JPH0346329A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0346329A JPH0346329A JP18200789A JP18200789A JPH0346329A JP H0346329 A JPH0346329 A JP H0346329A JP 18200789 A JP18200789 A JP 18200789A JP 18200789 A JP18200789 A JP 18200789A JP H0346329 A JPH0346329 A JP H0346329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- contact hole
- bpsg
- contact
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にコンタクトホールを改
善した半導体装置に関する。
善した半導体装置に関する。
〔従来の技術］
従来、半導体装置に設けられるコンタクトホールは、第
２図に示すように、シリコン基板１の表面に形威した酸
化膜２上にＢＰＳＧ （ボロン・リン・シリケートガラ
ス）膜３等を形威して表面を平坦化した上で、ＢＰＳＧ
膜３及び酸化膜２を通して開孔を設けた構成となってい
る。
２図に示すように、シリコン基板１の表面に形威した酸
化膜２上にＢＰＳＧ （ボロン・リン・シリケートガラ
ス）膜３等を形威して表面を平坦化した上で、ＢＰＳＧ
膜３及び酸化膜２を通して開孔を設けた構成となってい
る。
この場合、酸化膜２はＢＰＳＧ膜３からシリコン基板１
への不純物の拡散を防ぐために利用される。また、ＢＰ
ＳＧ膜３はリフロー等により形威し、かつフォトリソグ
ラフィ技術を用いたエツチング法によりコンタクトホー
ルを開設している。
への不純物の拡散を防ぐために利用される。また、ＢＰ
ＳＧ膜３はリフロー等により形威し、かつフォトリソグ
ラフィ技術を用いたエツチング法によりコンタクトホー
ルを開設している。
上述した従来の半導体装置では、ＢＰＳＧ膜３に開口を
設けた後に、例えばコンタクト抵抗を下げるためにコン
タクトホール部にイオン注入により不純物を導入し、不
純物の活性化のための窒素アニールを高温で行った場合
、この熱によってＢＰＳＧ膜３が溶融する。この溶融に
より、ＢＰＳＧ膜３のコンタクトホール部分は、第３図
に示すように表面張力で円弧状となり、これによりコン
タクトホールの開口面積が低減される。したがって、コ
ンタクトホールにアルミニウムを充填したときに、アル
ミニウムがコンタクトホール内に好適に充填されなくな
り、かつアルミニウムとシリコン基板１との接触面積が
小さくなり、コンタクト抵抗が極めて大きくなってしま
うという問題がある。
設けた後に、例えばコンタクト抵抗を下げるためにコン
タクトホール部にイオン注入により不純物を導入し、不
純物の活性化のための窒素アニールを高温で行った場合
、この熱によってＢＰＳＧ膜３が溶融する。この溶融に
より、ＢＰＳＧ膜３のコンタクトホール部分は、第３図
に示すように表面張力で円弧状となり、これによりコン
タクトホールの開口面積が低減される。したがって、コ
ンタクトホールにアルミニウムを充填したときに、アル
ミニウムがコンタクトホール内に好適に充填されなくな
り、かつアルミニウムとシリコン基板１との接触面積が
小さくなり、コンタクト抵抗が極めて大きくなってしま
うという問題がある。
本発明はアニールによるコンタクト抵抗の増大を防止し
た半導体装置を提供することを目的とする。
た半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、リフローにより形成したｗＡ緑
膜に開設したコンタクトホールの内面にシリコン窒化膜
の側壁を形成している。
膜に開設したコンタクトホールの内面にシリコン窒化膜
の側壁を形成している。
この構成では、コンタクトホール開没後の熱処理におい
ても、シリコン窒化膜がコンタクトホール内面における
絶縁膜の溶融を抑制し、コンタクトホールの開口を狭め
ることを防止する。
ても、シリコン窒化膜がコンタクトホール内面における
絶縁膜の溶融を抑制し、コンタクトホールの開口を狭め
ることを防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
図において、シリコン基板１の上に２０００人の酸化ｒ
ｙＪ２ト、１００００人のＢＰＳＧＭ３とを順次形成す
る。そして、フォトリソグラフィ技術を用いたエツチン
グ法により、前記ＢＰＳＧ膜３．酸化膜２を順次エツチ
ングし、コンタクトホールを開口する。
ｙＪ２ト、１００００人のＢＰＳＧＭ３とを順次形成す
る。そして、フォトリソグラフィ技術を用いたエツチン
グ法により、前記ＢＰＳＧ膜３．酸化膜２を順次エツチ
ングし、コンタクトホールを開口する。
その後、全面に窒化膜を２０００人形威し、エツチング
バックすることでコンタクトホールの内面。
バックすることでコンタクトホールの内面。
即ちＢＰＳＧ膜３と酸化膜２の側面に窒化膜側壁４を形
成する。
成する。
次いで、コンタクトホールを通してシリコン基板１に不
純物を導入し、かつこれをアニールして活性化し、コン
タクト抵抗を低減させる。このとき、窒素アニールを行
うが、ＢＰＳＧ膜３のコンタクトホール側面は窒化膜側
壁４によって被覆されているため、ＢＰＳＧ膜３が溶融
してその形状が崩れることはない。これにより、コンタ
クトホールの開口面積が低減されることが防止でき、コ
ンタクトホール内へのアルミニウムの充填を好適に行う
ことができ、コンタクト抵抗の増加が防止される。なお
、窒化膜側壁４の膜厚は、コンタクトホールの開口面積
に比較して極めて小さいため、この側壁がコンタクトホ
ールの開口面積に影響することは少ない。
純物を導入し、かつこれをアニールして活性化し、コン
タクト抵抗を低減させる。このとき、窒素アニールを行
うが、ＢＰＳＧ膜３のコンタクトホール側面は窒化膜側
壁４によって被覆されているため、ＢＰＳＧ膜３が溶融
してその形状が崩れることはない。これにより、コンタ
クトホールの開口面積が低減されることが防止でき、コ
ンタクトホール内へのアルミニウムの充填を好適に行う
ことができ、コンタクト抵抗の増加が防止される。なお
、窒化膜側壁４の膜厚は、コンタクトホールの開口面積
に比較して極めて小さいため、この側壁がコンタクトホ
ールの開口面積に影響することは少ない。
なお、コンタクトホール内のシリコン基板ｌへの不純物
の導入は、窒化膜側壁４を形成する前に行ってもよい。
の導入は、窒化膜側壁４を形成する前に行ってもよい。
但し、その窒素アニールは窒化膜側壁４の形成後に行う
ことは勿論である。
ことは勿論である。
なお、本発明はＢＰＳＧ膜の代わりにＰＳＧ膜を用いた
構造においても同様に適用することができる。なお、Ｐ
ＳＧ膜はＢＰＳＧ膜程熱による変形は大きくないので、
窒化膜側壁４に加わるストレスは小さくなる。したがっ
て、窒化膜側壁４がシリコン基板１に及ぼすストレスを
緩和でき、コンタクトのリーク電流の増大等の不具合を
未然に防止することが可能となる。
構造においても同様に適用することができる。なお、Ｐ
ＳＧ膜はＢＰＳＧ膜程熱による変形は大きくないので、
窒化膜側壁４に加わるストレスは小さくなる。したがっ
て、窒化膜側壁４がシリコン基板１に及ぼすストレスを
緩和でき、コンタクトのリーク電流の増大等の不具合を
未然に防止することが可能となる。
以上説明したように本発明は、リフローにより形成した
絶縁膜に設けたコンタクトホールの内面にシリコン窒化
膜の側壁を形成しているので、コンタクトホール開没後
