JPH0349274A - ２端子型非線形素子 - Google Patents
２端子型非線形素子Info
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- JPH0349274A JPH0349274A JP1185344A JP18534489A JPH0349274A JP H0349274 A JPH0349274 A JP H0349274A JP 1185344 A JP1185344 A JP 1185344A JP 18534489 A JP18534489 A JP 18534489A JP H0349274 A JPH0349274 A JP H0349274A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アクティブマトリックス方式液晶表示装置に
おいて液晶スイッチング素子に用いられるＭ Ｉ ・Ｍ
（第１の金属−絶縁体一第２の金属）型の２端子型非
線形素子（以下ＭＩＭ素子と記す）の構造に関する。
おいて液晶スイッチング素子に用いられるＭ Ｉ ・Ｍ
（第１の金属−絶縁体一第２の金属）型の２端子型非
線形素子（以下ＭＩＭ素子と記す）の構造に関する。
ＭＩＭ素子とは、例えばＴａ−陽極酸化膜（Ｔａ２ｅｓ
）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような第１の金属
−絶縁体一第２の金属（ここでは透明導電体）の３層構
造であり、 Ｔａ−Ｔａ、０． ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子を液晶表
示装置に使用する場合、第３図を用いて説明するような
工程により製造することができる。
）−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような第１の金属
−絶縁体一第２の金属（ここでは透明導電体）の３層構
造であり、 Ｔａ−Ｔａ、０． ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子を液晶表
示装置に使用する場合、第３図を用いて説明するような
工程により製造することができる。
第３図（ａｌはＭＩＭ素子を示す平面図であり、第３図
（ｂ）は、第３図ｆａ）におけるＣ−Ｄ線での断面図で
ある。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法によ
り形成し、フォトエツチングによりパターニングし、Ｔ
ａ２かもなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する
。このＴａ２の平面パターン形状は、第３図（ａ）の実
線９で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体
６としてＴａ２０＝を形成する。次に第２の金属４とし
て、ＩＴＯをスパッタリング法により形成し、フォトエ
ラチンによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素
子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。
（ｂ）は、第３図ｆａ）におけるＣ−Ｄ線での断面図で
ある。ガラス基板１上にＴａ２をスパッタリング法によ
り形成し、フォトエツチングによりパターニングし、Ｔ
ａ２かもなるＭＩＭ素子の下部電極と配線とを形成する
。このＴａ２の平面パターン形状は、第３図（ａ）の実
線９で示す。次に陽極酸化法によりＴａ２表面に絶縁体
６としてＴａ２０＝を形成する。次に第２の金属４とし
て、ＩＴＯをスパッタリング法により形成し、フォトエ
ラチンによりパターニングし、ＩＴＯからなるＭＩＭ素
子の上部電極と液晶駆動用画素電極とを形成する。
この第２の金属４の平面パターン形状は第３図（ａ）の
破線１０で示す。Ｔａ２と第２の金属４のクロス部がＭ
ＩＭ素子となる。
破線１０で示す。Ｔａ２と第２の金属４のクロス部がＭ
ＩＭ素子となる。
第４図は、従来構造により製作したＭ Ｉ Ｍ素子の電
流−電圧特性を示したグラフであり、電圧を示す横軸の
極性は、下部電極Ｔａの極性に対応する。電流−電圧特
性が正負の極性で非対称となり、の電流が流れる時の電
圧）も小さい。本発明は、この様な課題を解決したもの
で、表示品質の高い、〜ｆＩＭ素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置を提供することを目的とする。
流−電圧特性を示したグラフであり、電圧を示す横軸の
極性は、下部電極Ｔａの極性に対応する。電流−電圧特
性が正負の極性で非対称となり、の電流が流れる時の電
圧）も小さい。本発明は、この様な課題を解決したもの
で、表示品質の高い、〜ｆＩＭ素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明はＭＩＭ素子において、第１の金属と第２の金属
共に、透明導電体を用いることにより、対称な電流−電
圧特性と大きなりｔｈを両立させるものである。
共に、透明導電体を用いることにより、対称な電流−電
圧特性と大きなりｔｈを両立させるものである。
以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説明する。
第１図（ａ）は、本実施例により製作したＭＩＭ素子を
示す平面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ｂ断面を示す断面図である。
示す平面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ｂ断面を示す断面図である。
まず本発明の構造を第１図（ｂ）を用いて説明する。
ＭＩＭ素子の第１の金属６としての透明導電体を設け、
この第１の金属６としての透明導電体上に絶縁体７を設
け、さらにこの絶縁体７上に第２の金属８としての透明
導電体を設けてＭＩＭ素子を構成する。この第１図（ｂ
）に示す本発明のＭ Ｉ Ｍ素子構造を得るための製造
方法を、以下第１図（ａ）と（ｂｌとを交互に参照して
説明する。
この第１の金属６としての透明導電体上に絶縁体７を設
け、さらにこの絶縁体７上に第２の金属８としての透明
導電体を設けてＭＩＭ素子を構成する。この第１図（ｂ
）に示す本発明のＭ Ｉ Ｍ素子構造を得るための製造
方法を、以下第１図（ａ）と（ｂｌとを交互に参照して
説明する。
まずガラス基板５上に第１の金属６として酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により厚さ２００
［ｎｍ〕形成する。通常のフォトエツチングにより第１
図（ｂ）に示すようにパターニングする。この第１の金
属６の平面パターン形状は第１図（ａ）の破線１２で示
す。次に、絶縁体７として全面にＴａ２Ｏ，をスパッタ
リング法により厚さ５０（ｎｍ）形成する。
ムスズ（ＩＴＯ）をスパッタリング法により厚さ２００
［ｎｍ〕形成する。通常のフォトエツチングにより第１
図（ｂ）に示すようにパターニングする。この第１の金
属６の平面パターン形状は第１図（ａ）の破線１２で示
す。次に、絶縁体７として全面にＴａ２Ｏ，をスパッタ
リング法により厚さ５０（ｎｍ）形成する。
次に第２の金属８としてＩＴＯをスパッタリング法によ
