JPH0342536A - 重量湿度センサ - Google Patents
重量湿度センサInfo
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- JPH0342536A JPH0342536A JP1179593A JP17959389A JPH0342536A JP H0342536 A JPH0342536 A JP H0342536A JP 1179593 A JP1179593 A JP 1179593A JP 17959389 A JP17959389 A JP 17959389A JP H0342536 A JPH0342536 A JP H0342536A
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- humidity
- weight
- electrode film
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Links
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- CRGGPIWCSGOBDN-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)chromium Chemical compound [Mg+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O CRGGPIWCSGOBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Landscapes
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は重量と湿度を単一の素子で検出できるセンサに
関するもので、調理器などに利用される。
関するもので、調理器などに利用される。
従来の技術
従来、重量センサとして、特公平1−13524号公報
に示されるように、一対の絶縁性基板を一定間隔で隔て
、接着層により固定し、さらに一対の絶縁性基板の互い
に対向する表面に電極膜を形成した静電容量型重量セン
サが知られている。一対の絶縁性基板の一方をダイアフ
ラムとして利用し、このダイアフラムに重量が印加され
たときのダイアフラムの変形を静電容量変化として検出
することにより、重量を検出している。
に示されるように、一対の絶縁性基板を一定間隔で隔て
、接着層により固定し、さらに一対の絶縁性基板の互い
に対向する表面に電極膜を形成した静電容量型重量セン
サが知られている。一対の絶縁性基板の一方をダイアフ
ラムとして利用し、このダイアフラムに重量が印加され
たときのダイアフラムの変形を静電容量変化として検出
することにより、重量を検出している。
また、湿度センサは種々の種類が知られているが、代表
的温度センサとして、「湿度センサ」(ナショナルテク
ニカルレポートVo1.24+ No、3+1978
422−435頁、新田、他、)に示されるように、感
湿材料に電極膜を形成した湿度センサが知られている。
的温度センサとして、「湿度センサ」(ナショナルテク
ニカルレポートVo1.24+ No、3+1978
422−435頁、新田、他、)に示されるように、感
湿材料に電極膜を形成した湿度センサが知られている。
感湿材料のインピーダンスが湿度により変化することを
利用して、湿度を検出している。
利用して、湿度を検出している。
このように、従来、重量と温度を個別に検出できるセン
サは公知であるが、単一の素子で両者を検出できるもの
は知られていない。
サは公知であるが、単一の素子で両者を検出できるもの
は知られていない。
発明が解決しようとする課題
例えば、電子レンジなどの調理器で食品重量を検出する
場合、十分な精度で検出するために、湿度補償を必要と
した。しかし、重量と湿度を単一の素子で検出できるセ
ンサは知られていないので、湿度補償をするには2個の
それぞれのセンサを使用しなければならなかった。この
ため、湿度補償が複雑になり、高価格になるという課題
があった。
場合、十分な精度で検出するために、湿度補償を必要と
した。しかし、重量と湿度を単一の素子で検出できるセ
ンサは知られていないので、湿度補償をするには2個の
それぞれのセンサを使用しなければならなかった。この
ため、湿度補償が複雑になり、高価格になるという課題
があった。
そこで本発明の目的は、重量と湿度を単一の素子で検出
できる重量湿度センサを提供することである。
できる重量湿度センサを提供することである。
課題を解決するための手段
本発明の重量湿度センサは、絶縁性基板と、前記絶縁性
基板の表面に形成された第1を極膜と、前記第1電極膜
と対向して一定の間隔で隔てられ、接着層により固定さ
れた感温基板と、nil記感記基板の表面に前記第1電
極膜と対向して形成された第2電極膜と、前記感湿基板
の他の表面に形成された第3電極膜とを備えた構成であ
る。
基板の表面に形成された第1を極膜と、前記第1電極膜
と対向して一定の間隔で隔てられ、接着層により固定さ
れた感温基板と、nil記感記基板の表面に前記第1電
極膜と対向して形成された第2電極膜と、前記感湿基板
の他の表面に形成された第3電極膜とを備えた構成であ
る。
作用
絶縁性基板をダイアフラムとして利用し、このダイアフ
ラムに重量が印加されたときのダイアフラムの変形を第
1電極膜と第2電極膜の間の静電容量変化として検出す
ることにより重量を検出できる。また、第2電極膜と第
3電極膜の間に感温基板が配置され、この感湿基板は湿
度と共にその抵抗値が変化するので、第2電極膜と第3
?′1tI7iIII12の間の抵抗値変化を検出する
ことにより湿度を検出できる。
ラムに重量が印加されたときのダイアフラムの変形を第
1電極膜と第2電極膜の間の静電容量変化として検出す
ることにより重量を検出できる。また、第2電極膜と第
3電極膜の間に感温基板が配置され、この感湿基板は湿
度と共にその抵抗値が変化するので、第2電極膜と第3
?′1tI7iIII12の間の抵抗値変化を検出する
ことにより湿度を検出できる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。第1図は本発明の重量湿度センサの断面図である。
る。第1図は本発明の重量湿度センサの断面図である。
絶縁性基板lの表面に第1電極膜2を形成し、他方で感
湿基Fi、3の両方の表面に第2電極膜4および第3電
極膜5を形成した。この後、第1)1極膜2と第21!
