標）フオトレジストが、かなり
のクロム酸残基を有するレジストの一例である。
基板上に付着させたリストンを除去した後、有機
金属の蒸気と有効に化学反応を行なうのに十分な
酸官能基が基板上に存在する。このレジストを使
用すれば、レジストの付着に先立つて、基板表面
を別のステツプで酸官能基によりさらに増感させ
る必要はなくなる。
Ｅ 発明の効果 本発明によれば、水溶液を使う従来の湿式法に
伴う問題（基板の吸湿、水溶液によつてもたらさ
れるイオン性汚染物質）を回避し、かつレーザ・
ビームを使う従来の乾式法よりも安価で簡単な方
法によつて基板表面に無電解メツキ用のシード材
を付着させ、もつて基板表面をメタライズする有
益なメタライズ方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、基板を増感させ、かつ基板をメタラ
イズするための主な方法ステツプを概略的に示す
流れ図である。第２図は、選択された領域でのみ
基板がメタライズされる点を除いて、第１図の流
れ図と同様な流れ図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ (a) 揮発性有機金属化合物の蒸気に触れると
    該化合物を化学的に分解して金属成分の化学種
    を生成することが可能な化学的活性部位を基板
    表面に形成し、 (b) 上記化学的活性部位を上記揮発性有機金属化
    合物の蒸気にさらし、その際さらす時間は上記
    揮発性有機金属化合物を化学的に分解して上記
    化学種を生成し、上記化学種を上記基板表面に
    付着させるのに十分な長さとし、 (c) 上記基板表面に付着した金属成分の化学種を
    直接または間接に無電解めつき用のシード材と
    して利用して上記基板表面をメタライズする ことを特徴とするメタライズ方法。 ２ (a) 揮発性有機金属化合物の蒸気に触れると
    該化合物を化学的に分解して金属成分の化学種
    を生成することが可能な化学的活性部位を基板
    表面に形成し、 (b) 上記化学的活性部位をレジスト材で覆つた
    後、該レジスト材を選択的に除去して上記化学
    的活性部位の一部を露出させ、 (c) 上記露出された化学的活性部位を上記揮発性
    有機金属化合物の蒸気にさらし、その際さらす
    時間は上記揮発性有機金属化合物を化学的に分
    解して上記化学種を、上記化学種を上記基板表
    面に付着させるのに十分な長さとし、 (d) 上記基板表面に付着した金属成分の化学種を
    直接または間接に無電解めつき用のシード材と
    して利用して上記基板表面をメタライズする ことを特徴とするメタライズ方法。
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