JPH0348251A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ポジ型レジスト組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子、磁気バブルメモリー素子、集積回路な
どの製造に必要な微細加工用ポジ型レジスト組成物に関
するものである。

（従来の技術） 半導体を製造する場合、シリコンウエハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形威し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形威する
リソグラフィー技術によって、半導体素子の形威が行わ
れている。

従来、半導体素子を形戒するためのレジスト組成物とし
ては、環化ポリイソプレンとビスアジド化合物からなる
ネガ型レジストが知られている。

しかしながら、このネガ型レジストは有機溶剤で現像す
るので、膨澗が大きく解像性に限界があるため、高集積
度の半導体の製造に対応できない欠点を有する．一方、
このネガ型レジストＭｉ戒物に対して、ポジ型レジスト
組或物は、解像性に優れているために半導体の高集積化
に十分対応できると考えられている。

現在、この分野で一般的に用いられているポジ型レジス
ト組成物は、ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物か
らなるものである。

しかしながら、従来のポジ型レジスト組或物は、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性は必
ずしも満足な結果は得られておらず、性能の向上が強く
望まれている。

（発明が解決しようとする目的） 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性などの諸特性の優
れた、特にｌμｍ以下の微細加工に適したポジ型レジス
ト組威物を提供することにある． （課題を解決するための手段） 本発明のこの目的は、アルカリ可溶性フェノール樹脂と
感光剤を含有するポジ型レジスト組成物において、該感
光剤として下記一般式（１）で示される化合物のキノン
ジアジドスルホン酸エステルを含有することを特徴とす
るポジ型レジスト組或物によって達成される。

０Ｈ Ｒ１〜Ｒ”．Ｈ，ハロゲン、０１〜Ｃ４のアルキル基、
アルケニル基又は水酸基 Ｒ’　，Ｒ’　　ｉＨ，ハロゲン又はＣＩ”’Ｃ４のア
ルキル基 Ｒ９〜ＲＩ４，Ｈ又はＣ，〜Ｃ，のアルキル基本発明に
おいて用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂として
は、例えばフェノール類とアルデヒド類との縮合反応生
成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生威物、ビ
ニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系
重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物
などが挙げられる。

ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、プ
ロビルフェノール、プチルフェノール、フェニルフェノ
ールなどの一価のフェノール類；レゾルシノール、ピロ
カテコール、ハイドロキノン、ビスフェノールＡ１ピロ
ガロールなどの多価のフェノール類などが挙げられる。

ここで用いるアルデヒド類の具体例としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる． ここで用いるケトン類の具体例としては、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジェチルケトン、ジフェニルケトン
などが挙げられる。

これらの縮合反応は常法に従って行うことができる． また・ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノール
の単独重合体及び・ビニルフェノールと共重合可能な成
分との共重合体から選択される。共重合可能な戒分の具
体例としては、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体
、スチレン誘導体、無水マレイン酸、マレイン酸イξド
誘導体、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられ
る。

また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソブロ
ペニルフェノールの単独重合体及びイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な威分との共重合体から選択される
。共重合可能な威分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、マレイン酸イもド誘導体、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリルなどが挙げられる。

これらのフェノール樹脂の水素添加反応は任意の公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達威で
きる。

これらのアルカリ可溶性フェノール樹脂は単独でも用い
られるが、２種類以上を混合して用いても良い。

本発明のポジ型レジスト組或物には必要に応じて、現像
性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、例えば
、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無水マレ
イン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸との共
重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリドン重
合体、ロジン、シェラックなどを添加することができる
。添加量は、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂１００
重量部に対してＯ〜５０重量部、好ましくは５〜２０重
量部である。

本発明において用いられる感光剤は、前記一般式（１）
で示される化合物のキノンジアジドスルホン酸エステル
であれば、特に限定されるものではない．その具体例と
して、エステル部が１．２一ペンゾキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステル、２，１　−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、２．１　−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、その他キ
ノンジアジド誘導体のスルホン酸エステルなどである化
合物が挙げられる． 一般式（１）で示される化合物の具体例としては、以下
のものが挙げられる。

Ｃｌ ＣＨ． ０Ｈ Ｃｌ （７） ＣＨ． Ｃｌｌ３ じＥ ＣＨ３ＣＣＨ３ ＣＨ， Ｃｌ ＣＨ， Ｃｅ ＣＩ！ （２ｌ） ０Ｈ （２２） ０Ｈ （２４） 本発明における感光剤は、一般式（１）で示される化合
物とキノンジアジドスルホン酸化合物のエステル化反応
によって合成することが可能であって、永松元太郎、乾
英夫著「感光性高分子」（１９８０）講談社（東京）な
どに記載されている常法に従って、合或することができ
る． 本発明における感光剤は単独でも用いられるが、２種以
上を混合して用いても良い。感光剤の配合量は、上記樹
脂１００重量部に対して１〜１００重量部であり、好ま
しくは３〜４０重量部である．１重量部未満では、パタ
ーンの形成が不可能となり、１００重量部を越えると、
現像残りが発生しやすくなる。