の熱処理においても、シリコン窒化膜がコンタクトホー
ル内面における絶縁膜の溶融を抑制することができ、コ
ンタクトホールの変形を防止してコンタクトホール開口
面積の低下を防止するとともに、アルミニウム等の充填
を好適に行い、コンタクト抵抗を低減することができる
効果がある。
絶縁膜に設けたコンタクトホールの内面にシリコン窒化
膜の側壁を形成しているので、コンタクトホール開没後
の熱処理においても、シリコン窒化膜がコンタクトホー
ル内面における絶縁膜の溶融を抑制することができ、コ
ンタクトホールの変形を防止してコンタクトホール開口
面積の低下を防止するとともに、アルミニウム等の充填
を好適に行い、コンタクト抵抗を低減することができる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来構造
の断面図、第３図は従来における問題を説明するための
断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化膜、３・・・ＢＰ
ＳＧ膜、４・・・窒化膜。
の断面図、第３図は従来における問題を説明するための
断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・酸化膜、３・・・ＢＰ
ＳＧ膜、４・・・窒化膜。
Claims (1)
- １、半導体基板上にリフローにより形成した絶縁膜を有
し、この絶縁膜にコンタクトホールを開設してなる半導
体装置において、前記絶縁膜のコンタクトホール内面に
シリコン窒化膜の側壁を形成したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18200789A JPH0346329A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18200789A JPH0346329A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346329A true JPH0346329A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16110696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18200789A Pending JPH0346329A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308793A (en) * | 1991-07-24 | 1994-05-03 | Sony Corporation | Method for forming interconnector |
| CN103065971A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法和保持硼磷硅玻璃形貌的方法 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18200789A patent/JPH0346329A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308793A (en) * | 1991-07-24 | 1994-05-03 | Sony Corporation | Method for forming interconnector |
| CN103065971A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法和保持硼磷硅玻璃形貌的方法 |
| CN103065971B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-02-22 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的形成方法和保持硼磷硅玻璃形貌的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0520658B1 (en) | Structure and method for contacts in CMOS devices | |
| JPH0346329A (ja) | 半導体装置 | |
| US20160197009A1 (en) | Device and Method for Stopping an Etching Process | |
| JPH08306783A (ja) | 半導体装置のコンタクト形成方法 | |
| US5368682A (en) | Method for forming contact hole in highly integrated semiconductor device | |
| US5912185A (en) | Methods for forming contact holes having improved sidewall profiles | |
| US6177310B1 (en) | Method for forming capacitor of memory cell | |
| JPH06216154A (ja) | 半導体集積回路の形成方法 | |
| JPS61296740A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100541701B1 (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| JP2984383B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100443363B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPS63253647A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10125623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6149473A (ja) | ポリサイドゲ−トｍｏｓ ｉｃの製造方法 | |
| JPH02142161A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01217908A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0179008B1 (ko) | 반도체소자의 메탈 콘택 제조방법 | |
| JPS6116545A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR930015066A (ko) | 반도체 장치의 살리사이드 형성방법 | |
| JPH031539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63197355A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04144231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60164362A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06132244A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 |