JPH0344894A - 半導体不揮発性メモリ装置 - Google Patents
半導体不揮発性メモリ装置Info
- Publication number
- JPH0344894A JPH0344894A JP1179967A JP17996789A JPH0344894A JP H0344894 A JPH0344894 A JP H0344894A JP 1179967 A JP1179967 A JP 1179967A JP 17996789 A JP17996789 A JP 17996789A JP H0344894 A JPH0344894 A JP H0344894A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電気的に書換可能な不揮発性メモリ素子を利
用した、半導体不揮発性メモリに関するものである。
用した、半導体不揮発性メモリに関するものである。
〔発明の１既要〕
この発明は電気的に書換可能な不揮発性メモリ装置にお
いて、データの書換えを行う際に、書換られる旧データ
と、これから書込みたい新データとを比較し、両データ
の差異が大きい場合は、新データを不正データとして書
込みを行わず、旧データを保護するようにしたものであ
る。
いて、データの書換えを行う際に、書換られる旧データ
と、これから書込みたい新データとを比較し、両データ
の差異が大きい場合は、新データを不正データとして書
込みを行わず、旧データを保護するようにしたものであ
る。
電気的に書換可能な不揮発性メモリに求められる機能は
、データの書換がＣＰＵ等からの制御信号により容易に
行えることであり、データの更新に際して書換られる旧
データと、新たに書込もうとするデータとにいかなる差
異があったとしても、新データを無条件に書込むという
半導体不揮発性メモリ装置が知られていた。
、データの書換がＣＰＵ等からの制御信号により容易に
行えることであり、データの更新に際して書換られる旧
データと、新たに書込もうとするデータとにいかなる差
異があったとしても、新データを無条件に書込むという
半導体不揮発性メモリ装置が知られていた。
第２図は従来の実施例を示す構成図であり、以下図面に
基づいて動作概要を説明する。ｃｐｕ等からの制？■信
号によって、書込みアドレスとデータが与えられると、
アドレス発生回路１は、不揮発性メモリアレイ２の中か
ら、通常１バイトあるいはｌワードのデータを記憶する
最小単位のメモリセル群を選択すると共に、データ入出
力制御回路５には、書込みデータが用意される。次いで
、書込み制御回路３は不揮発性メモリの書込みに必要な
高電圧パルス列を出力して、データの書込みがｊテわれ
る。
基づいて動作概要を説明する。ｃｐｕ等からの制？■信
号によって、書込みアドレスとデータが与えられると、
アドレス発生回路１は、不揮発性メモリアレイ２の中か
ら、通常１バイトあるいはｌワードのデータを記憶する
最小単位のメモリセル群を選択すると共に、データ入出
力制御回路５には、書込みデータが用意される。次いで
、書込み制御回路３は不揮発性メモリの書込みに必要な
高電圧パルス列を出力して、データの書込みがｊテわれ
る。
しかし従来の技術の、データの更新が書換えられる旧デ
ータと、新たに書込む新データとにいかなる差があろう
とも、無条件に新データを書込むという方式では、新た
に書込もうとするデータがどんなものであっても書換え
てしまう。これは特に計測制御分野において、機器のさ
まざまな更正データ等は定期的に補正され、そのデータ
を保持すべく電気的に書換可能な不揮発性メモリ （以
下ＥＥＰＲＯＭと略す）が使用されるものにあっては欠
点となる。機器の更正には一般に現在の更正データを用
いて補正を加えるのが昔通であり、その補正量が著しく
大きくなった場合には、機器に何らかの障害があったと
判断される。もしここで、補正量が著しく大きく更正デ
ータが以前のものに比較して大きく異なるにもかかわら
ず、更正データを更新してしまったとすると、以後の機
器の更正動作は困難となるものばかりか、改修不能の動
作状態に陥る危険がある。
ータと、新たに書込む新データとにいかなる差があろう
とも、無条件に新データを書込むという方式では、新た
に書込もうとするデータがどんなものであっても書換え
てしまう。これは特に計測制御分野において、機器のさ
まざまな更正データ等は定期的に補正され、そのデータ
を保持すべく電気的に書換可能な不揮発性メモリ （以
下ＥＥＰＲＯＭと略す）が使用されるものにあっては欠
点となる。機器の更正には一般に現在の更正データを用
いて補正を加えるのが昔通であり、その補正量が著しく
大きくなった場合には、機器に何らかの障害があったと
