JPH0347624B2 - - Google Patents
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- JPH0347624B2 JPH0347624B2 JP56129374A JP12937481A JPH0347624B2 JP H0347624 B2 JPH0347624 B2 JP H0347624B2 JP 56129374 A JP56129374 A JP 56129374A JP 12937481 A JP12937481 A JP 12937481A JP H0347624 B2 JPH0347624 B2 JP H0347624B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14672—Blooming suppression
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、固体撮像装置の改良に関するもの
であり、より詳細に言うならば固体撮像装置に発
生するブルーミング現像が抑制された固体撮像装
置に関するものである。
であり、より詳細に言うならば固体撮像装置に発
生するブルーミング現像が抑制された固体撮像装
置に関するものである。
家庭VTR用カメラあるいは、工業用カメラと
して固体撮像装置が注目されているが、なかでも
光導電膜を受光部とし、Si走査デバイスで信号処
理を行なう光導電膜積層型固体撮像装置は、高感
度でスメアリングが少ないことから、特に小型カ
メラ用として最適であると言われている。
して固体撮像装置が注目されているが、なかでも
光導電膜を受光部とし、Si走査デバイスで信号処
理を行なう光導電膜積層型固体撮像装置は、高感
度でスメアリングが少ないことから、特に小型カ
メラ用として最適であると言われている。
Si走査デバイスとしては、MOSスイツチング
素子をマトリクス状に配置し、PN接合で形成し
たダイオード部よりシフトレジスターで信号読み
出しを行なうMOS型、及びPN接合で形成したダ
イオード部からMOS型FETで電荷転送素子
（CCDあるいはBBD）へ信号を読み込んだ後、出
力段へ転送する電荷転送型が主流となつてきてい
る。
素子をマトリクス状に配置し、PN接合で形成し
たダイオード部よりシフトレジスターで信号読み
出しを行なうMOS型、及びPN接合で形成したダ
イオード部からMOS型FETで電荷転送素子
（CCDあるいはBBD）へ信号を読み込んだ後、出
力段へ転送する電荷転送型が主流となつてきてい
る。
まず、従来の固体撮像装置を図面に基づいて説
明する。第１図は、走査デバイスとして埋め込み
チヤンネルCCDを用い、ダイオード部から電荷
転送段への信号読み込みを、埋め込みチヤンネル
MOS型FETで行なうように構成された光導電膜
積層型固体撮像装置の構造を示す平面図であつ
て、第２図に示されたような駆動パルスによつて
作動される。この固体撮像装置における１セル
は、第３図に示されるような断面構造を有してい
る。
明する。第１図は、走査デバイスとして埋め込み
チヤンネルCCDを用い、ダイオード部から電荷
転送段への信号読み込みを、埋め込みチヤンネル
MOS型FETで行なうように構成された光導電膜
積層型固体撮像装置の構造を示す平面図であつ
て、第２図に示されたような駆動パルスによつて
作動される。この固体撮像装置における１セル
は、第３図に示されるような断面構造を有してい
る。
このように構成された固体撮像装置は、垂直帰
線消去期間中、時間t1において第３図に示す透明
電極２０にパルスが印加されると、光導電膜１９
の容量結合を介して第１電極１６の電位が下る
が、この第１電極１６は、ダイオード１１と電気
的に接続されているので、ダイオード電位と第１
電極の電位（以下、ノード電位と言う）とが等し
くなる。その後、時間t2においてリードパルスが
印加されると、ダイオード１１および光導電膜１
９に蓄積されていた信号電荷が、電荷転送のｎ−
ウエル１２に移動すると共に、ダイオード１１お
よび光導電膜１９は、或る初期設定電位（以下、
リセツト電位と言う）にまで充電され、その後１
フレーム期間（33.3ｍｓ）、光信号を蓄積した後、
再びリセツトされる。転送段に移動した電荷は、
15.75kHzの周波数で出力段へ転送される。この電
荷転送段には、第１図に示すように、電位阻止領
域３０−１〜３０−４と蓄積領域３１−１〜３１
