JPH034512A - コンデンサ用電極 - Google Patents
コンデンサ用電極Info
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- JPH034512A JPH034512A JP14046389A JP14046389A JPH034512A JP H034512 A JPH034512 A JP H034512A JP 14046389 A JP14046389 A JP 14046389A JP 14046389 A JP14046389 A JP 14046389A JP H034512 A JPH034512 A JP H034512A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミニウム電解コンデンサをはじめとする固
体電解コンデンサのコンデンサ用電極に関すａ 従来の技術 従来の技術として例えば特開昭６３−３０４６１３号公
報に開示されているような電解コンデンサ用電極があム
電極にはアルミニウムに誘電体として酸化アルミニウ
ムを形成したものも 金属タンタル焼結体に誘電体とし
て酸化タンタルを形成したものがあも さらに誘電率を
高めるため上記誘電体にさらに大きな誘電率を有する。
体電解コンデンサのコンデンサ用電極に関すａ 従来の技術 従来の技術として例えば特開昭６３−３０４６１３号公
報に開示されているような電解コンデンサ用電極があム
電極にはアルミニウムに誘電体として酸化アルミニウ
ムを形成したものも 金属タンタル焼結体に誘電体とし
て酸化タンタルを形成したものがあも さらに誘電率を
高めるため上記誘電体にさらに大きな誘電率を有する。
材料を複合化した電極が検討されていも
発明が解決しようとする課題
上記構成のコンデンサ用電極（友 比誘電率を大きく
するのに限界があり、また誘電率のさらに大きな材料と
の複合化が検討されているがその場合、膜厚の制御や組
成の均一化など十分ではな（−課題を解決するための手
段 上記課題を解決するために本発明のコンデンサ用電極１
ｅａ）酸化皮膜を有するアルミニウム箔上にゾルゲル法
を用いて酸化チタン皮Ａ 酸化アルミニウムと酸化チタ
ンとの混合物層Ａ あるいはチタン酸バリウム皮膜のい
ずれかを形成したこと、 ｂ）ステンレス鋼箔上にゾル
ゲル法を用いて酸化アルミニウム皮膜 酸化アルミニウ
ムと酸化チタンとの混合物皮風 酸化アルミニウムとチ
タン酸バリウムとの混合物皮膜のいずれかを形成したこ
と、 Ｃ）ステンレス鋼箔上にゾルゲル法を用いて酸化
アルミニウム皮膜と酸化チタン皮膜又はチタン酸バリウ
ム皮膜とを順次積層形成したこと、ｄ）ステンレス鋼箔
上又は多孔体金属表面にゾルゲル法を用いて酸化タンタ
ル皮膜を形成したことをそれぞれの特徴とすａ 作 用 本発明は上記構成により、均一で高い誘電率を有する金
属酸化物層を備えたコンデンサ用電極を得ることができ
も 実施例 以下本発明の実施例について説明する。
するのに限界があり、また誘電率のさらに大きな材料と
の複合化が検討されているがその場合、膜厚の制御や組
成の均一化など十分ではな（−課題を解決するための手
段 上記課題を解決するために本発明のコンデンサ用電極１
ｅａ）酸化皮膜を有するアルミニウム箔上にゾルゲル法
を用いて酸化チタン皮Ａ 酸化アルミニウムと酸化チタ
ンとの混合物層Ａ あるいはチタン酸バリウム皮膜のい
ずれかを形成したこと、 ｂ）ステンレス鋼箔上にゾル
ゲル法を用いて酸化アルミニウム皮膜 酸化アルミニウ
ムと酸化チタンとの混合物皮風 酸化アルミニウムとチ
タン酸バリウムとの混合物皮膜のいずれかを形成したこ
と、 Ｃ）ステンレス鋼箔上にゾルゲル法を用いて酸化
アルミニウム皮膜と酸化チタン皮膜又はチタン酸バリウ
ム皮膜とを順次積層形成したこと、ｄ）ステンレス鋼箔
上又は多孔体金属表面にゾルゲル法を用いて酸化タンタ
ル皮膜を形成したことをそれぞれの特徴とすａ 作 用 本発明は上記構成により、均一で高い誘電率を有する金
属酸化物層を備えたコンデンサ用電極を得ることができ
も 実施例 以下本発明の実施例について説明する。
く第１実施例〉
純度９９．９９％のアルミニウム箔（厚さ０．１ｍｍ）
４．。
４．。
ホウ酸アンモン溶液中で２ ｍＡ／ ｃｍ２の直流を通
じることにより、極めて薄い酸化アルミニウム皮膜を化
成してこれを誘電体とＬ 陽極とし九この陽極酸化ア
ルミニウム皮膜を有する箔体（Ａ）に以下に示すゾルゲ
ル法を用いて、もう−層の酸化皮膜を形成し九 （１）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタ
ン皮膜を形成する場合； チタンテトラブト＋ シＦ
Ｔｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ａをエチルアルコールと混合レア
ルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水と
をＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ｓに対して等モル加え、 １時
間撹はんしてスプレー液とし これを箔体（Ａ）に塗布
した後４５０℃で２０分間焼成し 第１図に示したよう
にアルミニウム箔１表面の酸化アルミニウム皮膜２上く
酸化チタン皮膜３を約０．１μｍ形成し九 （２）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタ
ンと酸化アルミニウムとの混合物皮膜を形成する場合；
チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４とア
ルミニウムトリセカンダリイブトキシドＡｌ（Ｏ−ｓｅ
ｃ−Ｃａ Ｈｅ ）３とをエチルアルコールと混合し
アルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水
とをＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４、Ａｌ（０−ｓｅｃ−Ｃ４
Ｈｅ ）ｓに対して等モル加４１時間撹はんしてスプレ
ー液としこれを箔体（Ａ）に塗布した後４５０℃で２０
分間焼成し 酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタンと酸
化アルミニウムとの混合物層膜０．１μｍを形成し九 （３）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上にチタン酸
バリウム皮膜を形成する場合： チタンテトラブトキシ
ドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ＪとバリウムアルコキシドＢａ
（ＯＥｔ ）２とを所定量エチルアルコールと混合レア
ルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水と
をＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４、Ｂａ（ＯＥｔｂに対して等
モル加え １時間攪はんしてスプレー液とし これを箔
体（Ａ）に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 酸化
アルミニウム皮膜上にチタン酸バリウム皮膜を約０．１
μｍ形成し九 上記（１）、 （２）、 （３）で作成した電極を陽極
とＬ 陽極よりさらに薄い厚み０．７ｍｍのアルミニウ
ム箔を陰極とし両者をセパレータを介して捲回し電解液
に含浸しコンデンサを試作しその特性を第１表にまとめ
島 比較例は上記箔体（Ａ）で作成した電極を陽極とし
厚み０．７ｍｍのアルミニウム箔を陰極としたもので
あも 第１表 く第２実施例〉 第２図に示したようにステンレス鋼箔４ （厚さ０、１
ｍｍ）表面を王水でエツチングし粗面化し九 このステ
ンレス鋼箔４の表面に第１実施例と同様な方法で、金属
酸化物皮膜５を形成し九 （１）ステンレス鋼箔４上に酸化アルミニウム皮膜を形
成する場合； アルミニウムトリセカンダリイブトキシ
ドＡｌ（０−ｓｅｃ−Ｃ４Ｈｅ ）３をエチルアルコー
ルと混合し アルコキシドを安定化するためにアセチル
アセトンと水とをＡｌ（０−ｓｅｅ−ＣｎＨｓ ）３に
対して等モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし
これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔４上に塗布した後
４５０℃で２０分間焼成し 約０．１μ山の酸化アルミ
ニウム皮膜を形成し九 （２）ステンレス鋼箔４上に酸化アルミニウムと酸化チ
タンとの混合物皮膜を形成する場合； アルミニウムト
リセカンダリイブトキシドＡｌ（Ｑ−ｓｅｅ−Ｃａ Ｈ
ａ ）ｓとチタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ
）４とをエチルアルコールと混合し アルコキシドを
安定化するためにアセチルアセトンと水とをＡｌ（０−
ｓｅｅＣ４Ｈａ ）３、Ｔｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４に対し
て等モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし これ
を低湿雰囲気下でステンレスｔ４ Ｍ ４上に塗布した
後４５０℃で２０分間焼成し 酸化アルミニウムと酸化
チタンとの混合物皮膜を約０．１μｍ形成しな（３）ス
テンレス鋼箔４上に酸化アルミニウムとチタン酸バリウ
ムとの混合物皮膜を形成する場合；アルミニウムトリセ
カンダリイブトキシドＡ１（Ｏｓｅｃ−Ｃ４Ｈｅ ）３
とチタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４とバ
リウムアルコキシドＢａ（ＯＥｔ）ａとを所定量エチル
アルコールと混合し アルコキシドを安定化するために