り厚さ２００ （ｎ ｍ ）形成し、第１図（１））に
示すように通常のフォトエツチングにより第２の金属８
をパターニングする。この第２の金属８の平面パターン
形状は第１図（ｂ）の実線１１で示す。
り厚さ２００ （ｎ ｍ ）形成し、第１図（１））に
示すように通常のフォトエツチングにより第２の金属８
をパターニングする。この第２の金属８の平面パターン
形状は第１図（ｂ）の実線１１で示す。
尚、製作したＭ Ｉ Ｍ素子部の面積は第１の金属６と
第２の金属８のクロス部であり、１６〔μ醒〕とした。
第２の金属８のクロス部であり、１６〔μ醒〕とした。
第２図は本発明により製作したＭＩＭ素子の電圧−電流
特性を示したものである。従来法による第４図と比較し
、電流−電圧特性が対称となり、正負極性共ｖｔｈが５
ｖと、第１の金属負極時のｖｔｈも大きくなっている。
特性を示したものである。従来法による第４図と比較し
、電流−電圧特性が対称となり、正負極性共ｖｔｈが５
ｖと、第１の金属負極時のｖｔｈも大きくなっている。
尚、本実施例では絶縁体７としてスパッタリング法によ
るＴａ２０＝を用いたが、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、ＬＰＤ法（液相成長法）のいずれかの方法に
よるＳｉＮｘ、５ｉ０２を用いても同様の効果が得られ
た。
るＴａ２０＝を用いたが、スパッタリング法、プラズマ
ＣＶＤ法、ＬＰＤ法（液相成長法）のいずれかの方法に
よるＳｉＮｘ、５ｉ０２を用いても同様の効果が得られ
た。
以上の説明の如く、Ｍ Ｉ Ｍ素子の構造において、第
１の金属と第２の金属共に透明導電体を用いることによ
り、対称な電流−電圧特性と正負の極性共に大きなりｔ
ｈを得ることができた。これは、従来例のＭＩＭ素子の
電導機構では、プールフレンケル電導と第１の金属であ
るＴａ負極時のみショットキー電導が働いていたものが
、正負両極共にショットキー電導が働くようになったた
めである。
１の金属と第２の金属共に透明導電体を用いることによ
り、対称な電流−電圧特性と正負の極性共に大きなりｔ
ｈを得ることができた。これは、従来例のＭＩＭ素子の
電導機構では、プールフレンケル電導と第１の金属であ
るＴａ負極時のみショットキー電導が働いていたものが
、正負両極共にショットキー電導が働くようになったた
めである。
また、ＭＩＭ素子を構成するための薄膜が２種類のみと
なることから、製造装置数、工程の簡略化も可能となる
。
なることから、製造装置数、工程の簡略化も可能となる
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明のＭＩＭ素子の構造を説
明する図面で、第１図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図
、第１図（ｂ）は第１図（ａｔのＡ−Ｂ断面を示す断面
図、第２図は本発明によるＭＩＭ素子の電流−電圧特性
を示すグラフ、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のＴａ
Ｔａ２０５−ＩＴＯ構造のＭ Ｉ Ｍ素子の構造を説明
する図面で、第３図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図、
第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ−Ｄ断面を示す断面図
、第４図は従来のＴａ Ｔａ２Ｏ。 ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子の電流−電圧特性を示すグラフ
である。 ５・・・・・・ガラス基板、 ６・・・・・・第 １ の金属、 ７・・・・・・絶縁体、 ・・・・・第２の金属。 第 図 第 図 １ 第 図 し−ｍ−」 一Δ （Ｑ） ＩＱ （１））
明する図面で、第１図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図
、第１図（ｂ）は第１図（ａｔのＡ−Ｂ断面を示す断面
図、第２図は本発明によるＭＩＭ素子の電流−電圧特性
を示すグラフ、第３図（ａ）、（ｂ）は従来のＴａ
Ｔａ２０５−ＩＴＯ構造のＭ Ｉ Ｍ素子の構造を説明
する図面で、第３図（ａ）はＭＩＭ素子を示す平面図、
第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＣ−Ｄ断面を示す断面図
、第４図は従来のＴａ Ｔａ２Ｏ。 ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子の電流−電圧特性を示すグラフ
である。 ５・・・・・・ガラス基板、 ６・・・・・・第 １ の金属、 ７・・・・・・絶縁体、 ・・・・・第２の金属。 第 図 第 図 １ 第 図 し−ｍ−」 一Δ （Ｑ） ＩＱ （１））
Claims (1)
- 第１の金属としての透明導電体と、該第１の金属として
の透明導電体上に形成する絶縁体と、該絶縁体上に形成
する第２の金属としての透明導電体とを有することを特
徴とする２端子型非線形素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185344A JPH0349274A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ２端子型非線形素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185344A JPH0349274A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ２端子型非線形素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349274A true JPH0349274A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16169147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185344A Pending JPH0349274A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | ２端子型非線形素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0524093U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | 株式会社センテクリエイシヨンズ | 光フアイバー装着玩具及び光フアイバー装着用部材 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185344A patent/JPH0349274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0524093U (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | 株式会社センテクリエイシヨンズ | 光フアイバー装着玩具及び光フアイバー装着用部材 |
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