極膜4とが互いに対向するようにして、絶縁性基lit
と感湿基[3を接着層6を用いて一定間隔を隔て、固定
した。絶縁性基板lとして、アルミナ板、硝子板などが
用いられる。第1電極膜2、第21を極!l!4および
第3電極膜5として、焼成導電性厚膜あるいは薄膜、蒸
着あるいはスパッタ導電性薄膜などが用いられる。感湿
基板3として、M g Cr z Oa ・T i
O2などの多孔質セラミックが用いられる。また、接着
N6として、焼威硝子膜、樹脂膜などが用いられる。
湿基Fi、3の両方の表面に第2電極膜4および第3電
極膜5を形成した。この後、第1)1極膜2と第21!
極膜4とが互いに対向するようにして、絶縁性基lit
と感湿基[3を接着層6を用いて一定間隔を隔て、固定
した。絶縁性基板lとして、アルミナ板、硝子板などが
用いられる。第1電極膜2、第21を極!l!4および
第3電極膜5として、焼成導電性厚膜あるいは薄膜、蒸
着あるいはスパッタ導電性薄膜などが用いられる。感湿
基板3として、M g Cr z Oa ・T i
O2などの多孔質セラミックが用いられる。また、接着
N6として、焼威硝子膜、樹脂膜などが用いられる。
アルミナ絶縁性基板lの厚さを約0.6mm、第1電極
膜2と第2を極1)94の対向面積を約2.5d、接着
層6の厚さ(アルミナ絶縁性基板1と感温基板3の間の
間隔)を約50μmとし、第2図に示すように、アルミ
ナ絶縁性基IIの中央部に荷重を印加して、第1電極膜
2と第2電極膜4の間の静電容量値を測定した。荷重が
Okg、2kg、4kgのとき、静電容量値は約519
F、約54.5pP、約6oppを示し、荷重が増加す
ると共に静電容量値は増加した。しかし、例えば、荷重
をOkg一定に保ち、周囲の相対湿度を約50%から1
00%まで変化させたとき、相対湿度が約80%を越え
ると静電容量値は増加し始め、相対湿度が約95%のと
き静電容量値は約0.5%増加した。この静電容量値の
増加は重量にして約140gに相当するので、より高精
度な測定のために湿度補償が必要になる。
膜2と第2を極1)94の対向面積を約2.5d、接着
層6の厚さ(アルミナ絶縁性基板1と感温基板3の間の
間隔)を約50μmとし、第2図に示すように、アルミ
ナ絶縁性基IIの中央部に荷重を印加して、第1電極膜
2と第2電極膜4の間の静電容量値を測定した。荷重が
Okg、2kg、4kgのとき、静電容量値は約519
F、約54.5pP、約6oppを示し、荷重が増加す
ると共に静電容量値は増加した。しかし、例えば、荷重
をOkg一定に保ち、周囲の相対湿度を約50%から1
00%まで変化させたとき、相対湿度が約80%を越え
ると静電容量値は増加し始め、相対湿度が約95%のと
き静電容量値は約0.5%増加した。この静電容量値の
増加は重量にして約140gに相当するので、より高精
度な測定のために湿度補償が必要になる。
多孔質セラミックは湿度の増加と共にその抵抗値が急激
に減少するので、感賞基板3として有用である0例えば
、M g Cr z Oa ・T i OHセラ壽フ
ッタ4 x 5 xo、25amの計上に形成した感湿
素子の抵抗値は、相対湿度60%で約70にΩ、相対湿
度80%で約29にΩ、相対湿度90%で約10にΩを
示した。この抵抗値から湿度が検出されるので、湿度に
応して静電容量値の補正ができる。
に減少するので、感賞基板3として有用である0例えば
、M g Cr z Oa ・T i OHセラ壽フ
ッタ4 x 5 xo、25amの計上に形成した感湿
素子の抵抗値は、相対湿度60%で約70にΩ、相対湿
度80%で約29にΩ、相対湿度90%で約10にΩを
示した。この抵抗値から湿度が検出されるので、湿度に
応して静電容量値の補正ができる。
このように本発明の重量湿度センサは、重量検知部と湿
度検知部が一体的に構成されているので、重量検知部の
ごく近傍の相対湿度が検知できる。
度検知部が一体的に構成されているので、重量検知部の
ごく近傍の相対湿度が検知できる。
従って、例えば、調理器に用いられた場合、重量湿度セ
ンサ周辺の温度分布に起因する相対湿度の変動に対して
も有効に対応できる。
ンサ周辺の温度分布に起因する相対湿度の変動に対して
も有効に対応できる。
なお、第3図に示すように、アル壽す絶縁性基板lの一
部に小穴7を設け、重量湿度センサ周辺の外部空気が第
2電極膜4に到達できるように構成することが望ましい
。感湿基板3の湿度による抵抗値変化は、水分子が多孔
湿セラミンクに吸着することに起因するので、外部空気
が第3電極膜5のみならず第2電極膜4にも接触するほ
うが好ましいからである。小穴7が設けられていない場
合、第2電極膜4はアルミナ絶縁性基板1および接着N
6により外部空気から遮断される場合がある。また、小
穴7は感湿基板3に設けられてもよいことは当然である
。