アセチルアセトンと水とをアルコキシドに対して等モル
加え １時間撹はんしてスプレー液と服 これをステン
レス鋼箔上に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 酸
化アルミニウムとチタン酸バリウムとの混合物皮膜を形
成した上記（１）、 （２）、 （３）で作成した電極
を陽極とし 陽極よりさらに薄い厚み０．Ｔｍｍのアル
ミニウム箔を陰極とし両者をセパレータを介して捲回し
電解液に含浸しコンデンサを試作しその特性を第２表に
まとめ島 比較例は第１表と同じ構成のコンデンサであ
も 第２表 く第３実施例〉 第３図に示したようにステンレス鋼箔４ （厚さ０．１
ｍｍ）表面を王水でエツチングし粗面化し九 このステ
ンレス鋼箔４の表面に第１実施例と同様な方法で、 ２
層の金属酸化物皮膜６、７を積層しｔう（１）ステンレ
ス鋼箔４上に酸化アルミニウム皮膜と酸化チタン皮膜と
を順次積層する場合； アルミニウムトリセカンダリイ
ブトキシドＡｔ（０−ｓｅｅ−Ｃ４Ｈ９ｈをエチルアル
コールと混合し アルコキシドを安定化するためにアセ
チルアセトンと水とをＡ１（０−３ｅｅ−Ｃａ Ｈｅ
）ｓに対して等モル加私 １時間撹はんしてスプレー液
とし これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔４上に塗布
した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０５μｍの酸
化アルミニウム皮膜を形成し丸 次番へ チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）
Ｊをエチルアルコールと混合し アルコキシドを安定化
するためにアセチルアセトン上水とをＴｉ（０−ｎ−Ｂ
ｕ）４に対して等モル加え １時間撹はんしてスプレー
液とし これを低湿雰囲気下で前記酸化アルミニウム皮
膜上に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０
５μｍの酸化チタン皮膜を形成しな（２）ステンレス鋼
箔４上に酸化アルミニウム皮膜とチタン酸化バリウム皮
膜とを順次積層する場合； アルミニウムトリセカンダ
リイブトキシドＡｌ（０−ｓｅｅ−Ｃ４Ｈｅ ）ａをエ
チルアルコールと混合し アルコキシドを安定化するた
めにアセチルアセトンと水とをＡｌ（０−ｓｅｃ−Ｃｎ
Ｈｓ ）ｓに対して等モル加え １時間撹はんしてスプ
レー液とＬ これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔上に
塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０５μｍ
の酸化アルミニウム皮膜を形成し九 次く チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ｉ
とバリウムアルコキシドＢａ（ＯＥｔ）２とを所定量エ
チルアルコールと混合し アルコキシドを安定化するた
めにアセチルアセトンと水とをアルコキシドに対して等
モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし これを前
記酸化アルミニウム皮膜上に塗布した後４５０℃で２０
分間焼成し チタン酸バリウム皮膜を形成しに 上記（１）、 （２）で作成した電極を陽極とし陽極よ
りさらに薄い厚み０．７ｍｍのアルミニウム箔を陰極と
し両者をセパレータを介して捲回し電解液に含浸しコン
デンサを試作しその特性を第３表にまとめ九 比較例は
第１表と同じ構成のコンデンサである。
じることにより、極めて薄い酸化アルミニウム皮膜を化
成してこれを誘電体とＬ 陽極とし九この陽極酸化ア
ルミニウム皮膜を有する箔体（Ａ）に以下に示すゾルゲ
ル法を用いて、もう−層の酸化皮膜を形成し九 （１）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタ
ン皮膜を形成する場合； チタンテトラブト＋ シＦ
Ｔｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ａをエチルアルコールと混合レア
ルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水と
をＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ｓに対して等モル加え、 １時
間撹はんしてスプレー液とし これを箔体（Ａ）に塗布
した後４５０℃で２０分間焼成し 第１図に示したよう
にアルミニウム箔１表面の酸化アルミニウム皮膜２上く
酸化チタン皮膜３を約０．１μｍ形成し九 （２）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタ
ンと酸化アルミニウムとの混合物皮膜を形成する場合；
チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４とア
ルミニウムトリセカンダリイブトキシドＡｌ（Ｏ−ｓｅ
ｃ−Ｃａ Ｈｅ ）３とをエチルアルコールと混合し
アルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水
とをＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４、Ａｌ（０−ｓｅｃ−Ｃ４
Ｈｅ ）ｓに対して等モル加４１時間撹はんしてスプレ
ー液としこれを箔体（Ａ）に塗布した後４５０℃で２０
分間焼成し 酸化アルミニウム皮膜上に酸化チタンと酸
化アルミニウムとの混合物層膜０．１μｍを形成し九 （３）箔体（Ａ）の酸化アルミニウム皮膜上にチタン酸
バリウム皮膜を形成する場合： チタンテトラブトキシ
ドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ＪとバリウムアルコキシドＢａ
（ＯＥｔ ）２とを所定量エチルアルコールと混合レア
ルコキシドを安定化するためにアセチルアセトンと水と
をＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４、Ｂａ（ＯＥｔｂに対して等
モル加え １時間攪はんしてスプレー液とし これを箔
体（Ａ）に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 酸化
アルミニウム皮膜上にチタン酸バリウム皮膜を約０．１
μｍ形成し九 上記（１）、 （２）、 （３）で作成した電極を陽極
とＬ 陽極よりさらに薄い厚み０．７ｍｍのアルミニウ
ム箔を陰極とし両者をセパレータを介して捲回し電解液
に含浸しコンデンサを試作しその特性を第１表にまとめ
島 比較例は上記箔体（Ａ）で作成した電極を陽極とし
厚み０．７ｍｍのアルミニウム箔を陰極としたもので
あも 第１表 く第２実施例〉 第２図に示したようにステンレス鋼箔４ （厚さ０、１
ｍｍ）表面を王水でエツチングし粗面化し九 このステ
ンレス鋼箔４の表面に第１実施例と同様な方法で、金属
酸化物皮膜５を形成し九 （１）ステンレス鋼箔４上に酸化アルミニウム皮膜を形
成する場合； アルミニウムトリセカンダリイブトキシ
ドＡｌ（０−ｓｅｃ−Ｃ４Ｈｅ ）３をエチルアルコー
ルと混合し アルコキシドを安定化するためにアセチル
アセトンと水とをＡｌ（０−ｓｅｅ−ＣｎＨｓ ）３に
対して等モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし
これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔４上に塗布した後
４５０℃で２０分間焼成し 約０．１μ山の酸化アルミ
ニウム皮膜を形成し九 （２）ステンレス鋼箔４上に酸化アルミニウムと酸化チ
タンとの混合物皮膜を形成する場合； アルミニウムト
リセカンダリイブトキシドＡｌ（Ｑ−ｓｅｅ−Ｃａ Ｈ
ａ ）ｓとチタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ
）４とをエチルアルコールと混合し アルコキシドを
安定化するためにアセチルアセトンと水とをＡｌ（０−
ｓｅｅＣ４Ｈａ ）３、Ｔｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４に対し
て等モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし これ
を低湿雰囲気下でステンレスｔ４ Ｍ ４上に塗布した
後４５０℃で２０分間焼成し 酸化アルミニウムと酸化
チタンとの混合物皮膜を約０．１μｍ形成しな（３）ス
テンレス鋼箔４上に酸化アルミニウムとチタン酸バリウ
ムとの混合物皮膜を形成する場合；アルミニウムトリセ
カンダリイブトキシドＡ１（Ｏｓｅｃ−Ｃ４Ｈｅ ）３
とチタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）４とバ
リウムアルコキシドＢａ（ＯＥｔ）ａとを所定量エチル
アルコールと混合し アルコキシドを安定化するために
アセチルアセトンと水とをアルコキシドに対して等モル
加え １時間撹はんしてスプレー液と服 これをステン
レス鋼箔上に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 酸
化アルミニウムとチタン酸バリウムとの混合物皮膜を形
成した上記（１）、 （２）、 （３）で作成した電極
を陽極とし 陽極よりさらに薄い厚み０．Ｔｍｍのアル
ミニウム箔を陰極とし両者をセパレータを介して捲回し
電解液に含浸しコンデンサを試作しその特性を第２表に
まとめ島 比較例は第１表と同じ構成のコンデンサであ
も 第２表 く第３実施例〉 第３図に示したようにステンレス鋼箔４ （厚さ０．１
ｍｍ）表面を王水でエツチングし粗面化し九 このステ
ンレス鋼箔４の表面に第１実施例と同様な方法で、 ２