−４が設けてあり二相駆動を可能としている。以
上がフイールドＡの信号読み込み動作である。フ
イールドＢにおいては、１フイールド（16.67ｍ
ｓ）後、フイールドＡ同様にリセツトされる。
線消去期間中、時間t1において第３図に示す透明
電極２０にパルスが印加されると、光導電膜１９
の容量結合を介して第１電極１６の電位が下る
が、この第１電極１６は、ダイオード１１と電気
的に接続されているので、ダイオード電位と第１
電極の電位（以下、ノード電位と言う）とが等し
くなる。その後、時間t2においてリードパルスが
印加されると、ダイオード１１および光導電膜１
９に蓄積されていた信号電荷が、電荷転送のｎ−
ウエル１２に移動すると共に、ダイオード１１お
よび光導電膜１９は、或る初期設定電位（以下、
リセツト電位と言う）にまで充電され、その後１
フレーム期間（33.3ｍｓ）、光信号を蓄積した後、
再びリセツトされる。転送段に移動した電荷は、
15.75kHzの周波数で出力段へ転送される。この電
荷転送段には、第１図に示すように、電位阻止領
域３０−１〜３０−４と蓄積領域３１−１〜３１
−４が設けてあり二相駆動を可能としている。以
上がフイールドＡの信号読み込み動作である。フ
イールドＢにおいては、１フイールド（16.67ｍ
ｓ）後、フイールドＡ同様にリセツトされる。
第３図は、固体撮像装置における１セルの構造
を示す断面図であつて、Ｐ型半導体基板１０に
n+領域を形成してダイオード１１とする。１２
は、BCCDのためのｎ−ウエルであり、MOS型
FETのチヤネル１３と同時に形成した後に、こ
のチヤネル部とｎ−ウエルの隣接絵素間に、ほう
素をイオン注入し、ポテンシヤル障壁を形成す
る。１４，１５はそれぞれ上記MOS型FETのゲ
ートおよびゲート酸化膜である。１６は、ZnSe
からなる正孔阻止層１７の電極であり、ダイオー
ド１１の一部を除いて信号走査回路とは、りん硅
酸ガラスの絶縁体層１８で絶縁されている。１９
は、（ZnxCd1-xTe）1-y（In2Te3）yからなる光導電
膜であり、その上に透明電極２０を形成し、透明
電極２０側より入射光２１が照射される。
を示す断面図であつて、Ｐ型半導体基板１０に
n+領域を形成してダイオード１１とする。１２
は、BCCDのためのｎ−ウエルであり、MOS型
FETのチヤネル１３と同時に形成した後に、こ
のチヤネル部とｎ−ウエルの隣接絵素間に、ほう
素をイオン注入し、ポテンシヤル障壁を形成す
る。１４，１５はそれぞれ上記MOS型FETのゲ
ートおよびゲート酸化膜である。１６は、ZnSe
からなる正孔阻止層１７の電極であり、ダイオー
ド１１の一部を除いて信号走査回路とは、りん硅
酸ガラスの絶縁体層１８で絶縁されている。１９
は、（ZnxCd1-xTe）1-y（In2Te3）yからなる光導電
膜であり、その上に透明電極２０を形成し、透明
電極２０側より入射光２１が照射される。
上記のような固体撮像装置において、光導電膜
上の電極２０は、正電位や接地電位としたり（例
えば、特開昭54−103630号公報参照）、或は負電
位としたり（例えば、特開昭55−1151号公報参
照）しており、特に定められていないのが現状で
ある。
上の電極２０は、正電位や接地電位としたり（例
えば、特開昭54−103630号公報参照）、或は負電
位としたり（例えば、特開昭55−1151号公報参
照）しており、特に定められていないのが現状で
ある。
また、MOS型FETのチヤンネル部１３とｎ−
ウエルの電位阻止領域３０−１〜３０−４とは、
理想的には同一の電位レベルにあるはずである
が、不純物イオンの注入量のばらつき或はFET
の寸法の微小化による狭チヤンネル効果や短チヤ
ンネル効果のため同一とならないのが常である。
ウエルの電位阻止領域３０−１〜３０−４とは、
理想的には同一の電位レベルにあるはずである
が、不純物イオンの注入量のばらつき或はFET
の寸法の微小化による狭チヤンネル効果や短チヤ
ンネル効果のため同一とならないのが常である。
特に、走査デバイスとしてCCD等の電荷転送
素子と光導電膜を組み合わせた構成の固体撮像装
置の場合、光導電膜で生成する信号電荷量に比し
電荷転送素子の最大取扱電荷量が少ないことが多
く、従つて信号電荷の取扱には十分注意されなく
てはならない。しかし、従来この点に関する理解
が十分ではなく、さらに上述したようなことが原
因となつてブルーミング現象を抑制できなかつ
た。
素子と光導電膜を組み合わせた構成の固体撮像装
置の場合、光導電膜で生成する信号電荷量に比し