判断される。もしここで、補正量が著しく大きく更正デ
ータが以前のものに比較して大きく異なるにもかかわら
ず、更正データを更新してしまったとすると、以後の機
器の更正動作は困難となるものばかりか、改修不能の動
作状態に陥る危険がある。
この発明は、従来のこのような欠点を解決するために、
ＥＥＰＲＯＭの書込み動作において、まず該当するアド
レスのデータを読み出し、書込みデータと比較し両デー
タの差異が予め設定した値より大きい場合はデータの書
込みを行わないようにする半導体不揮発性メモリを提供
することを目的としている。
ＥＥＰＲＯＭの書込み動作において、まず該当するアド
レスのデータを読み出し、書込みデータと比較し両デー
タの差異が予め設定した値より大きい場合はデータの書
込みを行わないようにする半導体不揮発性メモリを提供
することを目的としている。
上記課題を解決するために、この発明はデータ比較回路
を設け、旧データと新データの比較した結果に基づいて
、以後の書込動作を制御するようにした。
を設け、旧データと新データの比較した結果に基づいて
、以後の書込動作を制御するようにした。
データ比較回路により、まず旧データと新データの差を
求め、次いで予め設定しである偏差データより大きい場
合には、書込み制御回路に信号を送り、書込みを行わな
いようにすることが可能である。
求め、次いで予め設定しである偏差データより大きい場
合には、書込み制御回路に信号を送り、書込みを行わな
いようにすることが可能である。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の不揮発性メモリ装置の実施例を示す構
成図であり、第２図に示すところの従来の不揮発性メモ
リ装置の実施例を示す構成図にデータ比較回路４が付加
された構成となっている。
成図であり、第２図に示すところの従来の不揮発性メモ
リ装置の実施例を示す構成図にデータ比較回路４が付加
された構成となっている。
データの書換動作は以下の手順で行われる。まずＣＣＵ
等からの制御信号によって、書込みアドレスとデータが
与えられると、アドレス発生回路ｌは、該当するメモリ
セル群を不揮発性メモリアレイ２の中から選択すると共
に、データ人出力回路５には、書込みで−た（新データ
）が用意され、データ比較回路４に伝えられる。次いで
不揮発性メモリ２の中から選択されたメモリセル群のデ
ータ（旧データ）もデータ比較回路に伝えられ、両デー
タの差異を調べる。さらに予め設定しである偏差データ
との大小関係を調べ、旧データと新データの差異が偏差
データよりも大なる場合には、書込み制御回路３に書換
不許可の信号を送り、不揮発性メモリの書込みに必要な
高電圧パルス列を出力しないようにし、新データの書込
みを禁止し、旧データを保護する。一方間データと新デ
ータの差異が、偏差データよりも小なる場合には、書換
許可として、書込み制御回路３は不揮発性メモリの書込
みに必要な高電圧パルス列を出力して、データの書換を
実行する。ここで、データ比較回路４は簡単な論理回路
の組み合わせで実現できる。
等からの制御信号によって、書込みアドレスとデータが
与えられると、アドレス発生回路ｌは、該当するメモリ
セル群を不揮発性メモリアレイ２の中から選択すると共
に、データ人出力回路５には、書込みで−た（新データ
）が用意され、データ比較回路４に伝えられる。次いで
不揮発性メモリ２の中から選択されたメモリセル群のデ
ータ（旧データ）もデータ比較回路に伝えられ、両デー
タの差異を調べる。さらに予め設定しである偏差データ
との大小関係を調べ、旧データと新データの差異が偏差
データよりも大なる場合には、書込み制御回路３に書換
不許可の信号を送り、不揮発性メモリの書込みに必要な
高電圧パルス列を出力しないようにし、新データの書込
みを禁止し、旧データを保護する。一方間データと新デ
ータの差異が、偏差データよりも小なる場合には、書換
許可として、書込み制御回路３は不揮発性メモリの書込
みに必要な高電圧パルス列を出力して、データの書換を
実行する。ここで、データ比較回路４は簡単な論理回路
の組み合わせで実現できる。
また偏差データの設定に関しては特別に偏差データ格納
用不揮発性メモリアレイを用意して、専用の書込み命令
を設ける必要はなく、不揮発性メモリアレイ２の一部を
割り当てることで用は足りる。
用不揮発性メモリアレイを用意して、専用の書込み命令
を設ける必要はなく、不揮発性メモリアレイ２の一部を
割り当てることで用は足りる。
但し、偏差データを変更する必要がある場合には、旧デ
ータと新データの差異の大小にかかわらず書込みを許可
しなくてはならない。このため、偏差データを格納する