層の金属酸化物皮膜６、７を積層しｔう（１）ステンレ
ス鋼箔４上に酸化アルミニウム皮膜と酸化チタン皮膜と
を順次積層する場合； アルミニウムトリセカンダリイ
ブトキシドＡｔ（０−ｓｅｅ−Ｃ４Ｈ９ｈをエチルアル
コールと混合し アルコキシドを安定化するためにアセ
チルアセトンと水とをＡ１（０−３ｅｅ−Ｃａ Ｈｅ
）ｓに対して等モル加私 １時間撹はんしてスプレー液
とし これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔４上に塗布
した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０５μｍの酸
化アルミニウム皮膜を形成し丸 次番へ チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）
Ｊをエチルアルコールと混合し アルコキシドを安定化
するためにアセチルアセトン上水とをＴｉ（０−ｎ−Ｂ
ｕ）４に対して等モル加え １時間撹はんしてスプレー
液とし これを低湿雰囲気下で前記酸化アルミニウム皮
膜上に塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０
５μｍの酸化チタン皮膜を形成しな（２）ステンレス鋼
箔４上に酸化アルミニウム皮膜とチタン酸化バリウム皮
膜とを順次積層する場合； アルミニウムトリセカンダ
リイブトキシドＡｌ（０−ｓｅｅ−Ｃ４Ｈｅ ）ａをエ
チルアルコールと混合し アルコキシドを安定化するた
めにアセチルアセトンと水とをＡｌ（０−ｓｅｃ−Ｃｎ
Ｈｓ ）ｓに対して等モル加え １時間撹はんしてスプ
レー液とＬ これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔上に
塗布した後４５０℃で２０分間焼成し 約０．０５μｍ
の酸化アルミニウム皮膜を形成し九 次く チタンテトラブトキシドＴｉ（０−ｎ−Ｂｕ）ｉ
とバリウムアルコキシドＢａ（ＯＥｔ）２とを所定量エ
チルアルコールと混合し アルコキシドを安定化するた
めにアセチルアセトンと水とをアルコキシドに対して等
モル加え １時間撹はんしてスプレー液とし これを前
記酸化アルミニウム皮膜上に塗布した後４５０℃で２０
分間焼成し チタン酸バリウム皮膜を形成しに 上記（１）、 （２）で作成した電極を陽極とし陽極よ
りさらに薄い厚み０．７ｍｍのアルミニウム箔を陰極と
し両者をセパレータを介して捲回し電解液に含浸しコン
デンサを試作しその特性を第３表にまとめ九 比較例は
第１表と同じ構成のコンデンサである。
第３表
く第４実施例〉
ステンレス鋼箔（厚さ０．１ｍｍ）表面を王水でエツチ
ングし粗面化し九 このステンレス鋼箔の表面に第１実
施例と同様な方法で、酸化タンタル皮膜を形成し九 Ｔａ（ＯＭｅ）ｇをエチルアルコールと混合し アルコ
キシドを安定化するためにアセチルアセトンと水とをア
ルコキシドに対して等モル加ｉ１時間撹はんしてスプレ
ー液とし これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔上に塗
布した後４５０℃で２０分間焼成獣 約０．０５μｍの
五酸化タンタル皮膜を形成し九 この物を硝酸マンガン溶液に浸漬し 熱分解し二酸化マ
ンガン皮膜を形成しさらに対極である銀ペイント層を形
成しコンデンサとし九 このコンデンサの特性は容量２
０μＦ、誘電正接８％を得九 また発泡金属を基材に用いて上記と同様な方法でタンタ
ル電解コンデンサを試作したところ良好な特性を得た 発明の詳細 な説明したように本発明によれｔ′Ｌ 均一で高い誘電
率を有するコンデンサ用電極を得ることができるので、
この電極を用いて小製 大容量のコンデンサを実現する
ことができる。
ングし粗面化し九 このステンレス鋼箔の表面に第１実
施例と同様な方法で、酸化タンタル皮膜を形成し九 Ｔａ（ＯＭｅ）ｇをエチルアルコールと混合し アルコ
キシドを安定化するためにアセチルアセトンと水とをア
ルコキシドに対して等モル加ｉ１時間撹はんしてスプレ
ー液とし これを低湿雰囲気下でステンレス鋼箔上に塗
布した後４５０℃で２０分間焼成獣 約０．０５μｍの
五酸化タンタル皮膜を形成し九 この物を硝酸マンガン溶液に浸漬し 熱分解し二酸化マ
ンガン皮膜を形成しさらに対極である銀ペイント層を形
成しコンデンサとし九 このコンデンサの特性は容量２
０μＦ、誘電正接８％を得九 また発泡金属を基材に用いて上記と同様な方法でタンタ
ル電解コンデンサを試作したところ良好な特性を得た 発明の詳細 な説明したように本発明によれｔ′Ｌ 均一で高い誘電
率を有するコンデンサ用電極を得ることができるので、
この電極を用いて小製 大容量のコンデンサを実現する
ことができる。
第１＠ 第２諷 第３図はそれぞれ本発明の第１、第２
、第３実施例におけるコンデンサ用電極の構成断面図で
あ−も
、第３実施例におけるコンデンサ用電極の構成断面図で
あ−も
Claims (4)
- （１）酸化皮膜を有するアルミニウム箔上に、ゾルゲル