電荷転送素子の最大取扱電荷量が少ないことが多
く、従つて信号電荷の取扱には十分注意されなく
てはならない。しかし、従来この点に関する理解
が十分ではなく、さらに上述したようなことが原
因となつてブルーミング現象を抑制できなかつ
た。
次に、本発明の固体撮像装置を第２図ないし第
４図を用いて説明する。第２図における、リード
および転送パルスと透明電極パルスの印加時にお
ける各時間〜のノード電位VXは、 (イ) 時間では、 VX＝VS−β（V1H−V1L） (1) (ロ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM (2) (ハ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM (3) (ニ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM＋β（V1H−V1L） (4) となる。ここで VS：光入射により変化した信号電位 γ：ゲート電圧印加によるMOS型FETチヤネル
部の電位変化の割合 Ct：光導電膜容量CN、ダイオード容量CSの和 β：CN／Ct VPM：MOS型FETのピンチオフ電圧 である。
４図を用いて説明する。第２図における、リード
および転送パルスと透明電極パルスの印加時にお
ける各時間〜のノード電位VXは、 (イ) 時間では、 VX＝VS−β（V1H−V1L） (1) (ロ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM (2) (ハ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM (3) (ニ) 時間では、 VX＝γVCH＋VPM＋β（V1H−V1L） (4) となる。ここで VS：光入射により変化した信号電位 γ：ゲート電圧印加によるMOS型FETチヤネル
部の電位変化の割合 Ct：光導電膜容量CN、ダイオード容量CSの和 β：CN／Ct VPM：MOS型FETのピンチオフ電圧 である。
また、暗状態、飽和照度以下の光入射および飽
和照度以上の光入射のある時のノード電位の変化
はそれぞれ第２図ｃ，ｄ，ｅのようになる。
和照度以上の光入射のある時のノード電位の変化
はそれぞれ第２図ｃ，ｄ，ｅのようになる。
上記動作の場合に、垂直電荷転送段に読み込ま
れる信号電荷量QSは、 QS＝Ct｛γVCH＋VPM−VS ＋β（V1H−V1L）｝ (5) であるが、VSは、入射したフオトン数をnp、量
子効率をηとすると VS＝γVCH＋VPM＋β（V1H−V1L）−ηop／Ct (6) であるから QS＝ηnp (7) となり、入射光強度に応じた信号が出力されるこ
ととなる。
れる信号電荷量QSは、 QS＝Ct｛γVCH＋VPM−VS ＋β（V1H−V1L）｝ (5) であるが、VSは、入射したフオトン数をnp、量
子効率をηとすると VS＝γVCH＋VPM＋β（V1H−V1L）−ηop／Ct (6) であるから QS＝ηnp (7) となり、入射光強度に応じた信号が出力されるこ
ととなる。
理想的には、(7)式で示される信号電荷量は、あ
らゆる照度のもとで、電荷転送の最大取扱い電荷
量より小さいことが望ましいが、転送効率の良い
BCCDを用いたり、デバイスの縮少化をはかつた
場合、電荷転送段の最大取扱い電荷量は、信号電
荷より小さくなることが多い。この場合、電荷転
送段最大取扱い電荷量を越える余分な電荷は
MOS型FETがOFFの時のチヤネル電位VPMによ
りしきられ、ノード電位VXはVX＜γVCH＋VPMと
なる。
らゆる照度のもとで、電荷転送の最大取扱い電荷
量より小さいことが望ましいが、転送効率の良い
BCCDを用いたり、デバイスの縮少化をはかつた
場合、電荷転送段の最大取扱い電荷量は、信号電
荷より小さくなることが多い。この場合、電荷転
送段最大取扱い電荷量を越える余分な電荷は
MOS型FETがOFFの時のチヤネル電位VPMによ
りしきられ、ノード電位VXはVX＜γVCH＋VPMと
なる。
第４図は、上述の状態を井戸型ポテンシヤル図
で示すもので、第１図におけるＸ−X′−Ｙの断
面について考えたものである。以上のような状況
のもとで、第４図ｃのように、電荷転送段の障壁
電位がVPMよりも高いと、信号を読み込んだ絵素
の両隣りに電荷Qexがあふれることとなる。すな
わち、電荷転送段の障壁ポテンシヤルVpbにより