本発明のポジ型レジスト組威物は、溶剤に溶解して用い
るが、溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサン、シクロペンタノン、シクロヘキ゛サノ
ールなどのケトン類、ｎ−プロビルアルコール、ｉｓｏ
−プロビルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのア
ルコール類、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどの
エーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコー
ルエーテル類、ギ酸プロビル、ギ、酸ブチル、酢酸プロ
ビル、酢酸プチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エ
チルなどのエステル類、セロソルブアセテート、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルプアセテート、
プロビルセロソルブアセテート、プチルセロソルプアセ
テートなどのセロソルプエステル類、プロピレングリコ
ール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレン
グリコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコール七ノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチ
ルエーテルなどのジエチレングリコール類、トリクロロ
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類、｝ルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素類、ジメチルアセトアξド、
ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの
極性溶媒などが挙げられる。

これらは、単独でも２種類以上を混合して用いてもよい
。

本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて界面
活性剤、保存安定剤、増感剤、スｌ−　ＩＪエーション
防止剤、可塑剤などの相溶性のある添加剤を含有させる
ことができる。

本発明のポジ型レジス＋−ｍ戒物の現像液としては、ア
ルカリの水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア
などの無機アルカリ類、エチルアミン、プロビルアミン
などの第一ア旦ン類、ジエチルアξン、ジプロピルアご
ンなどの第ニア珈ン類、トリメチルアミン、トリエチル
アミンなどの第三アミン類、ジエチルエタノールアミン
、トリエタノールアミンなどのアルコールアξン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエ
チルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウ
ム塩などが挙げられる。

更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液にメタノール、
エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解
抑制剤などを適量添加することができる。

（・実施例） 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
．なお、実施例中の部及び％は特に断りのない限り重量
基準である。

大豊斑上 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以上が１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物３０部をエチルセロソルブアセテー
ト３２０部に溶解して０．　１μ一のテフロンフィルタ
ーで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９θ秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テンバーＮ　Ｓ　Ｒ−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ニコン社製
、ＮＡ＝０．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を
行った。次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像
してポジ型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００（テンコー社製）で測定すると１．１５μ清
であった． さらに、このパターンの形威されたウェハーをドライエ
ッチング装置ＤＥＭ−４５１Ｔ（日電アネルバ社製）を
用いてバヮー３００Ｗ、圧力０．０３ＴｏｒｒｓガスＣ
Ｆ４　／Ｈ＝３／１、周波数１　３．　５　６ＭＨｚで
エソチングしたところ、パターンのながったところのみ
エッチングされていることが観察された． 大捷班１ 実施例１のレジスト溶液をシリコンウェハー上にコータ
ーで塗布した後、８０℃で９０秒間べ一クし、厚さ１．
２μｍのレジスト膜を形威した．このウエハーをｇ線ス
テンバーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５０　６　Ｅとテスト用
レチクルを用いて露光を行った．次にこのウエハーを１
１０℃で６０秒間ＦＥＢ（ＰＯＳＴＥ！ＸＰＯＳＵＲＥ
　ＢＡＫＩＮＧ　）　Ｌ，た後、２．３８％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、
パドル法により現像してポジ型パターンをえた． パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４０μ屠のライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で観察すると１．２０μ−であった． 去１東走 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３．５−キシレノー
ルとをモル比で５０：２０：３０で混合し、これにホル
マリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合し
てえたノボラック樹脂１００部、化合物（９）の一〇Ｈ
基８５％以上が１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３３部
を乳酸エチル３００部に溶解して０．１μ−のテフロン
フィルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μ園のレジスト膜を形成した。このウエハーをｇ線ス
テンパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った．次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ―のライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１６μｍであった． 去ＩＯ組土 ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以上が１．
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルで
あるキノンジアジド化合物２８部をエチルセロソルブア
セテート３２０部に溶解して０．１μ−のテフロンフィ
ルターで炉遇しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μ鵬のレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テッパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った．次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０ｐＩＩ＋であった。

大１０粗ｉ イソプロペニルフェノールとスチレンの共重合体（モル
比７：３）１００部、化合物（９）の一〇Ｈ基８０％以
上が１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステルであるキノンジアジド化合物２８部をエチルセロ
ソルブアセテート３１０部に溶解して０．１μ論のテフ
ロンフィルターで炉過しレジスト溶液を調製した． 上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１
７μ一のレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ＆Ｉ
ステッパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５０　６　Ｅ（ＮＡ−
０．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。

次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ
型パターンをえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１０μ一であった． 大豊班工 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４＝６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物（９）の−ＯＨ基８５％以上が１．２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物３０部をジグライム３００部に溶解
して０．１μｍのテフロンフィルターで炉遇しレジスト
溶液を調製した． 上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．２
０μｍのレジスト膜を形威した。このウエハーをｉ線ス
テッパ−Ａ　Ｌ　Ｓ　　ＷＡＦＥＲＳＴＥＰ２１４２　
ｉ　　（　Ｇ　Ｃ　Ａ社製　ＮＡ＝０．５４）とテスト
用レチクルを用いて露光を行った。