部に小穴7を設け、重量湿度センサ周辺の外部空気が第
2電極膜4に到達できるように構成することが望ましい
。感湿基板3の湿度による抵抗値変化は、水分子が多孔
湿セラミンクに吸着することに起因するので、外部空気
が第3電極膜5のみならず第2電極膜4にも接触するほ
うが好ましいからである。小穴7が設けられていない場
合、第2電極膜4はアルミナ絶縁性基板1および接着N
6により外部空気から遮断される場合がある。また、小
穴7は感湿基板3に設けられてもよいことは当然である
。
発明の効果
以上性べてきたように、本発明によれば次に示す効果が
得られる。
得られる。
(1)単一の素子で重量と湿度が同時に測定できる。
(2)このため、重量測定の湿度補償が容易になる。
第1図は本発明の一実施例を示す重を湿度センサの断面
図、第2図は重量測定特のダイアフラムの変形を示す断
面図、第3図は本発明の他の重量湿度センサの実施例を
示す断面図である。 1・・・・・・絶縁性基板、2・・・・・・第1電極膜
、3・・・・・・感湿基板、4・・・・・・第2TLF
i膜、5・・・・・・第3Ti極膜、6・・・・・・接
着層、7・・・・・・小穴。
図、第2図は重量測定特のダイアフラムの変形を示す断
面図、第3図は本発明の他の重量湿度センサの実施例を
示す断面図である。 1・・・・・・絶縁性基板、2・・・・・・第1電極膜
、3・・・・・・感湿基板、4・・・・・・第2TLF
i膜、5・・・・・・第3Ti極膜、6・・・・・・接
着層、7・・・・・・小穴。
Claims (4)
- (1)絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表面に形成され
た第1電極膜と、前記第1電極膜と対向して一定の間隔
で隔てられ、接着層により固定された感湿基板と、前記
感湿基板の表面に前記第1電極膜と対向して形成された
第2電極膜と、前記感湿基板の他の表面に形成された第
3電極膜とから成ることを特徴とする重量湿度センサ。 - (2)感湿基板が、相対湿度によりインピーダンスの変
化する材料で構成された特許請求の範囲第1項記載の重
量湿度センサ。 - (3)感湿基板がマグネシウムクロメイトセラミックで
構成された特許請求の範囲第2項記載の重量湿度センサ
。 - (4)絶縁性基板もしくは感湿基板に小穴を設け、外部
空気が第2電極膜に到達するように構成した特許請求の
範囲第1項記載の重量湿度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1179593A JPH0342536A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 重量湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1179593A JPH0342536A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 重量湿度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342536A true JPH0342536A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16068443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1179593A Pending JPH0342536A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 重量湿度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342536A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007271285A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Millenium Gate Technology Co Ltd | ひずみゲージの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179593A patent/JPH0342536A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007271285A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Millenium Gate Technology Co Ltd | ひずみゲージの製造方法 |
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