最大取扱い電荷量は制限されるとともに、Qex分
は、不完全転送となるため、スポツト光照射の場
合、スポツトの下に尾引き、すなわちブルーミン
グが生ずる。このスポツトの拡がりは、転送段取
扱い電荷量をQmaxとするとスポツトの（１＋
Qex／Qmax）倍となる。従つて、上記のブルー
ミング現象を抑制するためには、 Vpb＜VPM の条件を満たさなければいけない。
で示すもので、第１図におけるＸ−X′−Ｙの断
面について考えたものである。以上のような状況
のもとで、第４図ｃのように、電荷転送段の障壁
電位がVPMよりも高いと、信号を読み込んだ絵素
の両隣りに電荷Qexがあふれることとなる。すな
わち、電荷転送段の障壁ポテンシヤルVpbにより
最大取扱い電荷量は制限されるとともに、Qex分
は、不完全転送となるため、スポツト光照射の場
合、スポツトの下に尾引き、すなわちブルーミン
グが生ずる。このスポツトの拡がりは、転送段取
扱い電荷量をQmaxとするとスポツトの（１＋
Qex／Qmax）倍となる。従つて、上記のブルー
ミング現象を抑制するためには、 Vpb＜VPM の条件を満たさなければいけない。
次に、電荷蓄積期間の動作について、さらに説
明する。まず、蓄積期間において飽和照度以上の
光入射が固体撮像装置にある場合において、ノー
ド電位VXは、光導電膜１９で発生した電荷によ
り低下するが、この時、VPMが透明電極電位より
高ければ、第４図ｄに示したものと同様な状況と
なる。この結果、信号電荷がMOS型FETのチヤ
ネル１３を通して電荷転送段（ｎ−ウエル）１２
側へ流れ込み、ブルーミングを引き起こすことと
なる。従つて、 VPM＜V1H であるように、透明電極２０の電位を制御する。
このような条件のもとでは、第２図ｅに示したよ
うに、飽和照度以上の光入射が固体撮像装置にあ
つても、光導電膜１９にバイアスがかからなくな
り、光感度がなくなるため、ノード電位VXは、
V1H近辺に保持されブルーミングは生じない。
明する。まず、蓄積期間において飽和照度以上の
光入射が固体撮像装置にある場合において、ノー
ド電位VXは、光導電膜１９で発生した電荷によ
り低下するが、この時、VPMが透明電極電位より
高ければ、第４図ｄに示したものと同様な状況と
なる。この結果、信号電荷がMOS型FETのチヤ
ネル１３を通して電荷転送段（ｎ−ウエル）１２
側へ流れ込み、ブルーミングを引き起こすことと
なる。従つて、 VPM＜V1H であるように、透明電極２０の電位を制御する。
このような条件のもとでは、第２図ｅに示したよ
うに、飽和照度以上の光入射が固体撮像装置にあ
つても、光導電膜１９にバイアスがかからなくな
り、光感度がなくなるため、ノード電位VXは、
V1H近辺に保持されブルーミングは生じない。
一方、上記の飽和照度以上の光入射があり、ノ
ード電位VXがV1H近辺に保持された状態で垂直消
去帰線期間に入り、透明電極電位がV1Lになる
と、光導電膜は逆バイアスされ、光感度を有する
こととなる。垂直帰線消去期間は約600μsである
から、飽和照度の33.3／600×10-3＝50倍程度の強い光 が入射すると、ノード電位はV1Lまで下がること
が可能となる。このとき、VPM＞V1Lであれば、
第４図ｄに示すようにMOS型FETのOFF時にお
いてもノード電位は、チヤネルの障壁より高く、
電荷転送段へ光導電膜で生成したキヤリアが注入
され、電荷転送段でオーバーフローしてブルーミ
ング現象となる。従つて、垂直帰線消去期間中の
透明電極のローレベル電圧V1Lは、VPM＜V1Lを満
たさなくてはならない。
ード電位VXがV1H近辺に保持された状態で垂直消
去帰線期間に入り、透明電極電位がV1Lになる
と、光導電膜は逆バイアスされ、光感度を有する
こととなる。垂直帰線消去期間は約600μsである
から、飽和照度の33.3／600×10-3＝50倍程度の強い光 が入射すると、ノード電位はV1Lまで下がること
が可能となる。このとき、VPM＞V1Lであれば、
第４図ｄに示すようにMOS型FETのOFF時にお
いてもノード電位は、チヤネルの障壁より高く、
電荷転送段へ光導電膜で生成したキヤリアが注入
され、電荷転送段でオーバーフローしてブルーミ
ング現象となる。従つて、垂直帰線消去期間中の
透明電極のローレベル電圧V1Lは、VPM＜V1Lを満
たさなくてはならない。
このように構成された本発明の固体撮像装置で
は、第５図および第６図に示されたように顕著な
効果がある。すなわち、第５図は、Vpb＜VPMと