次に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ
型パターンヲエタ。

パターンの形成されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
フプ２００で測定すると１．１５μｍであった。

実施例７ ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４
）１００部、化合物（９）　ｆ７）　−　０　Ｈ基６０
％以上が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステルであるキノンジアジド化合物３０部をジグラ
イム３００部に溶解して０．　１μｍのテフロンフィル
ターで済過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウェハー上にコ−ターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、Ｊｌ１．２
０μｍのレジスト膜を形威した．このウエハーをｉ線ス
テ・ノバーＡ　Ｌ　Ｓ　　ＷＡＦＥＲＳＴＥＰ２１４２
ｉ　　（ＮＡ＝０．５　４）とテスト用レチクルを用い
て露光を行った。次に２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、）’：ド）
Ｌ４により現像してポジ型パターンヲエタ。

パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ−のライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μ回であった。

大豊班１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で６：４の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラフク樹脂１００
部、化合物（自）の一〇Ｈ基７０％以上が１．２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキ
ノンジアジド化合物２８部を乳酸エチルセロソルプアセ
テート３２ｏ部に溶解して０．１／７ｍのテフロンフィ
ルターで炉過しレジスト溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μｍのレジスト膜を形成した。こノウエハーをｇｖＡ
ステソパ　ＮＳＲ−１５０５Ｇ６Ｅ（ＮＡ＝０．５４）
とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次に２．３
８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２
３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型パターン
をえた。

パターンの形威されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．ｌ５μｍであった。

大生拠主 ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比で４二６の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００
部、化合物α旬の一〇Ｈ基６０％以上が１，２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノ
ンジアジド化合物２０部を乳酸エチル３００部に溶解し
て０．　１μｍのテフロンフィルターで炉過しレジスト
溶液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウェハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．１
７μ−のレジスト膜を形威した。このウエハーをｇ線ス
テッパーＮ　Ｓ　Ｒ　−１５０５Ｇ　６　Ｅ（ＮＡ＝０
．５４）とテスト用レチクルを用いて露光を行った。次
に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像してポジ型
パターンヲエタ。

パターンの形或されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると１．１５μ一であった。

去鮭達［Ｌ生 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生底物（水素添
加率３５％）１００部、化合物（９）の−ＯＨ基８５％
以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４一スルホン酸
エステルであるキノンジアジド化合物３０部をジグライ
ム３００部に溶解して０．１μ箇のテフロンフィノレタ
ーで炉過しレジスト｝容液を調製した。

上記レジスト溶液をシリコーンウエハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベータし、厚さ１．０
０μ−のレジスト膜を形威した。このウエハーをクリプ
トン／フッ素を封入したエキシマレーザー装置Ｃ２９２
６　（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを用いて
露光を行った。次にテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３℃、１分間、パドル法により現像して
ポジ型パターンをえた。

パターンの形成されたウエハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μ論のライン＆スペースが
解像していた．パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９５μ−であった。

去１艷ＬＬ上 ビニルフェノール重合体の水素添加反応生底物（水素添
加率３０％）ｌ００部、化合物（９）の一〇Ｈ基９０％
以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４一スルホン酸
エステルであるキノンジアジド化合物２８部をジグライ
ム３００部に溶解して０．　１μｍのテフロンフィルタ
ーで炉遇しレジスト溶液を調製した． 上記レジスト溶液をシリコーンウェハー上にコーターで
塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．０
０μｍのレジスト膜を形成した。このウエハーを紫外線
照射装置ＰＬＡ−５　２　１　ＦＡ（キヤノン社製）テ
スト用マスクを用いて露光を行った。次にテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、パ
ドル法により現像してポジ型パターンをえた。

パターンの形或されたウエハーを取リ出しテ電子顕微鏡
で観察したところ゛、０．４０μｍのライン＆スペース
が解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファス
テップ２００で測定すると０．９２μ悶であった。

（発明の効果） 本発明のレジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐
熱性、保存安定性などの諸特性が優れているので、特に
１μｍ以下の微細加工に適している．

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性フェノール樹脂と感光剤を含有す
   るポジ型レジスト組成物において、該感光剤として、下
   記一般式（ I ）で示される化合物のキノンジアジドス
   ルホン酸エステルを含有することを特徴とするポジ型レ
   ジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＾１〜Ｒ＾６；Ｈ、ハロゲン、Ｃ＿１〜Ｃ＿４のアル
   キル基、アルケニル基又は水酸基 Ｒ＾７、Ｒ＾８；Ｈ、ハロゲン又はＣ＿１〜Ｃ＿４のア
   ルキル基 Ｒ＾９〜Ｒ＾１＾４；Ｈ又はＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル
   基