法を用いて酸化チタン皮膜、酸化アルミニウムと酸化チ
タンとの混合物皮膜、チタン酸バリウム皮膜のいずれか
を形成したことを特徴とするコンデンサ用電極。 - （２）ステンレス鋼箔上に、ゾルゲル法を用いて酸化ア
ルミニウム皮膜、酸化アルミニウムと酸化チタンとの混
合物皮膜、酸化アルミニウムとチタン酸バリウムとの混
合物皮膜のいずれかを形成したことを特徴とするコンデ
ンサ用電極。 - （３）ステンレス鋼箔上に、ゾルゲル法を用いて酸化ア
ルミニウム皮膜と、酸化チタン皮膜又はチタン酸バリウ
ム皮膜とを順次積層形成したことを特徴とするコンデン
サ用電極。 - （４）ステンレス鋼箔上あるいは多孔体金属表面に、ゾ
ルゲル法を用いて酸化タンタル皮膜を形成したことを特
徴とするコンデンサ用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046389A JPH034512A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | コンデンサ用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046389A JPH034512A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | コンデンサ用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034512A true JPH034512A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15269183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14046389A Pending JPH034512A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | コンデンサ用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034512A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6032895A (en) * | 1998-08-14 | 2000-03-07 | Verbatim Corporation | Collared hub pin for a tape cartridge |
| US7256982B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-08-14 | Philip Michael Lessner | Electrolytic capacitor |
| JP2008172185A (ja) * | 2006-03-29 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ |
| JP2008172186A (ja) * | 2006-03-29 | 2008-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極箔の製造方法 |
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| JP2012124347A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Panasonic Corp | 電極箔とその製造方法およびコンデンサ |
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| US8339769B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-12-25 | Medtronic, Inc. | Method of producing a capacitor |
| WO2013073332A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US8824121B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor |
| US8968423B2 (en) | 2010-09-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Technique for forming a cathode of a wet electrolytic capacitor |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP14046389A patent/JPH034512A/ja active Pending
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