メモリアドレスは固定化して、前記メモリアドレスが選
択された場合には、データ比較回路の出力結果とは無関
係に書込み制御回路を動作させる。
ータと新データの差異の大小にかかわらず書込みを許可
しなくてはならない。このため、偏差データを格納する
メモリアドレスは固定化して、前記メモリアドレスが選
択された場合には、データ比較回路の出力結果とは無関
係に書込み制御回路を動作させる。
尚、偏差データをデータの取り得る最小値に設定してお
けば、本発明によるところの半導体不揮発性メモリ装置
は、旧データと新データの差異の大小とは無関係に書換
え可能な従来の半導体不揮発性メモリ装置と同しである
ばかりか、偏差データを最大値に設定しておけば、異な
るデータに書き換えることが不可能な、データ保護機能
付の半導体不揮発性メモリ装置ということになる。
けば、本発明によるところの半導体不揮発性メモリ装置
は、旧データと新データの差異の大小とは無関係に書換
え可能な従来の半導体不揮発性メモリ装置と同しである
ばかりか、偏差データを最大値に設定しておけば、異な
るデータに書き換えることが不可能な、データ保護機能
付の半導体不揮発性メモリ装置ということになる。
以上説明したように、この発明は本来大きくデータの内
容が変化しては困るという用途に対し、簡単なデータ比
較回路を付加するだけで、データの保護を行い、本不揮
発性メモリ装置を用いた電子装置とをトラブルから回避
することができるという効果がある。
容が変化しては困るという用途に対し、簡単なデータ比
較回路を付加するだけで、データの保護を行い、本不揮
発性メモリ装置を用いた電子装置とをトラブルから回避
することができるという効果がある。
第１図は本発明の不揮発性メモリ装置の実施例を示す構
成図、第２図は従来の不揮発性メモリ装置の実施例を示
す構成図である。 アドレス発生回路 不揮発性メモリアレイ 書込み制御回路 データ比較回路 データ入出力制御回路 データ入出力端子群
成図、第２図は従来の不揮発性メモリ装置の実施例を示
す構成図である。 アドレス発生回路 不揮発性メモリアレイ 書込み制御回路 データ比較回路 データ入出力制御回路 データ入出力端子群
Claims (1)
- 電気的に書換可能な不揮発性メモリ素子から成る半導体
不揮発性メモリ装置において、データの書込みを行うた
めに、先ず該当するアドレスのデータを読み出し、書込
みデータと比較し両データの差異が予め設定した値より
大きい場合はデータの書込みを行わないことを特徴とす
る半導体不揮発性メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179967A JPH0344894A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体不揮発性メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179967A JPH0344894A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体不揮発性メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344894A true JPH0344894A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16075109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179967A Pending JPH0344894A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体不揮発性メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3301518A2 (en) | 2016-09-29 | 2018-04-04 | Canon Finetech Nisca Inc. | Fixing device |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179967A patent/JPH0344894A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3301518A2 (en) | 2016-09-29 | 2018-04-04 | Canon Finetech Nisca Inc. | Fixing device |
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