したときのブルーミング量をプロツトしたもの
で、スポツトの縦の長さLpに対するブルーミング
によるスポツトの拡がりで表わしている。第６図
は、VPM＜V1Lとしたときのブルーミング量であ
り、縦軸は、第５図と同じである。これらの図か
ら明らかなように、電荷転送段のオーバーフロー
によるブルーミング現象は激減していることがわ
かる。飽和照度の倍率の高いところで少し増加し
ているのは保護ガラスの乱反射によるもので、こ
れでも通常の撮像管の半分以下の値である。
は、第５図および第６図に示されたように顕著な
効果がある。すなわち、第５図は、Vpb＜VPMと
したときのブルーミング量をプロツトしたもの
で、スポツトの縦の長さLpに対するブルーミング
によるスポツトの拡がりで表わしている。第６図
は、VPM＜V1Lとしたときのブルーミング量であ
り、縦軸は、第５図と同じである。これらの図か
ら明らかなように、電荷転送段のオーバーフロー
によるブルーミング現象は激減していることがわ
かる。飽和照度の倍率の高いところで少し増加し
ているのは保護ガラスの乱反射によるもので、こ
れでも通常の撮像管の半分以下の値である。
この実施例においては、電荷転送段として、ほ
う素をイオン注入した擬似２相BCCDで信号読み
込みと電荷転送を同一の電極で行なう場合につい
て説明したが、本発明は上記構成に限られるもの
ではなく、３相および４相駆動であつてもかまわ
ないし、信号読み込みと電荷転送が別々の電極で
あつてもよい。また電荷転送素子としてBBDを
用いても、全くさしつかえない。さらに、信号読
み込み用MOS型FETはデイプリーシヨン型で記
したが、これとてエンハンスメント型でも全く同
様の作用効果が得られる。
う素をイオン注入した擬似２相BCCDで信号読み
込みと電荷転送を同一の電極で行なう場合につい
て説明したが、本発明は上記構成に限られるもの
ではなく、３相および４相駆動であつてもかまわ
ないし、信号読み込みと電荷転送が別々の電極で
あつてもよい。また電荷転送素子としてBBDを
用いても、全くさしつかえない。さらに、信号読
み込み用MOS型FETはデイプリーシヨン型で記
したが、これとてエンハンスメント型でも全く同
様の作用効果が得られる。
第１図は、Si走査デバイスがCCDである光導
電膜層積型固体撮像装置の平面図、第２図は、第
１図の固体撮像装置の駆動パルス波形とノード電
位の変化を示す図、第３図は、第１図の固体撮像
装置の１セル分の断面図、第４図は、ポテンシヤ
ル図によるブルーミング現象の説明のための図、
第５図、第６図は、本発明のブルーミング抑制効
果を示す図である。 １０……Ｐ型半導体基板、１１……ダイオー
ド、１２……ｎ−ウエル、１３……MOS型FET
のチヤネル、１４……MOS型FETのゲート、１
５……ゲート酸化膜、１６……電極、１７……正
孔阻止層、１８……絶縁体層、１９……光導電
膜、２０……透明電極、２１……入射光、３０−
１〜３０−４……電位阻止領域、３１−１〜３１
−４……蓄積領域。
電膜層積型固体撮像装置の平面図、第２図は、第
１図の固体撮像装置の駆動パルス波形とノード電
位の変化を示す図、第３図は、第１図の固体撮像
装置の１セル分の断面図、第４図は、ポテンシヤ
ル図によるブルーミング現象の説明のための図、
第５図、第６図は、本発明のブルーミング抑制効
果を示す図である。 １０……Ｐ型半導体基板、１１……ダイオー
ド、１２……ｎ−ウエル、１３……MOS型FET
のチヤネル、１４……MOS型FETのゲート、１
５……ゲート酸化膜、１６……電極、１７……正
孔阻止層、１８……絶縁体層、１９……光導電
膜、２０……透明電極、２１……入射光、３０−
１〜３０−４……電位阻止領域、３１−１〜３１
−４……蓄積領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 信号走査回路とダイオードとを形成した半導
体基板と、上記ダイオードと電気的に接続するよ
うに上記半導体基板上に形成した光導電膜と、上
記光導電膜上に形成した透明電極とからなる固体
撮像装置において、上記信号走査回路の一部で上
記ダイオードから信号電荷を読み出すための
MOS型FETのOFF時のチヤネル電位VPMおよび
上記透明電極電位VIが、少なくとも上記ダイオ
ードと光導電体のリセツト期間以外は、 VPM＜VI の関係を満たすように制御されていることを特徴
とする固体撮像装置。 ２ 前記信号走査回路の一部が、電荷転送素子で
形成されていると共に、その障壁電位Vpbが、 Vpb＜VPM の関係を満すように制御されていることを特徴と
する特許請求の範囲の第１項に記載された固体撮
像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129374A JPS5831670A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像装置 |
| US06/816,980 US4670766A (en) | 1981-08-20 | 1986-01-07 | Anti-blooming image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56129374A JPS5831670A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831670A JPS5831670A (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0347624B2 true JPH0347624B2 (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=15007998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56129374A Granted JPS5831670A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4670766A (ja) |
| JP (1) | JPS5831670A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164832A (en) * | 1991-03-08 | 1992-11-17 | Westinghouse Electric Corp. | Clipped dynamic range compression image sensing apparatus |
| JP2005167665A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 画像信号処理装置、画像信号処理方法、画像信号処理プログラム、固体撮像素子の制御装置及び固体撮像素子の制御方法 |
| GB201116780D0 (en) | 2011-09-29 | 2011-11-09 | Secr Defence | Imaging sensor |
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Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
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| US3996600A (en) * | 1975-07-10 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Charge coupled optical scanner with blooming control |
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-
1981
- 1981-08-20 JP JP56129374A patent/JPS5831670A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-07 US US06/816,980 patent/US4670766A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687986A (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate image pickup device and its manufacture |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4670766A (en) | 1987-06-02 |
| JPS5831670A (ja) | 1983-02-24 |
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